Anlise do Modulador Eletroptico com

Eletrodos CPS Utilizando a Tcnica SVM

Cludio Kitano
FEIS/UNESP - Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira , Av. Brasil 56, Ilha Solteira, CEP 15385 000, SP.

Jos Edimar Barbosa Oliveira

ITA - Instituto Tecnolgico de Aeronutica , Campo Montenegro, S.Jos dos Campos, CEP 12228 900, SP.

5HVXPR  $QDOLVDVH QHVWH WUDEDOKR D WpFQLFD GH 690

6KLHOGHG9HORFLW\0DWFKHGDSOLFDGDDR PRGXODGRUHOHWURySWLFR
LQWHJUDGR FRP HOHWURGRV &36 &RSODQDU 6WULSV VXEVWUDWR GH
QLREDWRGHOtWLRFDPDGDGH LVRODomR H EOLQGDGR FRP R REMHWLYR
GH UHGX]LU D SHUPLVVLYLGDGH HIHWLYD GD HVWUXWXUD H DXPHQWDU D
ODUJXUD GH EDQGD GH PRGXODomR 2 FDPSR HOHWURPDJQpWLFR p
FDOFXODGR DWUDYpV GD $ERUGDJHP GH 'RPtQLR (VSHFWUDO H D
LQWHUDomRHOHWURySWLFDDWUDYpVGDWpFQLFDSHUWXUEDFLRQDO

ao descasamento de velocidades entre as ondas ptica e de

modulao na regio de interao. Isto implica em que as
caractersticas de microondas da estrutura por ondas
caminhantes praticamente determinam o desempenho desses
moduladores, e da, a importncia em enfatizar as
propriedades do sinal eltrico de modulao.

3DODYUDVFKDYHV  $ERUGDJHP GH 'RPtQLR (VSHFWUDO &36

1LREDWRGH/tWLR0RGXODGRU(OHWURySWLFRSWLFD,QWHJUDGD

I. INTRODUO
Devido a caracterstica de operao com FKLUS reduzido
sob frequncias elevadas, o modulador eletroptico tem
despertado interesse para fins de aplicaes em comunicaes
pticas com banda larga. Por isso, a alternativa de modulao
externa, em detrimento da modulao direta do diodo laser,
tem sido amplamente investigada [1].
Neste tipo de modulao, a portadora ptica propaga-se em
um guia do tipo canal, fabricado em material eletroptico e
cujas caractersticas de ndice de refrao podem ser
controladas atravs de um campo eltrico de modulao. A
distribuio espacial desse campo eltrico estabelecida por
eletrodos planares posicionados convenientemente com
relao ao guia ptico [2]. Na Fig.1, ilustra-se uma vista de
corte de um modulador eletroptico de intensidades, com
configurao de eletrodos CPS (&RSODQDU 6WULSV) e guia
ptico na forma de interfermetro de Mach-Zehnder. Graas
ao confinamento da energia do modo ptico, prximo
superfcie do guia, obtm-se excelente eficincia de efeito
eletroptico devido as elevadas amplitudes de campo que so
geradas pelos eletrodos planos. Isto facilita tambm, o
processo de fabricao desses eletrodos e dos guias pticos,
atravs da utilizao de tcnicas de litografia para circuitos
integrados convencionais. Neste trabalho, dado nfase aos
moduladores integrados por ondas caminhantes em substrato
eletroptico de niobato de ltio e com guias pticos
estabelecidos por difuso de titnio (Ti: LiNbO3).
Constituem fatores importantes na avaliao do
desempenho dos moduladores eletropticos a largura de
banda de modulao e o consumo de potncia eltrica, os
quais mantm entre si uma relao de compromisso
conflitante. A principal restrio largura de banda se deve
C. Kitano, kitano@dee.feis.unesp.br, Tel (018) 3743-1150, Fax +55 (18)
3743-1163; J. Edimar B. Oliveira, edimar@ele.ita.cta.br, Tel. +55 (12)
3947-6820, Fax (012) 3947-5878.

Fig. 1. Esquema de um modulador eletroptico integrado, com eletrodos

CPS e guia ptico Mach-Zehnder (as dimenses esto fora de escala) .

Arranjos estruturais com baixo descasamento de

velocidades tm sido propostos, envolvendo eletrodos CPW
(&RSODQDU :DYHJXLGHV) com condutor central estreito (8 m),
elevada separao entre eletrodos (15 m) e camada de
isolao (EXIIHUOD\HU) espessa de SiO2 (1.2 m) [3]. A
tcnica de casamento de velocidades SVM (6KLHOGHG
9HORFLW\0DWFKHG), onde se emprega uma cobertura metlica
a pequena distncia do plano dos eletrodos, foi testada para o
CPW, permitindo-se reduzir o ndice de refrao efetivo do
sinal de microondas e proporcionar uma sensvel melhora no
casamento de velocidades [4].
Existem algumas vantagens da estrutura CPW sobre o CPS
como, por exemplo, a existncia de um nico modo sem
frequncia de corte (isto favorece a operao monomodo e
simplifica a alimentao). Entretanto, se for de interesse
aumentar a densidade de dispositivos integrados sobre um
mesmo substrato, percebe-se uma limitao na estrutura
CPW, pois seus eletrodos laterais devem apresentar larguras
virtualmente infinitas. Contudo, este no constitui um
problema para o CPS, uma vez que as larguras das fitas so
finitas. Por outro lado, o CPS apresenta dois modos prprios
de propagao sem frequncia de corte, e cuidados adicionais
devem ser providenciados para garantir a operao
monomodo do sinal em microondas. Os autores deste
trabalho tem notado a ausncia na literatura de estudos mais
aprofundados sobre moduladores com CPS, ao contrrio do
que ocorre com o CPW, e assim, justifica-se investig-los.
Prope-se analisar, neste trabalho, a tcnica de SVM aplicada

para uma estrutura de modulador eletroptico integrado com

eletrodos CPS. As grandezas eltricas so determinadas
atravs da Abordagem de Domnio Espectral (ADE), e a
interao eletroptica modelada atravs de anlise
perturbacional do guia ptico.

domnio espectral, que deve ser resolvida com o auxlio das

condies de contorno nas paredes metlicas e nas interfaces
entre as camadas dieltricas. Representando-se as
componentes de campo eltrico e as densidades lineares de
corrente nas fitas metlicas, segundo as direes [ e ], por (
e ( , e, por - e - , respectivamente, demonstra-se que as
componentes espectrais de campo eltrico obedecem a
seguinte relao, na interface \ K K K :
[

]

II. ANLISE DO CAMPO ELTRICO DE MODULAO

A Fig.2 enfatiza a regio de interao eletroptica de um
modulador de intensidades a ptica integrada por ondas
caminhantes em uma estrutura CPS blindada. Esta estrutura
constituda pelo substrato cristalino de LiNbO3 em corte-Z,
com espessura K e o EXIIHUOD\HU de SiO2 de espessura K .
Um superstrato de ar tem espessura K , e a estrutura
suspensa atravs de outra camada de ar com espessura K . Os
eletrodos de modulao possuem comprimento /, so
simtricos em relao a origem do sistema de coordenadas, e
tm larguras : e espaamento 6. Considera-se que tais
eletrodos sejam ideais, com condutividade infinita e
espessura nula. O guia ptico do tipo canal, difundido no
substrato de LiNbO3, especificado pela posio "S", medida
a partir da origem. O conjunto blindado por um invlucro
metlico (ou caixa) de largura D K K K K .


a
a
= ][ - ]

a a
= [[ - [

a a
(
= ]]
]
a = a
=
(
[ []
~
(
~
-

(2)

+ ( , ( [, \ )
( , \ )

(3)
=

.H Q G[
- , ( [, \ )

(
,
\
)
,

Q
Q =
para Q = 0,1,2,...
(4)
D
a
onde a varivel espectral e, = UV , para UV [], so as
didicas de Green no domnio transformado. O procedimento
utilizado para obteno das didicas em substratos em corteZ so apresentados em [6]. Uma maneira de resolver o
sistema de equaes (2), consiste em empregar o mtodo de
Galerkin, expandindo-se as densidades de corrente em
funes de base das seguintes formas [5]:

com

[ ]

[ ]

[ ]

- ] ( Q ) =

~
~
[FP - ]P ( Q )] e - [ ( Q ) =

P =

Neste modulador, os feixes pticos que propagam-se nos

braos do Mach-Zehnder, tm suas fases modificadas atravs
do campo eltrico de modulao estabelecido pelo CPS, via
efeito eletroptico. Devido a no homogeneidade transversal,
este campo eltrico propaga-se como modo hbrido, com
componentes ao longo dos eixos [, \ e ]. Uma forma eficiente
de obter o campo eltrico de modulao consiste na utilizao
da ADE [5]. Nesta tcnica, todas as componentes de campo
so representadas na forma espectral, aplicando-se a
transformada de Fourier espacial na direo [. A natureza
anisotrpica do LiNbO3 inserida na anlise atravs da
permissividade dieltrica relativa que, para cristal em corte-Z,
representada da seguinte forma:

= [[ + // \ \ + ]]

[ G

P - [P ( Q )]

(5)

P =

[ . ].[F] = 
UV

(6)

LN

com

UV
LN

~
UV

~
~
( ). - ( ). - ( Q )
Q

UL

VN

(7)

e onde os ndices obedecem a correspondncia: UV [], e LN

s ordens das funes de base. A matriz [.] tem ordem
(M+N)x(M+N), e a ordem da matriz [F] (M+N)x1. As
solues no-triviais do sistema (6) ocorrem quando:

det[ . ( Q , P , I P )] = 

(8)

(1)

onde // e so permissividades relativas nas direes

paralela e perpendicular ao eixo principal (eixo Z, ou eixo
ptico) do LiNbO3, respectivamente.
Admite-se uma dependncia dos campos de modulao,
e
com ] e W, da forma H[S[M W ]], onde
correspondem a frequncia angular e a constante de fase,
respectivamente. Aplicando-se a transformada de Fourier s
equaes de Maxwell obtm-se uma equao de onda no
P

onde F e G so coeficientes a serem determinados. Neste

trabalho, foram consideradas 0 funes de base na direo ],
e 1 na direo [, expressas em termos de polinmios de
Chebyshev [7].
Seguindo o procedimento padro, substitui-se (5a) e (5b)
em (2), e aplica-se o teorema de Parseval, obtendo-se o
sistema de equaes homogneo [5]:
P

Fig. 2. Seco transversal do modulador eletroptico com eletrodos CPS.

[ ]

Atravs desta equao determinantal, so calculadas as

constantes de fase , e portanto, as permissividades efetivas
P

  N  dos modos normais, onde N = P   . O



HII

ndice de refrao efetivo dado por Q   N .

A tcnica de casamento de velocidades por SVM consiste
basicamente em considerar um plano metlico numa altura K
acima dos eletrodos de modulao, com o objetivo de reduzir
sensivelmente a permissividade efetiva (ou o ndice de
refrao efetivo) [4]. Este plano metlico pode ser a prpria
P

tampa do invlucro metlico. Entretanto, como as espessuras

do substrato de LiNbO3 (K ) e do EXIIHUOD\HU (K ) so da
ordem de micrometros, o uso de SVM poderia implicar
numa caixa (com largura D , da ordem de mm) com altura
K K K muito reduzida, invivel para casos prticos.
Assim, a estrutura do substrato e EXIIHUOD\HU deve ser
suspensa no seu interior, por uma altura K , atravs de uma
outra camada de ar. Sabe-se, contudo, que a suspenso da
estrutura CPS numa caixa pode causar reduo na frequncia
de corte do primeiro modo superior, provocando diminuio
da largura de banda disponvel para modulao eletroptica,
conforme ser discutido adiante [8]. Porm, verifica-se que se
a razo K K for elevada, essas frequncias de corte tambm
resultam elevadas.


a tcnica de SVM s eficiente para o CPS quando K da

ordem de m, caso contrrio, obtm-se reduo de
permissividade efetiva (o que aumenta a largura de banda),
porm, a frequncia de corte do primeiro modo superior
reduzida (o que reduz a largura de banda).
A fim de comprovar a tcnica de SVM para modulador
eletroptico com eletrodos CPS, testou-se o caso onde K =
100 m, K = 0,5 mm (correspondendo a K 9,4 mm),
:=15m, 6=8 m, D = 10 mm e K = 1 m. Na Fig.4
ilustra-se o grfico de permissividade efetiva em funo da
frequncia, para o modo fundamental quase-TEM e os cinco
primeiros modos superiores, obtidos resolvendo-se (8). Essas
frequncias de corte valem 14,18 GHz, 20,53 GHz, 21,45
GHz, 23,67 GHz e 25,04 GHz, respectivamente.


Fig. 3. Frequncia de corte do primeiro modo mpar superior em funo da

espessura de superstrato h1, tendo h3 como parmetro .

Esta informao pode ser extrada analisando-se a Fig.3,

que apresenta os valores de frequncia de corte do primeiro
modo superior em funo da espessura K , parametrizados em
K . Considerou-se nos clculos que blindagem possui seo
transversal quadrada DxD K K K K , onde K fixo,
de forma que K pequeno implica em K elevado. As
frequncias de corte de modos superiores podem ser
determinadas extraindo-se as razes da equao (8) para
. O valor de I , correspondente a primeira soluo de
(8), refere-se ao modo superior de ordem mais baixa.
O substrato de LiNbO3 corresponde a //=28 e =43, e o
SiO2 possui =3,9. Foram selecionados :=15 m, 6=8 m,
D = 10 mm, K = 1 m e valores de K variando entre 0 e
DK K K , para cada valor de K na figura. Cada ponto
associado ao extremo direito das curvas corresponde a K = 0,
ou seja, uma estrutura de apenas trs camadas (camada de
ar, EXIIHUOD\HU e substrato eletroptico). Nos clculos,
utilizam-se expanses com 0=1=8 em (5). O somatrio em
(7) truncado em Q = 45.000.
Conforme se observa, para valores de K muito elevados (K
reduzidos ou nulo), as frequncias de corte relativas ao
primeiro modo superior tambm so elevadas. Diminuindo-se
gradativamente K (aumentando-se K , suspendendo-se a
estrutura na caixa), os valores dessa frequncia de corte se
reduzem, o que pode comprometer a largura de banda do
modulador. Contudo, para valores de h1 abaixo de um certo
valor, essas frequncias de corte voltam a aumentar. Portanto,


U

Fig. 4. Caracterstica de disperso (modos mpares) do CPS blindado com

h1=100m aplicando-se a tcnica SVM.

Como se observa, a curva correspondente ao modo mpar

fundamental praticamente plana ao longo de ampla faixa de
frequncias, e da, sua designao de modo quase-TEM. A
Fig. 4 informa que a permissividade efetiva desse modo
quase-TEM, varia somente de 8,86 8,87, para frequncias
entre DC e 28 GHz, respectivamente. Isto conduz a um valor
de ndice de refrao efetivo que vale aproximadamente 2,98
ao longo dessa banda, sendo muito prximo do ndice de
refrao do modo ptico no canal, qual seja Q = 2,15 para
0 = 1,3 m. Afirma-se que a disperso do modo par (no
desenhado na figura) sem frequncia de corte do CPS
bastante dispersivo, e no interessante para moduladores
eletropticos [8].
Contudo, deve constituir um motivo de ateno a presena
de uma frequncia limite, acima da qual a distribuio de
campo eletromagntico do modo fundamental sofre transio
(acoplamento) com o primeiro modo superior [9]. Esta
frequncia de transio modal estabelece o final da banda
disponvel para modulao eletroptica.
As distribuies de campo eltrico transversal dos modos
podem ser obtidas atravs da transformada de Fourier inversa
[5]. Por exemplo, para a componente ( [\, tem-se:
H

( \ ( [, \ ) =

~

( \ ( Q , \ ).H[S[ M Q []
D Q =

(9)

Na Fig.5 foram desenhados os campos ( [ e ( [, em

valores absolutos, para o CPS associado a Fig.4. Os campos
so calculados a 1m abaixo da interface entre o substrato e o
EXIIHUOD\HU (na regio que acomoda os guias pticos).
Considerou-se nos clculos que que as tenses eltricas
aplicadas aos eletrodos so 0,5V e +0,5V, e que frequncias
variam entre I = 1GHz e 28GHz.
\

Componentes de Campo Eltrico Ex e Ey [kV/m]

40

Ey

30

r
r
( P  [  \  ] W  = 9  ] *P  [  \ H M PW

20

onde 9 ] pode ser interpretado como um fator de forma que

leva em considerao os descasamentos de impedncias nos
acessos, e o descasamento entre as velocidades de fase das
ondas ptica e de modulao. Sua expresso geral dada por
[8]:
=  X +  ]  + / H  P /X  ] 
9  ]  = 9J
(11)
 P /

= + = J


J
/

X ( ] ) = exp{m[ P M

onde

Ex
10
0
28 GHz

-10

28 GHz
-20

-50

(12)

Nessas equaes, Vg e Zg so a tenso e impedncia do

gerador, Z0 a impedncia caracterstica da linha, g e L so
coeficientes de reflexo no gerador e carga, respectivamente.
O fator P = P + M P representa a constante de propagao
da onda de modulao, o fator de atenuao [dB/m] ,
j foi definido e Q o ndice de refrao efetivo do modo
ptico. Neste trabalho considera-se que P=0.
A variao do fator de fase da portadora ptica, , devido
a aplicao do campo eltrico de modulao, pode ser obtida
atravs da anlise perturbacional do guia ptico devido ao
efeito eletroptico linear [11]. Esta uma funo de ], e para
substrato eletroptico em corte-Z determinada pela seguinte
equao [8]:
 ] W  =  ] FRV PW 
(13)

 ]  =
QH U 1 9  ] 
(14)
onde
F

50

1 GHz
-100

P
(QH m HII )]]}
F

1 GHz
-30
-40
-150

(10)

100

150

Dimenso x [m]
Fig. 5. Distribuio de campo no CPS com K=100 m, calculada a 1m
abaixo da interface entre LiNbO3 e SiO2, com tenso de -0,5V e +0,5V.

Conforme se observa, devido ao fato da permissividade

efetiva variar muito pouco em frequncia, a distribuio de
campo permanece praticamente inalterada ao longo de toda
esta banda.
III. CARACTERSTICAS DO MODULADOR PTICO
Na Fig.1, o campo eltrico de modulao, com distribuio
estabelecida pelo CPS, induz uma variao de permissividade
na regio ocupada pelos guias pticos. A anlise do
modulador eletroptico por ondas caminhantes pode ser
executada recorrendo-se ao modelo de linha de transmisso
proposto por Kubota et alii [10]. Porm, este modelo foi
desenvolvido para estrutura CPS aberta, que possui apenas
um modo de propagao sem frequncia de corte, e no qual
as prprias fitas constituem a linha de transmisso.
Entretanto, a presena de uma blindagem constitui um
terceiro eletrodo, e a estrutura passa a admitir dois modos
sem frequncia de corte (o modo par e o mpar). Assim,
cuidados especiais devem ser tomados a fim de excitar
somente o modo mpar quase-TEM, atravs da seleo
adequada de fontes de alimentao anti-simtricas ( +Vg e
Vg). Neste caso, possvel mostrar que a linha de
transmisso de Kubota passa a ser virtual e estabelecida pelos
parmetros eltricos de apenas uma delas [8].
r
Denota-se por *P  [  \  a distribuio transversal de
campo eltrico de modulao, a qual est associada a uma
onda progressiva no CPS casado nas terminaes eltricas, e
que pode ser obtida atravs da tcnica de ADE, conforme
discutido na Seo II. Portanto, no modulador eletroptico, o
campo eltrico estacionrio estabelecido no CPS descasado,
relativo a uma referncia que se desloca com a velocidade do
modo ptico, pode ser descrito como:

(  [ \  )  [  \ 
\

G[G\

(15)

)\  [  \  =

\
Z[ Z\

[ S

Z
H [

Z
H \

(16)

Na expresso (14), U o coeficiente eletroptico efetivo, e

o fator de superposio, calculado conforme (15) para a
componente \ de campo eltrico, ( [\, quando a tenso do
eletrodo 1 da Fig.2 for ajustada em 1,0V. Como esta
distribuio de campo varia muito pouco em frequncia,
como indica a Fig.5,  permanece praticamente constante
entre DC e 28 GHz.
No clculo de , em (15), necessrio obter o campo
eltrico ( [\, para valores de \ entre K e K K utilizandose ADE, conforme discutido na Seo II. A conformao de
campo ptico, ) [\, dada em (16), leva em conta os
desvios padres (PRGH VL]HV) Z e Z do modo quase-TM
propagando-se num guia ptico difundido no substrato de
LiNbO3, o qual tem sua posio especificado pelo parmetro
S, mostrado na Fig.2. Neste trabalho, considera-se
Z Z =2m, correspondente ao caso de um guia monomodo
no comprimento de onda ptico = 1,3m, obtido por
difuso de uma fita de Ti de 4m de largura e 800 de
espessura, por 6h em 10250C [13]. Neste valor de 0, sabe-se
que Q =2,15 e U =31 pm/V para o LiNbO3 [11].





 /  W  =

 ] G]  FRV


PW

(17)

A partir de (17) pode-se calcular a tenso de meia-onda, 9 ,

definida como a tenso de gerador que causa uma variao de
fase ptica com valor de pico igual a rad, na condio de
casamentos de impedncias e de fases, e em baixa
frequncia (1 KHz). Para o modulador em SXVKSXOO vale


9J =    1
(18)
QH U /
J

Na Fig.6 ilustra-se o grfico de (9 /) em funo do

parmetro "S", definido conforme a Fig.2, na faixa [ 20
m. O grfico revela que o valor mnimo de (9 /) igual a
7,9 V.cm, na posio S = 7,7m. Isto significa que, para
um modulador com acessos casados e com comprimento
/ = 20mm, as tenses dos geradores necessrias
para
variar a fase ptica de rad so: Vg = e +Vg = 4,0 V.
J

[V.cm]

14
13


/


12
11
10

3RQWRGHPtQLPR

9
J 8

10

15

20

25

Parmetro S [m]
Fig. 6. Produto Vg .L em funo do posio do guia ptico, p.

A seguir, considera-se um modulador Mach-Zehnder

simtrico como mostrado na Fig.1, operando em regime de
quadratura de fase e com pequenos sinais (dentro da faixa
dinmica). A intensidade ptica na sada do modulador
(SXVKSXOO) [2]:

, F  W  = >  VHQ   W @
(19)

onde W calculado por (17). Expandindo-se (19) em srie
de Taylor, desconsiderando-se os termos superiores ao linear
e filtrando-se a componente DC, obtm-se que a componente
AC da intensidade ptica na sada do modulador vale:
, F  I W   I W  . A partir da, mostra-se que a
profundidade de modulao vale:

P( I ) =

, F ( I , W)

( I , W )

(20)
'&
onde obtido a partir de (17) na situao de casamentos
de impedncias e de velocidades, e com tenso DC.
Na Fig. 10, ilustram-se os resultados obtidos, em termos de
grficos de  log [ / SLFR ] (resposta ptica), sob

, F ()

'&

hiptese de casamento de impedncias nos acessos, e

comprimentos de interao /=5, 8 e 20 mm. Para L=8mm,
pode-se obter uma largura de banda de 28 GHz, contudo,
Vg passa a valer 9,9 V aproximadamente. Para L=5 mm, a

banda seria 45 GHz, porm, a Fig.4 informa que a faixa

quase-TEM no se estende at essa frequncia.
Resposta em frequncia de modulao [dB]

A variao da fase ptica em um dos braos do MachZehnder, , calculada integrando-se (13) entre 0 e /:

10
5
0

L= 5 mm
L= 8 mm

-5
L = 20 mm
-10
-15

-20
-25
-30
0.1

1.0

10

100

Frequncia [GHz]
Fig. 7. Resposta em frequncia do modulador eletroptico para eletrodos
casados nas terminaes, para L=5, 8 20 mm.

IV. CONCLUSO
Evidenciou-se que a tcnica de SVM permite obter
elevadas larguras de banda para um modulador CPS, desde
que h1 seja da ordem de m. Os valores elevados de Vg se
devem a grande espessura de EXIIHUOD\HU adotada. Clculos
considerando-se a espessura dos eletrodos e a impedncia
caracterstica do CPS esto sendo executados pelos autores
desse trabalho e em breve sero apresentados. Com isso ser
possvel estabelecer definitivamente os parmetros estruturais
de um modulador timo.
REFERNCIAS
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