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Engenharia Mecatrnica
Trabalho de Contextualizao e Integralizao Curricular (TCIC II)
Ouro Branco
2012
Ouro Branco
2012
SUMRIO
1 IDENTIFICAO ..................................................................................................................3
2 TTULO...................................................................................................................................3
3 OBJETIVOS............................................................................................................................3
4 INTRODUO......................................................................................................................4
5 REVISO BIBLIOGRFICA ................................................................................................4
5.1 Semicondutores ............................................................................................................................4
5.1.1. Diodos.....................................................................................................................................5
5.1.2 O tiristor ..................................................................................................................................6
5.1.3 Transistores .............................................................................................................................6
5.1.4. Diodo Zener............................................................................................................................8
5.2 Componentes resistivos .................................................................................................................9
5.2.1 Resistores ................................................................................................................................9
5.2.2 Potencimetros.......................................................................................................................9
5.3 Componentes eletrnicos ............................................................................................................12
5.3.1 Capacitores............................................................................................................................12
5.3.2 Placa protoboard..................................................................................................................13
5.3.3 TCA785 .................................................................................................................................14
5.3.4 Transformador de pulso........................................................................................................16
5.3.5 Pontes retificadoras .............................................................................................................17
1 IDENTIFICAO
Nome: Edson Martins de Oliveira.
Matrcula: 0944007-X.
Curso: Engenharia Mecatrnica - 7 perodo.
Email: edson.martins@ifmg.edu.br
2 TTULO
Implementao de um Conversor Monofsico Semicontrolado para o
Laboratrio de Ensino de Eletrnica de Potncia.
3 OBJETIVOS
O objetivo especfico deste projeto consiste em implementar um conversor
monofsico semicontrolado para o laboratrio de ensino de eletrnica de potncia, que
possa ser utilizado no laboratrio de mquinas e acionamentos eltricos.
4 INTRODUO
Tem-se hoje uma enorme necessidade de variar a forma de energia fornecida
pelos consumidores, visto que existem inmeros utilitrios e ferramentas que
necessitam de uma fonte de energia.
No que se diz respeito s fontes de energia eltrica, existem vrias formas de
entregar a mesma ao usurio. Contudo, as concessionrias de energia eltrica ficam
limitadas s fontes alternadas e de uma nica frequncia.
Atualmente, as mais comuns so as fontes de tenso alternada monofsica e
trifsica. Sabe-se que a grande maioria de aparelhos eletroeletrnicos funciona com
tenses contnuas, logo o mtodo mais usado para resolver a diferena de fontes de
tenso atravs do retificador de tenso. Esse retificador funciona basicamente
transformando a tenso alternada em uma tenso continua.
Porm, torna-se necessrio a variao da intensidade da tenso continua de sada
de um retificador, logo, surge o retificador controlado, tema de estudo deste trabalho.
Segundo RASHID (1999) os retificadores com diodos fornecem apenas uma
tenso de sada fixa. Logo para obtermos tenses de sadas controladas necessrio a
utilizao de controle de fase com tiristores em vez de diodos.
5 REVISO BIBLIOGRFICA
5.1 Semicondutores
Segundo BOYLESTAD; NASHELSKY (2004) h mais de meio sculo foi
introduzido o primeiro transistor. Antes disso, tinham-se as vlvulas termoinicas que
eram o centro das discusses nos livros de circuitos e eletrnica. Pouco se compara as
vlvulas com os dispositivos de estado slido (semicondutores), pois, estamos
definitivamente no ltimo.
Reassaltam os autores ainda que hoje existem os famosos microchips que
possuem nada menos que dez milhes de transistores em um centmetro quadrado, o
que possibilita um circuito integrado (CI) muito mais eficiente e de prtica utilizao. A
atual gerao apresenta cada vez mais computadores que se tornaram menores e mais
rpidos, graas a uma evoluo tecnolgica muito importante, os semicondutores.
5.1.1. Diodos
Segundo SEDRA; SMITH (2007) o diodo o mais simples dos dispositivos
semicondutores, mas sua simplicidade no o torna dispensvel nos projetos eletrnicos
e sim um elemento crucial para muitos CIs. Em suma, o diodo funciona como uma
chave que libera passagem de corrente em um sentido do circuito (curto-circuito) e
impede o fluxo de carga no sentido oposto ao permitido (circuito aberto).
Afirmam os autores ainda que o diodo um elemento que possui como
caracterstica a no-linearidade. Das vrias aplicaes a mais comum o projeto de
retificadores, o qual converte corrente alternada em corrente contnua, sendo esse o
projeto tratado neste trabalho.
Como o prprio nome sugere, semicondutores so materiais que tem um nvel de
condutividade entre os extremos de um isolante e de um condutor. O terminal positivo
do diodo chamado de anodo e o terminal negativo, catodo.
Segundo FITZGERALD; KINGSLEY JR.; UMANS (2006) um diodo real
limitado pela tenso negativa que pode suportar. Conhecida como tenso inversa de
ruptura1, essa a tenso inversa mxima que pode ser aplicada ao diodo antes que
comece a conduzir corrente inversa.
O diodo a mais simples das chaves de potncia no sentido de que ele no
pode controlado; ele simplesmente entra em conduo quando uma corrente
positiva comea a fluir e bloqueado quando a corrente comea a inverter de
sentido. (FITZGERALD; KINGSLEY JR.; UMANS, 2006).
a)
b)
5.1.2 O tiristor
a)
b)
Figura 2 (a)Tiristor comercial (b) Esquema do tirirstor.
5.1.3 Transistores
a)
b)
5.2.2 Potencimetros
So resistores com uma derivao central. Assim, a resistncia entre seus dois
terminais extremos fixa em seu valor nominal (10 k - por exemplo).
J o valor de resistncia entre uma das extremidades e a derivao central
depender do posicionamento do cursor. Cria-se, ento, uma estrutura que pode ser
compreendida como dois resistores em srie, conforme mostra a Figura 6.
passa
atuar
como
um
resistor
varivel,
como
ilustra
Figura
7;
10
11
Claro
que
isso
eleva
custo
de
produo.
Protoboard uma placa contendo uma matriz de furos que contem uma conexo
eltrica linear para montagem de circuitos experimentais.
Na superfcie de uma matriz de contato h uma base de plstico em que existem
centenas de orifcios onde so encaixados os componentes.
Em sua parte inferior so instalados contatos metlicos que interligam
eletricamente os componentes inseridos na placa. Geralmente suportam correntes entre
1 A e 3 A. A grande vantagem em se usar uma protoboard na montagem de circuitos
eletrnicos a facilidade de insero de componentes (no necessita soldagem). As
13
Figura12-Representao esquemtica.
5.3.3 TCA785
14
controle possui basicamente a mesma configurao para diferentes retificadores, ele foi
implementado em um circuito integrado, o TCA.
O circuito integrado TCA785, entre outras funes, dedicado ao controle do
ngulo de disparo de tiristores e pode vari-lo de 0 a 180. Com o auxlio de alguns
poucos componentes externos podemos montar um compacto e eficiente circuito de
disparo.
Pino 1 terra
Pino 5 tenso de sincronismo, conectado por meio de uma resistncia tenso de
entrada.
Pino 9 conectado a um potencimetro que em conjunto com o capacitor no pino 10
definem uma rampa de tenso de comparao que o TCA ir utilizar para definir os
disparos.
15
16
, sendo que Vp
17
o valor da tenso de pico na entrada da ponte. Esse valor mdio da tenso de sada
pode ser calculado atravs da seguinte frmula:
A tenso eficaz
18
Figura 16 (a) Ponte retificadora semi-controlada simtrica. (b) ponte retificadora semicontrolada assimtrica. (c) ponte retificadora totalmente controlada.
6. ESTUDO DO SOFTWARE PROTEUS
Aps a realizao de diversas pesquisas foi encontrado o simulador do TCA 785
no software Proteus na internet.
O Software Proteus VSM (Virtual System Modeling) atualmente considerado
uma ferramenta essencial para estudantes e profissionais que desejam criar circuitos,
simular e elaborar lay-outs de aplicaes
analgicas
e digitais, inclusive
20
22
Na Figura 22 tem-se:
Canal A: rampa de carregamento do capacitor de 47nF.
Canal B: tenso de comparao ligada ao pino 11.
Canal C: pulso disparado pelo TCA785 no pino 14 de tenso aproximada
de 15V e largura de 550us controlada pelo capacitor cermico de 150 pF ligado ao pino
12.
Canal D: pulso disparado pelo TCA785 no pino 15 com tenso
aproximada de 15V e largura de 550us controlada pelo capacitor cermico de 150 pF
ligado ao pino 12.
Observe as sadas controladas:
23
24
25
26
7. DESENVOLVIMENTO
Inicialmente foi realizado um estudo sobre as pontes retificadoras controladas,
tiristores e sobre o TCA. Analizado alguns modelos e algumas aplicaes que faziam
uso do TCA para gerao e controle dos pulsos de disparo dos tiristores em uma
ponte, aprendemos sobre seu princpio de funcionamento e como este CI deve ser
polarizado em funo da senoide de entrada da ponte retificadora.
Aps compreenso dos princpios bsicos de funcionamento de uma ponte
retificadora e do circuito de gerao e controle de pulsos de disparo utilizando o TCA,
iniciou se as simulaes do circuito. Com a utilizao do simulador Proteus pois, foi o
nico que encontramos que possua o CI TCA785 em sua biblioteca.
Durante as simulaes houve dificuldades em encontrar os resultados esperado,
pois no havia as configuraes necessrias para alguns componentes. Diante desta
dificuldade decidiu-se iniciar a montagem prtica dos circuitos simulados para
comparao dos resultados e tentar descobrir o que estava errado no circuito.
Montado inicialmente o circuito de polarizao do TCA para obteno das
medies dos pulsos de disparo. Utilizando-se de uma alimentao de 127Vca para
alimentar o circuito, esta alimentao era limitador em um divisor de tenso e retificada
para gerar os 15Vcc necessrios para alimentar o circuito do TCA.
A montagem do circuito de polarizao foi feita seguindo os exemplos e
recomendaes
contidas
no
prprio
datasheet
do
TCA
(http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/infineon/1-tca785.pdf).
Com auxilio do osciloscpio, foi medido as sadas nos pinos 14 e 15 e notado
que os pulsos estavam corretos, com intensidade, comprimento e largura ideais para
realizao dos disparos. Verificou-se tambm que os pulsos variavam sua posio em
relao senoide de entrada conforme altervamos o valor do potencimetro de 10K.
Aps a anlise dos pulsos gerados e certificao que estavam certos, iniciou-se a
montagem da ponte retificadora. Montado a ponte monofsica com dois diodos e dois
tiristores. Esta configurao em ponte possibilita atravs do controle do ngulo de
disparo dos tiristores referente senoide de entrada a variao do valor eficaz da
tenso contnua de sada.
Depois de montada a ponte retificadora, iniciou-se a ligao entre os pulsos
gerados pelo TCA e o gate dos tiristores. Nos exemplos encontrados no datasheet do
27
TCA, existia uma isolao utilizando um transformador de pulsos em pelo menos uma
das ligaes entre pulso e gate.
Optou-se por utilizar o circuito onde s um dos pulsos era isolado. Feito a
montagem conforme indicava o datasheet, porm saia errado quando o circuito era
energizado, a tenso contnua sobre o TCA diminua bruscamente e os tiristores no
eram acionados e no ocorria a retificao.
Analisado cada parte do circuito separadamente concluiu-se que o transformador
de pulso utilizado no era o adequado devido a sua baixa impedncia. Ao conectar o
transformador no circuito, sua baixa impedncia fazia com que uma corrente
relativamente alta sasse do pino 14 do TCA direto para neutro do circuito causando a
queda de tenso em cima do TCA.
Feito vrias tentativas de inserir uma resistncia em srie com o primrio do
transformador e tentar diminuir a corrente, mas o valor da resistncia era alto.
Depois de algumas pesquisas e tentativas encontrou-se a soluo foi utilizado o
transistor para fazer um casamento de impedncia entre o pulso e gate do tiristor.
Desta maneira o pulso era transmitido de maneira correta e o disparo do tiristor
acontecia normalmente.
Com o circuito pronto inseriu-se uma carga resistiva na sada da ponte
retificadora e podemos realizar as medies e observar a variao da onda retificada na
sada atravs do osciloscpio.
28
8. LISTA DE COMPONENTES
1 resistncia de 4.7K 9w
2 resistncia de 220 K
1 resistncia de 10 K
1 resistncia de 4.7K
1 resistncia de 2.2K
1 resistncia de 22K
2 resistncia de 220
1 potencimetro de 10K
1 potencimetro de 100K
1 capacitor de 1000F
1 capacitor de 0.47F
1 capacitor de 2.2F
1 capacitor de 0.1F
1 capacitor de 47nF
1 capacitor de 150pF
3 diodos 1N4005
4 diodos 1N4004
1 diodos 1N4001
1 diodo zener de 15v
2 tiristores BT151
1 transformador de pulso
1 transistores MPSA 14
1 CI TCA 785
29
9. RESULTADOS EXPERIMENTAIS
Na Figura 30 pode-se observar o grfico da rampa de carregamento do capacitor
de 47nF conectado ao pino 10 do TCA e o pulso de disparo que sai do pino 14 do TCA
conectado ao gate (pino 3) de um dos tiristores da ponte retificadora.
30
31
32
10. CONCLUSES
Verifica-se que o objeto proposto no trabalho foi alcanado com a
implementao da ponte retificadora monofsica semi-controlada utilizando o TCA 785.
Por se tratar de um trabalho prtico de implementao, verificou-se a aplicao
do conhecimento terico adquirido nas disciplinas cursadas: Circuitos, Eletrnica
Analgica e Digital, alm do conhecimento adquirido atravs do estudo do contedo
que ainda sero cursadas como no caso da Eletrnica de Potncia. Alm disso, para
projeto e simulao do circuito de acionamento da ponte retificadora, um estudo foi
realizado sobre a utilizao da ferramenta computacional Proteus de forma a especificar
os componentes a serem adquiridos para a montagem do prottipo em questo.
Tambm contribuiu para a formao tcnica e profissional as horas despendidas
no laboratrio circuitos eltricos com o uso de multmetros e osciloscpio na validao
do circuito implementado bem como a extrao dos resultados experimentais, alm dos
desafios impostos sempre com o surgimento de um novo problema no circuito.
importante ressaltar tambm que o conhecimento de um software ajuda na
segurana e custo na elaborao de um projeto, pois nele pode-se errar e perceber tal
erro, sem colocar em risco a integridade fsica do pesquisador, e ainda, sem danos ao
prottipo.
Na prtica, tornam-se indispensveis ferramentas de medio com boa preciso e
um bom conhecimento terico do que se pretende construir.
Portanto, este projeto torna possvel a implementao de um retificador semicontrolado no laboratrio da UFSJ.
33
11. REFERNCIAS
ARVM.
Transstores
Bipolares.
Disponvel
http://www.arvm.org/exames/trasistor.htm>. Acesso em 01 Jul. 2012.
em:
<
34
12. ANEXOS
35
TCA 785
Phase Control IC
TCA 785
Bipolar IC
Features
P-DIP-16-1
Type
Ordering Code
Package
TCA 785
Q67000-A2321
P-DIP-16-1
This phase control IC is intended to control thyristors, triacs, and transistors. The trigger pulses
can be shifted within a phase angle between 0 and 180 . Typical applications include
converter circuits, AC controllers and three-phase current controllers.
This IC replaces the previous types TCA 780 and TCA 780 D.
Pin Definitions and Functions
Pin Configuration
(top view)
Semiconductor Group
Pin
Symbol
Function
GND
Ground
2
3
4
Q2
QU
Q2
Output 2 inverted
Output U
Output 1 inverted
VSYNC
Synchronous voltage
6
7
I
QZ
Inhibit
Output Z
V REF
Stabilized voltage
9
10
R9
C10
Ramp resistance
Ramp capacitance
11
V11
Control voltage
12
C12
Pulse extension
13
Long pulse
14
15
Q1
Q2
Output 1
Output 2
16
VS
Supply voltage
09.94
TCA 785
Functional Description
The synchronization signal is obtained via a high-ohmic resistance from the line voltage
(voltage V5). A zero voltage detector evaluates the zero passages and transfers them to the
synchronization register.
This synchronization register controls a ramp generator, the capacitor C10 of which is charged
by a constant current (determined by R9). If the ramp voltage V10 exceeds the control voltage
V11 (triggering angle ), a signal is processed to the logic. Dependent on the magnitude of the
control voltage V11, the triggering angle can be shifted within a phase angle of 0 to 180.
For every half wave, a positive pulse of approx. 30 s duration appears at the outputs Q 1 and
Q 2. The pulse duration can be prolonged up to 180 via a capacitor C12. If pin 12 is connected
to ground, pulses with a duration between and 180 will result.
Outputs Q 1 and Q 2 supply the inverse signals of Q 1 and Q 2.
A signal of +180 which can be used for controlling an external logic,is available at pin 3.
A signal which corresponds to the NOR link of Q 1 and Q 2 is available at output Q Z (pin 7).
The inhibit input can be used to disable outputs Q1, Q2 and Q 1 , Q 2 .
Pin 13 can be used to extend the outputs Q 1 and Q 2 to full pulse length (180 ).
Block Diagram
Semiconductor Group
TCA 785
Pulse Diagram
Semiconductor Group
TCA 785
Symbol
Limit Values
min.
max.
Unit
Supply voltage
VS
0.5
18
IQ
10
400
mA
Inhibit voltage
Control voltage
Voltage short-pulse circuit
V6
V11
V13
0.5
0.5
0.5
VS
VS
VS
V
V
V
V5
200
VQ
VS
IQ
10
mA
VQ
VS
Junction temperature
Storage temperature
Tj
Tstg
150
125
C
C
Thermal resistance
system - air
Rth SA
80
K/W
55
200
Operating Range
Supply voltage
VS
18
Operating frequency
10
500
Hz
Ambient temperature
TA
25
85
Characteristics
8 VS 18 V; 25 C TA 85 C; f = 50 Hz
Parameter
Supply current consumption
S1 S6 open
V11 = 0 V
C 10 = 47 nF; R 9 = 100 k
Symbol
min.
typ.
max.
Unit Test
Circuit
IS
4.5
6.5
10
mA 1
I5 rms
30
200
75
mV 4
V10 peak
V
k
Synchronization pin 5
Input current
R 2 varied
Offset voltage
V5
V11
R11
Semiconductor Group
Limit Values
30
0.2
15
4
1
5
TCA 785
Characteristics (contd)
8 VS 18 V; 25 C TA 85 C; f = 50 Hz
Parameter
Symbol
Limit Values
min.
Ramp generator
Charge current
Max. ramp voltage
Saturation voltage at capacitor
Ramp resistance
Sawtooth return time
Inhibit pin 6
switch-over of pin 7
Outputs disabled
Outputs enabled
Signal transition time
Input current
V6 = 8 V
Input current
V6 = 1.7 V
Deviation of I10
R 9 = const.
VS = 12 V; C10 = 47 nF
Deviation of I10
R 9 = const.
VS = 8 V to 18 V
Deviation of the ramp voltage
between 2 following
half-waves, VS = const.
Long pulse switch-over
pin 13
switch-over of S8
Short pulse at output
Long pulse at output
Input current
V13 = 8 V
Input current
V13 = 1.7 V
Outputs pin 2, 3, 4, 7
Reverse current
VQ = VS
Saturation voltage
IQ = 2 mA
Semiconductor Group
I10
V10
V10
R9
tf
typ.
10
100
3
225
1000
V2 2
350
300
A
V
mV
k
s
1
1.6
1
1
2.5
1
1
1
1
80
500
5
800
V
V
s
A
150
200
20
20
V6 L
V6 H
tr
I6 H
4
1
I6 L
80
I10
I10
3.3
3.3
V10 max
V13 H
V13 L
I13 H
3.5
I13 L
45
2.5
2.5
65
0.1
ICEO
Vsat
max.
Unit Test
Circuit
0.4
2
10
V
V
A
1
1
1
100
10
2.6
2.6
TCA 785
Characteristics (contd)
8 VS 18 V; 25 C TA 85 C; f = 50 Hz
Parameter
Outputs pin 14, 15
H-output voltage
I Q = 250 mA
L-output voltage
IQ = 2 mA
Pulse width (short pulse)
S9 open
Pulse width (short pulse)
with C12
Internal voltage control
Reference voltage
Parallel connection of
10 ICs possible
TC of reference voltage
Semiconductor Group
Symbol
Limit Values
min.
typ.
max.
Unit Test
Circuit
V14/15 H
VS 3
VS 2.5
VS 1.0
3.6
V14/15 L
0.3
0.8
2.6
tp
20
30
40
tp
530
620
760
s/
nF
VREF
2.8
3.1
3.4
2 10 4
5 10 4
1/K 1
REF
TCA 785
Triggering point
Charge current
tTr =
I10 =
min
max
500 pF
1 F1)
V11 R9 C10
2)
VREF K
VREF K
Ramp voltage
V10 max = VS 2 V V10 =
2)
R9
1)
2)
Semiconductor Group
VREF K t
R9 C10
2)
TCA 785
Semiconductor Group
TCA 785
Test Circuit 1
Semiconductor Group
TCA 785
Test Circuit 2
Semiconductor Group
10
TCA 785
Test Circuit 5
Semiconductor Group
Test Circuit 6
11
TCA 785
Inhibit 6
Long Pulse 13
Pulse Extension 12
Reference Voltage 8
Semiconductor Group
12
TCA 785
Application Examples
Triac Control for up to 50 mA Gate Trigger Current
A phase control with a directly controlled triac is shown in the figure. The triggering angle of
the triac can be adjusted continuously between 0 and 180 with the aid of an external
potentiometer. During the positive half-wave of the line voltage, the triac receives a positive
gate pulse from the IC output pin 15. During the negative half-wave, it also receives a positive
trigger pulse from pin 14. The trigger pulse width is approx. 100 s.
Semiconductor Group
13
TCA 785
14
TCA 785
Half-Controlled Single-Phase Bridge Circuit with Trigger Pulse Transformer and Direct
Control for Low-Power Thyristors
Semiconductor Group
15
TCA 785
Half-Controlled Single-Phase Bridge Circuit with Two Trigger Pulse Transformers for
Low-Power Thyristors
Semiconductor Group
16
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
GENERAL DESCRIPTION
Glass passivated thyristors in a plastic
envelope, intended for use in
applications
requiring
high
bidirectional
blocking
voltage
capability and high thermal cycling
performance. Typical applications
include motor control, industrial and
domestic lighting, heating and static
switching.
PINNING - TO220AB
PIN
DESCRIPTION
cathode
anode
gate
tab
BT151 series
PARAMETER
500R
500
650R
650
800R
800
7.5
12
100
7.5
12
100
7.5
12
100
A
A
A
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
tab
1 23
anode
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
I2t
dIT/dt
IGM
VGM
VRGM
PGM
PG(AV)
Tstg
Tj
MIN.
MAX.
UNIT
7.5
12
A
A
100
110
50
50
A
A
A2s
A/s
-40
-
2
5
5
5
0.5
150
125
A
V
V
W
W
C
C
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/s.
September 1997
Rev 1.200
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
BT151 series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
Thermal resistance
in free air
junction to ambient
Rth j-a
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
1.3
K/W
60
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
IGT
IL
IH
VT
VGT
ID, IR
VD = 12 V; IT = 0.1 A
VD = 12 V; IGT = 0.1 A
VD = 12 V; IGT = 0.1 A
IT = 23 A
VD = 12 V; IT = 0.1 A
VD = VDRM(max); IT = 0.1 A; Tj = 125 C
VD = VDRM(max); VR = VRRM(max); Tj = 125 C
0.25
-
2
10
7
1.4
0.6
0.4
0.1
15
40
20
1.75
1.5
0.5
mA
mA
mA
V
V
V
mA
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
50
200
-
130
1000
2
V/s
V/s
s
70
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
dVD/dt
tgt
tq
September 1997
Rev 1.200
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
15
BT151 series
Ptot / W
conduction
angle
degrees
30
60
90
120
180
10
Tmb(max) / C
BT151
form
factor
120
105.5
4
2.8
2.2
1.9
1.57
BT151
100
time
T
Tj initial = 25 C max
1.9
2.2
112
2.8
ITSM
IT
a = 1.57
ITSM / A
80
60
118.5
40
20
4
5
IT(AV) / A
125
8
1000
10
100
Number of half cycles at 50Hz
1000
BT151
ITSM / A
25
BT151
IT(RMS) / A
20
dI T /dt limit
15
100
10
I TSM
IT
time
Tj initial = 25 C max
10
10us
100us
0
0.01
10ms
1ms
0.1
1
surge duration / s
T/s
15
IT(RMS) / A
10
BT151
1.6
109 C
VGT(Tj)
VGT(25 C)
BT151
1.4
10
1.2
1
0.8
0.6
0
-50
50
Tmb / C
100
0.4
-50
150
September 1997
50
Tj / C
100
150
Rev 1.200
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
BT151 series
IGT(Tj)
IGT(25 C)
30
BT151
Tj = 125 C
Tj = 25 C
25
2.5
Vo = 1.06 V
Rs = 0.0304 ohms
typ
20
2
1.5
15
10
0.5
0
-50
50
Tj / C
100
150
BT151
IT / A
IL(Tj)
IL(25 C)
0.5
max
1
VT / V
1.5
10
BT145
2.5
BT151
2
0.1
1.5
P
D
tp
0.01
0.5
0
-50
50
Tj / C
100
0.001
10us
150
IH(Tj)
IH(25 C)
1ms
10ms
tp / s
0.1s
1s
10s
0.1ms
10000
BT151
dVD/dt (V/us)
2.5
1000
2
RGK = 100 Ohms
1.5
100
0.5
0
-50
50
Tj / C
100
10
150
50
100
150
Tj / C
September 1997
Rev 1.200
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
BT151 series
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
4,5
max
Net Mass: 2 g
10,3
max
1,3
3,7
2,8
5,9
min
15,8
max
3,0 max
not tinned
3,0
13,5
min
1,3
max 1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,6
2,4
September 1997
Rev 1.200
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
BT151 series
DEFINITIONS
Data sheet status
Objective specification
This data sheet contains target or goal specifications for product development.
Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
Product specification
Limiting values
Limiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one
or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and
operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of
this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.
Application information
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.
Philips Electronics N.V. 1997
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the
copyright owner.
The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be
accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any
consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other
industrial or intellectual property rights.
September 1997
Rev 1.200
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D186
MPSA14
NPN Darlington transistor
Product specification
Supersedes data of 1997 Apr 24
1999 Apr 27
Philips Semiconductors
Product specification
MPSA14
FEATURES
PINNING
PIN
DESCRIPTION
collector
base
emitter
APPLICATIONS
High gain amplification.
2
handbook, halfpage
DESCRIPTION
2
3
TR1
TR2
MAM252
Fig.1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
30
VCES
collector-emitter voltage
VBE = 0
30
VEBO
emitter-base voltage
open collector
10
IC
500
mA
ICM
IB
100
mA
Ptot
500
mW
Tstg
storage temperature
Tamb 25 C; note 1
65
+150
Tj
junction temperature
150
Tamb
65
+150
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
1999 Apr 27
Philips Semiconductors
Product specification
MPSA14
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Rth j-a
VALUE
UNIT
50
K/W
note 1
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tj = 25 C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
0.1
IC = 0; VEB = 10 V
0.1
10000
20000
ICBO
IE = 0; VCB = 30 V
IEBO
hFE
DC current gain
VCEsat
1.5
VBEsat
1.5
VBEon
fT
transition frequency
125
MHz
MGD837
80000
hFE
60000
40000
20000
0
101
10
VCE = 5 V.
1999 Apr 27
102
IC (mA)
103
Philips Semiconductors
Product specification
MPSA14
PACKAGE OUTLINE
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
E
d
L
b
1
e1
3
b1
L1
2.5
5 mm
scale
b1
e1
L1(1)
mm
5.2
5.0
0.48
0.40
0.66
0.56
0.45
0.40
4.8
4.4
1.7
1.4
4.2
3.6
2.54
1.27
14.5
12.7
2.5
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
OUTLINE
VERSION
SOT54
1999 Apr 27
REFERENCES
IEC
JEDEC
EIAJ
TO-92
SC-43
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
97-02-28
Philips Semiconductors
Product specification
MPSA14
DEFINITIONS
Data Sheet Status
Objective specification
This data sheet contains target or goal specifications for product development.
Preliminary specification
This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
Product specification
Limiting values
Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or
more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation
of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the specification
is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.
Application information
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.
LIFE SUPPORT APPLICATIONS
These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these
products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for
use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such
improper use or sale.
1999 Apr 27
Philips Semiconductors
Product specification
MPSA14
NOTES
1999 Apr 27
Philips Semiconductors
Product specification
MPSA14
NOTES
1999 Apr 27
Internet: http://www.semiconductors.philips.com
SCA63
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115002/00/04/pp8