Transistor Darlington

Diagrama de la configuracin Darlington.

En electrnica, el transistor Darlington o AMP es un dispositivo semiconductorque

combina dos transistores bipolares en un tndem (a veces llamado par Darlington) en un
nico dispositivo.
La configuracin (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada
por el ingeniero de los Laboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner dos o tres
transistores sobre un chip fue patentada por l, pero no la idea de poner un nmero
arbitrario de transistores que originara la idea moderna de circuito integrado.

Comportamiento[editar]
Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran
ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos
transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el
producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una
ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase
en altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en
inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones
base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par
darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del
colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.

Si 1 y 2son suficientemente grandes, se da que:

Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de tensin. Ya

que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el
voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:

Para la tecnologa basada en silicio, en la que cada VBEi es de

aproximadamente 0,65 V cuando el dispositivo est funcionando en la regin
activa o saturada, la tensin base-emisor necesaria de la pareja es de 1,4 V.

Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensin de

saturacin. El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unin basecolector debe permanecer polarizada en inversa), ya que su tensin colectoremisor es ahora igual a la suma de su propia tensin base-emisor y la tensin
colector-emisor del primer transistor, ambas positivas en condiciones de
funcionamiento normal. (En ecuaciones,

as
siempre.) Por lo tanto, la tensin de saturacin de un
transistor Darlington es un VBE (alrededor de 0,65 V en silicio) ms alto que la
tensin de saturacin de un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en
el silicio. Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en
un aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington comparado con
un nico transistor.
Otro problema es la reduccin de la velocidad de conmutacin, ya que el
primer transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la
segunda, haciendo al dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el
segundo transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios
conectada entre su base y emisor. Esta resistencia permite una va de
descarga de baja impedancia para la carga acumulada en la unin baseemisor, permitiendo un rpido apagado.

Transistores y electrnica de potencia[editar]

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha
permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores
son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de
alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la
amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

El transistor bipolar como amplificador[editar]

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll),
uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin
igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a
la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para
transistores normales de seal, vara entre 100 y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:

Emisor comn[editar]

Emisor comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta
a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se
tiene ganancia tanto de tensin como de corriente. En caso de tener resistencia de emisor,
RE > 50 , y para frecuencias bajas, la ganancia en tensin se aproxima bastante bien por
la siguiente expresin:

; y la impedancia de salida, por RC

Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos
suponer una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces
tenemos que la tensin de emisor es:

Y la corriente de emisor:

La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de

base:

. Despejando

La tensin de salida, que es la de colector se calcula

como:

Como >> 1, se puede aproximar:

entonces,

Que podemos escribir como

y,

Vemos que la parte

entrada), y la parte

es constante (no depende de la seal de

nos da la seal de salida. El signo negativo indica que la

seal de salida est desfasada 180 respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia queda:

La corriente de entrada,
por

, que aproximamos
.

Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:

y la impedancia de entrada:
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor
ms elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Base comn[editar]

Base comn.

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a
las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente
algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si
aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la
fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la
ganancia aproximada siguiente:

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Colector comn[editar]

Colector comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta
a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se
tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de carga.
Adems, la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces menor que la de la
fuente de seal.

El transistor bipolar frente a la vlvula termoinica[editar]

Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados
vlvulas termoinicas. Las vlvulas tienen caractersticas elctricas similares a la de
lostransistores de efecto campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensin
en el borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplaz a
la vlvula termoinica son varias:

Las vlvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios,
que son peligrosas para el ser humano.

Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las vuelve particularmente poco
tiles para el uso con bateras.

Probablemente, uno de los problemas ms importantes haya sido el peso.

El chasis necesario para alojar las vlvulas y los transformadores requeridos para su
funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos kilos a decenas
de kilos.

El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas es muy corto comparado
con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.

Las vlvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que

necesitan estar calientes para establecer la conduccin.

El transistor es intrnsecamente insensible al efecto microfnico, muy frecuente en

las vlvulas.

Los transistores son ms pequeos que las vlvulas, incluso que los nuvistores.
Aunque existe unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso
de dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamao
que se ha de considerar es el del dispositivo (vlvula o transistor) ms el del disipador.
Como las vlvulas pueden funcionar a temperaturas ms elevadas, la eficiencia del
disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador
mucho ms pequeo.

Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y
corrientes altas; mientras que las vlvulas presentan impedancias elevadas y por lo
tanto trabajan con altas tensiones y pequeas corrientes.

Finalmente, el costo de los transistores no solamente era muy inferior, sino que
contaba con la promesa de que continuara bajando (como de hecho ocurri) con
suficiente investigacin y desarrollo.