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Diodos y Rectificacin

DIODOS Y RECTIFICACION.
Indice:

1. AISLANTES Y CONDUCTORES............................................................................1
1.1 Las bandas de energa. ......................................................................................2
2. CRISTALES SEMICONDUCTORES. ....................................................................2
2.1 La unin PN. .........................................................................................................3
2.2 La polarizacin de la unin PN. .........................................................................4
2.3 El diodo semiconductor .......................................................................................5
3 LA RECTIFICACIN. .................................................................................................6
3.1 La rectificacin de semionda..............................................................................6
3.2 La rectificacin de onda completa.....................................................................7
3.3 El filtrado................................................................................................................9
3.4 Diodos Zner ......................................................................................................10
3.5 Los diodos led.....................................................................................................11
3.6 El tiristor. ..............................................................................................................11
3.7 El triac. .................................................................................................................13
3.8 El diac. .................................................................................................................13

1. AISLANTES Y CONDUCTORES.
El tomo est constituido por el ncleo, formado por protones y
neutrones, y las rbitas, donde se encuentran los electrones. Los electrones
ms cercanos al ncleo tienen una energa de enlace con ste ms fuerte que
los de las rbitas exteriores, y esto provoca que sea mucho ms difcil que se
desprendan de sus rbitas. El valor de la energa que es necesario dar a un
electrn para que se desprenda de su rbita se mide en la unidad electrnvoltio (eV).
En el enlace covalente dos tomos se unen para compartir algunos
electrones de la ltima capa para obtener la estructura de gas noble. Estos
enlaces son propios de muchas molculas, pero tambin de cristales, que son
estructuras geomtricas de tomos. En este tipo de enlace, los electrones se
localizan en zonas concretas y forman los materiales aislantes.
Sin embargo, hay cristales en los que los electrones constituye n el
llamado enlace metlico (cobre, aluminio, oro), de manera que algunos
electrones perifricos pueden circular libremente por todo el cristal. Son los
responsables de la conduccin elctrica del metal y se llaman materiales
conductores.

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1.1 Las bandas de energa.

Cuando un tomo forma parte de un cristal, sus electrones pueden
ocupar distintos niveles, llamados bandas de energa permitidas, que estn
separadas entre ellas por las bandas prohibidas. A la temperatura de cero
absoluto, los electrones ocupan las bandas de energa ms profundas, es
decir, cercanas al ncleo. Con el aumento de la temperatura, los electrones van
ocupando sucesivamente bandas de energa superiores. La banda de energa
llamada banda de valencia est ocupada por los electrones de enlace
covalente que aseguran la cohesin del cristal.
Un aislante se caracteriza por tener una banda prohibida mayor que 5
eV, que se puede superar dando mucha energa. As, si se somete a la
temperatura de fusin, el vidrio (un aislante elctrico) se convierte en
conductor.
Sin embargo, los semiconductores (como el silicio, germanio, carbono,
selenio, etc.) son aislantes, pero de una banda prohibida de 1 eV,
aproximadamente; as, en circunstancias determinadas (campo elctrico, luz),
se transforman en cond uctores ya que sus electrones pueden pasar a una
banda de energa en la que se transforman en libres.

2. CRISTALES SEMICONDUCTORES.
Supongamos que tenemos un cristal compuesto por material de silicio
puro (semiconductor intrnseco), con su estructura perfectamente equilibrada
desde un punto de vista elctrico y geomtrico. Si se aade a este cristal un
pequeo nmero de impurezas, se forma un cristal extrnseco. Estas impurezas
pueden estar constituidas por un nmero determinado de tomos de la tercera
y la quinta columna de la tabla peridica, como el arsnico o el antimonio.
Estos elementos tienen en su rbita externa cinco electrones. Por eso, al
combinarse con los tomos de silicio, cuatro de estos electrones se unirn con
los tomos vecinos del semiconductor y formarn el enlace covalente; sin
embargo, el quinto electrn de cada tomo de arsnico queda libre por el
cristal. Si bien esta nueva estructura es elctricamente equilibrada (ya que los
electrones de arsnico estn equilibrados con protones de sus ncleos), no lo
es geomtricamente, debido a la serie de distorsiones que se producen en el
cristal que tiene el exceso de electrones. Es un cristal llamado cristal tipo N o
donador de electrones.
La operacin de aadir impurezas se llama dopar el cristal. Si tomamos
un cristal semiconductor intrnseco de silicio y realizamos la misma operacin
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de dopaje, pero con impurezas de tomos como el boro o el indio, que

pertenecen a la tercera columna de la tabla peridica (esto es, que tienen tres
electrones en su rbita exterior), habremos formado un cristal de tipo P o
aceptador de electrones. As, los huecos de su interior los ocupan los
electrones vecinos y, de esta forma, se obtiene un conjunto de una gran
movilidad electrnica.

2.1 La unin PN.

Si tomamos un cristal del tipo P y uno del tipo N y los unimos, habremos
creado una unin PN, que tiene las caractersticas siguientes:
Los dos cristales sern elctricamente neutros, ya que el tipo de P est
formado por los huecos neutralizados por iones negativos (iones de boro), y el
tipo N, por un exceso de electrones neutralizados por iones positivos (iones de
arsnico).
Los iones de los dos cristales son fijos en la estructura del cristal; por
tanto, no intervienen en la movilidad.
Al ponerse en contacto y recombinarse, los huecos y los electrones
tendern a la neutralizacin.
Esta neutralizacin podr ser frenada por los iones de signo opuesto
de cada cristal que no pueden moverse.
Se delimita una barrera a los dos lados de la unin, que establece una
diferencia de potencial que impide la difusin posterior de electrones y huecos.
Para clarificar, en la figura siguiente slo aparecen los iones de ambos
cristales y, adems, no constan los tomos de silicio.

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2.2 La polarizacin de la unin PN.

Se entiende por polarizacin de una unin PN la operacin de alimentar
esta unin con una tensin. Esta polarizacin puede ser directa o inversa.

Polarizacin directa: es cuando se conecta una unin PN a la tensin de

una batera, como se indica en la figura siguiente . Se observa que, con una
tensin ligeramente superior a la barrera de potencial de la unin (> 0, 7 V,
aunque vara con el tipo de material), es capaz de vencer dicha barrera. En
este caso, los electrones de la zona N son arrastrados hacia el polo positivo de
la batera, y los huecos, hacia el polo negativo; se establece de esta manera
una circulacin de corriente continua, gracias a la f.e.m. de la batera. No debe
sobrepasarse la intensidad mxima permitida por la unin, ya que sta podra
destruirse inmediatamente.

Polarizacin inversa: si, como se ve en la figura siguiente, invertimos la

polaridad de la batera, los electrones sobrantes del cristal N se concentran en
el polo positivo, y los huecos del cristal P, en el polo negativo.
Por esta razn, por la unin PN no puede circular intensidad de
corriente, salvo una parte muy pequea, llamada corriente inversa, que se debe
a la creacin de pares electrn-hueco en la zona PN. Al aumentar la tensin de
la batera por encima del valor de ruptura, los electrones son arrancados del
enlace covalente y se destruye la unin.

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2.3 El diodo semiconductor

La unin PN forma lo que se llama un diodo semiconductor o
rectificador, porque tiene la particularidad de dejar pasar la intensidad de
corriente cuando est polarizado directamente, pero no cuando lo est
inversamente. En el grfico de la siguiente figura (izquierda) puede verse la
curva caracterstica, y a la derecha , los comportamientos del diodo cuando
alimenta una simple bombilla.

Hay que destacar:

Si el nodo del diodo se conecta al polo positivo de un generador, nos
encontramos en la zona de conduccin directa. Esto provoca que por el diodo
circule la intensidad necesaria para alimentar el circuito. Esta intensidad no
podr ser nunca superior a la tolerada por el diodo, puesto que ste se
destruira por calentamiento. En el diodo se crea una pequea cada de tensin
que es constante (si el diodo es de silicio, entre 0,6 y 0,7 V).
Si el nodo del diodo se conecta al polo negativo de un generador, nos
encontramos en la zona inversa; por tanto, no circula intensidad de corriente,
salvo una mnima intensidad llamada de fuga que no tiene ninguna importancia
en la prctica. Si se supera la tensin inversa que es capaz de soportar el
diodo, se destruye la unin PN por el efecto avalancha.
La curva de funcionamiento del diodo pasa por el origen de
coordenadas; a pesar de esto, en la grfica anterior se observa que la curva
invade el cuarto cuadrante. Esto sucede cuando en una unin PN se provoca la
incidencia de la luz; en este caso, el diodo funciona como un generador que da
una tensin aproximada al valor de la barrera de potencial y una intensidad tan
grande como la superficie de contacto de la unin. Como aplicacin, tenemos
dos ejemplos:
- Los fotodiodos, elementos que se utilizan como sensores para detectar
seales de luz (visible, infrarroja, etc.). Su uso es muy comn en cualquier
clase de automatismos y montajes electrnicos.
- Las clulas solares que forman parte de los paneles fotovoltaicos.
Cada una de las clulas puede tener hasta diez centmetros cuadrados de
superficie y suministra en condiciones de radiacin solar ptima hasta 0,5 V.

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3 LA RECTIFICACIN.
3.1 La rectificacin de semionda.
Cuando una carga resistiva se alimenta por un generador de corriente
alterna mediante un nico diodo, se produce una rectificacin de semionda.
Si el generador suministra una tensin que viene dada por la expresin:
V ef = V max sen wt
y si no tenemos en cuenta la cada de tensin interna del diodo, se
cumplen estas condiciones:
Semiperodo positivo, tensiones e intensidades instantneas:
V R = V ef = V max sen wt
IR=

VR
= I max sen wt
R

Semiperodo negativo, tensiones e intensidades instantneas:

VR =0
IR = 0
Valor medio de las tensiones e intensidades rectificadas:
V R med =

Vmax
V
; I R = max ;

Valor eficaz de la tensin rectificada:

V R ef =

Vmax
2

El valor mximo de la tensin inversa del diodo es U max

El valor de la intensidad mxima del diodo es I max

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U 2max
La potencia media en la carga es: P =
4R
3.2 La rectificacin de onda completa .
Con la rectificacin de onda completa se consigue aprovechar los dos
semiperodos de una tensin alterna sinusoidal monofsica, que es la ms
utilizada en la prctica para la alimentacin de los aparatos electrnicos.
Hay dos tipos de circuitos: los que utilizan cuatro diodos rectificadores y
los que utilizan dos, pero que requieren un transformador como toma
intermedia.

En la figura anterior puede verse el esquema del primer caso, en el que

se alimenta una carga resistiva. Este montaje tambin se conoce como
rectificacin en puente. El esquema ms usual de representacin es el de la
izquierda de la figura, pero, para que se entienda mejor el funcionamiento,
trabajaremos con el esquema de la derecha.
- En el primer semiperodo (alternancia positiva), cuando el borne
superior de la alimentacin tiene ms potencial que el inferior, conducen la
pareja de diodos D1 y D2; el sentido de la intensidad que atraviesa la carga es
de izquierda a derecha. D4 no puede conducir porque, aunque est polarizado
directamente en su ctodo, hay ms potencial que en el nodo. D3 no puede
conducir porque est polarizado inversamente.
- En el segundo semiperodo (alternancia negativa), cuando el borne
superior de alimentacin tiene menos potencial que el inferior, conducen la
pareja de diodos D3 y D4, pero no la pareja D1 y D2, por el mismo
razonamiento que acabamos de hacer. Se observa que la intensidad circula por
la carga en el mismo sentido en ambos casos; esto es, la carga est
alimentada por corriente unidireccional (no se la puede llamar continua, ya que
de hecho es corriente pulsante).
- Valor medio de la tensin rectificada:
V R med =

2 Vmax

Es necesario destacar que, en este caso, la intensidad media que

mantiene cada diodo ser la mitad de I R , porque en cada semiperodo trabaja
una pareja de diodos diferente. El valor mximo de la tensin inversa sobre
cada diodo, segn puede observarse en el grfico, corresponde al valor U max
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Valor eficaz de la tensin rectificada:

V R ef =

Vmax
2

- Potencia media en la carga:

P=

U2max
2 R

La figura siguiente muestra las caractersticas de la rectificacin de onda

completa con cuatro diodos (estos diodos ya se suministran integrados en un
solo bloque).

En el caso de rectificacin en onda completa utilizando dos diodos y un

transformador con toma intermedia, el circuito se corresponde con la figura
anterior.
El transformador con toma intermedia permite tener, en secundario, dos
f.e.m. idnticas en cada instante, pero simtricas a partir de una f.e.m. nica en
primario. La rectificacin funciona de la manera siguiente:
En el primer semiperodo, slo conduce el circuito formado por el
arrollamiento y el diodo superior, y en el siguiente, por el arrollamiento y el
diodo inferior.
De esta manera, la carga est sometida a una alimentacin equivalente
a la de rectificacin en puente y, por tanto, los valores de tensin, intensidad y
potencia tambin sern los mismos.
Slo vara el valor de la tensin inversa que mantiene cada diodo, ya
que en este caso se deduce que su valor es 2U max , porque cuando un diodo no
conduce se somete a doble tensin entre nodo y ctodo, debido al
transformador.

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3.3 El filtrado.
Normalmente, una fuente de alimentacin de tensin continua consta de
un transformador que convierte el valor de la tensin alterna de la red en el
valor deseado (tambin de tensin alterna); un sistema de rectificacin, como
los estudiados anteriormente, que convierte esta tensin en continua pero con
valor no constante; un sistema de filtrado compuesto generalmente por
elementos pasivos que convierten esta tensin prcticamente en continua, y
finalmente, sobre todo en las fuentes de alimentacin ms precisas, un sistema
electrnico de estabilizacin que recorta las posibles irregularidades con el fin
de que la tensin sea completamente continua.
Adems, este sistema electrnico suele tener la posibilidad de regular la
tensin de salida y proteger la fuente de cortocircuitos y sobrecalentamientos.

As pues, en la operacin de filtrado se consigue pasar una tensin

continua, pero variable, a una tensin prcticamente constante.
En la salida de un rectificador hay una tensin: u R = U R + u r , donde U R
es el valor medio de la tensin continua y u r es la tensin de ondulacin, o
llamada simplemente de rizado.
El objetivo del filtro ser su eliminacin. El elemento por excelencia para
eliminar la tensin de rizado es el condensador.
Efectivamente, como se ve en la figura siguiente, un condensador en
paralelo con una carga resistiva se cargar en el momento de la alternancia
1
positiva y almacenar la energa dada por la ecuacin W = C V 2
2

Esta energa ser restituida en la carga, en el momento en que el diodo

deje de conducir. Evidentemente, cuanto mayor sea la capacidad del
condensador, ms poder tendr para alimentar la carga, pero tambin

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necesitar mayor intensidad para cargarse; por tanto, es necesario vigilar que
esta intensidad no estropee el diodo.
Una manera prctica de calcular la capacidad del condensador es dar
como dato el valor de la tensin de rizado en porcentaje (5 %, 10 % de Umx),
y a continuacin aplicar la frmula para el rectificador monofsico en puente
(en el de onda simple el valor del condensador es el doble).
C=

U mx
2R f ur

C es el valor de la capacidad en faradios; R, el valor de la resistencia de

carga en ohmios; f, el valor de la frecuencia en Hz, y las tensiones, en voltios..
La intensidad mxima absorbida por el condensador es:
Ic max = 0,86 U max f C
3.4 Diodos Zner
Los diodos zener tienen la particularidad de que trabajan en la zona
crtica de la caracterstica en inverso, cerca de la zona de avalancha; esto es,
en un lugar donde el aumento de intensidad es muy grande, si se incrementa
levemente la tensin. Esta propiedad provoca que este diodo se utilice como
estabilizador despus del filtrado en las fuentes de alimentacin.

Como se ve en el esquema, es necesario montarlos en paralelo con la

carga, con el ctodo en el polo positivo.
Estos diodos estn caracterizados por su tensin zener (4, 5, 6, 9 V,
etc.) y por la potencia que son capaces de disipar. Tambin hay que conectar
una resistencia en serie limitadora, cuya misin es producir una cada de
tensin igual a la diferencia entre la tensin zener deseada y la tensin que
proviene de la fuente de alimentacin:
R zener =

UR UZ
I mx

Es decir, supongamos que queremos una fuente de alimentacin de 9 V

(U Z = 9 V), y que sta nos suministra despus del filtrado una tensin de 9,5
0,5 V. Esto significa que cuando esta tensin supere los 9 V, por el diodo zener

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circular una intensidad l Z que provocar a Rzener una cada de tensin que
mantendr constantes los 9 V de la carga.
Para terminar, es necesario decir que estos diodos son recortadores, es
decir, suprimen los picos de tensin por encima del valor zener, sin embargo no
pueden subir los valores por debajo de esta tensin.
3.5 Los diodos led.
Son unos diodos que, gracias a la adicin de determinados elementos
qumicos en la unin, emiten luz cuando son polarizados directamente. El color
de la luz emitida est en funcin del aditivo qumico que lleva (galio, arsnico,
fsforo, etc.).
Los hay de diferentes tipos (bicolores, intermitentes, redondos,
rectangulares, triangulares, etc.). Puede decirse que en numerosas
aplicaciones han sustituido a las lmparas de incandescencia por su larga
duracin, bajo consumo y gran rapidez de conmutacin. Su aplicacin es
amplsima: desde simples indicadores de luz (como es el caso de los circuitos
de siete segmentos o display), hasta los componentes principales de las
modernas pantallas planas de televisin.
En su montaje el led se polariza directamente, como puede verse a
continuacin:

Sin embargo, es necesario el uso de una resistencia limitadora de

tensin, cuyo clculo se realiza as:
R=

U - U led
I led

La cada interna de un led (Uled) es de 1,5 a 2,5 V y su intensidad

depende del volumen y del color, pero oscila normalmente entre 10 y 50 mA
3.6 El tiristor.
El tiristor es un dispositivo semiconductor formado por un cristal de silicio
de cuatro capas PNPN y, por tanto, tres uniones. Es como si en la unin PN de
un diodo normal se intercalara otro diodo de sentido contrario.
Exteriormente tiene, como los diodos, un nodo y un ctodo y, adems,
otra pata de control llamada puerta (gate) como comprobamos en las figuras
siguientes.

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El tiristor, tambin llamado diodo controlado, funciona como un diodo

normal slo si se acta convenientemente sobre la puerta. Es decir, cuando en
la puerta no se ha dado ninguna tensin, el diodo central que forma la unin no
conduce y, por tanto, el tiristor queda bloqueado (sea cual sea su polaridad)
entre el circuito principal o de potencia nodo-ctodo. Sin embargo, si se da un
impulso positivo de tensin adecuada en la puerta, el tiristor se ceba y conduce
como un diodo normal, es decir, dejando pasar intensidad si est polarizado
directamente.
Hay una cuestin importante: una vez que el tiristor se ceba, debido a un
impulso positivo de la puerta, sta no ejerce ningn control sobre l, y para
bloquearlo hay que cortar la intensidad del circuito principal.
Si el tiristor est alimentado por corriente continua, una vez cebado
habr que crear un dispositivo en el circuito principal para que el tiristor pueda
bloquearlo. Pero si el tiristor est alimentado por corriente alterna, cada vez
que esta corriente pase por cero bloquear automticamente el circuito
principal; realizando la frecuencia adecuada de los impulsos de la puerta
podremos, pues, regular fcilmente el valor medio de la tensin continua que
suministra el tiristor.

tiristor alimentado por corriente continua

tiristor alimentado por corriente alterna

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3.7 El triac.
Es un dispositivo semiconductor cuyo funcionamiento es similar a dos
tiristores en antiparalelo, pero con un nico elemento de disparo o puerta
(gate). Puede regular directamente una corriente alterna sin tener que pasarla a
continua. En este caso, decimos que el circuito de potencia no tiene polaridad.
Consta de dos patas para el circuito de potencia (A 1 y A 2 ) y una tercera
pata o puerta de control (G) que tambin puede gobernarse por corriente
alterna con disparos positivos o negativos. La curva de funcionamiento del triac
es parecida a la del tiristor, pero simtrica.
En funcin del disparo de la puerta en el momento oportuno, el triac
conducir en el semiperodo positivo o negativo (primer o tercer cuadrante). A
partir del impulso de la corriente de cebado, el triac conduce y se bloquea con
un valor de corriente ligeramente inferior al de cebado (corriente de
mantenimiento).

3.8 El diac.
Es un dispositivo semiconductor usado en muchos circuitos como
auxiliar de disparo del triac. La figura siguiente muestra la curva de
funcionamiento.

El diac permite el paso de corriente alterna, cuando la tensin aplicada

entre la entrada y la salida supera un cierto valor. Es bidireccional y, por tanto,
no tiene polaridad. Hay una tensin de ruptura U R (cerca de 32 V), y hasta que
no se llega al diodo slo deja pasar una corriente insignificante.

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Cuando consigue el punto de ruptura, el diac se ceba bruscamente

hasta la tensin de trabajo UT (unos 25 V), en la que el diac se vuelve
conductor.

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