TRANSISTOR MOSFET

Un transistor MOS a canale n ha una struttura fisica del tipo

Polisilicio

GATE

Ossido (SiO2)
SOURCE

DRAIN

Sacca (n+) di Source

Sacca (n+) di Drain

ox
+

p+

Substrato (p+)

Nel processo di fabbricazione del transistor, su un substrato drogato p + viene fatto crescere un ossido (Biossido di Silicio, in
genere, oppure ossido di Afnio) e sopra viene realizzato uno strato in polisilicio che sostituisce il metallo. Di seguito,
dallalto, vengono impiantate le sacche del source e del drain. A causa della temperatura le sacche si distribuiscono anche
sotto lossido per una lunghezza
dove
la profondit della sacca. Questo effetto, fortemente non
desiderato, ha come conseguenza la riduzione della lunghezza del canale e lintroduzione di capacit parassite attraverso
lossido tra i terminali gate-source e gate-drain.

Comportamento del MOS in polarizzazione

Se si applica una tensione positiva

tra gate e Body, mantenendo source e drain a massa, si crea, nella direzione del Body,
un campo elettrico che tende ad allontanare i portatori liberi di carica (le lacune
+
p) del semiconduttore dalla superficie di contatto con lossido. Di conseguenza si
crea una regione svuotata di carica negativa, costituita dalle cariche del reticolo
cristallino del silicio relative agli atomi droganti.
n
n
Se si aumenta ulteriormente il valore di
(
se il source a massa), la
E
p
regione svuotata si allarga sempre di pi, fino a quando la tensione sullinterfaccia
ossido-semiconduttore non raggiunge la tensione
, dove
la
tensione di Fermi nel silicio drogato. Da qui in poi si dir che si formato il
canale, ovvero una zona priva di lacune in cui gli elettroni possono transitare senza essere coinvolti nel processo di
combinazione lacuna-elettrone. Da questo valore di tensione, detto tensione di soglia , la zona di svuotamento non si
estender pi, e raggiunger uno spessore massimo pari a:

dove

la densit del drogaggio del substrato. In questa zona la quantit di carica fissa, per unit di lunghezza

, sar:

Supponiamo ora di mantenere ancora terminali di drain e di source a massa, ma di aumentare

oltre il valore di soglia .
In queste condizioni, dal substrato alcuni elettroni vengono spinti verso linterfaccia ossido-semiconduttore andando a
costituire il cosiddetto strato di inversione. Lo strato di inversione costituisce una striscia di elettroni mobili dal source al drain.
Applicando una tensione tra source e drain possibile per via di questi elettroni, il passaggio di una corrente. La carica che
forma lo strato di inversione proporzionale alla larghezza del MOS, alla capacit dellossido (gli elettroni vanno a costituire
lelettrodo del condensatore caratterizzato dallossido) e da quanto alta la tensione
oltre la soglia.

essendo

la tensione di overdrive.
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Componenti integrati

Transistor MOS

A questo punto, applicando una tensione (positiva) tra drain e source, si induce una corrente e il transistor risulta acceso. Tra
drain e source la tensione si distribuisce uniformemente lungo il canale (
) e dunque in generale le cariche
allinterno del canale e relativamente alla posizione saranno:

e si muoveranno lungo il canale con velocit

elettroni.

, dove

il campo elettrico a cui sono soggette e

la mobilit degli

Capacit parassite
LD

tox

C1

xj

C5

C2

S
C3

D
C6

C4

Osserviamo che poich il canale deformato ed ha una zona ampia intorno al source, compare in modo determinante in
capacit
tra gate e source stimabile intorno a
. la capacit pi grande tra quelle parassite.

CAPACIT
e
( e
in figura)
Dette capacit di Overlap, sono conseguenze del processo con cui realizzato il MOS. Il loro valore pu essere
calcolato come

In realt ci sono formule pi accurate per determinare il valore di

CAPACIT
e
( e
in figura)
Dovute alla giunzione n-p, in quanto drain e source sono drogate n e il body drogato p.

CAPACIT GATE-CANALE ( in figura)

Capacit del condensatore avente lossido come dielettrico:
unit di superficie dellossido.

. Dove

la capacit per

CAPACIT CANALE-SUBSTRATO ( in figura)

la capacit tipica della regione di svuotamento in cui presente il canale. Aumenta fino allaumentare della
regione di svuotamento, e diminuisce, a bassa frequenza, appena si viene a creare lo strato di inversione. La
capacit tra gate e body risulta in questo modo equivalente alla connessione in serie delle capacit
e .
Andando, infatti, a misurare la capacit tra gate e body al variare (lentamente) della tensione applicata, si ottiene un
andamento del tipo:
CGB
SVUOTAMENTO
Cox
Cox
INVERSIONE
VGB

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Componenti integrati

Transistor MOS

Modello statico di un MOS

Cerchiamo un modello che descriva il comportamento del transistor MOS nellistante in cui acceso (
)e
viene applicata una tensione
tra drain e source. Separiamo il modello del MOS a canale lungo da quello del MOS a
canale corto.

Canale lungo
Avevamo visto che, lungo il canale (asse y), la carica di inversione aveva un andamento del tipo

dove

rappresenta la tensione
ovvero la d.d.p. infinitesima tra il punto
e il punto .
espresso in
e rappresenta la quantit di carica per unit di superficie relativa al piano
allinterfaccia tra
ossido e semiconduttore.
La tensione applicata tra drain e source causa un campo elettrico
. Tale campo elettrico accelera gli elettroni, i quali
viaggeranno ad una velocit, che per valori non troppo alti del campo elettrico (cfr. canale corto), proporzionale ad . La
costante di proporzionalit prende il nome di mobilit dellelettrone :
. In un punto y scorrer una corrente pari
a:

Il segno della corrente sar negativo rispetto alla , in quanto gli elettroni si muovono nella direzione delle y crescenti.
Poich

Si ottiene la seguente equazione differenziale

Si pu risolvere la precedente equazione per separazione di variabili e ricordando che

Che rappresenta esattamente lespressione

costante lungo y.

per un MOS a canale lungo e in zona di triodo.

Canale corto
La sostanziale differenza, rispetto al canale lungo, consiste nel fatto che source e drain sono molto vicini, per cui il campo
elettrico alle estremit molto forte e la velocit degli elettroni, a causa degli urti con il reticolo del silicio, non pi
proporzionale al campo elettrico applicato, bens segue un andamento del tipo:

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Componenti integrati

Transistor MOS
v
vsat

ovvero, per elevati valori di campo elettrico, satura. Si introduce, allora, un campo elettrico di saturazione
campo tale che la velocit di saturazione si possa esprimere come

dove
la mobilit dellelettrone nel silicio per bassi valori del campo elettrico ( e quindi
caso di canale lungo).

come quel

uguale alla mobilit nel

A questo punto, supponendo la carica uniformemente distribuita lungo il canale, ovvero

carica si sposta a velocit costante, per cui:

la

Espressione della corrente per un MOS a canale corto. Il fatto che il MOS a canale corto abbia una corrente che cresce
linearmente con la
applicata, spiega lanomalia della caratteristica
rispetto alla relativa del MOS a canale lungo,
la cui corrente invece ha una dipendenza quadratica dalla
:
ID

CANALE LUNGO

CANALE CORTO

Punto in cui si manifesta la saturazione

della velocit degli elettroni
VGS
VT

Confrontando le caratteristiche, si pu trovare il limite entro cui pu essere scelto un modello a canale corto piuttosto che
uno a canale lungo, a seconda della geometria del componente:

CANALE CORTO

CANALE LUNGO

dove si supposto che il modello del MOS a canale corto valga anche come confronto con il corrispettivo modello a canale
lungo in saturazione:

Dunque siamo in canale corto se

La carica Q si ritiene costante lungo il canale in quanto per alti valori della tensione
vicinanza tra source e drain, il canale si strozza gi per valori di
.

il canale completamente strozzato. Si noti il fatto che in realt, a causa dellestrema

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Componenti integrati

Transistor MOS

minore rispetto a quella in canale lungo. In realt il passaggio tra un caso e laltro reso matematicamente continuo
attraverso la seguente espressione di raccordo:

dove

Il fatto che il modello del MOS a canale corto e a canale lungo siano descritti da equazioni diverse incide pesantemente
anche sui principali parametri per piccoli segnali o sui fattori di merito dei transistor.

Fattori di merito
Transconduttanza
La transconduttanza di un MOS si definisce come

e vale

CANALE CORTO

CANALE LUNGO

Dunque a canale corto la trans conduttanza minore rispetto a quella a canale lungo ed costante e dunque non
modificabile con la tensione
applicata al gate.

Pulsazione di transizione
Si definisce pulsazione di transizione
la pulsazione alla quale il valore assoluto del guadagno di corrente di corto circuito
tra gate e drain del transistor pari ad uno. Teoricamente non avrebbe senso parlare di corrente che entra nel gate di un
MOS, in quanto il metallo isolato dal semiconduttore attraverso lo strato di ossido, tuttavia ad alte frequenze il gate si
carica e si scarica di cariche cos velocemente che leffetto, per chi guarda nel gate stesso, quello di uno scorrimento di
corrente. Per calcolare
si deve utilizzare il modello per piccoli segnali del transistor, che per questo scopo pu essere
applicato indifferentemente per il MOS a canale lungo che per quello a canale corto.

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Componenti integrati

Transistor MOS

Dalla formula precedente si capisce il perch

in se preziose informazioni relative a:

considerato un importante fattore di merito del transistor; infatti contiene

Meriti del transistor

dove

Demeriti del transistor

dove

Passiamo ora al calcolo esplicito di

CANALE LUNGO

CANALE CORTO

indica la capacit del transistor ad amplificare

limita la velocit del transistor

per MOS a canale lungo e corto.

dove
rappresenta la tensione di overdrive del transistor, ed una misura della potenza che, a parit di
dimensioni, il transistor eroga. Infatti, riferendoci al MOS a canale lungo (per il canale corto vale lanaloga osservazione) si
ha:

zona di triodo

saturazione

per cui la corrente proporzionale alla

osserviamo che

. Addirittura quadraticamente in saturazione. Per quanto riguarda la pulsazione

entrambe le
non dipendono da W del transistor o dalla capacit per unit di superficie dellossido.
nel diminuire la lunghezza L del transistor, e dunque nel passaggio da canale lungo a canale corto, la dipendenza
inversa di
da L passa da quadratica a lineare. In generale, comunque, diminuire le dimensioni fa aumentare le
prestazioni del transistor.
Nel canale corto scompare la dipendenza di
dalla tensione di polarizzazione
.

Pulsazione massima
In particolare
definizione di

un parametro fondamentale per la caratterizzazione di un transistor MOS a canale corto. La

e
rappresentano rispettivamente la potenza disponibile del transistor su un carico adattato e la potenza di ingresso
al transistor. Se identifichiamo il transistor come una rete a 2 porte, allora un generatore fornisce in ingresso alla rete una
potenza
.

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Componenti integrati

Se caricato con un carico di resistenza

Norton dalla porta di uscita:

Transistor MOS

, il transistor fornisce in uscita una potenza, calcolabile attraverso lequivalente di

Il massimo di tale potenza si ottiene quando

, per cui detta

si ha:

dove il secondo denominatore giustificato dal fatto che con

si intende lampiezza massima del segnale (supposto
sinusoidale) in uscita e non il valore efficace.
Per il calcolo di
nel transistor a canale corto utilizziamo, per il MOS, il seguente modello per piccoli segnali:

dove

stata omessa la per semplificare i conti

la resistenza di gate, che verr analizzata in seguito

sebbene per
bisogna calcolare la
, inserito un carico . Infatti la
non la corrente che eroga
direttamente il transistor, bens lequivalente di Norton.
per il calcolo della potenza in ingresso si suppone che il MOS sia chiuso in corto circuito per questioni di
semplicit.
ai fini del calcolo di
si utilizza il valore della potenza utile del segnale, ovvero la potenza reale

Come si vede dal circuito rappresentativo del modello del MOS in corto circuito:

Per il calcolo di

consideriamo il circuito equivalente di Norton che rappresenti lo stadio di uscita della rete:

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Componenti integrati
Poniamo

Transistor MOS
e

Al nodo 1:

Al nodo 2:

ovvero

dove

Come dimostrato gi a proposito di

. A questo punto, dalla porta di uscita, il transistor rappresentato attraverso un
generatore di corrente di ampiezza massima
e una ammettenza di uscita
in parallelo al generatore stesso.
Se consideriamo un generatore di corrente chiuso su un carico, si ha

Si dimostra che la potenza attiva trasferita sul carico massima quando

caso:

. In questo

e per quanto riguarda la potenza attiva

Detto questo siamo in grado di calcolarci la potenza disponibile del nostro transistor:

A questo punto il calcolo di

immediato

Osserviamo che a parit di

, maggiore la
e migliori sono le prestazioni in potenza del transistor.
e
sono
elementi i cui valori si oppongono alle prestazioni del transistor; infatti grandi valori di
limitano la banda, ed elevati
valori di causano una notevole perdita per dissipazione. Posto
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Componenti integrati

Transistor MOS

Cos come
anche
d una misura della qualit del MOS e le due espressioni sono correlate.
informazioni di
in quanto contiene anche il termine , trascurabile per transistor a canale lungo.

fornisce pi

Effetti del canale corto

Effetto sotto-soglia
Come gi accennato, mentre il MOS a canale lungo tende, per tensioni
che tendono a zero, a correnti nulle in modo
costante a partire da
, nel momento in cui il canale corto si pu dimostrare che la corrente
tende a zero con
andamento esponenziale. Pi in particolare lespressione simile a quella del transistor bipolare:

dove

(in valore assoluto) pari alla carica dellelettrone

la tensione di overdrive cui sottoposto il MOS
la costante di Boltzmann
la temperatura espressa in Kelvin
un fattore di merito tipico del MOS

Nel corso delle lezioni non utilizzeremo mai il MOS sottosoglia, anche perch al giorno doggi raro trovare un utilizzo del
genere per applicazioni a Radio Frequenza.

Riduzione della soglia

Nel canale corto il drain e il source sono pi vicini. Questo comporta una diminuzione della tensione di soglia del MOS.

Effetto Body
Variazione con la temperatura
Con la temperatura si hanno due fondamentali modifiche

Cambia la tensione di soglia. Pi precisamente, cos come per un diodo, la tensione di soglia decresce di
allaumentare della temperatura.
La mobilit degli elettroni diminuisce. Infatti aumentano gli elettroni nel canale e vengono schiacciati verso
lossido. Nel moto da source a drain la loro mobilit limitata dai difetti presenti allinterfaccia ossidosemiconduttore. Di conseguenza, a parit di campo elettrico diminuisce la velocit degli elettroni e quindi la
corrente . Il fattore moltiplicativo che descrive la diminuzione di

dove

lo spessore dellossido.

Resistenza di gate
A prima vista potrebbe sembrare sensato parlare di corrente di gate in un MOS, in quanto il gate di un MOS costituisce a
tutti gli effetti larmatura di un condensatore il cui dielettrico ha perdite trascurabili. Tuttavia proprio a causa delle piastre del
condensatore, allapplicazione di una tensione sul gate, cariche positive si vanno a disporre sulla superficie del polisilicio.
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Componenti integrati

Transistor MOS

Quando questa tensione varia velocemente, gli elettroni aumentano e diminuiscono allinterfaccia dellossido, e questa
variazione di elettroni costituisce quella che prima avevamo chiamato corrente di gate e che effettivamente una corrente. I
motivi per cui gli effetti di questa corrente non sono pi trascurabili nel MOS a canale corto rispetto a quello a canale lungo
sono sostanzialmente due:
1.

Con la diminuzione della lunghezza di canale il MOS tende ad avere una forma sempre
pi simile a quella in figura. Allora il moto degli elettroni, che avviene nella direzione
indicata dalla freccia, coinvolge una superficie di sezione
. Per sempre pi
piccolo il gate offre una resistenza che aumenta al diminuire di .
n+

2.

p+

n+

Supponiamo che la tensione applicata al gate vari lentamente nel tempo, ovvero che
sia un segnale a frequenza
bassa. Allora quando la tensione massima il numero di cariche sul gate anchesso massimo, per cui la corrente
che attraversa il gate nulla. Viceversa, nel momento in cui la tensione varia, le cariche si spostano generando una
corrente che, come rappresentato in figura a sinistra, sfasata di 90 rispetto alla tensione (come normalmente
nei condensatori). Se
varia pi velocemente le cariche non fanno in tempo a raggiungere il gate quando la
tensione massima, per cui le curve tensione-corrente in funzione del tempo sono disposte diversamente, e pi
precisamente la corrente in ritardo rispetto alla corrente nel caso di bassa frequenza.
Tensione
Tensione
Corrente
Corrente

Bassa frequenza

Alta frequenza

Questo comportamento tipico di un condensatore con una resistenza, e nel seguito talvolta si far riferimento ad
una resistenza posta in parallelo al condensatore
del MOS.

Conduttanza di canale
La conduttanza di canale
rappresenta la pendenza della curva
corrente del MOS a canale lungo si ottiene

per

. A partire dallespressione della

Si noti che, limitatamente al canale lungo,

ha la stessa espressione formale di
. Tuttavia, poich per
non si
ha, nel canale corto, la saturazione delle velocit, tale uguaglianza non vale nel caso di MOS a canale corto. possibile
tuttavia relazionare
anche in questo caso attraverso la definizione di un parametro adimensionale:

Infine si pu esprimere, una volta noto il significato di

, il valore di

in funzione di questo:

si noti che, coerentemente con quanto detto precedentemente, leffetto di

elevate, compatibili con la pulsazione di transizione del transistor.

si vede solo per frequenze relativamente

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