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La ltima capa de un semiconductor (en este caso germanio, Ge) tiene cuatro electrones, que son
compartidos con el tomo vecino. Esto es la covalencia. Los circulos negros denotran electrones.
Supongamos ahora que en el semiconductor se sustituye tino de los tomos por otro que tenga
cinco electrones de valencia, por ejemplo un tomo de fsforo, en este caso, cuatro de los
electrones de su capa exterior se ocuparn de formar ligaduras covalentes con los tomos de
germanio vecinos, mientras que el quinto electrn, por decirlo as, queda libre. Este puede servir
para conducir electricidad. En consecuencia, se puede mejorar la capacidad de conducir
electricidad de un semiconductor introducindole impurezas o, como se dice en la jerga de los
especialistas, "dopndolo" (del ingls dope). A un semiconductor as dopado se le llama N.
Una impureza de fsforo (P) permite que haya un electrn libre, que sirve para conducir la
electricidad.
Otra posibilidad sera reemplazar uno de los tomos del semiconductor por otro que tenga
solamente tres electrones en su capa externa, como por ejemplo, el boro. En este caso, los tres
electrones del boro sirven de ligaduras con tomos vecinos, quedando la cuarta de las ligaduras
vaca.
Ahora uno de los electrones de un tomo vecino forma la ligadura faltante, pero al hacerlo deja un
hueco en el tomo que ocupaba originalmente. En seguida, un electrn de otro tomo pasa a
ocupar el lugar faltante, dejando a su vez un hueco y as sucesivamente. Nos damos cuenta de
que el hueco o agujero se ha ido propagando. Estos agujeros tienen la misma masa que el
electrn, pero debido a que efectivamente es una ausencia de electrn, o sea de carga negativa, el
agujero tiene carga efectiva positiva. Por tanto, este semiconductor con impurezas de boro da lugar
a una corriente elctrica de agujeros positivos que tiene sentido opuesto a la de una corriente de
electrones. Los agujeros se comportan como si fueran partculas. A este tipo de semiconductor se
le llama P. Lo que ocurre es algo similar a cuando se tiene una hilera de monedas con una faltante.
Cuando cada moneda se mueve para ocupar el espacio vaco, el agujero se mueve a lo largo de la
hilera en sentido opuesto a las monedas.
Una impureza de boro (B) da lugar a un dficit de un electrn, que equivale a un agujero positivo.
Un bloque N y otro P unidos permiten el paso de corriente elctrica si estn conectados a la batera
como se muestra.
Veamos ahora qu ocurre si se conectan los bloques de manera opuesta. En este caso, los
agujeros de P son atrados hacia A y repelidos porB, con el resultado de que no cruzan el
dispositivo. Por otro lado, los electrones de N son atrados por B y repelidos por A, lo que ocasiona
que tampoco crucen el dispositivo. En consecuencia, no hay corriente a travs del dispositivo y el
circuito est, de hecho, abierto.
En resumen, en el dispositivo mostrado en la figura anterior solamente circula electricidad cuando
la polaridad de la batera es la que se muestra en la figura, mientras que si se invierte la polaridad,
no hay corriente. Se puede tambin pensar que este fenmeno ocurre debido a que la resistencia
del dispositivo no es la misma cuando la corriente circula en un sentido que cuando circula en el
opuesto. En un sentido la resistencia es muy pequea y por tanto es fcil que circule electricidad,
mientras que en el sentido opuesto la resistencia crece enormemente impidiendo la corriente
elctrica. De esta forma se consigue un dispositivo que funciona de manera similar al diodo
construido con un tubo al vaco y recibe el nombre de diodo semiconductor; debido a sus
propiedades descritas se utiliza como rectificador de corriente.
Supngase ahora que construimos otro dispositivo que consiste en dos bloques semiconductores
tipo N y uno extremadamente delgado de tipoP; el bloque P, llamado base (denotado por B), queda
entre los dos N. Si ahora se conecta uno de los bloques N, llamado emisor (denotado porE), a la
terminal negativa de una batera, y el otro bloque N, llamado colector (denotado por C), a la
positiva, entonces los electrones del emisor son repelidos por A y atrados por D, por lo que cruzan
la base y llegan al colector, dando lugar a que haya una corriente en el circuito a travs de la
batera (y si hubiera una carga como una resistencia, la corriente la atravesara). La magnitud de la
corriente que llegue a circular depende de varios factores. uno de ellos es el voltaje de la batera;
mientras mayor sea ste, mayor ser la corriente. Otro de los factores es la polaridad de la base. Si
la base es positiva, los electrones que vienen del emisor sern atrados por la base y se
acelerarn, por lo cual habr mayor corriente a travs del dispositivo. Si por otro lado la base es
negativa, entonces cierto nmero de electrones que vienen del emisor sern rechazados y se
regresarn, disminuyendo la corriente neta; en el caso extremo en que la polaridad de la base,
siendo negativa, tenga una magnitud muy grande, rechaza todos los electrones y prcticamente no
hay corriente. As, la polaridad de la base controla y modifica la corriente que circula a travs del
dispositivo. Asimismo, la corriente puede intensificarse, dependiendo del voltaje de la batera. En
consecuencia, este dispositivo amplifica la seal que muestre la base. Pero este comportamiento
es precisamente el que tiene el triodo construido con un tubo al vaco.
El invento del transistor abri una nueva era en la civilizacin moderna, ya que se le pudo utilizar
de manera muy general en una gran variedad de aparatos. En las dcadas de 1950 y 1960 se
construyeron radios, computadoras electrnicas, aparatos de control industrial, etc., que gracias a
los transistores fueron de tamaos relativamente pequeos, porttiles, con requerimientos de
energa muy reducidos y de larga vida.
En gran medida, en las dcadas mencionadas los transistores sustituyeron a los tubos al vaco. Sin
embargo, para ciertas aplicaciones muy especficas los tubos han tenido ventajas sobre los
transistores. As, se emplean para transmisores de radio de potencia alta y mediana, para
amplificadores de microondas y osciladores, para tubos de rayos catdicos como los que se usan
en las televisiones, monitores, pantallas de diversos aparatos, etctera.
2. FUNCIONAMIENTO BASICO DEL TRANSISTOR
En resumen, los transitores son dispositivos electrnicos de estado slido, cuando sobre un
semiconductor se ponian dos puntas metalicas y a una se le aplicaba una cierta tension, la
corriente en la otra venia influenciada por la de la primera; a la primera punta se la denomina
emisor; al semiconductor , base y a la otra punta, colector. Posteriormente se encontro que igual
fenomeno ocurria si se unian dos semiconductores polarizados en sentido inverso a otro de distinto
tipo; asi se construyen los transistores de union, que son los mas empleados. Segun la estructura
de sus uniones, los transitores pueden se p-n-p o n-p-n; sustituyen con ventajas a los triodos de
vacio y valvulas termoionicas multielectrodicas, al menos en lo que a bajas potencias se refiere.
El transistor cobra su importancia al ser un componente capaz de cambiar de estado, permitiendole
cambiar o amplificar de acuerdo a las condiciones de trabajo y diseo, fluctuando entre un estado
conductor y uno insulador.
Insulacin
La grafica muesta al transitor en su efecto de cambio cuando el transistor esta hecho para alterar
su estado de inicio de conductividad (prendido, la corriente al maximo) a su condicion final de
insulacion (apagado y sin flujo de corriente). La corriente fluye desde el emisor (punto E) al colector
(punto C). Cuando un voltaje negativo se le aplica a la base (punto B), electrones en la region base
son empujados (como dos cargas que se repelan, en este caso dos negativas) creando la
insulacion. La corriente que fluia desde el punto E al punto C se detiene.
Conductividad
La grafica muestra el efecto del transistor cuando pasa de su estado de insulacin (apagado y sin
flujo de corriente) a su estado final de conductividad (prendido, la corriente al maximo). El transistor
trabaja al principio como un insulador. Para que pueda tener conductividad, voltaje positivo tiene
que ser aplicado a la base (punto B). Como las cargas positivas se atraen (en este caso, positivo y
negativo), los electrones se halados fuera de los limites y deja que siga el flujo de corriente como lo
muestra la figura. El transistor se cambio de insulador a conductor.
Entre mayor sea la potencia manejada por el transistor, mayor ser la temperatura del
encapsulado. En la actualidad, el factor limitante en el manejo de potencia por un transistor
particular es la temperatura de la unin del colector del dispositivo. Los transistores de potencia
estn montados en encapsulados metlicos grandes para ofrecer un rea grande a partir de la cual
pueda radiar (transferirse) el calor generado por el dispositivo. Aun as, la operacin de un
transistor directamente en el aire (montado en una tarjeta de plstico, por ejemplo) limita
severamente la potencia nominal del dispositivo. Si en vez de ello (como es lo usual) se monta el
dispositivo en algn tipo de disipador de calor, su capacidad de manejo de potencia puede
acercarse ms al valor de su potencia nominal mxima.
Como resultado de la polarizacin se producen 3 corrientes: la de base (Ib), la del emisor (Ie) y la
del colector (Ic). Debido a que la unin BE esta polarizada directamente, los portadores
mayoritarios de ambas regiones son obligados por el voltaje Vbb a cruzar la unin y combinarse
mutuamente. En el caso de un transistor NPN, una parte de los electrones suministrados por el
emisor (del 1% al 5%) se combinan con los pocos huecos disponibles en la base, esto origina una
corriente de base (Ib) relativamente pequea.
Los electrones restantes (95% al 99%) son atraidos hacia el colector por la fuerte tensin inversa
de polarizacin Vcc de la unin CB, pasan a rtaves de la extensa regin del colector y se dirigen
hacia el polo positivo de la bateria Vcc, creando una corriente Ic muy intensa. Las corrientes de
colector Ic y de base Ib estan relacionadas con la corriente del emisor de acuerdo a:
Ie = Ib + Ic
La capacidad de amplificacin de un transistor se mide observando el efecto de la corriente de
base Ib sobre la corriente de colector Ic para un determinado valor de Vce. La relacin incremental
entre ambas cantidades se denomina ganancia de corriente Beta y se representa mediante el
simbolo o hfe y corresponde a:
Hfe = ic / Ib
Encapsulado:
Los transistores se fabrican en serie, formando simultaneamente varios cientos o millares de
unidades sobre una oblea semiconductora de 38 a 50 mm de diametro y luego cortandolos uno por
uno. Las tcnicas de fabricacin mas utilizadas son la aleacin, difusin, el proceso planar y el
crecimiento epitaxial. Una vez construidos los transistores se hospedan en capsulas plasticas o
metalicas. La capsula protege el transistor de la humedad y los contaminantes, sirve como
disipador de calor, proporciona los pines de acceso, y facilita su manipulacion e identificacion.
4.1.2. Transistores de efecto de campo (FET)
Son dispositivos de tres terminales controlados por voltaje, se encuentran constituidos por un
material de base tipo N o P llamado sustrato, dentro del cual se forma una region de tipo opuesto
en forma de U llamada canal, ligeramente dopada. El sustrato actua como compuerta o gate (G),
uno de los extremos del canal como fuente o source (S) y el otro como drenador o drain (D). Entre
la compuerta y el canal se forma una unin PN, este tipo de FET se denominan FETs de unin o
JFETs.
En la mayoria de los casos, el diseo del canal es simetrico, por lo que cualquiera de los extremos
se puede utilizar como drenador o como fuente, sin embargo existen casos especiales en los
cuales el canal es asimetrico y por consiguiente no se pueden intercambiar estos terminales. Los
JFETs pueden ser de canal N o canal P, dependiendo del dopado del canal.
Polarizacin:
Los JFETs necesitan ser polarizados mediante dos tensiones externas. La tensin Vdd dirige el
paso de los portadores de corriente por el canal y la tension Vgs regula su cantidad. Esta ultima
polariza inversamente la union NP entre el canal y el sustrato. En un JFET de canal N, la fuente
debe ser positiva con respecto a la compuerta y negativa con respecto al drenador.
de estriccin (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin
de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.
Id = (Vds, Vgs)
En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son
horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del
transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma
Tiristores
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia.
Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan
como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor.
Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores
ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn
tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una
seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen
polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea
corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo
directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el
voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J2
polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el
voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya
tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones
que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en
estado de conduccin o activado.
La cada de voltaje se deber a la cada ohmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn
1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia
externa, RL, tal y como se muestra en la fig. 2.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin
de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al
reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La
corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en
estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal la
compuerta.
Una vez que el tiristor es activado , se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control
sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de
agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente
directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera
una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de portadores; el
tiristor estar entonces en estado de Esto significa que ILbloqueo. La corriente de mantenimiento
es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. >IH . La corriente
de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de
rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin
directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos
conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo
inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR, fluir a travs
del dispositivo.
LUZ: Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrnhueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que
esta llegue a los discos de silicio.
ALTO VOLTAJE: Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo
VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de
activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones
capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede
daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes
especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.
Tipos de tiristores
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un
tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta
cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de
activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en
general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:
1. Tiristores de control de fase (SCR).
2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR).
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
6. Tiristores de induccin esttica (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)
Condiciones ideales de un transistor.
- Pequeas fugas.
- Alta potencia.
- Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento.
- Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.
Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero si tenemos
en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un
pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor
apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor. Estas prdidas
aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero
de veces que se produce el paso de un estado a otro.
Podremos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su
vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica
la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el 10% de su
valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el
10% y el 90% de su valor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 90% y
el 10% de su valor final.
Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones :
Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) ser siempre mayor que el tiempo
de encendido (ton).
Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia mxima a la cual puede
conmutar el transistor:
Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. ICAV,
corriente media por el colector).
Corriente mxima: es la mxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenador (IDM). Con
este valor se determina la mxima disipacin de potencia del dispositivo.
VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en circuito abierto.
VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto.
Tensin mxima: es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y
emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET).
Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin prcticamente constante.
VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conduccin RDSon en el FET. Este
valor, junto con el de corriente mxima, determina la potencia mxima de disipacin en saturacin.
Relacin corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia esttica
de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa).
Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los
voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser :
Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor - base y a una
polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es la regin de operacin normal del
transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor - base y a una
polarizacin directa de la unin colector - base. Esta regin es usada raramente.
Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta
regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta
como un interruptor abierto (IC 0).
Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin en
esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor
acta como un interruptor cerrado (VCE 0).
Avalancha secundaria. Curvas SOA.
Si se sobrepasa la mxima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO), o
la tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la unin colector base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo,
denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por
debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la
intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base - emisor en directo.
En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona de base que
reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo (anillo circular).La
densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarizacin de
la base, a la corriente de colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos
calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de las prdidas y de la
temperatura. A este fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte de los casos, se le
conoce con el nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura).
El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es producir
unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica anterior).
El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria durante
cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas
lmites en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.
Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para corriente
pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.
Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con
polarizacin inversa de la unin base - emisor se produce la focalizacin de la corriente en el
centro de la pastilla de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la
avalancha puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de IC y VCE durante el
toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.
Efecto producido por carga inductiva. Protecciones.
Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo ms desfavorables
dentro de la zona activa.
Pero para electrnica digital no tiene mucha importancia ese pequeo margen, por lo tanto se
desprecia.
Interruptor en posicin 2:
Me invierte la Vsal, invierte la onda de entrada en la salida. Ese circuito se utiliza en electrnica
digital.
A ese circuito le llambamos "Circuito de polarizacin de base", que era bueno para corte y
saturacin, para conmutacin. Pero este que hemos hecho no es exacto, lo exacto es:
Entonces se cogen los mrgenes, pero como estn muy separados se desprecia y no se le da
importancia a ese pequeo error.
Transistores en circuitos con polarizacion de emisor
Si se quiere amplificar, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a los cambios en la
ganancia de corriente, esto es, interesa que el punto Q sea lo ms estable posible.
Para este propsito ahora se analizar el "Circuito de polarizacin de Emisor", que es el siguiente:
El propsito es amplificar, por esa razn el transistor tiene que trabajar en la zona ACTIVA.
Como estamos en activa VBE = 0.7 V. Por lo tanto y viendo la malla de entrada la tensin VC ser
de 4.3 V. Entonces la intensidad IE por la resistencia RE ser de:
Grficamente:
Vara la IB pero lo dems se mantiene y Q no vara, el transistor se autorregula y hace que vare IB
sin que nada ms vare, por lo tanto:
"El punto Q es muy estable".
Pero esto no es del todo exacto, porque algo vara, esto se ver si no se usa la aproximacin de IC
= IE. Sin esta aproximacin tenemos: