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DISPOSITIVOS pnpn

Autor: Nicolas Diestra Snchez

Rectificador Controlado de Silicio

Presentado por primera vez en 1956 por


Bell Telephone Laboratories.
Las reas de aplicacin de SCR incluyen
controles de relevador, circuitos de retardo
de tiempo, fuentes de potencia reguladas,
interruptores estticos, controles de motor,
recortadores, inversores, cicloconvertidores,
cargadores de bateras, circuitos de
proteccin, controles de calefactore.
En aos recientes, los SCR han sido
diseados para potencias tan altas como 10
MW con valores nominales individuales hasta
de 2000 A a 1800 V. Su intervalo de
frecuencia de aplicacin tambin se ha
ampliado hasta 50 kHz, lo que ha permitido
algunas aplicaciones como calefaccin por
induccin y limpieza ultrasnica.

Operacin Bsica de un
Rectificador Controlado de Silicio

El SCR es un rectificador construido de silicio con


una tercera terminal para propsitos de control.
Se eligi el silicio por sus altas capacidades de
temperatura y potencia.
La operacin bsica del SCR es diferente de la
del diodo semiconductor fundamental de dos
capas en que una tercera terminal, llamada
compuerta, determina cuando el rectificador
cambia del estado de circuito abierto al estado
de cortocircuito. No basta con simplemente
polarizar en directa la regin del nodo al
ctodo del dispositivo.
En la regin de conduccin, la resistencia dinmica
del SCR en general es de 0.01 a 0.1 . La
resistencia en inversa suele ser de 100 k o ms.

(a) Smbolo del SCR;


(b) construccin bsica

Operacin Bsica de un
Rectificador Controlado de Silicio

Para que se establezca la conduccin


directa el nodo debe ser positivo con
respecto al ctodo. ste, sin embargo, no
es un criterio suficiente para encender el
dispositivo. Tambin se debe aplicar un
pulso de magnitud suficiente a la
compuerta para establecer una
corriente de encendido en la
compuerta, representada
simblicamente por IGT.
Observe que uno de los transistores
para la figura es un dispositivo npn,
mientras que el otro es un transistor pnp.

Operacin Bsica de un
Rectificador Controlado de Silicio

Durante el intervalo 0 t1 el circuito de la figura aparecer Vcompuerta


= 0 V (Vcompuerta= 0 V equivale a conectar la compuerta a tierra). Para
VBE2 = Vcompuerta = 0 V, la corriente de la base IB2 = 0 e IC2 ser
aproximadamente ICO. La corriente de la base de Q1, IB1= IC2 = ICO es
demasiado pequea para encender Q. Ambos transistores estn por
consiguiente apagados, y el resultado es una alta impedancia entre el
colector y el emisor de cada
Estado de apagado del SCR.

Operacin Bsica de un
Rectificador Controlado de Silicio

En el instante t t1 aparecer un
pulso de VG volts en la compuerta del
SCR. Se seleccion el potencial VG
suficientemente grande para encender
a Q2 La corriente del colector de Q2
(VBE2 = VG) se elevar entonces a un
valor suficientemente grande para
encender a Q1 (IB1 = IC2). En cuanto
Q1 se enciende, se incrementar, y el
resultado ser un incremento
correspondiente en El incremento de
corriente en la base para Q2
incrementar an ms la corriente El
resultado neto es un incremento
regenerador en la corriente del
colector de cada transistor.

Estado de encendido del SCR.

Operacin Bsica de un
Rectificador Controlado de Silicio

La siguiente pregunta es: Cun largo es el tiempo de apagado y cmo


se logra el apagado? Un SCR no se puede apagar simplemente con
eliminar la seal en la compuerta y slo algunos especiales se pueden
apagar aplicando un pulso negativo a la compuerta, en el instante t t3.

Los dos mtodos generales para apagar un SCR se categorizan como


interrupcin de la corriente en el nodo y conmutacin forzada.
Interrupcin de corriente
del nodo.

Muchas gracias.

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