Electronica de Potencia

UNIVERSIDAD DE
GUADALAJARA
CENTRO UNIVERSITARIO DE CIENCIAS EXACTAS E INGENIERAS
REPORTE DE PRCTICA No. 7

EL BJT COMO INTERRUPTOR Y AMPLIFICADOR DE VOLTAJE
OBJETIVO GENERAL
Comprobar el funcionamiento del BJT como interruptor y como

amplificador de seales pequeas en emisor comn. Realizando los
clculos y experimentos necesarios para confirmar los resultados
tericos, simulados y prcticos se aproximan tanto para C.D, como
para C.A.
[REPORTE DE PRCTICA No. 7]
[EL BJT COMO INTERRUPTOR Y COMO APLIFICADOR DE VOLTAJE DE

SEALES PEQUEAS EN EMISOR COMN]
ALUMNOS:
JORGE ANTONIO GAXIOLA TIRADO.
GUSTAVO HERNANDEZ MEJA.
JOS DE JESS FLORES SANCHEZ.
PROFESOR: GUSTAVO ADOLFO VEGA GMEZ.
MATERIA: LABORATORIO DE ELECTRNICA I.
CARRERA: LICENCIATURA EN INGENIERA

BIOMDICA.
GUADALAJARA, JALISCO.
25 DE NOVIEMBRE DEL 2009
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009

MARCO TERICO
Por definicin, el transistor de unin es un dispositivo semiconductor
que contiene tres porciones vecinas dopadas alternativamente, en el
cual la regin media es muy estrecha en comparacin con la longitud
de fusin de portadores minoritarios correspondiente a esa zona.
Como se muestra en la figura, el contacto de la regin central
estrecha hacia el mundo exterior se conoce como base. Los
contactos en las porciones externas reciben los nombres de emisor y
colector. Las designaciones de emisor y colector nacen de las
funciones que cumplen estas zonas en el funcionamiento del
dispositivo. An cuando en la figura pueden lucir como dos zonas
intercambiables, en los dispositivos prcticos actuales, la zona
emisora generalmente est mucho ms dopada que la colectora y no
se pueden intercambiar los terminales sin modificar las caractersticas
del dispositivo.
/E
E
+ VEC
/C
VEB
VBC
-
+
B
/B
C
+
VCB
En la figura anterior se ilustra el smbolo circuital utilizado para el

transistor de unin pnp, al mismo tiempo que se definen
simultneamente las polaridades de voltaje y corriente pertinentes.
Aunque en la figura aparecen los signos + y - para definir las
polaridades de los voltajes, en realidad son redundantes porque el
doble subndice en el smbolo de voltaje ndice igualmente dichas
polaridades. El primer subndice especifica la referencia de polaridad
supuesta como +. Por ejemplo, VEB supone que E tiene el signo
+ y B el signo -. Ntese que como que como consecuencia de
las leyes de Kirchhoff, solamente hay dos voltaje y dos corrientes
independientes. Si se conocen dos voltajes o corrientes, tambin se
conoce la tercera.
25/NOV/2009

/E
E
/E
/C
VEC
VEB
VBC
+
B
/B
+
VEB
VCB
VCB
Transistor pnp
/C
VCE
/B
VBC
Transistor npn
REGIONES DE FUNCIONAMIENTO DEL BJT

El transistor bipolar tiene cuatro regiones o zonas de
funcionamiento
o
polarizacin
en
cc.
Las
regiones
de
funcionamiento se determinan de acuerdo con las polaridades de los
voltajes en las uniones colector-base y base-emisor. La zona ms
comn de funcionamiento del transistor bipolar es la zona activa,
que se define como aquella que tiene la unin E-B polarizada en
directo y la unin C-B polarizada en inverso. Para el p+np esto
significa que la E-B tiene una polaridad de + a - y que la C-B
tiene una polaridad de - a + Casi todos los amplificadores de
seal lineales tienen sus transistores bipolares polarizados en la
regin activa, porque es en esa regin donde tienen mayor ganancia
de seal y menor distorsin.
La zona de saturacin se define como aquella en la que tanto
la unin E-B como la unin C-B estn polarizadas en directa. Para el
pnp, esto significa que los voltajes VEB y VCB son positivos. En los
circuitos lgicos y cuando el transistor acta como conmutador, esto
implica la regin de funcionamiento en la que |V CE| es pequea e |IC|
es elevada; es decir, el dispositivo acta como un conmutador
cerrado, o sea en conduccin. Un conmutador cerrado tiene poco o
ningn voltaje entre sus bornes aun cuando fluya una corriente
elevada. En un circuito lgico, denominamos a esto un nivel lgico
cero o bajo.
Definimos la zona o regin de corte como aquella en la que
ambas uniones estn polarizadas en inversa. Para el transistor pnp
esto hace necesario un voltaje negativo de VEB y de VCB. Esto
representa generalmente el estado abierto, o sea en corte, para el
transistor como conmutador, o el nivel lgico uno o alto en circuitos
digitales. Cuando est en corte el transistor es similar a un circuito
abierto en que |IC| es casi cero y |VCE| es elevado.
La cuarta regin de funcionamiento es la zona o regin
inversa, denominada tambin regin activa inversa. Para el
funcionamiento en activa inversa, la unin E-B est polarizada en
inversa y la unin C-B lo est en directa. El uso ms comn de esta
25/NOV/2009

zona de funcionamiento es en circuitos de lgica digital, como la

lgica TTL (transistor-transistor-logic), en los que la ganancia de seal
no es un objetivo.
PNP
VEB
Activa directa
Saturacin
VCB
Saturacin
Corte
NPN
Activa inversa
VBE
Saturacin
Activa
directa
Saturacin
VBC
Corte
Activa inversa
CONFIGURACIONES DEL BJT

En aplicaciones de circuito, el transistor funciona tpicamente con un
terminal comn entre la entrada y la salida, ya sea en cc o en seal
con una masa comn. Debido a que el transistor tiene solamente tres
terminales, hay tres tipos posibles de amplificador. Se designan como
en base comn, emisor comn y colector comn; estos nombres
25/NOV/2009

indican el terminal que es comn a los circuitos tanto de entrada

como de salida.
Base comn
+
iE
E
ic
P+
VEB
Entrada
VCB
Salida
Emisor comn
Colector comn
ic
iE
C
E +
iB
iB
N
B
Entrada
VEC
Salida
Entrada
P+
VEB
VEC
Salida
VCB
Emisor comn
Esta es la configuracin de transistor que se encuentra ms
frecuentemente para los transistores npn y pnp.
IC
NPN
IC
PNP
IB
VCC
25/NOV/2009
VBB
VCC
n
IE
IB
VBB
p
IE

IC
IC
C
IB
IB
B
IE
IE
E
Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el

emisor es comn o relaciona las terminales tanto de entrada como de
salida (para este caso, ser comn tanto la terminal base como a la
de colector). Tambin en esta configuracin se necesitan dos
conjuntos de caractersticas para describir completamente el
comportamiento de la configuracin de emisor-comn: uno para el
circuito de entrada o de base-emisor y otro para el circuito de salida o
de colector-emisor.
IC (mA)
Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su

direccin convencional real para la corriente. Incluso aunque cambi
la configuracin del transistor, las relaciones de corriente que se
desarrollaron antes para la configuracin de base comn continan
siendo aplicables. Es decir:
90A
IE= IC+IB
IC= IE
70A
60A
Para
la configuracin de emisor comn, las caractersticas de

salida
representan una grfica de la corriente de salida (I C) en funcin
(Regin
de saturacin)
8
50A
del voltaje de40A
salida (VCE) para un rango de valores de corriente de
entrada (IB). Las caractersticas 7de entrada representan una grfica de
30A (IB) en funcin del voltaje de entrada (V BE) para
la corriente de entrada
6
activa)
un(Regin
rango de
valores de voltaje de salida (VCE).
20A
5
10A
VCE (V)
IB=0A
3
VCEsat
LABORATORIO DE
ELECTRNICA I 2
25/NOV/2009
ICEO ICBO
(Regin de corte)
1
0
10
15
20

La regin activa para la configuracin de emisor comn es la parte del

cuadrante superior derecho que tiene la mayor linealidad, es decir, la
regin en la que las curvas de IB son casi rectas e igualmente
espaciadas.
En la regin activa de un amplificador de emisor comn, la unin
base-emisor se encuentra en polarizacin directa, mientras que la
unin colector-base se encuentra en polarizacin inversa. Esta regin
de emisor comn puede emplearse para amplificacin de voltaje,
corriente o potencia.
La regin de corte para la configuracin de emisor comn, no se
encuentra tan bien definida como para la configuracin de base
comn.
Para propsitos de amplificacin lineal (de menor distorsin), el corte
de la configuracin de emisor comn se definir mediante IC= ICEO.
En otras palabras, la regin por debajo de I B=0 A debe evitarse si se
busca una seal de salida sin distorsin.
RELACIN ENTRE GANANCIA DE CORRIENTE

Ganancia de corriente del BJT en emisor comn
50 I600
LABORATORIO DE ELECTRNICA
25/NOV/2009

Ganancia de corriente del BJT en base comn
Ganancia de corriente del BJT en colector comn
OBSERVACIONES
En la regin de saturacin (VCE VCEsat) se utiliza el BJT como
interruptor cerrado.
En la regin de corte VCC = VCE se utiliza el BJT como
interruptor abierto.
En la regin activa o lineal ( IC/IB = ) se utiliza el BJT como

amplificador lineal.
Vpk-pk=500mV
Vpk-pk=10mV
BJT EN EMISOR COMN COMO AMPLIFICADOR DE

SEAL PEQUEA LINEAL
Amplificador
Lineal
RL
25/NOV/2009
Vpk-pk
V mV
Seales pequeas

Reactancia
Capacitiva
- + VCC
XC= 1 = XC |
wc
ICQ
RC
R2
CB
CC
XC= 1 .
wc
RL
rs
CD
R1
RE
vs
CE
XC
+ VCC
RC
IC= ICQ + iC
ib
iC = iB
iB
CB
IB
rs
~ vs
RBB
+
VBB
RE
Si la base se hace corto circuito

- + VCC
R2
RC
R1
RE
25/NOV/2009
Esta polarizacin es ms estable

porque no depende de la para
estabilizarlo, (estabilizar IC); Si
vara mucho, la IC no se altera tanto.

+ VCC
+
RC
RC
R2
iB
VCE
IB
R1
RBB
+
VBB
RE
IC= ICQ + iC
RE
Todo anlisis comienza en la malla B-E
De la malla C-E
VCC .
RC + RE
LABORATORIO DE ELECTRNICA
ICQ I
25/NOV/2009
IB
VCEQ
VCC
Capacitores en corto (2)
ZSAL= RC
PROCEDIMIENTO DE OBTENCIN DEL MODELO DE

SEAL PEQUEA DE UN AMPLIFICADOR EN EMISOR
COMN
1. Represente al BJT como un modelo elctrico que satisfaga i c=
hfe*ib.
2. Realice corto circuito en los capacitores y cada una de las fuentes de C.D.
con que cuente el circuito.
MODELO DE UN AMPLIFICADOR DE VOLTAJE
En un Amplificador de voltaje
es casi estrictamente necesario que se cumpla
25/NOV/2009
RENT >> rs, RL >> RSAL
CC

CB
CE
...tomando en cuenta ya a los capacitores...
CLCULO DE UN FILTRO PASA ALTAS DE 1ER ORDEN
VSAL
VENT
F variable
I
RL
VSAL
~ vS
Pmax= VENT
RL
1 .
2
VENT
25/NOV/2009
Pmed= Pmax
2
fC
Frecuencia de corte o de potencia media

Calculando capacitores
CB
rS
CC
fc
10
fc
10
RL
vS
fc
CE
25/NOV/2009

Haga cero toda fuente, y hacer corto todos los capacitores excepto el que se
requiere calcular.
CLCULO DE CB
CLCULO DE CC
ic CLCULO DE CE
ib
ie
RE
ie
Realizando reflexin de impedancias

de las resistencias de la base al
CE
emisor
ie= ic + i b
ie= ib + i b
ie= (+1) ib
i b= i e
.
hfe +1
ic
25/NOV/2009
RE
CE

CALCULO DE CE
EL BJT COMO INTERRUPTOR

Materiales:
Un foco de 12V a 10W.
Una fuente de 5V.
Una resistencia de 88 (2 acopladas en serie).
Un multmetro
Un switch
Un transistor 2N3904
25/NOV/2009

Para la elaboracin del interruptor utilizamos el BJT, cuya matrcula es

2N3904. Teniendo en cuenta que el BJT en emisor comn, funciona
como interruptor (La carga se conecta en colector).
Datos:
Utilizando como carga un foco de 12V a 10 W obtenemos:
Vcc= 12V
VLCONTROL=VBB= 5V
RL= (12)2V/10W = 14.4
IL= 12V/14.4 = 833mA
= 172
Para que el BJT trabaje saturado y su VCE0, se debe forzar a
que
, entonces:
=17.2
Despejando IB:
= 48.43mA
Con el interruptor en la fuente de 5V y aplicando L.V.K a la

malla base-emisor, obtenemos:
Como ya conocemos los valores suficientes en esta ecuacin,

y teniendo en cuenta que la nica incgnita es RB,
despejamos:
INTERRUPTOR ON
INTERRUPTOR OFF
25/NOV/2009

VCC
12V
XMM1
R2
14.4
XMM3
XMM2
Q1
R1
88.78
2N3904
J1
V1
5V
VCC
12V
XMM1
R2
14.4
XMM2
R1
88.78
J1
Q1
2N3904
V1
5V
Reporte de mediciones:
Simulado:
25/NOV/2009
XMM3

ON
VCE = 954.076 mv
IC =767.078 mA
IB = 41.47 mA
OFF
VCE = 12V
IC = 0
IB = 16.289 pA
Fsico:
ON
VCE = 900 mv
IC = 670 mA
IB = 40.01 mA
OFF
VCE = 12.01 V
IC = 0
IB = 0.022 mA
La hoja de datos nos reporta que el VCBO= 60V,

midindolo en fsico obtenemos:
VCBO = 54 V
Trazar las curvas de respuesta de un transistor e

identificar los dos puntos de operacin del mismo.
VCE = 954.076 mv
IC =767.078 mA
EL BJT COMO AMPLIFICADOR

25/NOV/2009

Materiales:
10 transistores bipolares de diferentes matriculas
Una fuente de 12V
Las siguientes resistencias:
(Una de 220 en serie con una de 10)

(Una de 22k en serie con una de 1k)
Los siguientes capacitores:

Un multmetro
Un osciloscopio
Un generador de funciones
1.- Conseguir 10 transistores bipolares de diferentes
matriculas NPN y PNP, y realizar las mediciones de cada de
voltaje entre las uniones B-C Y B-E, para identificar el tipo y
las terminales del BJT, reportar esto en una tabla como sigue:
MATRIC
ULA
VBE
VBC
2N3904
0.69
4
0.67
0
NPN
2N3906
0.74
0
0.73
0
PNP
BC327
0.65
2
0.64
6
PNP
PN2222A
0.71
5
0.71
2
NPN
25/NOV/2009
ENCAPSULADO
TIP
O

2N2222A
0.71
7
0.71
3
NPN
0.72
2
0.71
8
NPN
0.58
0
0.57
5
NPN
BC548B
TIP29C
2.- colector
1.-base
3.- emisor
2N2219
0.69
0
0.68
2
25/NOV/2009
NPN

2N4401
0.51
8
0.51
1
NPN
2N5886
0.50
5
0.50
0
NPN
2.- anexar la hoja de datos de uno de los BJT de la tabla, en

especial 2N2222 o 2N3904.
Se anexa al final del reporte
3.-trazar las curvas de respuesta del BJT
que permitan
dibujar sobre ellas las rectas de carga de C.D Y C.A.
Clculos necesarios para trazar las curvas (basndonos en los
resultados obtenidos en el punto nmero 4):
RCD = RC + RE = 1000 + 233.735 = 1233.735
RAC = RL RC = 1000 1000 = 500
VCC/RCD = 12V/1233 = 9.7mA
Tomando en cuenta que:
m=
y
x
IC
V CE
mAC=
VCC/R
CD
25/NOV/2009

mAC=
mDC=
VCC
4.- Calcular y construir un amplificador de seal pequea en

emisor comn y comprobar su funcionamiento, tanto en fsico,
como en simulador para C.D como para las frecuencias de
seal de entrada de 20Hz a 2MHz. (para el caso del simulador
hacer uso del instrumento virtual conocido como Bode
Plotter).
+ VCC
RC
IC= ICQ + iC
ib
CB
iB
IB
rs
~ vs
RBB
+
VBB
RE
Comenzaremos el diseo con los parmetros siguientes:

= 165
RC = RL = 1000
GV = -50
VCC = 12V
.
25/NOV/2009

Fc= 20Hz
1.- Consideramos que RC =RL para que exista mxima
transferencia de potencia del transistor hacia la carga:
2.- De la ecuacin de la ganancia de voltaje obtenemos rbe:
Ecuacin de la ganancia de
voltaje
Sustituyendo los parmetros conocidos:
Utilizando la definicin de resistencia dinmica de la unin NP encontramos IBQ , considerando que la constante emprica es
n=2 :
Recordando que
valor de ICQ:
CLCULO DE LOS RESISTORES:
Obligando a que:
Obtenemos
25/NOV/2009
, encontramos el

Tomando en cuenta que
Con los datos ya obtenidos, calculamos:
Aplicando el criterio de estabilidad de I CQ respecto a

cambios en :
Calculando
Calculando R2
Calculando R1
CLCULO DE LOS CAPACITORES

25/NOV/2009

Haciendo cero toda fuente, y haciendo corto todos los capacitores excepto el
que se requiere calcular, obtenemos:
CALCULO DE CB
CALCULO DE CC:
CALCULO DE CE:
Amplificador valores con calculados
25/NOV/2009

VCC
VCC
R2
22.921k
12V
RC
1k
CC
9
Q1
CB
13
rs
50
39.78uF
65.985uF
14
RL
1k
2N3904
11
XFG2
12
0
R1
4.636k
RE
233.735
0
CE
0
812.015uF
0
Con
lo
valores
comerciales
disponibles
es
implementar el amplificador mostrado en la figura:
(Una de 220 en serie con una de 10)

(Una de 22k en serie con una de 1k)
25/NOV/2009
posible

VCC
VCC
12V
R2
23k
RC
1k
CC
2
Q1
CB
6
rs
50
33uF
69uF
RL
1k
2N3904
4
R1
4.7k
XFG2
5
0
RE
230
0
CE
1mF
Determinando la seal pequea

Tomando en cuenta que la impedancia de entrada en emisor comn
es:
R
BB
rbe., y tomando en cuenta que
Calculamos:
RBB rbe= 1155.5
Ib pk-pk =
Con los voltajes medidos calculamos:
25/NOV/2009

= 5.69 V
Comparando los valores calculados con los medidos:

PARMETRO
DISEO
CALCULADO CON
LAS MEDICIONES
SIMULADO
IBQ
ICQ
VCE
165
31.11A
5.134mA
5.66V
163
31.3A
5.13mA
5.69V
166
30A
5.075mA
5.732V
Funcionamiento del transistor para distintas frecuencias

FRECUENCIA
Hertz
VOLTAJE DE
SALIDA (mv)
20
40
80
160
320
640
1280
2560
5120
10240
20480
40960
81920
163840
327680
655360
1310720
VOLTAJE DE
ENTRADA
(mv)
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
2621440
6,95
25/NOV/2009
310
412
445
485
502
505
520
530
529
531
522
525
518
506
506
480
400
GANANCIA
DE VOLTAJE
(Gv)
44,6043165
59,2805755
64,028777
69,7841727
72,2302158
72,6618705
74,8201439
76,2589928
76,1151079
76,4028777
75,1079137
75,5395683
74,5323741
72,8057554
72,8057554
69,0647482
57,5539568
GANANCIA
DE VOLTAJE
(dB)
32,9875378
35,4582482
36,1275041
36,8751387
37,1743783
37,2261315
37,4803708
37,6458213
37,6294173
37,6621943
37,513714
37,56349
37,4468991
37,2433142
37,2433142
36,7851287
35,2015037
330
47,4820144
33,5305827

Ganancia de voltaje
Gv
100
80
60
GANANCIA DE VOLTAJE
40
20
0
FRECUENCIA (Hertz)
Ganancia en decibeles
25/NOV/2009

Gv (dB)
40
30
GANANCIA EN DECIBELES 20
10
0
FRECUENCIA (Hertz)
Es posible observar que en frecuencias bajas la ganancia es baja,

conforme aumenta la frecuencia la obtiene una ganancia estable,
hasta llegar a un punto en que comienza a disminuir la ganancia. En
la unin base emisor existe un fenmeno de capacitancia acusada por
construccin de los transistores bipolares. Como la reactancia de un
capacitor es directamente proporcional a la frecuencia, se genera una
impedancia muy alta en la unin base-emisor que provoca el
descenso de la ganancia.
Capturas realizadas con el osciloscopio
Frecuencia = 20 Hz.
Frecuencia = 80 Hz.
25/NOV/2009

Frecuencia = 160 Hz
= 320 Hz. (seal de salida)
Frecuencia = 1kHz. (seal de salida)

2.04kHz. (seal de salida)
25/NOV/2009
Frecuencia
Frecuencia =

Capturas con el osciloscopio del multisim
Roja entrada
Azul salida
25/NOV/2009

Simulacin con el bode plotter
25/NOV/2009

XSC1
VCC
Agilent
IN
12V
R2
22.921k
XBP1
RC
1k
CC
Q1
CB
65.985uF
RL
1k
2N3904
rs
50
XFG2
39.78uF
R1
4.636k
RE
233.735
CE
812.015uF
Qu pasa cuando al circuito le variamos el valor de R1?

Experimento variando R1 para el amplificador con BJT
25/NOV/2009
OUT

R1 de 1 K
Para R1=2K
Para R1=3K
El voltaje obtenido es proporcional al tamao de la resistencia de R1

R1 (ohm)
1000
2000
3000
Voltaje entrada (mV)

6.85
6.85
6.85
CONCLUSIN
25/NOV/2009
Voltaje salida (mV)

.268
155.78
750.26

El Transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple

funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Actualmente se les encuentra prcticamente en todos los enseres
domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadores,
reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras,
automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes,
equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3,
celulares, etc.
En esta prctica pudimos experimentar y comprobar el
funcionamiento del BJT como interruptor y amplificador, es
importante conocer las caractersticas de los transistores y para que
fueron construidos, ya que partiendo de su funcionamiento le
podemos dar diferentes aplicaciones.
25/NOV/2009

Electronica de Potencia

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