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V DD =i G R G +V GS +i D R S
(1)
V DD =i D R D +V DS +i D RS
(2)
Donde de (1) se obtiene la recta de la carga de salida
iD =
V DS
V DD
+
R D + R S R D + R S . Luego
i D =K (V GSV T )2
(3)
Dado
V DD =V GS +i D R S
(4)
iD =
V GS V DD
+
RS
RS .
RS
VT
V GS .
RD .
V TH =i G RTH +V GS
(5)
V DD =i D R DD +V DS
(6)
Donde
V TH =
R2
V
R1 + R2 DD
RTH =R 1 R2
Usando
i D =K (V GSV T )2
(3)
El sistema queda completo. Para el diseo es requerido un valor para
RTH , el cual
acostumbra a tomar un valor alto por lo general en torno a 1[M]. Dado que
el sistema se simplifica, pues
V GS
i G = 0,
VT .
V TH =
R2
V
R1 + R2 DD
(7)
RTH =R 1 R2
(8)
i G=0 , se tiene
V TH =V GS+i D RS
(9)
iD =
V GS V TH
+
RS
RS
(10)
Para la malla de salida
V DS =V DD( R S + R D )i D
(11)
Como este FET tambin usa la relacin de Schockley para definir la corriente
iD ,
para un circuito dado se puede trazar una recta de carga para la malla de entrada, que
establece el punto Q, de acuerdo a la Fig. 6.
Por otro lado, para un punto Q dado, ms
diseo.
V DD ,
V TH
RTH , se obtiene el