DEPARTAMENTO DE ELETRICA

Y ELECTRÓNICA

INFORME #2
ING: LUIS BOLÍVAR AGUILERA

PAUL MUÑOZ

2015-10-20
 INDICE
Polarización y medición de un diodo. 3
Objetivo general 3
Marco teórico 3
Los terminales del diodo. 3
1. Curva característica del diodo. 4
2. Cinco especificaciones del diodo defina. 4
 Corriente Inversa Máxima Características Eléctricas: 5
 Corriente Máxima con Polarización Directa 5
 Caída de Tensión con Polarización Directa Características Eléctricas: 5

MATERIALES-EQUIPOS 5
PROCEDIMIENTO 5
1. En el circuito de la figura #1 5
2. Para el circuito #2 12
3. Para el circuito #3 17

CONCLUSIONES 18
RECOMENDACIONES 18
BIBLIOGRAFIA: 19
TEMA:

Polarización y medición de un diodo.

Objetivo general

 Formas de medir un diodo.

Marco teórico

Los terminales del diodo.

En el grafico la parte de arriba observamos la
Símbolo gráfico general de identificación de un
semiconductor diodo.
En la parte de abajo observamos el Aspecto
externo real de un diodo de silicio de estado sólido
en el cual el ánodo (positivo) sería el extremo que
se ha señalado con la letra “A” y el cátodo
(negativo) el extremo opuesto, señalado con la
letra “K”. Este extremo está siempre rodeado por
una franja color plata para identificar que
corresponde al cátodo. Fig. 1. Terminales del diodo
También se puede identificar con el multímetro si en sentido directo el diodo tiene
una resistencia baja (kilo ohmios o menos), y en sentido inverso tiene una resistencia
elevada ( Mega Ohmios o símbolo de desborde del medidor).
En el caso de que el multímetro tenga la posición de medir continuidades (símbolo del
diodo), emitirá un sonido agudo si la resistencia es muy baja, y será señal de que
conduce en esa posición.

Fig. 2. Medición del diodo mediante el multímetro.

 1. Curva característica del diodo.

Se le van dando distintos valores al voltaje

externo y se miden las tensiones y corrientes
por el diodo, tanto en directa como en inversa
(variando la polarización de la fuente de voltaje).
Y así obtenemos una tabla que al ponerla de
forma gráfica:

Fig. 3. Medición de tensión

Fig. 4. Curva característica del diodo

2. Cinco especificaciones del diodo defina.

 Tensión Inversa de Ruptura:

“Los voltajes mínimos de polarización inversa para cada diodo a una corriente de saturación
inversa específica”. Para un 1N4001 una tensión inversa de 50 V supone la destrucción del
diodo, por lo que al diseñar se debe agregar un factor de seguridad.

 Corriente Máxima con Polarización Directa Limitaciones Máximas:

Indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1 A con polarización directa cuando se le emplea
como rectificador. Esto es, 1 A es el nivel de corriente con polarización directa para el cual el
diodo se quema debido a una disipación excesiva de potencia.
  Corriente Inversa Máxima Características Eléctricas:
Esta corriente inversa incluye la corriente producida térmicamente y la corriente de fugas
superficial. De esto deducimos que la temperatura puede ser importante a la hora del
diseño, ya que un diseño basado en una corriente inversa de 0,05 mA trabajará muy buena
25 ºC con un 1N4001 típico, pero puede fallar si tiene que funcionar en medios donde la
temperatura de la unión alcance los 100 ºC.

 Corriente Máxima con Polarización Directa

Un buen factor de seguridad sería de 2, es decir, garantizar que la corriente con polarización
directa sea menor de 0.5 A. Los estudios de averías muestran que la vida de estos dispositivos
es más corta cuanta más cerca trabajen de las limitaciones máximas.

 Caída de Tensión con Polarización Directa Características Eléctricas:

Estos valores están medidos en alterna, y por ello aparece la palabra instantáneo en la
especificación. El 1N4001 tiene una caída de tensión típica con polarización directa de 0, 93 V
cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de la unión es de 25º C.

MATERIALES-EQUIPOS

 Osciloscopio
 Multímetro Digital
 Fuente de voltaje regulable
 Puntas de osciloscopio
 Cables banana- banana.
 Cables banana-lagarto
 Diodo rectificador 1N4001/4007
 Resistencias (100,1k, 10k)

PROCEDIMIENTO
1. En el circuito de la figura #1.
 1.1 Varié la fuente de alimentación Vf de hasta que el diodo sobrepase su máximo
voltaje de ruptura.
Utilizando el simulador, grafique Vd e Id para cada voltaje de alimentación.

a) Para Vf=0.1V

b) Para Vf=0.4v
c) Para Vf=0.5v

d) Para Vf=0.6v
e) Para Vf= 0.7v

f) Para Vf=0.8v
g) Para Vf= 0.9v

h) Para Vf=1.0v
i) Para Vf=1.5v

j) Para Vf=2,0v
 k) Para Vf=2.5v

1.2 Calculo de Id:

𝑉𝑑
𝐼𝑑 = 𝑅
99,71𝓂 363,08𝓂 410,54𝓂
𝐼𝑑 = 1𝑘
= 0,09𝓂𝐴 ; 𝐼𝑑 = 1𝑘
= 0,363𝓂𝐴 ; 𝐼𝑑 = 1𝑘
= 0,410𝓂𝐴
440,030𝓂 476,17𝓂 489,29𝓂
𝐼𝑑 = 1𝑘
= 0,440𝓂𝐴 ; 𝐼𝑑 = 1𝑘
= 0,476𝓂𝐴 ; 𝐼𝑑 = 1𝑘
= 0,489𝓂𝐴
499,43𝓂 533,25𝓂 554,25𝓂
𝐼𝑑 = = 0,499𝓂𝐴 ; 𝐼𝑑 = = 0,533𝓂𝐴 ; 𝐼𝑑 = = 0,554𝓂𝐴
1𝑘 1𝑘 1𝑘
569,34𝑚
𝐼𝑑 = = 0,569𝓂𝐴
1𝑘

Tabla #1

Vf 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,5 2,0 2,5
Vd 0,099 0,363 0,410 0,440 0,476 0,489 0,499 0,533 0,554 0,569
Id(mA) 0,099 0,363 0,410 0,440 0,476 0,489 0,499 0,533 0,554 0,569
 1.3 Grafique la curva característica del diodo.

Grafico Id vs Vd
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

2. Para el circuito #2

2.1 Realizar la medición de voltaje para el diodo en polarización inversa, variar el

voltaje hasta que se queme.

Para Vf=0.1V
1. Para Vf=0.4v

2. Para Vf=0.5v
3. Para Vf=0.6v

4. Para Vf= 0.7v

5. Para Vf=0.8v

6. Para Vf= 0.9v

7. Para Vf=1.0v

8. Para Vf=1.5v
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unión
produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de
saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya
que en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para
realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los
átomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital
de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al
igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fuga es despreciable.

Tabla #2

Vf 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,5 2,0 2,5
Vd 0,399 0,499 0,599 0,699 0,799 0,899 0,999 1,5 2,0 2,5
Id(mA) 0,399 0,499 0,599 0,699 0,799 0,899 0,999 1,5 2,0 2,5

3. Para el circuito #3
3.1. .Realizar la medición de voltaje para el diodo en polarización inversa
Un diodo rectificador empleado en fuentes de alimentación (circuitos que convierten una
tensión alterna en una tensión continua).

La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son siete diodos que tienen las mismas características
con polarización directa, pero en polarización inversa sus características son distintas.

Primeramente analizaremos las "Limitaciones máximas" que son estas:

Fig. 5. Tensión inversa de ruptura

CONCLUSIONES
 Nos faltó determinar en qué medición de corriente el diodo se quema.
 La tensión de ruptura nos permite conocer en que escalas el diodo se avería
tanto en polarización directa como inversa.

RECOMENDACIONES
 Tomar en cuenta que se necesita los cables estrictamente necesarios para cada
aparato electrónico que se encuentre el laboratorio, como cables y conectores
ya que si ocupamos diferentes podríamos averiar y ocasionaríamos conflictos
para otros compañeros en diferentes clases, que utilicen el laboratorio.

 Se debe tener mucho cuidado al momento de poner ciertas resistencias ya que

se averían con gran facilidad ya que la practica nos indica que debemos quemar
el diodo.
BIBLIOGRAFIA:

[1] Boylestad,Roberth Nashelsky.(2009). Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos

electrónicos, México, Prentice Hall