APUNTE: CONFIGURACIONES DEL TRANSITOR

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INDICE
Configuracin del Transistor...
Base Comn.................
Configuracin de Emisor Comn....
Configuracin de Colector Comn.
Limites de Operacin del Transistor.................
Punto de Operacin Q o Punto Quiescente.....
Calculo de Punto Operacin Q

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CONFIGURACIONES DEL TRANSITOR

a) Base Comn
La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es
comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es
usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra como se muestra
en la figura 11 con transistores pnp y npn.. Esta figura indica adems los sentidos
de la corriente convencional (Flujo de Huecos).

Figura #11 Configuracin de base comn.

De la figura #11, se puede observar que en cada caso IE = IC + IB. Tambin se
nota que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se
establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir,
comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la
direccin de IC con la polaridad de VCC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los
parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El
conjunto de entrada para el amplificador de base comn, como se muestra en la
figura 12, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE
) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
Como se observa en la figura #12, lo que se tiene es la curva equivalente a la
zona directa de un diodo, especialmente cuando la salida est polarizada muy
inversamente, (VCB > 10V).
El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC ) con un voltaje de
salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE). Esto es,
corresponde a la zona inversa del diodo y por tanto, corresponde a una corriente
bsicamente constante sin importar el valor del voltaje inverso. Esto quiere decir,
sern lneas rectas a lo largo del Eje que partir de un valor aproximado a 0,6V.
Para un transistor de Silicio.
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Figura #12: Curva caracterstica de entrada

b) Configuracin de Emisor Comn
La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se
muestra en la figura #13 para los transistores pnp y npn. Se denomina
configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales
de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales
de la base y del colector).

Figura #13
De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma
completa el comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la
entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector. Ambas se
muestran en la figura 14.

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Figura 14
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de
comente convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha
cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de corrientes desarrolladas
antes para la configuracin de base comn.
En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una
grfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un
rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las caractersticas de la entrada
son una grfica de la comente de entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE)
para un rango de valores del voltaje de salida (VCE). Obsrvese que en las
caractersticas de la figura14 la magnitud de IB es del orden de microamperes
comparada con los miliamperes de IC. Ntese tambin que las curvas de IB no
son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuracin de
base comn, lo que indica que el voltaje de colector a emisor afectar la magnitud
de la corriente de colector.
La regin activa en la configuracin de emisor comn es aquella parte del
cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la regin en la
que las curvas correspondientes a IB son casi lneas rectas y se encuentran
igualmente espaciadas. 14 a esta regin se localiza a la derecha de la lnea
sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a cero. La
regin a la izquierda de VCEsat se denomina regin de saturacin. En la regin
activa de un amplificador emisor comn la unin colector-base est polarizada
inversamente, en tanto que la unin base-emisor est polarizada directamente.
Se recordar que stas fueron las mismas condiciones que existieron en la regin
activa de la configuracin de base comn. La regin activa de la configuracin de
emisor comn puede emplearse en la amplificacin de voltaje, corriente o
potencia.
La regin de corte en la configuracin de emisor comn no est tan bien definida
como en la configuracin de base comn. Ntese, en las caractersticas de
colector de la figura 14 que IC no es igual a cero cuando IB = 0. En la
configuracin de base comn, cuando la corriente de entrada IE = 0, la corriente
de colector fue slo igual a la corriente de saturacin inversa ICO, por lo que la
curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propsitos prcticos) uno.
La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede obtenerse
mediante la manipulacin adecuada de las ecuaciones (1.2). Es decir, Ecuacin
(1.2): IC = ? IE + ICBO

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Sustituyendo se tiene: IC = ? (IC + IB) + ICBO Reordenando obtenemos:

Si consideramos el caso discutido: anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos

un valor tpico de ? tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la
siguiente:

Si ICBO fuera de 1 ? A, la corriente de colector resultante con IB = 0 A seria: 250

(1pA) = 0.25mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 14. Para
referencia futura, a la corriente de colector definida por la condicin IB = 0 ? A se le
asignar la notacin indicada por la ecuacin
(1.9):

En la figura 13 las condiciones que envuelven a esta corriente definida

nuevamente se muestran con su direccin de referencia asignada.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin) el corte para la
configuracin de emisor comn se determinar mediante IC = ICEO. En otras
palabras, la regin por debajo de IB = 0 A deber evitarse si se requiere una seal
de salida sin distorsin.
Cuando se emplea como interruptor en la circuitera lgica de una computadora,
un transistor tendr dos puntos de operacin de inters: uno en el corte y el otro
en la regin de saturacin. La condicin de corte, en el caso ideal, sera IC = O A
para el voltaje VCE elegido. Puesto que ICEO es por lo general de pequea
magnitud para los materiales de silicio, el corte existir para propsitos de
conmutacin cuando IB = O A o IC = ICEO nicamente en el caso de transistores
de silicio. En los transistores de germanio, sin embargo, el corte para propsitos
de conmutacin se definir como aquellas condiciones que existen cuando IC
=ICBO. Esta condicin puede obtenerse normalmente en los transistores de
germanio polarizando inversamente la unin de base emisor, polarizada por lo
regular en forma directa a unos cuantos dcimos de volt.
Recurdese para la configuracin de base comn que el conjunto de
caractersticas de entrada se aproxim por una lnea recta equivalente que result
en VBE = 0.7 V para cualquier nivel de IE mayor de O A. Para la configuracin de
emisor comn puede tomarse la misma aproximacin, resultando en el equivalente
aproximado. El resultado apoya nuestra anterior conclusin de que para un
transistor en la regin "activa" o de conduccin el voltaje de base a emisor es 0.7
V. En este caso el voltaje se ajusta para cualquier nivel de la corriente de base.
c) Configuracin de Colector Comn
La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada
en la figura 15 con las direcciones apropiadas de corriente y la notacin de voltaje.
La configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente para propsitos
de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de entrada y
una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base
comn y de emisor comn.
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Figura 15 Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn.

La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura 16 con la
resistencia de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a
tierra aun cuando el transistor est conectado de manera similar a la configuracin
de emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no es necesario elegir para
un conjunto de caractersticas de colector comn, los parmetros del circuito de la
figura 16. Pueden disearse empleando las caractersticas de emisor comn. Para
todos los propsitos prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de
colector comn son las mismas que las de la configuracin de emisor comn. En
la configuracin de colector comn las caractersticas de salida son una grfica de
IE versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de
entrada es la misma tanto para las caractersticas de emisor comn como para las
de colector comn. El eje de voltaje para la configuracin de colector comn se
obtiene cambiando simplemente el signo de voltaje de colector a emisor de las
caractersticas de emisor comn. Por ltimo, hay un cambio casi imperceptible en
la escala vertical de IC de las caractersticas de emisor comn si IC se reemplaza
por IE en las caractersticas de colector comn (puesto que ? = 1). En el circuito de
entrada de la configuracin de colector comn, las caractersticas de la base de
emisor comn son suficientes para obtener la informacin que se requiera.

Figura 16 Configuracin de colector comn empleada para

acoplamiento de impedancia

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Lmites de Operacin del Transistor.

Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la
cual asegurara que los valores nominales mximos no sean excedidos y la seal
de salida exhibe una distorsin mnima. Una regin de este tipo, se ha definido
para las caractersticas de transistor de la figura 17. Todos los lmites de operacin
se definen sobre una tpica hoja de especificaciones de transistor.
Algunos de los lmites se explican por s mismos, como la corriente mxima de
colector (denominada, por lo general, en la hoja de especificaciones, como
corriente continua de colector) y el voltaje mximo de colector a emisor (abreviada
a menudo como IC y VCEO) Para el transistor de la figura 17, IC mx se
especific como de 50 mA y VCEO como de 20 V. La lnea vertical de las
caractersticas definida como VCEsat especifica la mnima VCE que puede
aplicarse sin caer en la regin no lineal denominada regin de saturacin.

Figura 17: Limites del transistor

El nivel de VCEsat est regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificado
para este transistor. El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente
ecuacin:
2.0)

PC mx = VCE * IC

Para el dispositivo de la figura 17, la disipacin de potencia de colector se

especific como de 300 mW. Surge entonces la cuestin de cmo graficar la curva
de disipacin de potencia de colector especificada por el hecho de que PC mx =
VCE * IC = 300 mW. En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de
VCE e IC debe ser igual a 300 mW. Si elegimos para IC el valor mximo de 50
mA y lo sustituimos en la relacin anterior, obtenemos que VCE = 6 V.
Si las curvas de caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la hoja de
especificaciones (como ocurre con frecuencia), uno simplemente debe estar
seguro que IC , VCE y su producto caigan dentro del intervalo que aparece en la
siguiente ecuacin:
ICEO ? IC ? ICmx;
VCE sat ? VCE ? VCEmx y VCE * IC ? Pcmx.

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Punto de operacin Q o punto Quiescente.

El anlisis o diseo de un amplificador de transistor requiere del conocimiento de
la respuesta del sistema, tanto de cd (Continuo) como de ca (Alterno). Con
demasiada frecuencia se supone que el transistor es un dispositivo mgico que
puede alcanzar el nivel de la entrada aplicada de ca sin la asistencia de una fuente
de energa externa. En realidad, el nivel mejorado de potencia de salida de ca es
resultado de una transferencia de energa de las fuentes aplicadas de cd. Por lo
tanto, el anlisis o diseo de cualquier amplificador electrnico tiene dos
componentes: la parte de cd y la correspondiente de ca. Afortunadamente, el
teorema de superposicin es aplicable y la investigacin de las condiciones de cd
puede separarse por completo de la respuesta de ca. Sin embargo, hay que tener
presente que durante el diseo o etapa de sntesis, la seleccin de los parmetros
para los niveles de cd requeridos afectarn la respuesta de ca, y viceversa.
El trmino polarizacin es un vocablo que incluye todo lo referente a la aplicacin
de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para
amplificadores de transistor, el voltaje y la corriente de cd resultantes establecen
un punto de operacin sobre las curvas caractersticas, el cual define la regin que
se emplear para la amplificacin de la seal aplicada. Ya que el punto de
operacin es un punto fijo sobre las curvas caractersticas, se le conoce tambin
como punto quiesciente (abreviado punto Q). Por definicin, quiescente significa
quieto, inmvil, inactivo.
El nivel de cd de operacin de un transistor se controla por varios factores,
incluyendo el rango de posibles puntos de operacin sobre las caractersticas del
dispositivo. Una vez que se han definido los niveles deseados de corriente y
voltaje de cd, debe construirse una red o circuito externo que establecer el punto
de operacin deseado. Cada diseo tambin determinar la estabilidad del
sistema, es decir, qu tan sensible es el sistema a las variaciones de temperatura.
Es deseable un circuito altamente estable y se comparar la estabilidad de
algunos circuitos de polarizacin bsicos. Para el BJT que se polarizar en su
regin de operacin lineal o activa debe cumplirse:
a. La unin de base a emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de la
regin p ms positivo) con un voltaje resultante de polarizacin directa entre
la base y el emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V si el transistor es de
Silicio.
b. La unin de base a colector debe estar polarizada inversamente (regin n
ms positiva), estando el voltaje de polarizacin inversa en cualquier valor
dentro de los lmites mximos del dispositivo.

[Ntese que en la polarizacin directa el voltaje en la unin p-n es p-positivo, en

tanto que en la polarizacin inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. El nfasis
que se hace sobre la letra inicial debe brindar un medio que ayude a memorizar la
polaridad de voltaje necesaria.]
La operacin en las regiones de corte, de saturacin y lineal de la caractersticas
del BJT se obtienen de acuerdo con lo siguiente:
1.
Operacin en la regin lineal: Unin base-emisor con polarizacin directa,
Unin base-colector con polarizacin inversa
2.

Operacin en la regin de corte: Unin base-emisor con polarizacin inversa.

3.

Operacin en la regin de saturacin: Unin base-emisor con polarizacin

directa, Unin base-colector con polarizacin directa.

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Clculo del Punto de Operacin Q

En general, lo importante es calcular los valores de voltajes y corrientes del
transistor para una polarizacin dada. Por tal motivo, se agregar la letra Q a cada
una de los trminos que se desean obtener y que son: la corriente de base IBQ; la
corriente de colector ICQ; la corriente de emisor IEQ; el voltaje base-emisor VBEQ
y el voltaje colector-emisor VCEQ. En la mayora de los casos, la corriente de
base IBQ es la primera cantidad que se determina junto con el voltaje base
emisor VBEQ, una vez que IBQ se conoce, las relaciones de las ecuaciones de
malla pueden aplicarse para encontrar las restantes variables como la corriente de
colector ICQ, etc. Las similitudes en los anlisis sern inmediatamente obvias y
las ecuaciones son tan similares para diversas configuraciones que una ecuacin
de malla puede derivarse de otra quitando o agregando trminos.
Como se mencion con anterioridad, solo se requieren dos ecuaciones de malla
para calcular el punto Q del transistor y estas corresponden a las ecuaciones de
entrada y salida del mismo, sin embargo, tambin se necesitan las curvas del
transistor o en su peor caso el valor del HFE del transistor como mnimo. El
siguiente ejemplo nos dar una idea muy clara de las ecuaciones de malla.
Para el circuito de polarizacin dado y las curvas caractersticas del transistor,
calcule el punto Q.

Figura #18: Polarizacin del transistor

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