Exercicios de Eletronica

Eletrnica I
Semicondutores
Adriano Gouveia de Souza
Curso Tcnico em
Eletroeletrnica
Instituto Federal de Educao, Cincia

e Tecnologia de Pernambuco
Campus Garanhuns
2010
Indicao de cones
Os cones so elementos grficos utilizados para ampliar as
formas de linguagem e facilitar a organizao e a leitura
hipertextual.
Ateno: indica pontos de maior relevncia no

texto.
Saiba mais: oferece novas informaes que
enriquecem o assunto ou curiosidades e
notcias recentes relacionadas ao tema
estudado.
Glossrio: indica a definio de um termo,
palavra ou expresso utilizada no texto.
Mdias Integradas: sempre que se desejar
que os estudantes desenvolvam atividades
empregando diferentes mdias: vdeos, filmes,
jornais, ambiente AVEA e outras.
Atividades de aprendizagem: apresenta
atividades
em
diferentes
nveis
de
aprendizagem para que o estudante possa
realiz-las e conferir o seu domnio do tema
estudado.
Ficha Tcnica
Direo Geral Maria das Graas Costa Nery da Silva
Departamento de Ensino Mrcia Girlene e Silva
Apoio Pedaggico Mrcia Girlene e Silva
Coordenao do Curso Roberto Jos Carlos de S Junior
Reviso de Contedo
Reviso Lingustica Projeto Grfico Adaptado de Tutorial do Colgio Tcnico Industrial de Santa
Maria | RS
Projeto Capa Giselle Tereza Cunha de Arajo
Currculo do professor-autor
Sumrio
Aula 1 Fsica dos Semicondutores.........................................12
1.1 A Estrutura do tomo.................................................12
1.1.1Materiais Condutores de Eletricidade............13
1.1.2Materiais Isolantes........................................13
1.1.3Materiais Semicondutores.............................14
1.2 Estudo dos Semicondutores......................................14
1.3 Impurezas.................................................................17
1.3.1Impureza Doadora.........................................18
1.3.2Impureza Aceitadora.....................................18
1.3.3Semicondutor TIPO N....................................19
1.3.4Semicondutor TIPO P.....................................19
Aula 2 Diodo............................................................................26
2.1 Polarizao do Diodo.................................................28
2.1.1Polarizao Direta.........................................28
2.1.2Polarizao Reversa......................................29
2.2 Curva Caracterstica de um Diodo............................30
2.2.1Polarizao Direta.........................................30
2.2.2Polarizao Reversa do Diodo.......................31
2.3 Especificaes de Potncia.......................................32
2.4 Resistor Limitador de Corrente.................................33
2.4.1Reta de Carga...............................................33
Aula 3 Aproximaes do Diodo................................................41
3.1 1 APROXIMAO (DIODO IDEAL).............................42
3.2 2 APROXIMAO......................................................43
3.3 3 APROXIMAO......................................................43
Aula 4 Retificadores de Meia Onda..........................................53
4.1 Retificador de Meia Onda...........................................53
4.2 Folha de Calculo.........................................................56
4.3 Tenso Reversa no Diodo...........................................56
Aula 5 Retificadores de Onda Completa...................................63
5.1 Retificador de Onda Completa com Tomada Central
(CenterTrap)....................................................................63
5.1.1Folha de Calculo............................................65
5.1.2Tenso Reversa no Diodo..............................66

5.2 Retificador de Onda Completa em Ponte...................67
5.2.1Folha de Calculo............................................69
5.3 Frequncia de Sada...................................................71
Aula 6 Retificador Trifsico......................................................77
6.1 Retificador Trifsico de Meia Onda.............................77
6.1.1Folha de Calculo............................................79
6.1.2Frequncia de Sada de um Retificador
Trifsico de Meia Onda..........................................80
6.2 Retificador Trifsico de Onda Completa.....................82
6.2.1Folha de Calculo............................................84
6.2.2Frequncia de Sada de um Retificador
Trifsico de Onda Completa..................................85
Aula 7 Retificadores com Filtro Capacitivo...............................93
7.1 Filtro Capacitivo.........................................................93
7.2 Retificador de Onda Completa com Filtro..................96
7.3 Retificador Trifsico com Filtro...................................97
ndice de Figuras
Ilustrao 1.1: Estrutura Atmica do Cristal de Silcio..............15
Ilustrao 1.2: Surgimento de Eltrons Livres Devido o Aumento
de Temperatura.......................................................................16
Ilustrao 1.3: Movimento das Lacunas e Eltrons..................17
Ilustrao 1.4: Cristal de Silcio dopado com tomo de Fsforo
................................................................................................. 18
Ilustrao 1.5: Cristal de Silcio dopado com tomo de Boro. . .19
Ilustrao 1.6: Material Tipo n e Material Tipo p......................20
Ilustrao 2.1: Unio de Cristais PN.........................................26
Ilustrao 2.2: Camada de Depleo........................................27
Ilustrao 2.3: Smbolo do Diodo..............................................27
Ilustrao 2.4: Polarizao Direta do Diodo..............................29
Ilustrao 2.5: Polarizao reversa do Diodo...........................30
Ilustrao 2.6: Circuito da Polarizao Direta do Diodo............30
Ilustrao 2.7: Grfico de Tenso vs Corrente da polarizao
direta do Diodo........................................................................30
Ilustrao 2.8: Circuito de Polarizao Reversa do Diodo........31
Ilustrao 2.9: Grfico de Tenso vs Corrente da polarizao
reversa do Diodo......................................................................31
Ilustrao 2.10: Grfico Completo de Tenso vs Corrente.......32
Ilustrao 2.11: Circuito com Resistor Limitador de Corrente. .33
Ilustrao 2.12: Reta de Carga.................................................34
Ilustrao 3.1: Exemplo do Carregador de Pilha.......................41
Ilustrao 3.2: Curva de um Diodo Ideal..................................42
Ilustrao 3.3: Curva e circuito equivalente da segunda
aproximao do diodo..............................................................43
Ilustrao 3.4: Curva e circuito equivalente da terceira

aproximao do diodo..............................................................44
Ilustrao 3.5: Circuito com Diodo...........................................44
Ilustrao 4.1: Exemplo do Carregador de Pilha.......................54
Ilustrao 4.2: a) Circuito Retificador de Meia Onda; b)
Equivalente do Circuito Retificador de Meia Onda Para o
Semiciclo Positivo.....................................................................54
Semiciclo Negativo...................................................................55
Ilustrao 4.4: Retificador de Meia Onda.................................56
Ilustrao 4.5: Tenso Reversa sobre o Diodo do Retificador de
Meia Onda................................................................................ 57
Ilustrao 5.1: Circuito Retificador de Onda Completa com
Tomada Central........................................................................64
Ilustrao 5.2: Forma de Onda de Sada de um Retificador de
Onda Completa Center Trap.....................................................65
Ilustrao 5.3: Tenso Reversa Sobre os Diodos do Retificador
de Onda Completa com Tomada Central.................................67
Ilustrao 5.4: (a)Retificador de Onda Completa em Ponte; (b)
Equivalente para o semiciclo positivo e (c) Equivalente para o
semiciclo negativo...................................................................68
Ilustrao 5.5: Forma de Onda de Sada do Transformador e
Forma de Onda Vista Sobre o Resistor.....................................69
Ilustrao 5.6: Tenso Reversa Sobre os Diodos do Circuito
Retificador de Onda Completa em Ponte.................................70
Ilustrao 6.1: Forma de Onda Trifsica...................................78
Ilustrao 6.2: (a)Retificador Trifsico de Meia-Onda, (b)Circuito
Equivalente entre 30 e 150 Graus, (c)Circuito Equivalente entre
150 e 270 Graus e (d)Circuito Equivalente entre 270 e 390
Graus....................................................................................... 78
Ilustrao 6.3: Forma de Onda de Entrada e Sada de um
Retificador Trifsico de Meia Onda...........................................80
Ilustrao 6.4: Grfico da Tenso Reversa Sobre os Diodos do

Retificador Trifsico de Meia Onda...........................................81
Ilustrao 6.5: (a) Retificador Trifsico de Onda Completa e (b)
Circuito Equivalente entre 30 e 90 Graus................................82
Ilustrao 6.6: Circuito Equivalente de um Retificador Trifsico
de Onda Completa em um Perodo..........................................84
Ilustrao 6.7: Forma de Onda de Entrada e Sada da Tenso de
um Retificador Trifsico de Onda Completa.............................85
Ilustrao 6.8: Analise das Tenses Reversa nos Diodos do
Circuito Retificado Trifsico de Onda Completa entre 30 e 90
Graus....................................................................................... 86
Ilustrao 6.9: Tenso Reversa dos Diodos de um Retificador
Trifsico de Onda Completa.....................................................87
Ilustrao 7.1: Retificador de Meia Onda com Filtro.................94
Ilustrao 7.2: Sinal de Sada do Retificador com Filtro...........95
Ilustrao 7.3: Tenso de Ondulao vs Capacitncia.............96
Ilustrao 7.4: Retificador de Onda Completa em Ponte com
Filtro......................................................................................... 97
Ilustrao 7.5: Tenso de Sada de um Retificador de Onda
Completa com Filtro.................................................................97
Ilustrao 7.6: Retificador Trifsico de Meio Onda com Filtro. .98
Ilustrao 7.7: Tenso de Sada de Retificador Trifsico de Meia
Onda com Filtro........................................................................98
Ilustrao 7.8: Retificador Trifsico de Onda Completa com
Filtro......................................................................................... 98
Ilustrao 7.9: Tenso de Sada de Retificador Trifsico de Onda
Completa com Filtro.................................................................99
ndice de tabelas
Tabela 1.1: Seo de Tabela Peridica.....................................15
Tabela 6.1: Tenso Reversa no Diodo ()...................................87
Apresentao do componente
Eletrnica I o componente curricular que d incio ao
estudo da eletrnica, seus dispositivos e funcionamento. O bom
entendimento deste componente vital para a formao de um
profissional capacitado a compreender, projetar e at mesmo
implementar circuitos eletrnicos diversos.
Ao longo deste componente pretende-se apresentar a
fsica e o funcionamento do dispositivo eletrnico conhecido
como Diodo e apresentar tambm diversos exemplos onde este
dispositivo pode ser usado no desenvolvimento de circuitos
simples.
Ao trmino deste estudo apresenta-se tambm outro
dispositivo conhecido como transistor de juno bipolar e seu
funcionamento bsico, ficando a aplicao mais detalhada
reservada para o componente Eletrnica II.
Aula 1
Fsica dos
Semicondutores
Objetivos da aula
Identificar, nos nveis atmicos, as caractersticas dos

bons condutores e dos semicondutores.
Descrever a estrutura molecular de um cristal de

silcio.
Classificar os dois tipos de portadores com os tipos de

impurezas que fazem com que cada um deles seja
portador majoritrio.
Para compreender o funcionamento dos elementos mais

bsicos da eletrnica (diodos e transistores), faz-se necessrio
primeiro estudar os semicondutores. Materiais semicondutores
so materiais que nem so condutores nem isolantes. Suas
caractersticas podem ser melhor compreendidas atravs do
estudo dos tomos.
1.1 A Estrutura do tomo

Todas as substncias so formadas de pequenas
partculas chamadas tomos. Para se ter uma ideia, eles so
to pequenos que uma cabea de alfinete pode conter 60
milhes deles.
Os gregos antigos foram os primeiros a saber que a
matria formada por tais partculas, as quais chamaram
tomo, que significa indivisvel. Os tomos porm so
compostos de partculas menores: os prtons, os nutrons e os
eltrons. No tomo, os prtons e nutrons concentram-se no
ncleo e ao seu redor os eltrons orbitam, assim como os
planetas orbitam em volta do sol.
A carga eltrica do eltron igual do prton, porm de

sinal contrrio. Adotou-se que os eltrons possui cargas
negativas enquanto que os prtons possuem cargas positivas.
Os eltrons giram em torno do ncleo distribuindo-se em
diversas camadas. Em cada tomo, a camada mais externa
chamada de valncia, geralmente esta camada que participa
das reaes qumicas.
Todos os materiais encontrados na natureza so
formados por diferentes tipos de tomos, diferenciados entre si
pelo seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. Cada
material tem uma infinidade de caractersticas mas a
caracterstica
mais
significante
em
eletrnica
o
comportamento do material quanto passagem de corrente
eltrica. Considerando apenas o comportamento da passagem
de corrente eltrica pode-se dividir os materiais existentes em
trs tipos principais: materiais condutores, materiais isolantes e
materiais semicondutores.
1.1.1 Materiais Condutores de Eletricidade

So materiais que oferecem pouca resistncia a
passagem de corrente eltrica. Quanto menor for a oposio a
passagem de corrente, melhor condutor o material. O que
caracteriza o material como bom condutor o fato de os
eltrons de valncia estarem fracamente ligados ao tomo,
encontrando grande facilidade para abandonar seus tomos e
se movimentarem livremente no interior dos materiais. O
cobre, por exemplo, possui 29 eltrons mas somente um
eltron na camada de valncia, sendo assim tem facilidade de
ced-lo para ganhar estabilidade. O eltron cedido pode tornarse um eltron livre.
1.1.2 Materiais Isolantes

So materiais que apresentam grande resistncia
passagem de corrente eltrica. Isto ocorre porque os eltrons
de sua camada de valncia esto fortemente ligados ao ncleo,

por este motivo
So materiais que possuem uma resistividade muito alta,
bloqueando a passagem da corrente eltrica. Neste tipo de
materiais os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos
seu tomos, sendo que poucos eltrons conseguem
desprender-se de seus tomos para se transformarem em
eltrons livres.
Consegue-se isolamento maior (resistividade) com
substncias compostas como a borracha, a mica, a baquelita, e
outros.
1.1.3 Materiais Semicondutores

Materiais que apresentam uma resistividade eltrica
intermediria. Como exemplo temos o germnio e silcio.
1.2 Estudo dos Semicondutores

Os tomos de germnio e silcio tem uma camada de
valncia com 4 eltrons. A Tabela 1.1 mostra um segmento de
tabela peridica com alguns elementos que possuem 3, 4 e 5
eltrons em suas camadas de valncia. Por ser o material mais
popular da eletrnica de semicondutores o silcio merece uma
anlise mais detalhada.
Tabela 1.1: Seo de Tabela Peridica
...
III
IV
Boro
(B)
Alumnio
(Al)
Glio
(Ga)
Carbono
(C )
Silcio
(Si)
Germnio
(Ge)
Fsforo
(P)
Arsnio
(As)
.
.
.
...
Quando os tomos de silcio (ou germnio) agrupam-se

entre si, formam uma estrutura cristalina, ou seja, so
substncias cujos tomos se posicionam no espao, formando
uma estrutura ordenada. Nessa estrutura, cada tomo une-se a
quatro outros tomos vizinhos, por meio de ligaes
covalentes, e cada um dos quatro eltrons de valncia de um
tomo compartilhado com um tomo vizinho, de modo que
dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons, ver
Ilustrao 1.1: Estrutura Atmica do Cristal de Silcio.
Ilustrao 1.1: Estrutura Atmica do Cristal de Silcio

Se nas estruturas com silcio (ou germnio) no fosse
possvel romper a ligaes covalentes, elas seriam materiais
isolantes. No entanto com o aumento da temperatura algumas
ligaes covalentes recebem energia suficiente para se
romperem, fazendo com que os eltrons das ligaes rompidas
passem a se movimentar livremente no interior do cristal,
tornando-se eltrons livres como pode ser visto na Ilustrao
1.2.
Ilustrao 1.2: Surgimento de Eltrons

Livres Devido o Aumento de Temperatura
Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde

havia um eltron de valncia, passa a existir uma regio com
carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e um eltron o
abandonou. Essa regio positiva recebe o nome de lacuna. As
lacunas no tem existncia real, pois so apenas espaos
vazios provocados por eltrons que abandonam as ligaes
covalentes rompidas. Sempre que uma ligao covalente
rompida, surgem, simultaneamente um eltron livre e uma
lacuna. Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron
preencher o lugar de uma lacuna, completando a ligao
covalente (processo de recombinao). Como tanto os eltrons
como as lacunas sempre aparecem e desaparecem aos pares,
pode-se afirmar que o nmero de lacunas sempre igual a de
eltrons livres.
Quando o cristal de silcio (ou germnio) submetido a
uma diferena de potencial, os eltrons livres se movem no
sentido do maior potencial eltrico e as lacunas por
consequncia se movem no sentido contrrio ao movimento
dos eltrons. Ver Ilustrao 1.3.
Ilustrao 1.3: Movimento das

Lacunas e Eltrons
1.3 Impurezas
Os cristais de silcio so encontrados na natureza
misturados com outros elementos. Dado a dificuldade de se
controlar as caractersticas destes cristais feito um processo
de purificao do cristal e em seguida feita, atravs de um
processo controlado, a insero proposital de impurezas na
ordem de 1 para cada 106 tomos do cristal, com a inteno de
se alterar produo de eltrons livres e lacunas. A este
processo de insero d-se o nome de dopagem.
As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal
semicondutor podem ser de dois tipos: impureza doadoras e
impurezas aceitadoras.
1.3.1 Impureza Doadora

So consideradas impurezas doadoras aquelas cujos
tomos dos materiais possuem 5 eltrons em sua camada de
valncia (este tipo de tomo tambm conhecido como tomo
pentavalente). Como exemplo podemos citar os tomos do
Fsforo e do Antimnio. Ver Tabela 1.1.
O resultado da dopagem de cristais de silcio com
impurezas doadoras que a ligao de tomos pentavalente
absorvem as quatro ligaes covalentes ficando um eltron
fracamente ligado ao ncleo do tomo pentavalente. Desta
forma uma pequena energia suficiente para fazer com que
este eltron torne-se um eltron livre. Ver Ilustrao 1.4: Cristal
de Silcio dopado com tomo de Fsforo.
Ilustrao 1.4: Cristal de Silcio

dopado com tomo de Fsforo
1.3.2 Impureza Aceitadora

So consideradas impurezas aceitadoras aquelas cujos
tomos dos materiais possuem apenas 3 eltrons em sua
camada de valncia (este tipo de tomo tambm conhecido
como tomo trivalentes). Como exemplo podemos citar os
tomos do boro, do alumnio e do glio. Ver Tabela 1.1.
O resultado da dopagem de cristais de silcio com
impurezas aceitadoras que a ligao de tomos trivalentes
absorvem trs das quatro ligaes covalentes, ficando uma
lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente. Ver
Ilustrao 1.5: Cristal de Silcio dopado com tomo de Boro.
Ilustrao 1.5: Cristal de Silcio

dopado com tomo de Boro
Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso

de eltrons livres ou excesso de lacunas. Por isso existem dois
tipos de semicondutores:
1.3.3 Semicondutor TIPO N

O cristal que foi dopado com impureza doadora
chamado semicondutor tipo n, onde n est relacionado com
negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero as
lacunas num semicondutor tipo n, os eltrons so chamados
portadores majoritrios e as lacunas, portadores minoritrios.
Ver Ilustrao 1.6.
1.3.4 Semicondutor TIPO P

O cristal que foi dopado com impureza aceitadora
chamado semicondutor tipo p, onde p est relacionado com
positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons
livres num semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas
portadores majoritrios e os
minoritrios. Ver Ilustrao 1.6.
eltrons
livres,
portadores
Ilustrao 1.6: Material Tipo n e Material Tipo p
Resumo
Os tomos so as menores partculas que existem e so

compostos por eltrons, prtons e nutrons. Todos os materiais
que existem diferenciam-se pelo nmero de prtons, eltrons e
nutrons existentes em sua composio. Para a eletrnica a
principal caracterstica dos materiais so quanto
condutividade. Bons condutores so aqueles que oferecem
pouca resistncia passagem de corrente eltrica. Isolantes
so materiais que oferecem muita resistncia passagem de
corrente. E semicondutores oferecem resistncia intermediria.
O mais popular elementos semicondutor o silcio que
em sua composio atmica forma cristais.
Para a formao de elementos eletrnicos faz-se um
tratamento injetando em sua composio outros elementos.
Quando estes elementos so tomos trivalentes chamamos
estes de impurezas aceitadoras. Quando estes elementos so
tomos pentavalentes chamamos estes de impurezas
doadoras.
O material fruto da injeo de impurezas no cristal de
silcio chamam-se semicondutores tipo p (quando so utilizadas
impurezas aceitadoras) e semicondutores tipo n (quando so
utilizadas impurezas doadoras).
Atividades / Exerccios
1 Quantas lacunas surgem quando um eltron se desprende

de uma ligao covalente no cristal de silcio.
2 O que so lacunas? Elas possuem representao fsica?
3 O que diferencia os cristais tipo n e tipo p.
4 - Como so formados os cristais tipo n e tipo p? Como se d
este processo?
Referncias
MALVINO, Albert Paul. Eletrnica Vol. I, 4 ed. So

Paulo, Makron Books,1997
RAZAVI, Behzavi. Fundamentos de Microeletrnica, 1

ed. Rio de Janeiro, LTC,2010.
Gabarito das
Exerccios
Atividades
1 Surge uma lacuna para cada eltron que se desprende de

uma ligao covalente.
2 - As lacunas no tem existncia real, pois so apenas espaos
vazios provocados por eltrons que abandonam as ligaes
covalentes rompidas
3 A diferena entre os cristais tipo n e tipo p a dopagem que
eles recebem. Os cristais tipo n so dopados com impurezas
doadoras (substncias com tomos pentavalentes) enquanto
que os cristais tipo p so dopados com impurezas aceitadoras
(substncias com tomos trivalentes).
4 - Estes so feitos pelo processo de dopagem que consiste da
insero proposital de impurezas na ordem de 1 para cada 106
tomos do cristal
Aula 2
Diodo
Objetivos da aula
Descrever o resultado da juno de cristais tipo p e

tipo n.
Compreender o funcionamento de diodos quando

diretamente e reversamente polarizados.
Descrever as curvas caractersticas de um diodo e a

reta de carga.
Aplicar resistor limitador de corrente em circuitos

com diodos.
O diodo semicondutor um dos elementos mais bsicos

da eletrnica. A construo de um diodo basicamente a unio
de dois cristais, um do tipo p e um do tipo n. A esta unio d-se
o nome de juno pn que um dispositivo de estado slido
simples conhecido como diodo semicondutor de juno.
Ilustrao 2.1: Unio de Cristais PN
O resultado desta unio que devido a repulso mtua

os eltrons livres do lado n, estes espalham-se em todas
direes e alguns atravessam a juno e se combinam com as
lacunas do cristal vizinho, tipo p. Quando isto ocorre, a lacuna
desaparece e o tomo associado torna-se carregado
negativamente, ou seja: um on negativo.
Ilustrao 2.2: Camada de Depleo

Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um
par de ons, um on negativo na juno p e um on positivo na
juno n. Estes ons esto fixo na estrutura do cristal por causa
da ligao covalente. medida que o nmero de ons aumenta,
a regio prxima juno fica sem eltrons livres do lado n e
sem lacunas do lado p. Chamamos esta regio de camada de
depleo. Ver Ilustrao 2.2: Camada de Depleo.
Quando atinge o equilbrio, a camada de depleo age
como uma barreira impedindo a continuao da difuso dos
eltrons livres. A intensidade da camada de depleo aumenta
com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um
equilbrio. A diferena de potencial atravs da camada de
depleo chamada de barreira de potencial. A 25, esta
barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.
O smbolo mais usual para o diodo mostrado a seguir:
Ilustrao 2.3: Smbolo do Diodo
Ilustrao 2.4: Representao do Componente Fsico
Observe a faixa em um dos terminais do dispositivo, esta

faixa indica qual terminal o catodo do diodo.
2.1 Polarizao do Diodo

A Polarizao de um diodo se d quando aplica-se uma
diferena de potencial s suas extremidades. Supondo que
uma fonte de tenso seja ligada aos terminais do diodo, neste
caso teremos uma polarizao direta se o polo positivo da fonte
for colocado em contato com o material tipo p e o polo
negativo da fonte seja colocado em contato com o material tipo
n. Caso contrario tem-se um polarizao reversa.
2.1.1 Polarizao Direta

Considerando a polarizao direta do diodo observa-se
que no material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal
da fonte de tenso e empurrados na direo da juno dos
cristais pn. De forma anloga, no material tipo p as lacunas
tambm so repelidas pelo terminal e tendem a penetrar na
juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver fluxo
livre de eltrons a tenso da fonte tem de sobrepujar o efeito
da camada de depleo (0,7V para o silcio e 0,3V para o
germnio).
Ilustrao 2.5: Polarizao Direta do Diodo
2.1.2 Polarizao Reversa

Invertendo-se as conexes entre a fonte de tenso e a
juno pn, isto , ligando o polo positivo no material tipo n e o
polo negativo no material tipo p, a juno fica inversamente
polarizada. Isso faz com que no material tipo n os eltrons
sejam atrados para o terminal positivo da fonte de tenso,
desta forma afastando-se da juno dos cristais. Fato anlogo
ocorre com as lacunas do material do tipo p que so atradas
para longe da juno. O resultado disso que a fonte de tenso
aumenta a camada de depleo,
isso faz com que o
deslocamento de eltrons de uma camada para outra seja
quase nulo.
Ilustrao 2.6: Polarizao reversa do Diodo
2.2
Curva
Diodo
Caracterstica
de
um
A curva caracterstica de um diodo um grfico que

relaciona os valor de tenso e correntes eltricas sobre um
diodo. Este grfico pode ser obtido tanto para a polarizao
direta como para a polarizao reversa.
2.2.1 Polarizao Direta
V
V
Ilustrao 2.7: Circuito
da Polarizao Direta do
Diodo
Ilustrao 2.8: Grfico de

Tenso vs Corrente da
polarizao direta do Diodo
Observe na Ilustrao 2.8 que o diodo apresenta um

grfico de tenso vs corrente no linear. A tenso no diodo
uma funo do tipo:
V =R F I +
kT
l
ln( +1)
q
lS
(2.1)
2.2.1.1 Tenso de Joelho

Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz
intensamente at que se ultrapasse a barreira potencial. A
medida que a fonte de tenso se aproxima do potencial da
barreira potencial os eltrons livres e as lacunas comeam a
atravessar a juno em grandes quantidades. A tenso para a
qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de
tenso de joelho. No diodo de silcio esta tenso de
aproximadamente 0,7V.
2.2.2 Polarizao Reversa do Diodo

V
(V)
Ilustrao 2.9: Circuito

de Polarizao Reversa
do Diodo
Ilustrao 2.10: Grfico de

Tenso vs Corrente da
polarizao reversa do Diodo
O diodo polarizado reversamente, passa uma corrente

eltrica praticamente nula, chamada de corrente de fuga.
Quando a tenso reversa aplicada sobre o diodo aumenta,
chega um momento em que atinge a tenso de ruptura a partir
da qual a corrente aumenta sensivelmente. O valor da tenso
de ruptura varia muito para cada diodo. Salvo o diodo feito
para tal, os diodos no devem trabalhar na regio de ruptura.
V (V)
Ilustrao 2.11: Grfico Completo de Tenso vs Corrente
2.3 Especificaes de Potncia

Como em qualquer componente eltrico ou eletrnico o
calculo da tenso dissipada pelo diodo dada pelo valor da
tenso aplicada sobe o mesmo multiplicada pela corrente que o
atravessa. Ou seja:
P=VI
(2.2)
Assim como qualquer dispositivo ou equipamento

eltrico no recomendado ultrapassar a potncia mxima
especificada pelo fabricante. Caso isto ocorra pode haver um
aquecimento excessivo do dispositivo seguido de danos
permanentes ao mesmo. Os fabricantes em geral indicam a

potncia mxima ou corrente mxima suportada para cada
diodo.
Ex.:
1N914 : PMAX = 250mW

1N4001: IMAX = 1A
Usualmente os diodos so divididos em duas categorias,

os diodos para pequenos sinais (potncia especificada abaixo
de 0,5W) e os diodos retificadores ( P MAX > 0,5W).
2.4 Resistor Limitador de Corrente

Rs
Uma pequena tenso aplicada
em um diodo diretamente polarizado
pode gerar uma alta intensidade de
corrente. Para evitar uma grande
Vs
corrente eltrica atravs deste diodo
recomenda-se associar um resistor
em srie com o diodo, para que o
resistor venha a limitar a corrente
eltrica no circuito. Na Ilustrao 2.12
Ilustrao 2.12:
RS chamado de resistor limitador de Circuito com Resistor
corrente. Quanto maior o RS, menor a
Limitador de Corrente
corrente que atravessa o diodo e
tambm o resistor RS.
2.4.1 Reta de Carga

Sendo a curva caracterstica do diodo representao no
linear, torna-se complexo determinar atravs de equaes o
valor da corrente e tenso sobre o diodo e resistor. Um mtodo
para determinar o valor exato da corrente e da tenso sobre o
diodo, o uso da reta de carga. Este mtodo baseia-se no uso
grfico das curvas do diodo e da curva do resistor.
Na Ilustrao 2.12, a corrente I atravs do circuito a
seguinte:
I=
V R V S V D
=
SR
RS
(2.3)
No circuito em srie a corrente a mesma no diodo e no

resistor. Se forem dados a tenso da fonte e a resistncia R S,
ento so desconhecidas a corrente e a tenso sob o diodo. Se,
por exemplo, no circuito da Ilustrao 2.12 o VS =2V e RS =
100, ento:
I=
2V D
V
2
=
D =20 mA 0.01V D
100
100 100
(2.4)
Se V D =0V I =20mA . Esse ponto chamado de

ponto de saturao, pois o mximo valor que a corrente pode
assumir.
E se I =0A V D =2V . Esse ponto chamado corte,
pois representa a corrente mnima que atravessa o resistor e o
diodo.
A equao simplificada apresentada acima indica uma
relao linear entre a corrente e a tenso (y=ax+b).
Sobrepondo esta curva com a curva do diodo tem-se:
Vs
Ilustrao 2.13: Reta de Carga

(I =0A,V=2V) - Ponto de corte Corrente mnima do circuito
(I=20mA,V=0V) - Ponto de saturao Corrente mxima do
circuito
(I=12mA,V=0,78V) - Ponto de operao ou quiescente
Representa a corrente atravs do diodo e do resistor. Sobre o
diodo existe uma tenso de 0,78V.
Resumo
Quando cristais do tipo p e do tipo n so unidos ocorre,
na juno, um fluxo de eltrons do cristal tipo n para o cristal
tipo p. Fato similar ocorre com as lacunas do cristal tipo p. O
resultado desta movimentao de eltrons e lacunas o
surgimento de ons positivos na juno do lado n e ons
negativos na juno no cristal tipo p. O surgimento destes ons
resulta em uma regio de depleo que vai impedir o fluxo de
eltrons e lacunas de um lado para ou outro na juno.
Quando esta juno submetida a uma polarizao
direta (terminal positivo da fonte ligado no cristal tipo p e
terminal negativo da fonte ligado ao cristal tipo n), os eltrons
presentes no cristal tipo n so, pela ao da fonte de tenso,
repelidos da fonte na direo da juno. Um fato anlogo
ocorre com as lacunas no cristal tipo p. Como resultado a
camada de depleo perde fora e passa a permitir passagem
de corrente atravs do diodo.
Quando esta juno submetida a uma polarizao
reversa (terminal positivo da fonte ligado no cristal tipo n e
terminal negativo da fonte ligado ao cristal tipo p), os eltrons
presentes no cristal tipo n so atrados pela fonte afastando-se
da juno. Um fato anlogo ocorre com as lacunas no cristal
tipo p. Como resultado a camada de depleo ganha fora,
sendo assim o fluxo de eltrons atravs do diodo torna-se
nfimo.
A relao entre tenso e corrente no diodo pode ser vista
na Ilustrao 2.11. Considerando que quando diretamente
polarizado o diodo praticamente no oferece resistncia
passagem de corrente eltrica faz-se necessrio utilizar de um
resistor em srie com o diodo. A funo do resistor impedir
fluxo excessivo de eltrons atravs do diodo, fato este que
poderia danific-lo.
1 O diodo um dispositivo linear? Por que?
2 Qual o valor da barreira potencial para o diodo de silcio?
3 O que ocorre com a juno pn sem qualquer polarizao?
4 Por que quando reversamente polarizado o diodo no
permite a passagem de corrente eltrica?
Referncias

RAZAVI, Behzavi. Fundamentos de Microeletrnica , 1

ed. Rio de Janeiro - RJ, LTC,2010.
BOYLESTAD, Robert; NASHELSKY, Louis. Dispositivos

Eletrnicos e Teoria de Circuitos , 6 ed. Rio de
Janeiro-RJ , LTC,1999.
Gabarito das
Exerccios
Atividades
1 No, porque a relao entre tenso e corrente sobre o diodo

no linear.
2 0,7 v.
3 Ocorre que, na juno pn, um fluxo de eltrons do cristal
tipo n passa para o cristal tipo p. Fato similar ocorre com as
lacunas do cristal tipo p. O resultado desta movimentao de
eltrons e lacunas o surgimento de ons positivos na juno
do lado n e ons negativos na juno no cristal tipo p. O
surgimento destes ons resulta em uma regio de depleo que
vai impedir o fluxo de eltrons e lacunas de um lado para ou
outro na juno.
4 Quando o diodo submetida a uma polarizao reversa, os
eltrons presentes no cristal tipo n so atrados pela fonte
afastando-se da juno. Um fato anlogo ocorre com as lacunas
no cristal tipo p. Como resultado a camada de depleo ganha
fora, sendo assim o fluxo de eltrons atravs do diodo tornase nfimo.
Aula 3
Diodo
Aproximaes
do
Objetivos da aula
Conhecer as aproximaes utilizadas no estudo de

diodos.
Saber aplicar as aproximaes

elementos que possuem diodo.
no
clculo
dos
Para exemplificar a utilidade dos diodos, considere um

breve estudo de um carregador de pilha. O carregador converte
a tenso AC ( 220V a 60 Hz ) das tomadas residenciais em
tenso DC de 1,8V . Como mostra a Ilustrao 3.1, isto feito
da seguinte maneira: primeiro a tenso AC reduzida por meio
de um transformador a aproximadamente 2,5 V , em seguida
a tenso AC, ao passar pela caixa preta 1 convertida em uma
tenso DC pulsante e, finalmente, ao atravessar a caixa preta 2
esta tenso pulsante transformada em um sinal DC puro. Este
mesmo princpio aplica-se a adaptadores que alimentam outros
dispositivos eletrnicos.
Ilustrao 3.1: Exemplo do Carregador de Pilha
A converso da tenso senoidal em tenso DC pulsante

que ocorre na caixa preta 1 s possvel devido a existncia
de um dispositivo que trate de forma diferenciada as tenses
positivas e negativas. O diodo um exemplo de um dispositivo
que se comporta de formas distintas com relao s tenses
positivas e negativas.
Ao trabalhar com diodos conveniente utilizar
aproximaes que possibilitem ao mesmo tempo o
entendimento do funcionamento do circuito e o clculo das
tenses e correntes de forma a obter resultados bem
aproximados com pouco esforo matemtico.
3.1 1 APROXIMAO (DIODO IDEAL)

Um diodo ideal quando diretamente polarizado
comporta-se como uma chave fechada, permitindo a passagem
de corrente; por outro lado, quando reversamente polarizado
um diodo ideal comporta-se como uma chave aberta impedindo
a passagem de corrente.
Ilustrao 3.2: Curva de um Diodo Ideal

A Ilustrao 3.2 mostra o grfico de corrente vs tenso
de um diodo ideal e refora a ideia de uma chave
representando o comportamento do diodo para cada
polarizao possvel.
3.2 2 APROXIMAO
Visto que o diodo de silcio precisar de 0,7 V para
comear a conduzir, pode-se considerar como uma segunda
aproximao um circuito composto por uma chave em srie
com uma fonte de tenso contnua de valor igual a 0,7 V . Se a
tenso da chave for igual ou superior tenso de barreira a
chave fecha, neste caso, como a barreira potencial fixa, a
queda total no diodo ser
0,7 V para qualquer valor de
corrente direta. Por outro lado, se a tenso for menor que
0,7 V ou se a tenso for negativa, a chave fica aberta,
impedindo a passagem de corrente atravs do diodo. A
Ilustrao 3.3 exemplifica o que foi mencionado.
Ilustrao 3.3: Curva e circuito equivalente da segunda

aproximao do diodo
3.3 3 APROXIMAO
Na terceira aproximao do diodo considera-se a
resistncia intrnseca do mesmo, tambm conhecida como
resistncia de corpo r b . Aps entrar em conduo, a queda
de tenso sobre o diodo no igual a zero, como considerado
na segunda aproximao, ela aumenta linearmente com o
aumento da corrente. A Ilustrao 3.2 exemplifica o que foi
exposto.
Ilustrao 3.4: Curva e circuito equivalente da terceira

aproximao do diodo
Obs.: Ao longo deste trabalho ser considerada
principalmente a segunda aproximao. Isso porque a maioria
dos diodos retificadores possuem resistncia interna pouco
superior a 1 , o que produz erro de menos de
5%
quando o resistor associado ao diodo for maior que 20 , o
que corresponde a grande maioria dos casos prticos. Caso o
resistor associado ao diodo seja menor que
20 ,
recomendado utilizar a terceira aproximao.
Exemplo 3-1
Observe o circuito
V S =100V e RS =10 k .
da
Ilustrao
3.5.
Considere
a) Utilizar a primeira aproximao para determinar a

corrente do diodo.
b) Fazer o mesmo considerando a segunda aproximao.
c) Fazer o mesmo considerando a terceira aproximao e
a resistncia de corpo do diodo como sendo r b=1 .
Ilustrao 3.5: Circuito com

Diodo
Soluo.:
a) Fazendo uso da primeira aproximao tem-se que, como o
diodo est diretamente polarizado, este comporta-se como
uma chave fechada. Neste caso pode-se utilizar a lei de Ohm
para determinar a corrente no circuito.
I=
V V S 100
= =
=10 mA
R R 10k
Como o resistor esta em srie com o diodo toda a

corrente que passa pelo resistor tambm passa pelo diodo,
logo a corrente sobre o diodo de 10 mA .
b) Fazendo uso da segunda aproximao tem-se que o diodo
comporta-se como uma chave fechada em srie com uma fonte
de tenso de
0,7 V se opondo passagem de corrente
eltrica. Fazendo uso da lei de Ohm tm-se.
I D =I R=
1000,7
=9,93 mA
10k
c) Fazendo uso da terceira aproximao tem-se que, como o

diodo est diretamente polarizado, este comporta-se como
uma chave fechada em srie com uma fonte de tenso de
0,7 V e uma resistncia r b=1 . Utilizando a lei de Ohm
tem-se.
I D =I R=
1000,7
=9,929 mA
10k1
Neste exemplo a primeira aproximao suficiente

para determinar a corrente do circuito. Verifique que
o erro percentual usando a primeira aproximao
menor que 1% quando comparado com resultado da
terceira aproximao. Para circuitos como este a
primeira aproximao suficiente para determinar a
corrente quando a tenso da fonte for vinte vezes
maior que a tenso de queda do diodo ( 0,7 V ) e,
ao mesmo tempo, a resistncia R for vinte vezes
maior que a resistncia interna do diodo ( r b1 ).
Exemplo 3-2
O mesmo exemplo anterior contudo considere agora

V S =10V e RS =10 k .
Soluo.:
10
=1 mA .
10k
a) Primeira aproximao:
I D=
b) Segunda aproximao:
I D=
c) Terceira aproximao:
I D=
10 0,7
=0,93 mA
10k
100,7
=0,9299 mA
10k1
Neste exemplo a primeira aproximao no

adequada a soluo do problema. Observe que neste
caso o erro percentual da primeira aproximao de
7,54 % , novamente considerando o resultado da
terceira aproximao como o resultado correto. Por
outro lado, a segunda aproximao suficiente para
a resoluo do problema, haja vista que o erro
percentual decorrente desta aproximao inferior a
0,1 % . Para este circuito a segunda aproximao
indicada soluo do problema quando a tenso da
fonte for inferior a vinte vezes a tenso de queda do
diodo ( 0,7 V ) e, ao mesmo tempo, a resistncia
R for vinte vezes maior que a resistncia interna do
diodo ( r b1 ).
Exemplo 3-3
O mesmo exemplo anterior contudo considere agora
V S =10V e RS =10 .
Soluo.:
10
=1 A .
10
a) Primeira aproximao:
I D=
b) Segunda aproximao:
I D=
c) Terceira aproximao:
I D=
10 0,7
=0,93 A
10
100,7
=0,8455 A
101
Neste exemplo nem a primeira nem a segunda

aproximao so adequadas a soluo do problema.
Observe que neste caso o erro percentual da primeira
aproximao de
18,27 % , enquanto que o da
segunda aproximao de
9,99 % . Apenas a
terceira aproximao deve ser utilizada quando a
tenso da fonte for menor que 14 V e a resistncia
associada ao diodo for menor que 20 .
Resumo
Viu-se na aula anterior que o grfico de tenso e
corrente sobre o diodo representado por funo no linear de
difcil clculo. Contudo, ao analisar ou projetar circuitos com
diodos faz-se necessrio conhecer a curva de tenso e corrente
do diodo. Dependendo da aplicao torna-se conveniente fazer
aproximaes para facilitar os clculos.
As aproximaes do diodo mais usuais so descritas a
seguir:
Primeira aproximao (diodo ideal): um condutor perfeito

quando polarizado diretamente e um isolante perfeito
quando reversamente polarizado.
Segunda aproximao: uma chave em srie com uma

barreira potencial de
0,7 V . Quando a polarizao
direta superior a 0,7 V a chave fecha e comea a
conduzir, caso contrrio a chave se mantm aberta.
Terceira aproximao: uma chave em srie com uma

barreira potencial de
em srie com uma
0,7 V
resistncia de corpo do diodo. Funciona como a segunda
aproximao s que considerando a resistncia interna
do diodo.
Como a maioria dos diodos retificadores possuem

resistncia de corpo pouco acima de 1 a utilizao da
segunda aproximao produz erro de menos de 5 % quando
a resistncia associada ao diodo for maior que 20 , o que
representa a grande maioria dos casos prticos.
1 Explique o comportamento do diodo considerando a
primeira aproximao.
2 Explique o comportamento do diodo considerando a
segunda aproximao.
3 Explique o comportamento do diodo considerando a terceira
aproximao.
4 Considere o circuito a seguir:
a) Qual a corrente eltrica sobre o diodo considerando a
primeira aproximao do diodo?
b) Faa o mesmo considerando a segunda aproximao.
5 Para o exerccio anterior qual a aproximao mais indicada

e por que?
Referncias



Gabarito das
Exerccios
Atividades
1 Primeira aproximao (diodo ideal): um condutor perfeito

quando polarizado diretamente e um isolante perfeito quando
reversamente polarizado.
2 Segunda aproximao: uma chave em srie com uma
barreira potencial de 0,7 V . Quando a polarizao direta
superior a 0,7 V a chave fecha e comea a conduzir, caso
contrario a chave se mantem aberta.
3 Terceira aproximao: uma chave em srie com uma
barreira potencial de 0,7 V em srie com uma resistncia de
corpo do diodo. Funciona como a segunda aproximao s que
considerando a resistncia interna do diodo.
4
a)
2 mA
b)
1,86 mA
5) A segunda aproximao. Isso porque apesar da tenso da

fonte ser maior que 14 V ( 20 V 20 0,7V ), neste exemplo
esto sendo usados dois diodos e isso acarreta um erro
superior a 5 % se considerado a primeira aproximao. (Erro
total de 7,53 % ao considerar a resposta correta obtida com a
terceira aproximao).
Aula 4
Retificadores
Meia Onda
de
Objetivos da aula
Demonstrar a aplicao de diodo em circuito prtico.
Demonstrar o funcionamento e finalidade do circuito

retificador de meia onda.
Calcular o Valor CC e Valor mdio de tenso na sada

de um retificador de meia onda.
A maioria dos circuitos eletrnicos que existem operam

com tenso de alimentao contnua. Contudo, a transmisso
de energia por longas distncias em regime de tenso contnuo
bastante dispendiosa se comparada com a transmisso em
regime de tenso alternada. exatamente por isso que o
fornecimento de energia eltrico feito em regime de tenso
alternada. Para permitir que a tenso alternada da rede eltrica
seja utilizada na alimentao de circuitos eletrnicos, faz-se
necessrio converter esta energia em tenso contnua. Isto
possvel atravs de um circuito conhecido como retificador.
Existem alguns tipos de circuito retificador, dentre eles o mais
simples o circuito retificador de meia onda, por este motivo
este ser o primeiro circuito retificado a ser estudado.
4.1 Retificador de Meia Onda

A Ilustrao 3.1 refere-se a um circuito de um carregador
de pilha. Esta ilustrao aparece novamente aqui por
convenincia:
Ilustrao 4.1: Exemplo do Carregador de Pilha

Para tal ilustrao a caixa preta 1 corresponde
exatamente o funcionamento de um retificador de meia onda.
Observa-se que a esquerda da caixa preta 1 a forma de onda
uma senoide pura e logo sua direita a forma de onda uma
onda DC pulsante. Nesta mesma ilustrao caixa preta 2
exerce a funo de um filtro capacitivo, sendo este objeto de
estudo de aulas futuras.
A Ilustrao 4.2 (a) apresenta o circuito de um retificador
de meia onda. O resistor R presente na figura, representa uma
carga resistiva alimentada pela tenso DC na sada do
retificador. Este resistor tambm conhecido como carga.
Para melhor compreenso do funcionamento do
retificador de meia onda divide-se o perodo da onda senoidal
de entrada em dois semiciclos: o semiciclo positivo e o
semiciclo negativo.
A anlise do circuito retificador para o primeiro semiciclo
pode ser vista a seguir.
Ilustrao 4.2: a) Circuito Retificador de

Meia Onda; b) Equivalente do Circuito
Retificador de Meia Onda Para o Semiciclo
Positivo
Observa-se que para este semiciclo o diodo esta
diretamente polarizado, por este motivo na Ilustrao 4.2 (b) o
diodo est representado como uma chave fechada. Agora
analisando o circuito equivalente tem-se que a tenso de
entrada esta diretamente aplicado na sada (carga resistiva).
A analise do circuito para o semiciclo negativo pode ser
vista na Ilustrao 4.3.

Semiciclo Negativo
Verifica-se que para este semiciclo o diodo esta
reversamente polarizado, sendo assim, em seu circuito
equivalente, Ilustrao 4.3 (b), o diodo esta representado por
uma chave aberta. Agora, analisado o circuito equivalente,
observa-se que como o circuito esta aberto no flui corrente na
malha e, pela lei de Ohm, a tenso sobre o resistor ser nula.
Lembrado que a tenso sobre o resistor pode ser calculada
como: V R=I RR=0R=0 .
Observa-se na Ilustrao 4.4 a forma de onda de entrada
e sada de um retificador de meia onda, para esta Ilustrao
considera-se o diodo como ideal. importante enfatizar que a
tenso de sada do circuito retificador apresenta uma funo

DC pulsante cujo perodo igual ao perodo da funo senoidal
que alimenta o circuito, sendo assim, pode-se afirmar que a
frequncia da funo de sada igual frequncia da funo
senoidal que alimenta o circuito.
Ilustrao 4.4: Retificador de Meia Onda
4.2 Folha de Clculo

A tenso mdia de um retificador de meia onda
mostrada por um voltmetro dada por:
Considerando um diodo ideal:
V CC =V P /
Equao 4.1
Para considerar o diodo da segunda aproximao basta

subtrair 0,7 da tenso de pico.
A tenso eficaz dada por:
V RMS =V p /2
Equao 4.2
4.3 Tenso Reversa no Diodo

Outra caracterstica muito importante no projeto de um
retificador verificar a tenso reversa sob a qual o diodo ser
submetido durante o funcionamento do circuito.
Para o circuito retificador de meia onda estudado, tem-se
que durante o semiciclo positivo da fonte de alimentao o
diodo estar diretamente polarizado, logo a tenso sobre este
ser de 0 V (ou 0,7V para a segunda aproximao). Por
outro lado, quando tem-se o semiciclo negativo da tenso de
alimentao observa-se que o diodo encontra-se reversamente

polarizado e a tenso sobre a carga igual a zero. Neste caso
toda a tenso da fonte ser aplicada sobre o diodo, haja visto
que em um circuito a soma das altas de tenso ser sempre
igual que a soma das baixas de tenso. Que pode ser expresso
matematicamente por:
V Fonte =V Carga V Diodo
Para o semiciclo positivo tem-se que

logo:
V Fonte =V Carga
Para o semiciclo negativo tem-se que

logo:
V Fonte =V Diodo
Equao 4.3
V Diodo=0 ,
Equao 4.4
V Resistor =0 ,
Equao 4.5
A Ilustrao 4.5 representa a funo da tenso reversa

sobre o diodo.
Ilustrao 4.5: Tenso Reversa sobre o Diodo do

Retificador de Meia Onda
Resumo
A maioria dos circuitos eletrnicos que existem operam
com tenso de alimentao contnua. Como as distribuio de
energia feita no regime de tenso alternada. Surge da a
necessidade de converter esta tenso alternada em contnua.
Este procedimento feito atravs de um circuito denominado
circuito retificador. O circuito retificador de meia onda o
mais simples dos retificadores e est representado na
Ilustrao 4.2. Como a forma de onda na sada do secundrio
do transformador senoidal conveniente analisar o circuito
para cada semiciclo:
No
semiciclo
positivo
o
diodo
encontra-se
diretamente polarizado e comporta-se como chave
fechada, sendo assim toda a tenso da fonte incide
sobre a carga.
No semiciclo negativo da onda senoidal o diodo

encontra-se reversamente polarizado e comporta-se
como chave aberta impedindo a passagem de
corrente eltrica no circuito. Portanto, no existe
tenso sobre a carga.
O resultado que a tenso na sada do circuito

retificador (sobre o resistor de carga) uma forma de onda
pulsante vista em azul na Ilustrao 4.5.
Observe que durante o semiciclo negativo da fonte o
diodo encontra-se submetido a uma tenso reversa. Isso
porque como no h tenso sobre a carga o diodo concentra
sobre si toda a tenso da sada do transformador.
1 Considere o circuito a seguir. Refaa o circuito do retificador
de meia onda considerando agora que o diodo seja colocado no
circuito de forma invertida. Qual ser a forma de onda sobre o
resistor?? Desenhe o grfico.
2 Do exerccio anterior, calcule a tenso mdia na carga

resistiva considerando a segunda aproximao para o diodo e a
tenso eficaz no secundrio do transformador de 7,07 V rms .
3 Qual a funo do transformador em um circuito retificador?
4 Considere o circuito eltrico da atividade 1 (com o diodo
invertido). Suponha que no transformador deste circuito o
nmero das espiras do primrio e secundrio so
respectivamente 4 e 16, considere para o diodo a segunda
aproximao . Suponha uma carga resistiva de 1k e que a
corrente media sobre esta carga de
9,9534 mA . Calcule a
tenso de pico a pico no lado primrio do transformador.
Referncias



Gabarito das
Exerccios
Atividades
1 - Este gabarito esta errado para o primeiro exerccio.
V cc =2,9574 V
3 Transformar a tenso AC de entrada em um valor mais

prximos do desejado, geralmente isso consiste em baixar a
tenso de 220V ac para valores abaixo de 30V ac .
4
V 1pp =16V pp
Aula 5
Retificadores
Onda Completa
de
Objetivos da aula
Apresentar o retificador de onda completa de tomada

central.
Apresentar o retificador de onda completa em ponte.
Os circuitos retificadores de onda completa so mais

eficientes que os de meia onda pois usam ambos os semiciclos
da tenso senoidal da rede eltrica. Existem dois tipos de
retificadores de onda completa, so eles: Retificador com
Tomada Central (Center Tap) e Retificador de onda completa
em Ponte.
5.1 Retificador de Onda Completa

com Tomada Central ( Center Tap)
A Ilustrao 5.1(a) mostra um retificador de onda
completa com tomada central.
Ilustrao 5.1: Circuito Retificador de Onda Completa

com Tomada Central
Observa-se a presena de uma tomada central no
enrolamento secundrio do transformador, por causa desta
tomada este circuito recebe o nome de retificador de onda
completa de tomada central (ou Center Tap). Devido a
existncia da tomada central no secundrio do transformador
possvel construir um circuito equivalente onde cada metade
do secundrio do transformador passa a ser representado por
fontes alternadas de mesma fase e amplitude de V 2 /2 , ver
Ilustrao 5.1 (b). Para compreender o funcionamento deste
circuito considera-se cada semiciclo da onda senoidal
separadamente.
Analisando a Ilustrao 5.1 (b) verifica-se que para o
semiciclo positivo, o diodo D1 est diretamente polarizado
D 2 est reversamente polarizado.

enquanto que o diodo
Sendo assim, na Ilustrao 5.1 (c), representam-se os diodos
D1 e D 2 respectivamente por uma chave fechada e uma
chave aberta. Deste ponto em diante fcil perceber que
devido metade superior do circuito da Ilustrao 5.1 (c), a
V 2 /2
carga ser submetida tenso da fonte
deste
segmento do circuito.
Analisando a Ilustrao 5.1 (b) verifica-se que para o

D1
semiciclo negativo , o diodo
est reversamente
D 2 esta diretamente
polarizado enquanto que o diodo
polarizado. Por este motivo, na Ilustrao 5.1 (d),
representam-se os diodos D1 e D 2 respectivamente por
uma chave aberta e uma chave fechada. Observa-se que,
devido a metade inferior do circuito da Ilustrao 5.1 (d), a
carga ser submetida tenso da fonte V 2 /2 . importante
enfatizar que em ambos os casos (semiciclo positivo e
semiciclo negativo) a corrente eltrica atravessa o resistor da
carga no mesmo sentido, sendo assim a queda de tenso sobre
a carga apresenta a mesma polaridade.
Considerando os dois diodos ideais tem-se a curva de
tenso sobre o resistor de carga mostrada na Ilustrao 5.2.
Ilustrao 5.2: Forma de Onda de Sada de um

Retificador de Onda Completa Center Tap
5.1.1 Folha de Clculo

A tenso mdia de um retificador de onda completa com
tomada central similar a do retificador de meia onda com a
diferena que agora existem dois semiciclos retificados, por
outro lado a tenso de pico sobre a carga possui apenas
metade da tenso total do secundrio do transformador, sendo

assim considera-se que:
Para diodos ideais:
V CC =20,318 V P /2=V P /
Equao 5.1
Para considerar o diodo da segunda aproximao basta

subtrair 0,7 da tenso de pico antes da multiplicao.
V RMS =
VP
2 2
Equao 5.2
5.1.2 Tenso Reversa no Diodo

Para analisar a tenso reversa sobre os diodos do
circuito retificador onda completa com tomada central observase cada semiciclo separadamente.
Observe na Ilustrao 5.1 (c) que para o semiciclo
positivo o diodo D 1 esta em conduo, logo a tenso sobre
este zero, contudo, neste mesmo semiciclo, o diodo D 2
encontra-se reversamente polarizado e a tenso de polarizao
reversa sobre ele ser igual tenso do secundrio do
transformador representada por V 2 , esta concluso torna-se
bvia quando observa-se que o anodo e o catodo do diodo
D2
encontram-se em curto-circuito aos terminais do
secundrio do transformador, isto pode ser visto claramente na
Ilustrao 5.1 (a), onde o anodo encontra-se ligado diretamente
ao terminal inferior do secundrio do transformador e o catodo
est em curto ao terminal superior atravs do diodo D 1 que
est em conduo (como uma chave fechada).
De maneira anloga observa-se para a Ilustrao 5.1 (d)
que para o semiciclo negativo a tenso que incide sobre D 1
igual tenso da fonte do secundrio do transformador V 2
enquanto que a tenso sobre o diodo
D1
igual a zero.
A
representa o funo da tenso reversa sobre os
diodos pode ser vista na Ilustrao 5.3.
Ilustrao 5.3: Tenso Reversa Sobre os Diodos do

Retificador de Onda Completa com Tomada Central
5.2 Retificador de Onda Completa em

Ponte
A Ilustrao 5.4 apresenta o circuito de um retificador de
onda completa em ponte. Observa-se que, diferentemente do
retificador com tomada central, o retificador em ponte utiliza
quatro diodos e no faz uso da tomada central no secundrio
do transformador.
Ilustrao 5.4: (a)Retificador de Onda Completa em

Ponte; (b) Equivalente para o semiciclo positivo e (c)
Equivalente para o semiciclo negativo.
Para analisar o funcionamento do circuito da Ilustrao
5.4 (a) considera-se cada semiciclos separadamente.
Durante o semiciclo positivo da tenso de sada do

transformador V 2 , os diodos D 3 e D 2 so polarizados
D1 e
D4
diretamente, enquanto que os diodos
so
polarizados reversamente. Por este motivo, no circuito
equivalente da Ilustrao 5.4 (b), os diodos D 3 e D 2 so
representado por chaves fechadas, enquanto que os diodos
D1
D4
e
esto representados por chaves abertas.
Analisando o circuito da Ilustrao 5.4 (b), observa-se que toda
a tenso de entrada aplicada ao resistor de carga.
importante observar com ateno o sentido da corrente
eltrica e a queda de tenso sobre o resistor.
Considerando o circuito da Ilustrao 5.4 (a) para o
semiciclo negativo da tenso V 2 , verifica-se que os diodos
D1
D 4 esto diretamente polarizados, enquanto que os

D3 e D 2 encontram-se reversamente polarizados.
diodos
Observa-se na Ilustrao 5.4 (c) o circuito equivalente para as
condies apresentadas. Analisando o circuito da Ilustrao 5.4
(c) tem-se que toda a tenso da entrada aplicada sobre a
carga. Observe que o sentido da corrente sobre a carga o
mesmo que para o semiciclo positivo, como resultado o grfico
que representa a queda de tenso sobre o resistor de carga
apresenta a mesma polaridade tanto para o semiciclo positivo
como para o semiciclo negativo. Ver Ilustrao 5.5.
Ilustrao 5.5: Forma de Onda de Sada do

Transformador e Forma de Onda Vista Sobre o
Resistor

A tenso mdia de um retificador de onda completa em
ponte similar a do retificador de onda completa com tomada
central. A diferena que, no caso do retificador em ponte, a
tenso de pico sobre a carga a mesma tenso de pico do
secundrio do transformador (ou com uma perda de 1,4 V
quando considera-se a segunda aproximao do diodo), sendo
assim tem-se:
Para diodos ideais:
V CC =20.318V P =2 V P /
Equao 5.3
V RMS =V P / 2
Equao 5.4

circuito retificador de onda completa em ponte observa-se cada
semiciclo separadamente.
Observe na Ilustrao 5.4 (b) que para o semiciclo
positivo os diodos D 2 e D 3 esto em conduo, logo a
tenso sobre eles zero. Contudo, neste mesmo semiciclo, os
diodos D 1 e D 4 encontram-se reversamente polarizado e
a tenso de polarizao reversa sobre ele ser igual tenso
do secundrio do transformador representada por V 2 . Basta
observar que seus terminais esto curto-circuitados aos
terminais do secundrio do transformador. Um exemplo o
diodo D1 , ondae seu catodo encontra-se diretamente ligado
ao terminal superior do secundrio do transformador, enquanto
que seu anodo encontra-se curto-circuitado ao terminal inferior
D2
do transformador atravs do diodo
que est em
conduo.
De maneira anloga observa-se para a Ilustrao 5.4 (c)

que para o semiciclo negativo a tenso que incide sobre os
diodos D 1 e D 4 sero iguais a zero e a tenso sobre os
diodos
D2
D3
ser igual a tenso de
V2 .
A
representa o funo da tenso reversa sobre os
diodos pode ser vistas na Ilustrao 5.6.
Ilustrao 5.6: Tenso Reversa Sobre os Diodos do

Circuito Retificador de Onda Completa em Ponte
5.3 Frequncia de Sada

A frequncia de sada de um retificador de onda
completa seja ele com tomada central ou em ponte igual ao
dobro da frequncia de entrada. Observa-se na Ilustrao 5.2
que a forma de onda retificada comea a repetir aps cada
semiciclo da onda senoidal de entrada, ou seja, um perodo
retificado corresponde a meio perodo do sinal de entrada, no
retificado.
f sada =2 f entrada
Equao 5.5
Resumo
Os circuitos retificadores de onda completa so mais
eficientes que os de meia onda pois usam ambos os semiciclos
da tenso senoidal. Existem dois tipos de retificadores de onda
completa, so eles: Retificador com Tomada Central ( Center
Tap) e Retificador em Ponte.
A Ilustrao 5.1 apresenta o retificador de onda completa
com tomada central. Este comporta-se como dois retificadores
de meia onda montados de tal forma a aproveitar os dois
semiciclos da onda senoidal e garantindo uma passagem de
corrente eltrica sempre no mesmo sentido na carga. Seu
funcionamento pode ser visto na Ilustrao 5.1.
A Ilustrao 5.4 apresenta o retificador de onda completa
em ponte. O seu funcionamento pode ser compreendido da
seguinte forma:
durante o semiciclo positivo da tenso V 2 , o diodo
D3 recebe um potencial positivo em seu anodo, e o

D2 um potencial negativo no catodo, dessa forma,
D2 e D3 conduzem. Por outro lado os diodos D1
e D 4 ficam
reversamente
polarizado.
Consequentemente o resistor de carga R recebe
todo o semiciclo positivo da tenso V 2 .
durante o semiciclo negativo da tenso V 2 , o diodo
D4 recebe um potencial positivo em seu anodo, e o

diodo D1 um potencial negativo no catodo. Os
diodos D 1 e D 4 conduzem e os diodos D 2 e D 3
ficam reversamente polarizado. Como resultado o
resistor da carga recebe a tenso da fonte com a
mesma polarizao que havia recebido para o
semiciclo positivo. Este funcionamento esta descrito
na Ilustrao 5.4.
A forma de onda da tenso de sada de um cretificador
de onda completa apresenta o dobro da frequncia da tenso
de entrada. Isto pode ser visto na Ilustrao 5.2.
1 Supondo que a tenso de pico no enrolamento secundrio
do transformador seja de 15V PP e considerando a segunda
aproximao do diodo, calcule a tenso de pico da forma de
onda pulsante sobre o resistor para:
a) O retificador de onda completa com tomada central
b) O retificador de onda completa em ponte
2 Considerando o problema anterior, calcule a o valor mdio
de tenso sobre o resistor para:
a) O retificador de onda completa com tomada central
b) O retificador de onda completa em ponte
3 Descreva o funcionamento do retificador de onda completa
em fonte.
Referncias



Gabarito das
Exerccios
1 a)
7,50,7=6,8 V PP
b)
150,70,7=13,6 V PP
2 a)
0,3186,8=2,1624 V PP
b)
Atividades
0,63613,6=8,65V PP
3 O seu funcionamento o seguinte: durante o semiciclo

positivo da tenso V 2 , o diodo D 3 recebe um potencial
D 2 um potencial negativo no
catodo, dessa forma, D 2 e D 3 conduzem, D 1 e D 4 ficam
reversamente polarizado e o resistor de carga R recebe todo
o semiciclo positivo da tenso V 2 ; durante o semiciclo
negativo da tenso V 2 , o diodo D 4 recebe um potencial
positivo em seu anodo, e o diodo D 1 um potencial negativo no
catodo, devido inverso da polaridade de V 2 . Os diodos
D1 e D 4 conduzem
e
os
diodos D 2 e D 3 ficam
positivo em seu anodo, e o
reversamente polarizado.
Aula 6
Retificadores
Trifsicos
Objetivos da aula
Apresentar o funcionamento de retificadores de meia

onda trifsicos.
Apresentar o funcionamento de retificadores de onda

completa trifsicos.
Calcular tenso mdia e tenso eficaz na sada destes

retificadores.
Em aplicaes cuja carga a ser alimentada exigem fontes

DC com grande potncia utiliza-se retificadores trifsicos. Um
exemplo disso seria um motor de corrente contnua utilizado na
operao de um elevador de carga. Nestes casos importante
utilizar retificador trifsico ao invs do monofsico para evitar
possveis desequilbrios que poderiam ocorrer na rede eltrica
caso a corrente eltrica consumida pela carga fosse
proveniente de uma nica fase.
Assim
como
os
retificadores
monofsicos,
os
retificadores trifsicos podem ser de meia onda ou de onda
completa.
6.1 Retificador
Onda
Trifsico
de
Meia
O circuito do retificador trifsico de meia onda pode ser

visto na Ilustrao 6.2 (a). Para analisar este circuito faz-se
necessrio primeiro conhecer a forma de onda da fonte
trifsica representada na Ilustrao 6.1.
Ilustrao 6.1: Forma de Onda Trifsica

Observa-se que cada fase mantem-se com maior valor
de tenso durante um intervalo de 120 graus. De 30 a 150
graus a fase F 1 mantem-se com maior valor de tenso. No
intervalo de 150 a 270 graus e no intervalo de 270 a 390 graus
F 2 e F 3 apresentam respectivamente maior
as fases
valor de tenso. De posse deste conhecimento pode-se analisar
o circuito da Ilustrao 6.2 para cada um destes intervalos.
Ilustrao 6.2: (a)Retificador Trifsico de Meia-Onda,

(b)Circuito Equivalente entre 30 e 150 Graus, (c)Circuito
Equivalente entre 150 e 270 Graus e (d)Circuito
Equivalente entre 270 e 390 Graus.
Para o intervalo de 30 a 150 graus, totalizando 120

graus, a tenso de F 1 superior tenso das demais fases,
por este motivo o diodo
D1
apresenta-se diretamente
polarizado enquanto que os diodos D 2 e D 3 apresentamse reversamente polarizados. Destas consideraes pode-se
deduzir que a tenso sobre a carga ser fornecida
exclusivamente pela fase F 1 .
De forma anloga a mesma anlise pode ser feita para o
F 2 ser
intervalo de 150 a 270 graus em que a fase
responsvel pelo fornecimento de tenso carga.
Finalmente, utilizando o mesmo entendimento, observase que para o intervalo de 270 a 390 graus o fornecimento de
tenso carga ser exclusivo da fase F 3 .
Verifique que de 30 a 390 graus compreende-se um
intervalo de 360 graus, ou seja, um perodo da funo senoidal
de entrada. Neste perodo todas as fases fornecem tenso e
corrente carga em intervalos consecutivos de 120 graus. Por
este motivo diz-se que em um retificador trifsico todas as
fases contribuem igualmente com o fornecimento de corrente
para a carga.
A forma de onda de sada de um retificador trifsico de
meia onda pode ser visto na Ilustrao 6.3.

A tenso mdia do retificador trifsico de meia onda
dada por:
V CC =
3 3V P
2
Equao 6.1
A tenso eficaz do retificador trifsico de meia onda

dada por:
V RMS = 3 V P
1 3
6 4
1 /2
Equao 6.2
6.1.2 Frequncia
de
Sada
de
Retificador Trifsico de Meia Onda
um
A frequncia da funo que representa a tenso de sada

de um retificador trifsico de meia onda igual ao triplo da
frequncia da funo senoidal da tenso de entrada. Observase na Ilustrao 6.3 que para cada perodo da tenso senoidal
de entrada existem trs perodos da forma de onda pulsante na
sada. Esta afirmao pode ser expressa matematicamente
como:
T Sada=
T Entrada
3
f sada =3 f entrada
Equao 6.3
Equao 6.4
Ilustrao 6.3: Forma de Onda de Entrada e Sada de um

Retificador Trifsico de Meia Onda

circuito retificador trifsico de meia onda conveniente
observar cada intervalo de 120 graus separadamente.
Observe na Ilustrao 6.2 (b) que para o intervalo de 30
a 150 graus o diodo D1 encontra-se em conduo, logo a
tenso sobre este igual a zero volts. Neste mesmo intervalo
D2
D3
os diodos
e
encontram-se reversamente
polarizados, em seus catodos aparecem a a tenso da fase
F 1 e em seus anodos a tenso das fases F 2 e F 3
respectivamente.
Para o intervalo entre 150 e 270 graus, observe a
Ilustrao 6.2 (c), o diodo D 2 est diretamente polarizado,
portanto a tenso sobre este ser zero volts. Os diodos
D3
encontram-se reversamente polarizados e a tenso sobre
eles ser respectivamente
D1
V D1=V F2V F1
V D3=V F2V F3 .
De maneira anloga, para o intervalo de 270 a 390 graus

V D1=V F3V F1 ,
tenso sobre os diodos ser:
V D2=V F3V F2
V D3=0 V .
A Ilustrao 6.4 resume o que foi exposto.
Ilustrao 6.4: Grfico da Tenso Reversa Sobre os Diodos

do Retificador Trifsico de Meia Onda
6.2 Retificador
Completa
Trifsico
de
Onda
O circuito trifsico de onda completa pode ser visto na

Ilustrao 6.5 (a).
Para compreender seu funcionamento, observe na
Ilustrao 6.1 que no intervalo de 30 a 90 graus as fases que
possuem maior valor em mdulo so F 1 e F 2 . Neste
intervalo, a fase F 1 possui maior valor positivo de tenso,
em funo desta tenso positiva ser inserida no anodo do diodo
D 1 , este encontra-se diretamente polarizado. Como D1
est em conduo a tenso de fase
F1
diretamente na carga e nos catodos dos diodos

que encontram-se reversamente polarizados.
ser aplicada
D2
D3 ,
Ilustrao 6.5: (a) Retificador Trifsico de Onda

Completa e (b) Circuito Equivalente entre 30 e 90 Graus
F2
Simultaneamente, a fase
possui maior valor
negativo. Devido esta tenso negativa aplicada ao catodo do
diodo D 5 , este encontra-se diretamente polarizado e faz com
que os diodos D 4 e D 6 estejam reversamente polarizados.
Considerando o que foi exposto pode-se construir o circuito
equivalente como visto em Ilustrao 6.5 (b). Para este
intervalo, de 30 a 90 graus, a corrente eltrica sai da fase F 1
D 1 , atravessa a carga e retorna fonte

D 5 para a fase F 2 . Assim sendo, a
atravs do diodo
tenso sobre a carga ser igual a tenso de F 1 menos a
tenso de F 2 , ou seja:
, atravs do diodo
V carga =V F V F
1
Equao 6.5
Aplicando-se esta mesma anlise para os demais

intervalos, de 60 em 60 graus, chega-se s seguintes
concluses:
fornecero corrente eltrica carga as fases com

maior valor de tenso em mdulo,
a corrente eltrica sempre sai da fase mais positiva

para a fase mais negativa.
em um perodo completo todas as fases contribuiro

igualmente com a corrente consumida pela carga,
cada diodo mantem-se em conduo por um perodo

de 120 graus consecutivos e
a cada 60 graus, dois diodo alternam seus estados de

conduo para no conduo e de no conduo para
conduo.
O circuito equivalente do retificador trifsico de onda

completa para os intervalos de 60 em 60 graus em um perodo
pode ser visto na Ilustrao 6.6.
A forma de onda do tenso de sada de um retificador
trifsico de onda completa pode ser visto na Ilustrao 6.7.
Ilustrao 6.6: Circuito Equivalente de um Retificador

Trifsico de Onda Completa em um Perodo

A tenso mdia de um retificador trifsico de onda
completa mostrada dado por:
V CC =
3V P
Equao 6.6
A tenso eficaz de um retificador trifsico de onda

completa mostrada dado por:
V RMS =V P
1 3 3
2 4
1/2
Equao 6.7
6.2.2 Frequncia
Retificador
Completa
de
Sada
de
um
Trifsico
de
Onda
A frequncia da funo que representa a tenso de sada

de um retificador trifsico de onda completa igual a seis
vezes a frequncia da funo senoidal da tenso de entrada.
Observa-se na Ilustrao 6.7 que para cada perodo da tenso
senoidal de entrada existem seis perodos da forma de onda
pulante na sada. Esta afirmao pode ser expressa
matematicamente como:
T Entrada
6
Equao 6.8
f sada =6 f entrada
Equao 6.9
T Sada=
Ilustrao 6.7: Forma de Onda de Entrada e Sada

da Tenso de um Retificador Trifsico de Onda
Completa

Para determinar a tenso reversa sobre os diodos do
retificador trifsico de onda completa conveniente analisar
cada intervalo de 60 graus separadamente.
Entre 30 a 90 graus observe a Ilustrao 6.8.
Ilustrao 6.8: Analise das Tenses Reversa nos Diodos

do Circuito Retificado Trifsico de Onda Completa
D4
incide nos catodos diodos
D6
e em seus anodos
incidem respectivamente as tenses das fazes

ou seja,
V D4=V F2 V F1 e
F1
F3 ,
V D6 =V F2V F3 .
Seguindo este mesmo raciocnio para os demais

intervalos de 60 em 60 graus obtm-se a seguinte Tabela 6.1:
Tabela 6.1: Tenso Reversa no Diodo

Intervalos
(graus)
0 a 30
30 a 90
V D1
V D2
V D3
V F1V F3
V F2V F3
0V
0V
V F2V F1
V F3V F1
V F1V F2
0V
V F3V F2
V F1V F3
V F2V F3
0V
90 a 150
150 a 210
210 a 270
270 a 330
330 a 390
V D=V anodo V catodo
V D4
V D5
V D6
V F1V F2
0V
V F3 V F2
V F1V F3
V F2 V F3
0V
0V
V F2 V F1
V F3 V F1
V F1V F2
0V
V F3V F2
A Ilustrao 6.9 apresenta o grfico da tenses sobre os

diodos do retificador trifsicos de onda completa.
Ilustrao 6.9: Tenso Reversa dos Diodos de um

Retificador Trifsico de Onda Completa
6.3 Comparativo
A Tabela 6.2 apresenta um resumo das principais

caractersticas dos retificadores apresentados neste trabalho.
Tabela 6.2: Comparativo dos Retificadores

Retificadores
Monofsicos
Meia Onda
N de Diodos
Tenso Pico de Sada
Tenso cc de Sada
Tenso de Sada (rms)

Tenso Pico Reversa no Diodo
Frequncia de Sada
Trifsicos
Meia Onda
Onda Completa
Onda Completa
Tomada Central
2
Ponte
4
VP
V P /2
VP
VP
3V P
VP
VP
2V P
3 3V p
2
3V p
VP
2
VP
VP
2 2
V P
V P
V P
3 V P
2f
2f
3f
3V P
1/2

1 3
6 4
Vp
1 3 3
2 4
3V P
6f
1/ 2
Resumo
Quando a potncia da carga a ser alimentada elevada
faz-se necessrio utilizar retificadores trifsicos, com o objetivo
de distribuir a corrente entre as 3 fases.
O circuito retificador trifsico de meia onda
apresentado na Ilustrao 6.2. Neste circuito apenas a fase
com maior tenso conduz. Desta forma o fornecimento de
corrente dividido igualmente entre as fases.
O circuito retificador trifsico de
onda completa
apresentado na Ilustrao 6.5. Neste circuito as fases com
maior tenso em mdulo atuam simultaneamente na
alimentao do circuito. Observa-se que a fase que for mais
positiva, poder levar o diodo a ela conectado, na semi-ponte
superior, conduo. Na semi-ponte inferior poder conduzir o
diodo conectado s fase com tenso mais negativa. Pela fase
com tenso intermediria no haver corrente.
1 Explique o funcionamento do circuito retificador trifsico de
meia onda.
2 Explique o funcionamento do circuito retificador trifsico de
onda completa.
Referncias
Gabarito das
Exerccios
Atividades
1 Neste circuito apenas a fase com maior tenso polariza

diretamente o diodo e fornece corrente eltrica para a carga.
2 a fase que for mais positiva, levar o diodo da semi-ponte
superior a ela conectado conduo. Na semi-ponte inferior
poder conduzir o diodo conectado s fase com tenso mais
negativa. Pela fase com tenso intermediria no haver
corrente.

Exercicios de Eletronica

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1.2 Estudo dos Semicondutores

Tabela 1.1: Seo de Tabela Peridica

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1.3.2 Impureza Aceitadora

Ilustrao 1.5: Cristal de Silcio

Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso

1.3.3 Semicondutor TIPO N

1.3.4 Semicondutor TIPO P

Ilustrao 1.6: Material Tipo n e Material Tipo p

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1 Quantas lacunas surgem quando um eltron se desprende

MALVINO, Albert Paul. Eletrnica Vol. I, 4 ed. So

RAZAVI, Behzavi. Fundamentos de Microeletrnica, 1

1 Surge uma lacuna para cada eltron que se desprende de

Descrever o resultado da juno de cristais tipo p e

Compreender o funcionamento de diodos quando

Descrever as curvas caractersticas de um diodo e a

Aplicar resistor limitador de corrente em circuitos

O diodo semicondutor um dos elementos mais bsicos

Ilustrao 2.1: Unio de Cristais PN

O resultado desta unio que devido a repulso mtua

Ilustrao 2.2: Camada de Depleo

Ilustrao 2.3: Smbolo do Diodo

Ilustrao 2.4: Representao do Componente Fsico

Observe a faixa em um dos terminais do dispositivo, esta

2.1 Polarizao do Diodo

2.1.1 Polarizao Direta

Ilustrao 2.5: Polarizao Direta do Diodo

2.1.2 Polarizao Reversa

Ilustrao 2.6: Polarizao reversa do Diodo

A curva caracterstica de um diodo um grfico que

2.2.1 Polarizao Direta

Ilustrao 2.8: Grfico de

Observe na Ilustrao 2.8 que o diodo apresenta um

2.2.1.1 Tenso de Joelho

2.2.2 Polarizao Reversa do Diodo

Ilustrao 2.9: Circuito

Ilustrao 2.10: Grfico de

O diodo polarizado reversamente, passa uma corrente

Ilustrao 2.11: Grfico Completo de Tenso vs Corrente