REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACION SUPERIOR

INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITCNICO SANTIAGO MARIO
EXTENSION CARACAS

TRANSISTOR JFET Y MOSFET

Profesor:
Henry Cristancho

Integrantes:
Javier Francisco C.I.: 20.794.193
Charol Silva C.I.: 21.346.244
Osneider Tejeda C.I.: 23.610.569
Caracas, Febrero de 2016

Introduccin
El FET es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo
elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia
de potencial.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora
como la regin activa o canal.
Los FET ms conocidos son los siguientes:

JFETMOSFET: Consiste en un transistor de efecto de campo

basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos
integrados de uso comercial estn basados en transistores

MOSFET.
MOS: Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en
el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos
islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace
crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor

En la siguiente investigacin se ampliara mas la informacin sobre estos

dos tipos de transistores, su funcionamiento, caractersticas, etc.

Transistor de Efecto de Campo (FET)

El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de
corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular
a la trayectoria de la corriente. El transistor FET est compuesto de una parte de
silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas
compuerta (gate) y que estn unidas entre s. Ver la figura.

Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente

(source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin
que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los
electrones se llama canal. La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S).
El espacio entre los dos contactos se llama canal y da la clasificacin del
FET en FET canal N y FET canal P. La siguiente figura ilustra la estructura de
estos FET.

El smbolo circuital utilizado para estos dispositivos se muestra en la figura

Ventajas del FET con respecto al BJT

Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)M.
Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Son ms estables con la temperatura que los BJT.
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar ms dispositivos en un CI.
Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores pequeos
de tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

Desventajas de los FET

Los FETs presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales
que los BJT.
Los FETs se pueden daar debido a la electricidad esttica.
Caractersticas del JFET
El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material
semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a
ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador
(drain), fuente (source) y puerta ().

La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente

polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de canal.
Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente para que la
unin p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican
en la figura 1.11.

Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las

curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos
controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente.
Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o
drenador a source o fuente), VGS (tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS
(tensin drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones bsicas
de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura.

Zona Resistiva o Lineal (Zona Ohmica):

Es la zona cercana al eje iD, delimitada en cuanto a voltaje por: 0<VDS<VPO. La

variacin de iD en esta zona es lineal y el dispositivo se comporta como
una resistencia controlada por voltaje. A medida que V DS aumenta de cero hasta
VP, la corriente iD aumenta linealmente a pesar del aumento de la resistencia del
canal, debido a que el aumento de VDS contrarresta el aumento de la resistencia.

Zona Saturada o Zona de Corrientes Constantes

Cuando VDS aumenta por encima de VP, la corriente iD aumenta mas

lentamente debido al estrangulamiento del canal ocasionado por la unin de las

dos barreras de potencial correspondiente a cada unin PN o NP. Sin embargo, el
aumento de VDS mantiene la corriente iD en un valor constante.
La zona en la cual iD es constante se conoce como zona de saturacin y la
zona til para el uso del dispositivo como amplificador de seales.
La zona de saturacin est limitada en cuanto a voltaje por: V P<VDS<VDSO,
donde VDSO es el mximo voltaje entre Drenador y Surtidor indicado por el
fabricante.

Zona de Ruptura
Es la zona para la cual iD aumenta drsticamente para pequeos aumentos

de tensin VDS por encima de VDSO, es decir, VDS>VDSO.

Zona de Corte
Es la zona para la cual iD = 0 sea cual sea el valor de VDS y se debe a que

VGS se hace tan negativo que el canal se obstruye totalmente por la unin de las
dos barreras de potencial. El valor de VGS para el cual iD = 0 es suministrado por el
fabricante del transistor como:
VGSO Mximo voltaje entre Compuerta y Surtidor.
La relacin |VGSO|=|VPO| indica que para iD = 0 se debe tener VGSO= -VPO en
magnitud.

Curva de Transferencia
La curva de transferencia se obtiene a partir de las variaciones de I D con
respecto a VGS, en la zona de saturacin. Esta variacin de I D con respecto a VGS
para un VDS constante no es lineal y se expresa matemticamente como:
I D=I DSS

V GS
1
V PO

)|
2

v DS=Ctte

Esta expresin se conoce como Ecuacin de Transferencia y permite

obtener ID en la zona de saturacin para cualquier valor de VGS, conociendo
previamente IDSS y VPO los cuales son generalmente dados por el fabricante.

Polarizacin del JFET

La polarizacin del JFET se realiza mediante tensin continua y consiste en
prepararlo para que en un circuito, en el cual se le quiere utilizar, a travs del
JFET circule una cantidad de corriente ID por el drenaje, y a su vez se obtenga
una tensin entre el drenaje y la fuente VDS para esa cantidad de corriente ID, a
esto se le llama obtener el punto de operacin o punto Q. La corriente ID va
depender de la tensin compuerta fuente VGS que exista en la malla de entrada,
la VDS depender de la malla de salida del circuito, para ver esto ser de utilidad
la grfica de entrada y la de salida del JFET.

Se vern 3 tipos de polarizacin los cuales son:

Polarizacin de puerta del JFET.

Este tipo polarizacin se caracteriza porque se utilizan dos fuentes de

alimentacin, una de ellas se conecta directamente entre la compuerta y la fuente,

si esta fuente de alimentacin es variable se puede controlar la ID, lo cual a su vez
provocar que el punto de operacin del JFET cambie y como consecuencia
cambiar VDS, de esta forma se puede hacer que el JFET trabaje en la regin
ohmica o en la regin activa; este es el tipo de polarizacin que se utilizar si se
quiere hacer trabajar al JFET como resistencia variable controlada por voltaje.
El arreglo principal para este tipo de polarizacin para un JFET de canal n y
uno de canal p, es el que se muestra a continuacin

Polarizacin por autopolarizacin del JFET.

En este tipo de polarizacin solamente se necesita una fuente de

alimentacin, en la figura siguiente se muestra este tipo de arreglo para un JFET

de canal n, es muy similar para el caso del JFET de canal p, con la diferencia de
que hay que invertir las polaridades.

Como se puede ver en la fuente del JFET se coloca una resistencia RS,
esta resistencia ser la que polarice la compuerta, es decir la VGS que existir en
el transistor la cual decidir cuanta ser la corriente de drenaje ID que es igual a la
corriente de la fuente IS; la resistencia RG es una resistencia del orden de los
mega ohmios que se utiliza principalmente para los circuitos de amplificacin para
no perder la impedancia de entrada del JFET, en el vdeo que sigue mas abajo se
comenta como es que actuar, adems como IG=0 entonces VG=0 por tanto la
compuerta est conectada a tierra.

Polarizacin por divisor de tensin del JFET.

Para este tipo de polarizacin, el punto de operacin del JFET se ve menos

afectado cuando se cambia un transistor por otro, siendo ambos de la misma

familia, por ejemplo el 2N3819. en este caso tambin se polariza el JFET con una
sola fuente de alimentacin, en la siguiente figura se muestra el arreglo para la
polarizacin por divisor de tensin.

Como se puede ver en la en la malla de la entrada del circuito, ahora hay

dos resistencia, las cuales sern de gran ohmiaje del orden de los mega ohmios,
esto es para no perder la alta impedancia de entrada de los JFET en los circuitos
de amplificacin, entre las dos forman un divisor de tensin, por lo cual la tensin
de la compuerta VG tendr un valor positivo.

Ejemplo
Determina el valor mnimo de VDD requerido para colocar al JFET mostrado
abajo, en la operacin de regin de operacin de corriente constante.

Transistor MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son
dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una
canal de conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la
mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa
MOS.
Los MOSFET se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se
llama sustrato. Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje
(entrada y salida) que es un semiconductor contrario al semiconductor usado para
el sustrato.
Recubriendo este bloque se coloca una capa de xido metlico aislante que
hace de dielctrico o aislante entre la fuente y el sumidero. Por encima de este
xido se coloca una placa de metal conductor. El xido con el metal forman la
tercera patilla o borne de conexin llamada puerta o gate (en ingls).
S y D = semiconductor/es. A un lado est la patilla llamada sumidero o fuente
(S). Al otro lado la patilla llamada Drenaje (D), drenador o salida. Entre estos dos
terminales pasa la corriente cuando activamos G por medio de tensin. La
corriente cuando se activa el transistor entra por S y sale por D, siempre que G
tenga una tensin mnima, llamada tensin Umbral o threshold = Vth.
G = puerta o gate. La parte de arriba es un metal conductor y la de abajo el
xido.
P = capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de S y D.

Ventajas del MOSFET con respecto al BJT

Consumo en modo esttico muy bajo.

Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media

micra).

Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.

Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen
una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta
es del orden de los nanoamperios.

Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias,

con el ahorro de superficie que conlleva.

La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los

nanosegundos.

Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta

frecuencias y baja potencia.
Desventajas del MOSFET

No es tan alta como la fidelidad de BJT, ya que la ganancia variar

ligeramente a medida que aumenta la tensin de entrada (es decir, que va a

generar algunos armnicos muy dbiles) .

Capacidad de entrada. Cuanto mayor sea la ganancia, mayor es la
capacidad de entrada, gracias al efecto Miller.

No se puede manejar una carga de baja impedancia muy bien.

Baja ganancia por cada parte, que a menudo significa ms etapas de
amplificacin son necesarios para una mayor ganancia , incluso cuando se
utilizan tcnicas avanzadas de diseo . Cada etapa de amplificacin aade
ruido - es decir, usted puede nunca, nunca conseguir una mejor relacin
seal- ruido en la salida que en la entrada.
Curva Caracterstica
En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una

familia de curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.

Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS

(trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de
enriquecimiento). La corriente ms elevada se consigue con la tensin ms
positiva de VGS y el corte se consigue con tensin negativa de VGS(apag).
De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia,
que nos indica la relacin que existe entre VGS e ID. sta posee la forma que se
muestra en la siguiente curva abajo a la derecha:

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje
de tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones
positivas como negativas. Por esta razn, la corriente IDSS, correspondiente a la
interseccin de la curva con el eje ID, ya no es la de saturacin.
Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y
la ecuacin que la define es tambin:

Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET,

este tipo de transistor es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el punto
correspondiente a VGS=0, ID=IDSS. Cuando ste queda polarizado as, el
transistor queda siempre en conduccin o, normalmente, encendido.
En la siguiente figura se representan las curvas caractersticas de un
transistor MOSFET de acumulacin.

Zona de corte o de no conduccin.

Se corresponde con el eje horizontal de la grfica. En esta zona la corriente
ID= 0 con independencia del valor VDS. Esto se da para valores de VGSVT,
donde el canal no est completamente formado.
Zona hmica o de no Saturacin.
Se da para valores de VDS inferiores al de saturacin, es decir, cuando
VDSVGS- VT Para estos valores de tensin el canal se va estrechando de la
parte del drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para
VDSsat.
En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una
resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para valores
pequeos de VDS, ya que a medida que nos aproximamos al valor de VDSsat, y
para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del
canal que se aproxima al cierre.

Zona de saturacin o de corriente constante

Esta zona se da para valores VDS> VDSsat. Ahora la corriente ID
permanece invariante frente a los cambios de VDSy slo depende de la tensin
VGSaplicada. En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente
controlada por la tensin de puerta VGS.
La relacin entre la tensin VGS aplicada y la corriente ID que circula por el
canal en esta zona viene dada por la siguiente ecuacin:

Zona de ruptura.
Un transistor MOSFET puede romper por dos motivos. Bien porque se
perfora el dielctrico cuando la tensin VGS supera una determinado valor que
vendr determinado por el aislante, o bien porque en la unin pn del lado del
drenador (polarizada en inversa) se supera el valor de la tensin de ruptura de
dicha unin, dado que esta unin est polarizada con una tensin inversa de valor
VDS la ruptura se producir cuando VDSVrcon independencia del valor de VGS,
por tanto en la zona de ruptura todas las distintas curvas en funcin de VGSse
juntan en una nica.
Caractersticas de Transferencia
En estas curvas se representa la corriente de drenador frente a la tensin
de puerta, cuando el transistor opera en la regin de saturacin. En esta regin la
corriente es independiente del voltaje de drenador; adems, tiene un
comportamiento arablico con el voltaje de puerta, siempre que ste sobrepase la
tensin umbral.

La imagen anterior muestra las curvas de transferencia posibles,

dependiendo del tipo de MOSFET. En los transistores de enriquecimiento no existe
canal en ausencia de tensin en la puerta, por lo que la corriente es nula si VGS =
0. Mientras que en los de vaciamiento es necesario aplicar una tensin de puerta
para eliminar el canal. Por otro lado, en los MOSFETs tipo N la corriente aumenta
con la tensin de puerta; en los tipo P esto ocurre cuanto menor es el voltaje
Cada una de las curvas mostradas representa slo la mitad de la parbola
del modelo. La parbola completa carece de sentido fsico, ya que para tensiones
de puerta ms all de la tensin umbral el transistor se halla cortado.

Polarizacin
Ya que los mosfet de tipo empobrecimiento pueden operar en el modo de
empobrecer, pueden usarc todos los mtodos de polarizacin estudiados para los
JFET. Estos incluyen polarizacin de graduador, autopolarizacion, polariza por
divisor de voltaje y polarizacin por corriente de surtidor. Adems de estos
mtodos de polarizacin los MOSFE>T de tipo empobrecimiento admiten otra
opinin. Ya un MOSFET del tipo de empobrecimiento puede operar, ya se a en el

modo de empobrecimiento o en el de enriquecimiento, pueden fijarse el punto q en

VGS= 0, como se muestra en una delas figuras. Por lo tanto, una seal de Ca de
entrada aplicada al graduador produce variaciones arriba y abajo del punto Q. el
hecho de que VGS pueda ser cero es una ventaja cuando se trata de polarizar.
Ello permite usar el circuito de polarizacin. A este circuito tan simple no se le
aplica voltaje ni al graduador , ni al surtidor,, por lo tanto VGS= 0 e ID = IDSS. El
voltaje de cc en el drenador es
VDS = VDD IDss.RD
La polarizacin en cero es una caracterstica peculiar de los MOSFET; no
es aplicable en transistores bipolares o en JFETs.
Ejercicio
Determinar el punto de funcionamiento del transistor MOSFET del siguiente
circuito:
.

Solucin

Consideraciones sobre Frecuencia

La presencia de condensadores en un amplificador hace que la ganancia de
ste dependa de la frecuencia. Los condensadores de acoplo y desacoplo limitan
su respuesta a baja frecuencia, y los parmetros de pequea seal de los
transistores que dependen de la frecuencia as como las capacidades parsitas
asociadas a los dispositivos activos limitan su respuesta a alta frecuencia. Adems
un incremento en el nmero de etapas amplificadoras conectadas en cascada
tambin limita a su vez la respuesta a bajas y altas frecuencias.

En la figura anterior se muestra la ganancia de un amplificador en funcin

de la frecuencia. Claramente se identifican tres zonas: frecuencia bajas,
frecuencias medias y frecuencias altas. A frecuencias bajas, el efecto de los
condensadores de acoplo y desacoplo es importante. A frecuencias medias, esos
condensadores presentan una impedancia nula pudindose ser sustituidos por un
cortocircuito. A frecuencias altas, las limitaciones infrecuencia de los dispositivos
activos condicionan la frecuencia mxima de operacin del amplificador. Esas
zonas estn definidas por dos parmetros: frecuencia de corte inferior o L y
frecuencia de corte superior o H. .Ambos parmetros se definen como la

frecuencia a la cual la ganancia del amplificador decae en 1/ 2o 0.707con respecto

a la ganancia del amplificador a frecuencias medias. El ancho de banda del
amplificador o bandwidth (BW) se define como

Conclusin
Los transistores FET realizan la funcin de control de corriente, comn a
todos los transistores por ser caracterstica bsica, mediante una tensin aplicada
en uno de sus terminales.
Los Transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que
manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de oxido es muy delgada, se
puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.
Estos transistores pueden ser empleados en los circuitos en una disposicin
similar a la de los bipolares, es decir, en fuente comn, aunque la primera y la
ltima son las ms utilizadas.
Se emplean en amplificadores de potencia as como en conmutacin,
haciendo la funcin de interruptor, gracias a la baja resistencia interna que poseen.