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UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS


ESPE - EXTENSIN LATACUNGA

ELECTRNICA GENERAL
INFORME

TEMA:
SIMULACIN DE UN CIRCUITO DE POLARIZACIN FIJA
EN EMISOR COMN Y DE UN CIRCUITO CON
POLARIZACIN POR MEDIO DE DIVISOR DE VOLTAJE
NOMBRE:
- Bismar Villegas
DOCENTE:
Ing. Julio Acosta
Octubre - Febrero 2016

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1. Tema
Simulacin de un circuito de polarizacin fija en emisor comn y de un circuito con
polarizacin por medio de divisor de voltaje
2. Objetivos
a. Identificar el modelo de transistor BJT en corriente alterna.
b. Determinar las configuraciones bsicas para la conexin de un transistor
BJT en corriente alterna ya sea circuito de polarizacin fija en emisor
comn y con polarizacin por medio de divisor de voltaje
c. Analizar la amplificacin de voltaje con un transistor BJT con la ayuda
de un software Proteus 8 Professional.
3. Marco Terico
Modelo de un Transistor BJT
Un modelo es una combinacin de elementos de un circuito, apropiadamente
seleccionados, que simula de forma aproximada el comportamiento real de un
dispositivo semiconductor en condiciones especficas de operacin.
Una vez que se determina el circuito equivalente de corriente alterna, el smbolo
esquemtico del dispositivo puede ser reemplazado por este circuito equivalente y los
mtodos bsicos de anlisis de circuitos aplicados para determinar las cantidades
deseadas de la red.
Con el tiempo, el uso del modelo

re

lleg a ser el mtodo ms deseable porque las

condiciones de operacin reales determinaban un parmetro importante del circuito


equivalente en lugar de utilizar el valor que apareca en las hojas de datos que en
algunos casos poda ser bastante diferente. Desafortunadamente, sin embargo, se tiene
que seguir recurriendo a las hojas de datos para algunos de los dems parmetros del
circuito equivalente. El modelo

re

no inclua el trmino de realimentacin, lo cual en

algunos casos puede ser importante, si no es que simplemente problemtico.

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En realidad, el modelo r e

es una versin reducida del modelo p hbrido utilizado casi

exclusivamente para anlisis de alta frecuencia. Este modelo tambin incluye una
conexin entre la salida y la entrada para incluir el efecto de realimentacin del voltaje
de salida y las cantidades de entrada.

Como slo nos interesa la respuesta de ca del circuito, todas las fuentes de cd pueden
ser reemplazadas por un equivalente de potencial cero (cortocircuito) porque determinan
slo el nivel de cd (nivel quiescente) del voltaje de salida y no la magnitud de la
excursin de la salida de ca.

Ilustracin 1: Circuito con corriente alterna

El transistor es un dispositivo amplificador, podramos esperar una indicacin de cmo


se relaciona el voltaje de salida V o con el voltaje de entrada V i , que viene a ser la
ganancia de voltaje. En suma, por consiguiente, el equivalente de ca de una red se
obtiene como sigue:

Poniendo en cero todas las fuentes de cd y reemplazndolas por un equivalente


de cortocircuito.

Reemplazando todos los capacitores por un equivalente de cortocircuito.

Quitando todos los elementos evitados por los equivalentes de cortocircuito


introducidos por los pasos 1 y 2.

Volviendo a dibujar la red en una forma ms conveniente y lgica

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Ilustracin 2: Equivalente del circuito con corriente alterna

Configuracin de polarizacin fija en emisor comn


Para realizar el anlisis de seal pequea de varias configuraciones de red de
transistores estndar, utilizaremos los modelos de transistor que acabamos de presentar.
Las modificaciones de las configuraciones estndar sern relativamente fciles de
examinar. Para cada configuracin, el efecto de una impedancia de salida se examina
con todo detalle.
La primera configuracin que se analizar en detalle es la red de polarizacin fija en
emisor comn. Observe que la seal de entrada Vi se aplica a la base del transistor, en
tanto que la salida Vo se aplica al colector. Asimismo, tenga en cuenta que la corriente
de entrada Ii no es la corriente de base, sino la corriente suministrada por la fuente y que
la corriente de salida es la corriente del colector.

Ilustracin 3: Configuracin de polarizacin fija en emisor comn

El anlisis de ca de seal pequea se inicia eliminando los efectos de cd de Vcc y


reemplazando los capacitores de bloqueo C1 y C2 por equivalentes de cortocircuito y el
resultado es la siguiente red.

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Ilustracin 4: Anlisis de Corriente Alterna

Observe en la figura que la tierra comn de la fuente de cd y emisor del transistor


permite reubicar RB y RC en paralelo con las secciones de entrada y salida del transistor
respectivamente. Adems, observe la colocacin de los parmetros importantes Zi, Zo,
Ii e Io en la red que se volvi a dibujar. Sustituyendo el modelo re para la configuracin
de emisor comn de la figura anterior obtenemos la red de la figura siguiente

El siguiente paso es determinar , re y ro. La magnitud de , por lo general, se obtiene


de una hoja de especificaciones, por medicin directa con un trazador de curvas, o un
instrumento de prueba de transistores. El valor de re se debe determinar con un anlisis
de cd del sistema y, por lo comn, la magnitud de ro se toma de la hoja de
especificaciones o por las caractersticas.
Suponiendo que , re y ro ya se han determinado obtendremos las siguientes ecuaciones
para las caractersticas importantes de dos puertos del sistema.
Zi=RB re ohms

Para la mayora de las situaciones, RB es mayor que re por ms de un factor de 10, lo


que permite la siguiente aproximacin:
Zi re hms
Si = 10 , la aproximacin || se aplica con frecuencia, y

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Zo RC ro=10 RC

Los resistores ro y RC estn en paralelo, de modo que


Av =

Vo ro RC
=
Vi

Si = 10 de modo que podemos pasar por alto el efecto de ,


Av =

RC

Relacin de fase

El signo negativo de Av en la ecuacin resultante revela que ocurre un desfasamiento de


180 entre las seales de entrada y salida, como se muestra en la figura. Es el resultado
de que Ib establezca una corriente a travs de RC la cual producir un voltaje a travs
de RC, lo opuesto al definido por Vo.

Polarizacin por medio del divisor de voltaje


La siguiente configuracin que analizaremos es la red de polarizacin por medio del
divisor de voltaje de la figura 6. Recuerde que el nombre de la configuracin se deriva
de la polarizacin por medio del divisor de voltaje en el lado de entrada para determinar
el nivel de cd de VB.

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Sustituyendo el circuito equivalente re obtenemos la red de la figura. Observe la


ausencia de RE debido al efecto de cortocircuito de baja impedancia del capacitor de
puenteo CE. Es decir, a la frecuencia (o frecuencias) de operacin la reactancia del
capacitor es tan pequea comparada con RE, que se considera como un cortocircuito a
travs de RE. Cuando VCC se establece en cero, coloca un extremo de R1 y RC a un
potencial de tierra, como se muestra en la siguiente figura.

De la figura con Vi ajustada a 0 V, y resulta


Zo=ro RC
Si >= 10 ,
Zo RC
Los resistores ro y RC estn en paralelo, por lo tanto
Av =

Vo ro RC
=
Vi

Proteus 8

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Proteus es una compilacin de programas de diseo y simulacin electrnica,


desarrollado por Labcenter Electronics que consta de los dos programas principales:
Ares e Isis, y los mdulos VSM y Electra.
ISIS. El Programa ISIS, Intelligent Schematic Input System (Sistema de Enrutado de
Esquemas Inteligente) permite disear el plano elctrico del circuito que se desea
realizar con componentes muy variados, desde simples resistencias, hasta alguno que
otro microprocesador o microcontrolador, incluyendo fuentes de alimentacin,
generadores de seales y muchos otros componentes con prestaciones diferentes. Los
diseos realizados en Isis pueden ser simulados en tiempo real, mediante el mdulo
VSM, asociado directamente con ISIS.
El mdulo VSM. Una de las prestaciones de Proteus, integrada con ISIS, es VSM, el
Virtual System Modeling (Sistema Virtual de Modelado), una extensin integrada con
ISIS, con la cual se puede simular, en tiempo real, con posibilidad de ms rapidez; todas
las caractersticas de varias familias de microcontroladores, introduciendo nosotros
mismos el programa que controlar el microcontrolador y cada una de sus salidas, y a la
vez, simulando las tareas que queramos que lleve a cabo con el programa. Se pueden
simular circuitos con microcontroladores conectados a distintos dispositivos, como
motores, lcds, teclados en matriz, etc. Incluye, entre otras, las familias de PIC's PIC10,
PIC12, PIC16, PIC18,PIC24 y dsPIC33. ISIS es el corazn del entorno integrado
PROTEUS. Combina un entorno de diseo de una potencia excepcional con una enorme
capacidad de controlar la apariencia final de los dibujos. wds DA
ARES. ARES, o Advanced Routing and Editing Software (Software de Edicin y
Ruteo Avanzado); es la herramienta de en rutado, ubicacin y edicin de componentes,
se utiliza para la fabricacin de placas de circuito impreso, permitiendo editar
generalmente, las capas superficial (Top Copper), y de soldadura (Bottom Copper).

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Materiales
Material/
Equipo

Nmero

Resistencias

Capacitores

2N1711

Osciloscopio

Fuente de
alimentacin

Proteus 8

Caractersticas
Dispositivo
elctrico que
presenta una
resistencia al paso
de la corriente
elctrica.
Dispositivo pasivo,
capaz de
almacenar energa
sustentando
un campo elctrico.
Permite controlar el
paso de
la corriente a travs
de sus terminales

Dispositivo
elctrico capaz de
medir la forma de
onda de una seal

Emite voltaje en
corriente
continua y en
corriente alterna
Software que
permite la
simulacin de
circuitos elctricos

Imagen

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4. Clculos
Ejercicio 5.1

Ilustracin 5: Ejemplo 5.1

Para la red de la figura:


a. Determine r e
b. Encuentre Z i (con r 0= )
c. Calcule Z 0 (con r 0= )
d. Determine

Av

(con r 0= )

e. Repita las partes (c) y (d), incluida


compare los resultados.
a.
I B=

V ccV BE
RB

I B=

12V 0.7 V
470 K

I B=24.04 A
I E =( +1 ) I B

r o=50 K

en todos los clculos y

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I E =( 101 )( 24.04 A )
I E =2.428 mA

re=

26 mV
2.428 mA

r e =10.71
b.
( r e ) =( 100 ) (10.71 )
r e=1.071 K
Z i=R B r e

Z i=

( ( 470 K ) ( 1.071 K ) )
470 K + 1.071 K

Z i=1.07 K
c.
Z o =Rc
Z o =3 K
d.
A v=

Rc
re

A v=

3 K
10.71

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A v =280.11
e.
Z o =r o Rc

Zo=

( 50 K ) ( 3 K )
50 K +3 K

Z o =2.83 K vs 3 K

A v=

( r o Rc )
re

A v=

2.83 K
10.71

A v =264.24 vs280.11
Ejercicio 5.2

Ilustracin 6: Ejemplo 5.2

Para la red de la figura, determine:


a.

re

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b.

Zi

c.

Z o (r 0= )

d.

A v ( r 0= )

e. Los parmetros de las partes (b) a (d) si


resultados
a.
Cd: Prueba de

R E >10 R2 ,

( 90 ) ( 1.5 K )>10 ( 8.2 K )


135 K > 82 K

Satisface
Utilizando el mtodo aproximado, obtenemos
V B=

V B=

( R2 )
( R 1+ R 2 )

V cc

8.2 K
( 22 V )
56 K +8.2 K

V B =2.81V
V E =V B V BE
V E =2.81 V 0.7 V
V E =2.11 V

r 0=50 K

y compare con los

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I E=

VE
RE

I E=

2.11 V
1.5 K

I E =1.41mA

re=

26 mA
IE

re=

26 mA
1.41mA

r e =18.44 K
b.
'

R =R1 R 2

'

R=

( 56 K )( 8.2 K )
56 K +8.2 K

'

R =7.15 K
Z i=R ' Re

Z i=

( 7.15 K ) ( ( 90 ) (18.44 ) )
7.15 K +1.66 K

Z i=1.35 K
c.
Z o =Rc

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Z o =6.8 K
d.
A v=

RC
re

A v=

6.8 K
18.44 K

A v =358.76

e.
Z i=1.35 K
Z o =RC r o

Zo=

( 6.8 K ) ( 50 K )
6.8 K +50 K

Z o =5.98 K vs 6.8 K

AV =

Z o
re

AV =

5.98 K
18.44 K

A V =324.3 vs368.76

Hubo una diferencia medible en los resultados de


la condicin 10 10 RC

Zo

AV

porque no se satisfizo

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5. Procedimiento de Simulacin.
a. Abrir el Software Proteus 8 Professional

b. Se procede a elegir la opcin ISIS

c. Una vez en el panel de trabajo se elige los componentes

d. Se elige los componentes

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e. Se procede a esquematizar el circuito de igual manera que el requerido.

f. No olvidar poner los valores de cada elemento

g. Una vez hecho el circuito, se procede a polarizar el mismo, para lo cual se


necesita poner un generador de dc y no olvidar la tierra.

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h. Se conecta al ingreso un generador SINE para tener la onda de entrada

i. Finalmente se conecta un Osciloscopio para poder visualizar las ondas de


entrada y de salida.

j. Visualizar las ondas en el osciloscopio.

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Ilustracin 7: Ondas visualizadas en el osciloscopio

6. Anlisis de Resultados
Ejemplo 5.1

Ilustracin 8: Ejercicio Simulado 5.1

En la simulacin se puede observar que antes de enviar la onda sinusoidal, nicamente


con polarizar el circuito podemos comprobar que la corriente de emisor es la misma que
la obtenida en los clculos.

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Adems se puede observar en el osciloscopio que las ondas adems de estar amplificada
est desfasada 180.

Se analiz cmo funciona la polarizacin por medio del divisor de voltaje con este tipo
de polarizacin la estabilidad del punto Q es mucho mejor, es decir a medida que el
transistor este trabajando, los valores de

I CQ , V CEQ

se mantendran casi

inalterables. Es por esta razn que este tipo de polarizacin es la ms utilizada cuando
se

trata

de

disear

un

Determinamos primeramente que si cumple con la ecuacin

amplificador.
R e >10 R2

se observ

que si satisface con la condicin, despus se procedi a calcular los diferentes valores
de impedancia para ciertas condiciones planteadas donde se obtuvo que hubo una
diferencia medible en los resultados de

Z0

A V , porque no se satisfizo la

condicin r 0 10 Rc
7. Conclusiones
-

Se identific los modelos del transistor para corriente alterna para un circuito de
polarizacin fija en emisor comn y un circuito con polarizacin por medio de

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divisor de voltaje.
-

Existe un desfasamiento de 180 entre la onda de entrada y la onda de salida, lo


mismo que se pudo observar en el osciloscopio.

Efectivamente la amplificacin de voltaje se cumple, mismo que se pudo


comprobar con el osciloscopio del software Proteus 8 Professional.

La elevacin de voltaje slo se da en voltajes pequeos por lo que a medida que


los voltajes se van agrandando esta relacin va careciendo de eficacia.

Para los ejercicios planteados se observ que el circuito polarizado en divisor de


voltaje tena una mayor ganancia o elevacin de voltaje.

8. Recomendaciones
-

En las simulaciones en Proteus 8 Professional, se recomienda regular las escalas


de voltaje en las perillas del osciloscopio, dado que en ocasiones la escala no
permite visualizar fcilmente la onda de entrada o de salida.

Elegir un transistor de

requerido en el ejercicio consultando qu transistor

cumple con esta condicin para poder ponerlo en la simulacin.


9. Bibliografa
BOYLESTAD, R. L., & NASHELSKY, L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y
Dispositivos Electrnicos. Mxico: PEARSON EDUCACIN.