73

E4

DIODES ET TRANSISTORS

I. INTRODUCTION
Dans cette exprience, nous allons tudier deux lments qui sont la base de la majorit
des montages lectroniques modernes; la diode et le transistor. Ces lments sont forms de
matriaux semiconducteurs et se caractrisent entre autre par leur non-linarit, c'est--dire
que pour une frquence donne leur impdance dpend du courant. Le but de cette
exprience est de donner une description simple de ces deux lments et de se familiariser
avec quelques applications.

II. THEORIE
Les semiconducteurs, parmi lequel le silicium est le plus connu, prsentent des proprits
lectroniques mi chemin entre celles des isolants et des mtaux. Les phnomnes de
conductions lectriques mettent en jeu les lectrons des couches externes des lments
constituants le matriaux. Pour un atome isol, il existe une rpartition discrte des niveaux
dnergie des lectrons, chaque niveau pouvant tre occup au maximum par deux lectrons
avec des spins opposs reprsents par des flches vers le haut ou vers le bas car un
principe fondamental de la physiques du solide (principe dexclusion de Pauli) interdit
deux lectrons dtre dans le mme tat.
atome isol

cristal : arrangement rgulier

1s 2s 2p

1s 2s 2p

1s 2s 2p

1s 2s 2p

1s 2s 2p

1s 2s 2p

1s 2s 2p

1s 2s 2p

1s 2s 2p

1s 2s 2p

niveaux dnergie

Bandes dnergie

2p
2s

bande interdite
1s

Figure 1.
Un matriau rel est constitu dun trs grand nombre datomes (6.02.1023 at/mole) et il y a
donc un trs grand nombre dlectrons issus des mmes niveaux atomiques qui aimeraient
avoir une nergie identique. Pour respecter le principe de Pauli, tous ces niveaux dnergie

74
vont se distribuer dans un intervalle dnergie plus ou moins large suivant les interactions
entre les atomes et une bande. Entre les bandes, il existe une zone dnergie interdite. Dune
manire simplifie, on peut voir les bandes comme une rminiscence des niveaux discrets
dnergie, chaque bande tant spare de la suivante par une zone dnergie interdite
appele gap comme indiqu sur la figure 1. Ces zones d'nergie interdite et le taux de
remplissage des bandes joue un rle fondamental dans les proprits lectriques du
matriau.
Pour avoir un courant lectrique, il faut avoir des porteurs de charge (lectrons) qui puissent
se dplacer. Si une bande est vide, il ny donc pas de courant associ cette bande. Mais si
une bande est compltement remplie, il ny a galement pas de courant associ cette
bande. Pour visualiser ce phnomne, considrons le cas dun parking deux tages comme
illustr sur la figure 2.

Figure 2a

Premier niveaux complet et deuxime niveau vide.

Il est impossible de dplacer un vehicule.

Figure 2b

Un trou au premier niveau et une voiture au deuxime.

Il est possible de dplacer les vhicules

Figure 2.
A limage des voitures dans un parking, pour pouvoir dplacer les lectrons il faut des tats
libres. Ainsi, lorsque lon remplit les bandes avec les lectrons on peut obtenir deux
situations extrmes suivant loccupation des tats dans la dernire bande dnergie
contenant des lectrons.
Elle est incompltement remplie. Il y existe donc des tats libres permettant ainsi aux
lectrons de se dplacer. Cest le cas des mtaux (Figure 3a).
Elle est compltement remplie. Il ny a donc plus dtats de libres et aucun
mouvement nest possible. Cest le cas des isolants (Figure 3c).

75
Isolant temprature nulle

Bande de
conduction

Grand gap
Petit gap

Bande de
valence
a) Mtal

b) Semi-conducteur

c) Isolant

Figure 3.
Nanmoins, si le gap dnergie entre la bande remplie (appele bande de valence) et la
bande suivante (bande de conduction) est petit (environ 1eV), il est possible davoir un
nombre non ngligeable dlectrons qui, sous laction de lagitation thermique, vont sauter
de la bande de valence vers la bande de conduction. La figure 4b montre une telle situation
o des lectrons sont prsents dans la bande de conduction et simultanment ont laiss des
trous dans la bande de valence. Il y a donc maintenant deux types de porteurs de charge; des
lectrons dans la bande de conduction et des trous dans la bande de valence. Le nombre de
porteurs de charge dpendra fortement de la temprature et de la valeur du gap. Pour le
silicium 300K, on a environ 1010 lectrons/cm3 (et donc trous) soit environ 1013 fois moins
que pour le cuivre (1023 lectrons/cm3). Cest pour cette raison que cette classe de
matriaux est appele semiconducteur.

Dopage des semiconducteurs

Il est connu que les semiconducteurs sont extrmement sensibles aux impurets et quune
propret presque absolue est ncessaire pour la ralisation des dispositifs
semiconducteurs. En effet, en introduisant des impurets dans un cristal semiconducteur, on
va trs rapidement modifier le nombre de porteurs de charges si limpuret introduite a un
nombre diffrent dlectrons sur les couches externes. Dans le cas du silicium qui est un
lment ttravalent (4 lectrons/atome) on ralise le dopage avec soit des impurets
pentavalentes (5 lectrons) telle que le phosphore ou trivalentes (3 lectrons) tel que le
bore. La figure 4a et c illustre leffet de laddition de ces impurets. Avec le phosphore (P),
nous avons un lectron supplmentaire par atome dimpuret et donc la bande de
conduction se remplit avec ces porteurs et lon parle de semiconducteur de type N. Avec le
bore (B), il manque un lectron par atome dimpuret. Cela cre donc des trous dans la
bande de valence et lon parle de semiconducteur de type P. On observe que pour les
semiconducteurs dops les densits de porteurs positifs et ngatifs diffrent. On introduit
alors la notion de porteurs minoritaires et majoritaires. Pour un semiconducteur de type N,
les lectrons sont des porteurs majoritaires et les trous des porteurs minoritaires, alors que
pour un semiconducteur de type P les trous sont des porteurs majoritaires et les lectrons
des porteurs minoritaires.

76

Si+4

Si+4

Si+4

Si+4

Si+4

Si+4

trou
P+5

Si+4

lectron

Si+4

Si+4

B +3

Si+4

a) Semiconducteur type
N
n lectron > ntrou

Si+4

Si+4

b) Semiconducteur
intrinsque
n lectron = ntrou

Si+4

c) Semiconducteur type
P
n lectron < ntrou

Figure 4.
A) LA DIODE
On appelle diode un lment lectronique qui ne laisse passer le courant que dans un sens.
La rsistance est pratiquement nulle dans le sens de passage, et trs grande dans l'autre sens.
La figure 5 reprsente la caractristique courant-tension d'une diode idale.

I
I
V
V

Figure 5.
Une diode semiconductrice est forme de deux semiconducteurs, un de type N et l'autre de
type P. A la jonction entre les deux types de semiconducteur, la diffrence de concentration
des trous (et des lectrons) entre les zones N et P est trs grande. Ceci nest pas une
situation dquilibre naturel, et les porteurs majoritaires de la zone N (lectrons) et de la
zone P (trous) vont diffuser au travers de la jonction, pour attnuer cette forte variation
locale de concentration, comme indiqu sur la figure 6.

77

E
_ _
___
_
___
_ _
___
_

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

Type N

Type P

Type N

Type P

__
_

Zone
neutre Zone de charge
despace

Figure 6.

Zone
neutre

Figure 7.

En quittant le zone N, les lectrons vont laisser des charges fixes positives dans cette rgion
et similairement le dpart des trous de la zone P laissera des charges fixes ngatives. Ceci
cre une distribution de charge despace qui engendrera un champ lectrique (Fig. 7) qui
sopposera au courant Is des porteurs majoritaires (trous et lectrons) au travers de la
jonction, alors quil favorisera le courant Io li aux porteurs minoritaires cres par des
excitations thermiques. Ces deux courants sannulent (Is = Io) lorsque aucune tension est
applique aux bornes de la diode. Avec une tension inverse (Vinverse), la zone de charge
despace va crotre et le courant majoritaire Is va rapidement diminuer pour devenir
compltement ngligeable si la tension inverse est suffisamment leve. Le seul courant qui
reste est donc le courant minoritaire. Ce courant ne dpend que de la temprature et ne
dpend donc pas de la tension applique. On appelle ce courant trs faible, le courant de
fuite, et il varie exponentiellement avec la temprature T comme:

Eg

I 0 = A Exp(

k BT

Is

Type P

+ +++
+ +++
+ +++
+ +++

Io
V

Figure 8.

Type N

78
La figure 9 montre le cas o lon applique une tension directe (V>0); la barrire de potentiel
de la jonction diminue, et IS augmente exponentiellement avec la tension:

I(V) = Is Io

et

eV
Is = Io Exp

k BT

eV
eV
I(V) = Io Exp
1 Io Exp

k BT
k BT

pour eV>>k BT

o e est la charge de l'lectron et kB est la constante de Boltzmann.

Is

Type P

+
+
+
+

Type N

V
Figure 9.
La figure 10 reprsente la caractristique I = f(V) d'une diode semiconductrice.

1 mA

1 nA

V
Io

V
F

VF

: tension de seuil

Io

Figure 10.

: courant de fuite

79

APPLICATIONS
a) Redresseur une alternance
Une des applications les plus rpandues des diodes est leur utilisation pour gnrer des
tensions continues partir d'un tension alternative. La figure 11 montre un circuit
redresseur simple alternance.

VR

V0 - Vseuil

RL

V(t)

t
B
V(t) = Vo sin(t)
Figure 11.

Figure 12.

La figure 12 reprsente la tension de sortie du circuit redresseur simple alternance.

b) Redresseur deux alternances
Le montage dcrit sur la figure 13 ncessite quatre diodes et permet de profiter des deux
alternances pour raliser la fonction de redressement. Pendant la demi-priode positive, le
courant passe par D2 la rsistance de charge RL et D4. Pendant la demi-priode ngative, le
courant passe par D1 la rsistance de charge RL et D3. On observe que le courant circule
toujours dans le mme sens dans la rsistance de charge RL. La figure 14 montre la tension
aux bornes de la rsistance RL qui est toujours du mme signe (positive dans ce cas).

V(t) =V osint

D1

VR

D2

Vmax =Vo -2 Vseuil

RL

D4

VR

D3

t
Figure 13.

Figure 14.

c) Filtre capacitif
Que ce soit avec un redresseur une ou deux alternances, on n'obtient pas une tension
continue, mais juste une tension qui ne change plus de signe. Pour attnuer ces variations de
la tension aux bornes de RL, on peut ajouter un condensateur en parallle avec RL. Le

80
condensateur se charge la premire valeur de crte pendant le cycle montant d'une demi
priode, puis se dcharge tant que la tension du gnrateur est infrieure la tension aux
bornes du condensateur. La tension de dcharge ne dpend que de RL et C et s'crit :

t
Vc (t) = Vo Exp

R LC

V0 e

VAB

(- t/R C)
L

A
V(t)

RL

t=0

B
sin( t)
Figure 15.

Figure 16.

Avec un redresseur deux alternances, le temps de dcharge est divis par 2, car lors de
chaque demi priode la capacit peut se recharger. Ainsi l'ondulation rsiduelle de la
tension quasi-continue est plus faible.

B) LE TRANSISTOR
Un transistor est compos de deux jonctions np pour former un lment npn ou pnp. Le
fonctionnement des transistors npn ou pnp est identique, seules les polarits changent de
signe.
E

E lev

N
lectrons
acclrs

lectrons
diffusant

lectrons
injects

lectrons
collects

lectrons se
recombinant
dans la base
trous
injects

IE

zone
de
commande

- +

zone
dacclration

IB

VBB

- +

VCC
Figure 17.

IC

81
Suivant le montage schmatis sur la figure 17, on dfinit la base, l'metteur et le collecteur.
Une faible tension positive est applique la base. La jonction metteur-base (EB) est
polarise en sens direct et conduit. Aussitt arrivs dans la base, une grande partie des
lectrons injects depuis l'metteur sont capts par le champ lectrique de la zone du
collecteur. Le courant de la base joue le rle de commande sur le transistor et il est
beaucoup plus petit que celui de l'metteur ou du collecteur.

Fonctionnement du transistor
Dans les schmas, on symbolise les deux types de transistors de la manire suivante :

B
E

PNP

NPN
Figure 18.

Le schma de la figure 19 reprsente un transistor aliment avec une rsistance de charge

RL la sortie.
RL

IB

IC
C
E

VBB

VCE

VBE

IE

VCC

Figure 19.
Le fonctionnement lectrique du transistor est compltement dfini par les 4 grandeurs IC:
courant de collecteur; IB: courant de base; IC: courant de collecteur; VCE: tension
collecteur-metteur; VBE: tension base-metteur . Le paramtre le plus important est
I
lamplification en courant du transistor dfini par : h FE = C
I B

82

APPLICATIONS
a) Amplificateur BF (basse frquence)
Comme nous l'avons dj vu, une petite variation de la tension VBE provoque une variation
de courant du collecteur. Nous allons donc introduire notre signal sur la base et le recueillir
sur le collecteur. Afin d'liminer toute composante continue du signal, nous plaons un
condensateur C1 l'entre et un condensateur C2 sur le circuit de sortie.
VCC
RC

R1
C1

V1

C2

R2

RE

V2

RL

Figure 20.
On ajuste la polarisation de la base par le diviseur R1 et R2. La tension de sortie est prise
sur le collecteur, elle reprsente les variations de IC travers RC. Si la rsistance de charge
RL est grande par rapport RC, nous obtenons pour le gain en tension :

V2
V1

= -

RC
RE

Le signe (-) de la formule du gain signifie que la tension UCE diminue quand la tension UBE
augmente, la tension a t dphase de 180.

83

MANIPULATIONS
Dans le menu principal, nous vous demandons d'indiquer vos noms et prnoms. Une fois
ceci effectu vous voyez apparatre deux groupes d'expriences: diodes ou transistors

A) DIODE
1. Caractristique I-V des diodes
- Slectionner l'option "caractristique I-V " et un cran expliquant le montage apparat.
- Raliser le montage ci-dessous et demander l'cran suivant.
A
R
Source de
tension

Figure 21a Schma pour la mesure de la caractristique de la diode

mA

Voltmtre 1

Rsistance 1K

Diode Silicium

Sortiie 1

Ampremtre 1

Figure 21b Ralisation du montage de la figure 21a sur la platine

- Mesure les caractristiques I = f(V) des quatre diodes disposition. La tension aux
bornes de la diode est porte horizontalement et le courant est port verticalement.
- Imprimer le graphique.
-

Pour chaque diode, dterminer la valeur de la tension de seuil VF, et leur rsistance
interne r. Comparer ces diodes.

84

2. Courant de fuite dune diode (Uniquement pour les physiciens)

- Slectionner l'option "Courant de fuite " et un cran expliquant le montage apparat. Ce
circuit est identique celui de la figure prcdente sauf que l'on ajoute un lment de
chauffage pour mesurer le courant de fuite plusieurs tempratures.
- Raliser le montage ci-dessous et demander l'cran suivant.
Courant de fuite dune diode

Chauffage

Chauffage

Diode Silicium

Voltmtre 1

Rsistance 1K

Sortie 1

Ampremtre 1

Figure 22 Ralisation sur la platine du montage pour la mesure du courant de fuite d'une
diode
- Mesurer un premier courant de fuite temprature ambiante. Ce courant trs petit
permet de fixer le zro .
- Mesurer 3 courants de fuite des tempratures de 50C, 70C et 90C.
- Imprimer le graphique.
- Prendre, pour une tension de -5V, les valeurs mesures pour le courant de fuite et porter
Ln(Io) en fonction de 1/T.
- Dterminer la bande interdite Eg. Est-ce que ce rsultat dpend de la tension aux bornes
de la diode?

85
3. Redresseur une alternance
- Slectionner l'option "Redresseur une alternance " et un cran expliquant le montage
apparat.
- Raliser le montage de la figure 15 dont la description sur la platine est donn ci-dessous
et demander l'cran suivant.
Redresseur une alternance

Voltmtre 1

Capacit 100

Rsistance 100K

Sortiie 1

Diode Silicium

Figure 23 Schma pour un redresseur une alternance

- Effectuer une mesure sans capacit puis deux mesures avec des capacits de 10F et
100F. En cochant la premire case vous pouvez afficher la tension du gnrateur.
- Imprimer vos mesures.
- Estimer la tension d'ondulation pour C=10F et 100F et vrifier qualitativement que la
tension dcrot avec une constante de temps RLC.

86
4. Redresseur deux alternances

Voltmtre 2

Capacit 100

Rsistance 100K

Sortie

Entre

Sortiie 1

Redresseur deux alternances

Figure 24 Schma pour un redresseur deux alternances

- Slectionner l'option "Redresseur deux alternances " et un cran expliquant le montage
apparat.
- Raliser le montage de la figure 13 dont la description sur la platine est donn ci-dessus
et demander l'cran suivant.
- Effectuer une mesure sans capacit puis deux mesures avec des capacits de 10F et
100F. En cochant la premire case vous pouvez afficher la tension du gnrateur.
- Imprimer vos mesures.
- Vrifier que la tension d'ondulation avec C=100F est environ deux fois plus faible que
pour le redresseur une alternance.

87

B) TRANSISTOR
1. Caractristiques
Pour mesurer les caractristiques I C ( VCE ) I B=cte

et

I C (I B ) V

CE = cte

nous devons mesurer

simultanment les courants de base IB et de collecteur IC ainsi que la tension VCE. Ceci se
ralise avec le schma de principe illustr sur la figure 25a et le montage exprimental sur
la platine est donn sur la figure 25b.

IC
A

C
B

V1

+
-

VCE

IB

V2

+
-

V1 et V2 sont des sources ajustables de tension continue

Figure 25a. Montage pour dterminer les caractristiques d'un transistor NPN
Caractristique dun transistor

mA

Ampremtre 1

Ampremtre 2
Transistor NPN
IC

IE

Figure 25b. Ralisation du montage de la figure 25a sur la platine

Sortiie 2

V
Emetteur

Voltmtre 1

Sortiie 1

Collecteur
Base
IB

88
Mesurer la caractristique IC en fonction de IB avec diffrentes valeurs de VCE.
Calculer le paramtre h FE =

I C
donnant l'amplification en courant de ce transistor.
I B

Pour les physiciens uniquement: Mesurer la caractristique IC en fonction de VCE avec

diffrentes valeurs de IB. Comparer cette caractristique avec celle obtenue prcdemment.
2. Amplification : Monter le circuit schmatis sur la figure 26a.
10k

VC

C
B

+
-

V
E

Vo

+
-

1k

VE

Vo est une tension de commande ajustable

V est une tension dalimentaion constante

Figure 26a. Schma de principe pour un amplificateur transistor

Voltmtre 2

Voltmtre 1

Rsistance 10K

Amplificateur transistor

Transistor NPN
IC
Collecteur
Base
IB
Emetteur

Figure 26b. Ralisation du montage de la figure 26a sur la platine de mesure.

Sortiie 2

Rsistance 1K

Sortiie 1

IE

89

Mesure statique
Mesurer les tensions VC et VE en fonction de Vo.
Tracer les graphiques VC et VE en fonction de Vo.
Calculer l'amplification du signal obtenu sur l'metteur
Calculer l'amplification du signal obtenu sur le collecteur.
Discuter ces deux rsultats.
Mesure en alternatif
Fixer une tension Vo approprie pour raliser une amplification.
Enregistrer le signal de sortie sur le collecteur pour plusieurs tensions d'entre Vo.