VALORACION DEL RENDIMIENTO DE UN CONVERSOR DE

CORRIENTE CONTINUA CON VARIAS ETAPAS EN PARALELO

Autores: ANDRS FELIPE REY ORTIZ

FELIX GILBERTO ZAPATA PACHN
Director: M.Sc. JAIME GUILLERMO BARRERO PREZ

Bucaramanga, Mayo de 2015

CONTENIDO

Objetivo general
Objetivos especficos
Antecedentes
Simulaciones
Diseo y construccin
Anlisis y comparacin de resultados
Conclusiones
Recomendaciones y trabajos futuros

OBJETIVO GENERAL
Determinar los distintos parmetros de rendimiento
de un convertidor DC-DC de varias etapas.

OBJETIVOS ESPECFICOS
Disear un convertidor DC-DC Buck con cuatro etapas.
Simular el comportamiento del convertidor en el diseo
realizado, para determinar los parmetros de rendimiento
del montaje final en el programa de Orcad Capture.
Implementar el convertidor DC-DC con cuatro etapas que
permitir la evaluacin de esta arquitectura.
Analizar diferentes parmetros del convertidor tales como
eficiencia, rizado, costos y otros en la implementacin.
Comparar los resultados obtenidos de la simulacin con el
montaje real del conversor para determinar conclusiones y
posibles soluciones de mejorar el mismo.

ANTECEDENTES

CONVERTIDOR DC-DC

Sistema Bsico de un Convertidor DC-DC 1

Ecuacin para calcular el ciclo de trabajo :

[1] Fuente: RASHID, 2001. Power Electronics Handbook

CONVERTIDOR REDUCTOR (Buck o Step-Down)

Topologa del Convertidor reductor2

Ecuacin para calcular la Tensin de Salida:

Vo=Vs*D
[2] Fuente: RASHID, 2001. Power Electronics Handbook

Topologa Stndard Interleaved

Esquema de la Topologa Estndar Interleaved3

Ecuacin para calcular la el ngulo de desfase :

360 ( 1)

[3] Fuente: J. G. ARGUELLO, 2010. Diseo De Un Conversor DC-DC Integrable En Tecnologa CMOS.

Configuracin del conversor con 4 fases

VENTAJAS DEL PROTOTIPO

Proporciona corrientes de hasta 5A usando
elementos superficiales.

Tiene una alta eficiencia y el riso de la corriente

de salida es pequeo.
El usuario puede modificar el ciclo de trabajo a
voluntad para tener una tensin til.
Esta topologa usa un filtro pequeo; lo que hace
que el espacio del diseo sea reducido.

SIMULACIN

SIMULACIONES

Parmetros Iniciales

Tensin entrada

6a9

Corriente entrada

0a6

Tensin Salida

1a7

Varia segn ciclo de

trabajo y numero de
ramas activas
Varia segn ciclo de
trabajo y numero de
ramas activas

Corriente Salida

0.1 a 5

Frecuencia

50

KHz

SIMULACIONES

Simulacin
Ideal

Diodo Idealizado
Transistor Idealizado como un switch
Efectos variacin parmetros
Establecer Parmetros valores
apropiados de simulacin con
componentes reales

Simulacin
Componentes
reales

Diodo y Transistor con su

respectivo modelo Spice
Establecer Parmetros para
la seleccin de
componentes

SIMULACIN IDEAL

Esquema utilizado para la simulacin ideal de la configuracin de una rama

VARIACION DE PARAMETROS
Tensin Salida

Efecto del aumento de la frecuencia de conmutacin.

VARIACION DE PARAMETROS
Corriente en la Bobina

Efecto del aumento de la Inductancia.

1
=
[]
2

Ecuacin para calcular inductancia

mnima4

Ciclo de trabajo

25%

50%

75%

Inductancia
mnima R=0,5

3,75 H

2,5 H

1,25 H

Inductancia
mnima R=1

7,5 H

5 H

2,5 H

Inductancia
mnima R=2,5

18,75 H

12,5 H

6,25 H

[4] Fuente: HART, W Daniel, ELECTRONICA DE POTENCIA. Madrid, Pearson Educacin, S.A. 2001.

VARIACION DE PARAMETROS
Tensin en el diodo

Efecto discontinuidad corriente en la bobina.

VARIACION DE PARAMETROS
Corriente Salida

Efecto variacin capacitancia.

VARIACION DE PARAMETROS
Corriente entrada vs Corriente Salida

Efecto variacin de la carga.

VARIACION DE PARAMETROS
Tensin de Salida

Efecto variacin del ciclo de trabajo.

VARIACION DE PARAMETROS

Parmetros Simulacin Componentes reales

Frecuencia

50

kHz

Inductancia

>18

Capacitancia

50

Carga

0.8 a 1.5

Corriente por rama

2a6

SIMULACIN CON COMPONENTES REALES

Transistor
Rdson

(ns)

Suma
tiempo
(ns)

30

50

180

0.6

34

10

23

91

0.16

45

10

20

100

0.110

Vds

Id

Tf

Tr

Tdon

Tdoff

(V)

(A)

(ns)

(ns)

(ns)

2N6757

150

40

50

IRF530

100

14

24

IRFZ22

50

14

25

Modelo

Diodo
Modelo

Vrrm

Id

Trr

Vf

BYW29-150 150 V

8A

25 ns

0.845 V

MBR330

3A

0.6 V

30 V

()

SIMULACIN CON COMPONENTES REALES

Una Rama

Esquema simulacin con componentes modelados.

Corriente Bobina, Tensin y Corriente de Salida.

SIMULACIN CON COMPONENTES REALES

Dos Ramas

Esquema simulacin con componentes modelados.

Corriente Bobinas, Tensin y Corriente de Salida.

SIMULACIN CON COMPONENTES REALES

Cuatro Ramas

Esquema simulacin con componentes modelados.

SIMULACIN CON COMPONENTES REALES

Cuatro Ramas

Corriente Bobinas, Tensin y Corriente de Salida.

SIMULACIN CON COMPONENTES REALES

Elemento

Parmetro

Carga

Resistencia

Bobina

Inductancia
Frecuencia
Corriente

Condensador
Fuente

Transistor

Diodo

Valor
0.8 a 1.5

Unidad

Capacitancia

>20
50
>12
10 a 50

H
kHz
A
F

Tensin
Corriente
Id
trespuesta
Vds
Rdson
Id
trespuesta
Vf
Vrm

12
6
>12
<100
>24
<20
>12
<100
<0.5
>24

V
A
A
ns
V
m
A
ns
V
V

DISEO Y CONSTRUCIN

DISEO Y CONSTRUCCIN

Modelo por etapas del sistema del Convertidor Reductor Implementado.

ETAPA DE CONTROL DE CONMUTACIN

PARMETROS
VCC = 7-12 V
ICC = 40 mA
VO = 5 V
ICC = 40 mA
Pines PWM = 15
Timers = 5
Velocidad del Reloj = 16 MHz

Puertos utilizados para conmutar los transistores

Diagrama de tiempos AtMEGA

Tomado de la Hoja de datos del microcontrolador AtMEGA 328.

ETAPA DE AISLAMIENTO
PINES

PARMETROS

1 N.C.
2 nodo
3 Ctodo
4 N.C.
5 GND
6 VO
7 VO
8 VCC

IF = 8 mA
VF = 1.5 V
ICC = 8 mA
VCC = 15 V

Ecuacin para calcular el valor de la resistencia de entrada del

Optoacoplador:

=
[]

Diseo de Fuentes Aisladas

PARMETROS
VF = 5 V
V0 = 15 V
IQ = 34 mA

ETAPA DE POTENCIA

Elemento

Fabricante

RDS(on)
m

td(on)
ns

tr ns

td(on) ns

tf ns

Valor $

IRF540

International
Rectifier

44

11

35

39

35

4000

IRF640N

Fairchild
Semicinductor

102

10

19

23

5,5

3300

CDS19502
Q5B

Texas
Instruments

3,8

22

Muestra
gratis

Tabla de Comparacin de MOSFETs Comerciales.

MOSFET utilizado

PINES
1 Fuente
2 Fuente
3 Fuente
4 Compuerta
5 Dreno
6 Dreno
7 Dreno
8 Dreno

PARMETROS

VDS = 80 V
VGS (th) = 2.7 V
RDS (on) = 3.8 m
ID = 17 A

Diodo

PARMETROS
Vr = 40 V
VF = 0.47 V
IF = 5 A
trr = 30 ns

ETAPA DE FILTRADO
PARMETROS
Inductancia = 22 H
DCR = 2.60 m
Isat= 12 A
f= 500 khz

Condensador
Capacitancia = 47F
V=25 V

Uso del programa Eagle

Diagrama esquemtico del circuito impreso.

DISEO Y CONSTRUCCIN

Diseo del circuito impreso.

ANALISIS Y COMPARACIN DE
RESULTADOS

ANLISIS y COMPARACIN
Una Rama
DATOS

SIMULADOS IDEALES

SIMULADOS COMPONENTES
REALES

DATOS MEDIDOS

Ciclo

25%

50%

75%

25%

50%

75%

25%

50%

75%

Vin

8,86

8,45

8,01

Iin

0,23

0,91

2,04

0,23

0,92

2,12

0,28

0,85

1,57

Vout

2,26

4,5

6,75

1,92

4,08

6,25

1,41

3,22

5,02

Iout

0,9

1,8

2,7

0,75

1,62

2,55

1,17

1,72

2,16

Vpp

0,07

0,11

0,05

0,41

0,53

0,4

0,85

0,9

0,8

Vavg

2,25

4,5

6,75

1,92

4,08

6,29

1,44

3,25

5,05

Vrms

2,25

4,5

6,75

1,95

4,16

6,35

1,44

3,25

5,05

Eficiencia

98,3%

98,9%

99,3%

69,6%

79,8%

83,5%

66,5%

77,1%

86,2%

Carga Bombillo caracterizado como carga con R=2.5 para la simulacin.

ANLISIS y COMPARACIN
Dos Ramas
DATOS

SIMULADOS IDEALES

SISIMULADOS COMPONENTES
REALES

DATOS MEDIDOS

Ciclo

25%

50%

75%

25%

50%

75%

25%

50%

75%

Vin

8,81

8,39

7,43

Iin

0,23

0,9

2,03

0,41

1,24

2,47

0,33

1,05

1,63

Vout

2,25

4,5

6,75

2,59

4,56

6,57

1,67

3,97

5,07

Iout

0,9

1,8

2,7

1,04

1,82

2,56

1,27

1,93

2,17

Vpp

0,01

0,1

0,04

0,12

0,4

0,2

0,62

Vavg

2,25

4,5

6,75

2,55

4,56

6,57

1,69

5,01

Vrms

2,25

4,5

6,75

2,59

4,77

6,81

1,69

4,01

5,01

Eficiencia

97,8%

100,0%

99,8%

73,0%

74,4%

75,7%

73,0%

87,0%

90,8%

Carga Bombillo caracterizado como carga con R=2.5 para la simulacin.

ANLISIS y COMPARACIN
Cuatro Ramas
DATOS

SIMULADOS IDEALES

SIMULADOS COMPONENTES
REALES

DATOS MEDIDOS

Ciclo

25%

50%

75%

25%

50%

75%

25%

50%

75%

Vin

9,00

9,00

9,00

9,00

9,00

9,00

8,33

8,12

7,55

Iin

0,60

1,47

2,03

0,62

1,51

1,49

0,67

1,48

1,82

Vout

3,68

5,75

6,75

3,50

5,60

5,63

2,63

5,15

5,68

Iout

1,41

2,23

2,70

1,42

2,28

2,25

1,61

2,20

2,33

Vpp

0,00

0,00

0,00

2,10

0,12

0,01

0,80

0,50

1,03

Vavg

3,68

5,75

6,75

3,53

5,64

5,62

2,84

5,02

5,76

Vrms

3,68

5,75

6,75

3,53

5,64

5,63

2,84

5,02

5,76

Eficienci
a

96,1%

96,9%

99,7%

89,1%

94,0%

94,6%

75,9%

94,3%

96,3%

Discontinuo Discontinuo

Discontinuo Discontinuo

Discontinuo Discontinuo

Carga Bombillo caracterizado como carga con R=2.5 para la simulacin.

ANLISIS y COMPARACIN
Comparacin entre diferentes configuraciones de ramas activas
Vin

1 Rama

2 Ramas

4 Ramas

Iout

8,77

0,33 1,27

1,35

1,1

1,11

25%

59,24

0,94

2,19

7,96

1,25 2,57

2,72

2,38

2,38

50%

70,26

0,94

3,98

7,98

2,38 3,58

3,4

3,53

3,53

75%

64,09

1,05

5,99

8,6

0,38 1,49

1,56

1,27

1,28

25%

71,13

0,96

2,15

7,39

1,7

3,19

3,33

2,83

2,83

50%

84,56

0,96

3,70

6,61

3,31 4,29

4,52

3,91

3,91

75%

88,63

0,95

4,96

8,57

0,77 2,26

2,28

1,93

1,93

25%

78,09

0,99

2,14

3,62

3,72

3,22

3,22

50%

86,10

0,97

3,91

3,85 4,92

5,16

4,37

4,37

75%

95,57

0,95

5,18

6,9

Vavg Vrms

ciclo

eficienc Rcarga
ia
[]

Vout

7,82

Iin

Carga conjunto de resistencias en paralelo como carga con R=1 .

Vteorico

ANLISIS y COMPARACIN
Comparacin entre diferentes configuraciones de ramas activas

Valores mximos

Ramas activas
1

Tensin entrada

9V

9V

12 V

Corriente entrada

2,38 A

3,31 A

4,57 A

Tensin de Salida

3,58 V

4,29 V

6,29 V

Corriente de Salida

3,4 A

4,52 A

6,42 A

Carga

1,1

1,1

1,1

Valores mximos medidos usando un ciclo de trabajo del 75%

para cada configuracin.

COSTOS FINALES DEL PROTOTIPO

ELEMENTO

PRECIO

VALOR

UNITARIO ($)

TOTAL ($)

TLP250

5.000

20.000

FUENTE AISLADA

DCP010515BP

17.500

70.000

TRANSISTOR

CSD19502Q5B

3.300

13.200

DB2441700L

4.500

18.000

SER3018H-232

10.000

40.000

OTROS
ELEMENTOS

5.000

5.000

FABRICACION

40.000

40.000

OCTOACOPLADOR

DIODO
BOBINA
RESISTENCIAS,
CONDENSADORES
PCB
COSTO TOTAL
TARJETA

REFERENCIA

$ 206.200

CONCLUSIONES

CONCLUSIONES
Se present el diseo e implementacin de un
Conversor Reductor DC-DC con cuatro ramas en
paralelo en el que se determinaron los
correspondientes parmetros de rendimiento y
funcionamiento.
Gracias a las simulaciones realizadas en el
programa Orcad Capture, se pudo observar el
comportamiento que tenan los dispositivos y la
salida que entregara el prototipo al momento de
sobrepasar los lmites; evitando as en la prctica
los diferentes daos que podran haberse
presentado en el desarrollo de las pruebas para los
elementos y el circuito en general.

 Se logr precisar los parmetros deseables para los

distintos elementos que conforman el prototipo final
gracias a las simulaciones del comportamiento del
conversor. Como por ejemplo: en la Bobina donde la
Inductancia debe ser mayor de 25 H y, tanto el
Transistor como el Diodo deben soportar una
corriente mayor de 12 A y tener un tiempo de
respuesta menor de 100 ns.

 La corriente que circula en las bobinas depende del

ciclo de trabajo al cual se est prendiendo y
apagando el transistor; as a medida que el ciclo de
trabajo aumenta la corriente de las bobinas debe
aumentar porque el tiempo activo del pulso al ser
mayor hace que las bobinas se carguen durante ms
tiempo, y tengan poco tiempo para descargarse. En
otras palabras, si est ms tiempo activo el pulso la
bobina tiene ms tiempo para almacenar corriente.

 Siempre y cuando se mantenga en funcionamiento el

prototipo dentro de los lmites de carga, se obtiene
una corriente continua en las bobinas; si su
inductancia es mayor de 25 H.

Si una bobina se descarga muy rpido provoca que

el diodo asociado a esa misma rama deje de
conducir y provoca en l un estado semi estacionario,
en el cual la corriente a travs de la bobina es cero.
Este estado se llama corriente discontinua.

 El capacitor en paralelo con la carga, tiene la

funcin de suavizar los picos de corriente al
inicio del circuito; ya que aumenta el tiempo de
establecimiento del circuito y lo lleva, de una
respuesta sub amortiguada a una respuesta
crticamente amortiguada que depende del valor
de capacitancia.

 El circuito con una rama tiende a consumir la corriente

por rama ms alta de todas las configuraciones. Por
tanto, el diseo e implementacin de la primera rama
es la que marca el lmite de la corriente que deben
soportar los diferentes elementos elegidos.
Se comprueba que para dos ramas a un ciclo de
trabajo de un 50 % el rizado es menor debido a que
ocurre la cancelacin de las pendientes de la corriente
en las bobinas.

En el circuito con 4 ramas en paralelo la corriente por

bobina es alrededor de 1/4 de la consumida por la
configuracin de una rama; esta es una ventaja dado
que permite tener bobinas con valor de inductancia
ms pequeas y que se saturen a un punto de trabajo
menor.

 Gracias a que se puede ajustar el ciclo de trabajo con

el potencimetro el usuario puede obtener una salida
de tensin ajustada al requerimiento que se desee.
Sin embargo, al realizar este proceso el rizado de
corriente de salida puede aumentar.
Cuando se realiz la simulacin real se observ la
tensin del diodo con discontinuidad de corriente,
donde la tensin del diodo produjo una cada de
tensin oscilatoria; esto quiere decir que se produce
un desajuste en la salida de tensin y la corriente.
Este fenmeno, se pudo verificar en el laboratorio.

RECONEMDACIONES Y TRABAJOS FUTUROS

Para mejorar este diseo se recomienda la bsqueda de un
Diodo que cumpla con todas las especificaciones
planteadas en los parmetros deseados para el conversor,
en especial que supere una corriente de conduccin de 12 A
y que haya menor cada de tensin.
Se recomienda el uso de una fuente que sea capaz de
generar una tensin regulada de 6 V a 24 V a una corriente
de al menos de 15 A. Para que pueda alimentar el circuito
de manera adecuada.
Para optimizar el diseo de este prototipo se sugiere usar
otros valores que estn por encima del lmite de inductancia
establecido en esta investigacin para las bobinas.

PREGUNTAS