CURVA

CARACTERISTICA DEL DIODO

Primer reporte de prctica.

UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE LA MIXTECA

INSTITUTO DE FSICA Y MATEMTICAS
INGENIERA EN FSICA APLICADA.
Alumnos:
Olivera Ruz Jos Ivn
Ocaa Garca Pedro Fernando
Hernndez Lpez Pablo Antonio
517-A

Quinto semestre.

Materia:
Metrologa y Transductores.
Profesor:
Dr. Fermn Hugo Ramrez Leyva.

ndice

Resumen ----------------------------------------------------------------------------3
Introduccin y marco terico -------------------------------------------------- 3
Desarrollo experimental -------------------------------------------------------- 3
Materiales -------------------------------------------------------------------------- 3
Procedimientos ------------------------------------------------------------------- 4
Resultados obtenidos ----------------------------------------------------------- 4
Anlisis de resultados ----------------------------------------------------------- 4
Concusin ---------------------------------------------------------------------------4
Agradecimientos ------------------------------------------------------------------ 4
Referencias ------------------------------------------------------------------------- 4

Curva caracterstica del diodo

J. I. Olivera Ruiz, P. F Ocaa Garca, P. A Hernndez Lpez
Instituto de Fsica y Matemticas
Universidad Tecnolgica de la Mixteca, Laboratorio de Electrnica digital
Carretera a Acatlima Km. 2.5, Huajuapan de Len, 69000, Oaxaca, Mxico,
email: ivan.olivera.oio@hotmail.com

Fecha de entrega: 29 de Octubre del 2015

Resumen
Se aplican diferentes valores de voltaje entre las terminales de un diodo N14001 y se hacen mediciones de la
corriente que fluye a travs de el. A partir del anlisis de los datos registrados se comprueba el comportamiento
terico que representa al diodo. Los datos experimentales se obtuvieron mediante el uso de instrumentos del
laboratorio de electrnica digital de la Universidad Tecnolgica de la Mixteca.

1. Introduccin
En los ltimos aos las investigaciones realizadas por
un gran nmero de cientficos, sobre el
comportamiento al paso de la corriente elctrica en
los materiales llamados semiconductores, han dado
por resultado una serie de descubrimientos y
adelantos de tal naturaleza que su desenlace es casi
imposible prever.
Desde que apareci la primera aplicacin en 1915
con el detector de galena, hasta 1939-40, se puede
decir que fue un periodo de incertidumbre, luego en
1948, apareci el transistor de puntas; en 1950 el
transistor de Shockley; en 1953 el diodo de tnel; en
1958 el tecnetrn, y en 1960 los circuitos integrados,
etc[1].
Quiz ninguna tcnica ha hecho tan rpidos progresos
como la de los semiconductores, los cuales son
capaces de representar los mismos papeles que los
tubos de vaco, pero con numerosas ventajas.
Uno de los ms conocidos de estos elementos es el
diodo semiconductor que, sin embargo, no es ms
que un brillante representante de un grupo vastsimo.

Antes de 1940, los fenmenos que se desarrollaban

en los semiconductores eran, desde muchos puntos de
vista, bastante misteriosos. En 1874 el cientfico
alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza
de conducir por una sola direccin de los cristales
semiconductores. La conductibilidad elctrica de
estos cuerpos, siendo notablemente inferior a la de
los metales, no era suficientemente alta para
considerarlos como aislantes; adems, en muchos
casos aumentaba rpidamente la conductibilidad con
la temperatura, lo que constitua un fenmeno
desconocido en los metales.
Actualmente, en el vasto campo de los
semiconductores se emplean mezclas de xidos de
metales: cobre, uranio, manganeso, nquel, cobalto,
hierro, etc., segn sea su aplicacin y el fenmeno
que se desee utilizar, pues en unos su resistencia
elctrica varia con el calor, en otros con el potencial
elctrico empleado, en otros an con la luz o con la
cantidad de flujo magntico a que estn sometidos.
Tambin son muy empleados el selenio, el silicio, el
germanio, etc., y ahora empiezan a emplearse
combinaciones como antimoniuro de indio, seleniuro
de cadmio, sulfuro de plomo, etc. Igualmente se
utilizan mezclas de xidos tales como el xido
ferroso-frrico o magnetita y combinaciones

oxigenadas de titanio, Magnesio, Cromo, Circonio,

etc[2].
Un diodo semiconductor moderno est hecho de
cristal semiconductor como el silicio con impurezas
en l para crear una regin que contenga portadores
de
carga
negativa
(electrones),
llamada
semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado
que contenga portadores de carga positiva (huecos),
llamada semiconductor tipo p. Las terminales del
diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del
cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN
(figura 1), es donde la importancia del diodo toma su
lugar. El cristal conduce una corriente de electrones
del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin
opuesta; es decir, cuando una corriente convencional
fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los
electrones).

Figura 2. Curva caracterstica del diodo.

2. Procedimiento
Materiales:

1 diodo 1N4001
Fuente de corriente directa (CD)
Multmetro
1 resistor de 1 k
Multmetro de precisin

Procedimiento experimental
+88.8

Amps

Figura 1. Descripcin del diodo p-n.

H1

D1

1.0

+88.8
Volts

1N4001

De forma simplificada, la curva caracterstica de un

diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de
cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella
como un circuito cerrado con una resistencia
elctrica muy pequea Ta como se muestra en la
figura 2. Debido a este comportamiento, se les suele
denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de suprimir la parte negativa de cualquier
seal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua. Su principio de
funcionamiento est basado en los experimentos
de Lee De Forest.

+88.8
Amps

H2
1.0

D1
1N4001

Figura 4. Arreglo experimental del paso 3.

Figura 3. Arreglo experimental del paso 1.

+88.8
Volts

Precisin del
voltaje (+) en volts

Para realizar la demostracin:

1. Se instalo el equipo como se muestra en la figura
3, conectando la fuente de voltaje en serie con el
multmetro de precisin (en funcin de ampermetro)
y el diodo. Despus, se conecto el multmetro (en
funcin de voltmetro) en paralelo con el diodo. Se
procedi a tomar mediciones del voltaje en el diodo
tomando la fuente desde un valor de 0 v hasta 1.2 v
en intervalos de 0.2 v.
2. Se realizo la misma conexin que en el paso 1 pero
con la fuente en sentido inverso como se muestra en
la figura 4 para obtener valores negativos en
referencia a la corriente. Posteriormente se realizaron
mediciones de voltaje en el diodo tomando la fuente
desde un valor de 0 v hasta 10 v en intervalos de 2 v,
estos en su respectiva medicin negativa referente a
la corriente.
3. Se instalo el equipo de manera similar que en el
punto 1 pero sustituyendo el diodo por un resistor.
Utilizando una resistencia de 978 (medida con el
multmetro), se analizaron valores desde -10 v hasta 0
v en intervalos de 2 v y desde 0 hasta 1.2 en
intervalos de 0.2 v.
4. Las mediciones se registraron en una tabla de
resultados.

Precisin de la
corriente (+) en
amperes
0.00005

0.005
Tabla 3. Datos obtenidos de la precisin del equipo
electrnico al medir.

Voltaje del
Resistor

Corriente en el
Resistor Id

Medicin de la
Potencia

W
101.98
-10
-10.198
65.1144
-8
-8.1393
36.594
-6
-6.099
16.2332
-4
-4.0583
4.0602
-2
-2.0301
0
0
0
0.04052
0.2
0.2026
0.1622
0.4
0.4055
0.36486
0.6
0.6081
0.64872
0.8
0.8109
1.0135
1
1.0135
1.45992
1.2
1.2166
Tabla 4. Datos recolectados en las mediciones
experimentales.

3. Resultados

Corriente en el
Didodo Id (A)

-10
-8
-6
-4
-2
0
0.2
0.4

-0.0006
-0.0006
-0.0005
-0.0005
-0.0005
0.0005
0.0005
0.14

0.6

1.023

Potencia
(W)
0.006
0.0048
0.003
0.002
0.001
0
0.0001
0.056

0.6138
0.8
14.88
11.904
122.82
1
122.82
1.2
840.85
1009.02
Tabla 1. Datos recolectados en las mediciones
experimentales.

Resistor
(978+- 0.5) Ohm
Tabla 2. Medicin de la resistencia en el multmetro de
laboratorio.

4. Anlisis de resultados
Voltaje VS Corriente en el diodo
1400

y = 0.0005e12.247x
R = 0.99717

1200

Corriente (mA)

Voltaje del
Diodo (V)

Medicin de la

1000
800
600
400
200
0
-200

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

Voltaje (V)

Figura 5. Datos del diodo.

Con los datos para el diodo obtenidos se realizo un

ajuste por mnimos cuadrados para encontrar la curva
que mejor aproximara los datos con lo cual, la

ecuacin encontrada fue

= 0.0005 !".!"#!
con una correlacin de 0.99717.

corriente el el resistor
(mA)

Voltaje VS Corriente en el resistor

-15

5
0
-10

-5

-5

-10
-15
Ttulo del eje

Figura 6. Datos de la resistencia.

Con los datos obtenidos para la resistencia se realizo

un ajuste por mnimos cuadrados para encontrar la
recta que mejor aproximara los datos ya que, como
sabemos, el comportamiento es lineal. La ecuacin
encontrada fue

Tabla 1, nos damos cuenta que esto no es del todo

cierto, al polarizar al diodo inversamente existe una
pequea corriente, a la cual se le denomina corriente
de fuga.
Es importante que sealar que otro comportamiento
ideal del diodo es que para una polarizacin directa,
este funciona como un corto circuito, lo cual significa
que podramos sustituirlo por un cable de resistencia
prcticamente nula. El comportamiento de la curva en
la Figura 5 ayuda a visualizar que existe una una
resistencia. La grafica nos muestras los cambios de
corriente respecto al voltaje por lo tanto, con la ley de
Ohm podemos estimar un valor de resistencia en cada
punto tomando el inverso de la derivada, notemos
que ya que la funcin para esta curva es del tipo
exponencial, el valor de resistencia disminuye
conforme aumentamos el voltaje en polarizacin
directa.
Como consecuencia de lo anterior, al realizar las
mediciones, se tuvo especial cuidado en no aplicar un
voltaje mayor a 1.2v en polarizacin directa ya que
como se menciono, la resistencia disminuye cuando
el voltaje aumenta y ya que el circuito fue armado sin
resistencias, la corriente poda alcanzar valores
grandes y daar la fuente.
Este comportamiento tan caracterstico de los
semiconductores ha sido de gran importancia en el
desarrollo de la tecnologa actual ya que con ellos se
pueden sustituir algunos otros dispositivos que
pretendan hacer la misma funcin pero que sus
dimensiones y costos son mucho mas elevados.

= 1.010 0.0003
con una correlacin de 0.9998.

5. Conclusin
Las graficas elaboradas con los datos obtenidos
podemos una mejor idea del comportamiento que
tienen el resistor y el diodo cuando son expuestos a
una diferencia de potencial. Una de las diferencia
mas notables entre estos dos dispositivos es la
respuesta que presentan cambiar la polaridad del
voltaje aplicado. Para la resistencia este cambio no
produce efecto alguno, la corriente solo circula en el
sentido opuesto mientras que en el diodo, la corriente
desaparece casi por completo. Idealmente el diodo no
deja fluir corriente alguna cuando se polariza
inversamente, con la mediciones expuestas en la

6. Agradecimientos
Se agradece al profesor Fermn Hugo Ramrez, por su
colaboracin en el la elaboracin de dicha prctica y
a la Universidad Tecnolgica de la Mixteca por
proporcionar los medios adecuados para poder
desarrollar esta recoleccin de datos.

7. Referencias
[1]https://es.m.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
[2]http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downl
oads/introduccion.pdf