UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN SIMN

FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGA

CARRERA DE INGENIERA ELECTRNICA

LABORATORIO DE
ELECTRNICA ANALGICA II

PRCTICA N 1

GRUPO:

g03-04

NOMBRES:

DAZ ITURRY MIGUEL

SAAVEDRA TAPIA NIELS OMAR
SNCHEZ AVILES BRUNO

HORARIO: Mircoles, 09:45 - 11:15

DOCENTE: Ing. Arturo Saramani Aguilar

Cochabamba, 19 de Marzo, 2012

LABORATORIO DE ELECTRNICA ANALGICA II

LABORATORIO N 1

I0. OBJETIVOS

Determinar la respuesta en frecuencia de un transistor JFET

Manejar Pspice como herramienta de anlisis y simulacin de circuitos electrnicos

I1. MARCO TERICO

Los amplificadores con transistores de efecto de campo proporcionan una ganancia de voltaje excelente
con la caracterstica adicional de una alta impedancia de entrada. Adems son considerados como
configuraciones de bajo consumo de potencia con un adecuado rango de frecuencias y un tamao y
peso mnimos.
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de
transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un
material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de
potencial.

El FET puede emplearse como un amplificador lineal como un dispositivo digital en circuitos lgicos.
Los dispositivos FETs tambin se utilizan en dispositivos de alta frecuencia y en aplicaciones de
circuitos de interfaz para computadoras.
Las principales caractersticas de circuitos con FET son la ganancia de voltaje, la impedancia de entrada
y la impedancia de salida. Debido a la alta impedancia de entrada, por lo general se asume que la
corriente de entrada es de 0 con lo que la ganancia de corriente ser una cantidad indeterminada.
Es posible construir un modelo para el transistor FET en el dominio de AC. Se incluye el control de Id
por Vgs como una fuente de corriente conectado del drenaje a la fuente. La fuente de corriente tiene su
flecha apuntando del drenaje a la fuente para establecer un desfase de entre los voltajes de entrada y
salida como sucede en la operacin real.

El desempeo de un JFET esta especificado por lo valores de gm y rDS. Estos parmetros se determinan
ahora para un JFET de canal n utilizando la curva caracterstica proporcionada en la hoja de datos. Si las
curvas caractersticas para el FET no estn disponibles, gm y rDS se pueden obtener matemticamente,
siempre que se conozcan IDSS y VP.
Por lo general, estos dos parmetros se incluyen en las especificaciones del fabricante. Se puede
seleccionar una corriente de drenaje esttica, IDQ, que se halle entre 0.3 y 0.7 veces IDSS, lo cual ubica
el punto Q en la regin ms lineal de las curvas caractersticas.

La impedancia de entrada se encuentra representada por el circuito abierto en las terminales de entrada y
la impedancia de salida mediante el resistor del drenaje a la fuente.

En situaciones donde es ignorada (se asume lo suficientemente grande en comparacin con otros
elementos de la red que se aproxima por un circuito abierto), el circuito equivalente es simplemente una
fuente de corriente cuya magnitud es controlada por la seal y la transconductancia lo cual es
ciertamente un dispositivo controlado por voltaje.

I2. CRITERIOS Y CLCULOS DE POLARIZACIN

En base al voltaje Vdd que utilizamos en esta prctica, igual a 20 V, y el punto de trabajo obtenido
mediante Pspice:
Idq = 4.50 mA

Vgs = -1.151 V

Vds = 9.977 V

fue posible calcular las resistencias para el circuito de polarizacin en base a los siguientes clculos:

VS = VGS = 1.151 V
VRD = VDD VDSQ VS = 8.872 V
RD =

RS =

VRD
= 1.955 K RD = 2.2 K
I DQ

Asumiendo valores muy pequeos: VG =

RG =

Recta de carga DC y AC

VGS
1000

= 1.151 mV

VS
= 253.608 RS = 270
I DQ

I G = 10 nA , calculamos Rg:

VG
= 115 K RG = 100 K
IG

I.3 DISEO Y CLCULOS PARA HALLAR GANANCIA Y FRECUENCIA DE CORTE

La ganancia en voltaje asignada a nuestro grupo es de: 12.8 dB = 4.365 , calculada en base al nmero
de grupo y da de trabajo. El ancho de banda, de igual forma en base al nmero de grupo, es: 420.1 kHz.
Anlisis de Frecuencias

Las frecuencias adoptadas para el diseo de capacitores son:

FC1 = 1 Hz

FC 2 = 10 Hz

FCS = 100 Hz

Los clculos realizados para el diseo de los capacitores C1, C2, Cs y Cx son presentados en el
preinforme, presentado escaneado como anexo.
I4. TABLA DE VARIACIN DE CX

En vista de que la capacitancia de Cx determina en gran medida el ancho de banda, fue necesario probar
con distintos valores de capacitancias hasta obtener la frecuencia requerida. A continuacin se presenta
una tabla con estos valores:
Cx
470 pF
330 pF
220 pF
100 pF
50 pF

Fcx Terico
105.20 kHz
149.83 kHz
224.74 kHz
394.42 kHz
488.84 kHz

Fcx Simulacin
186.79 kHz
202.94 kHz
245.96 kHz
405.50 kHz
485.50 kHz

Fcx Prctico
170 kHz
190 kHz
200 kHz
300 kHz
420 kHz

I5. TABLA DE RESULTADOS

Manteniendo siempre los valores de resistores calculados en I2, se obtuvieron los siguientes resultados:

Terico
Simulacin
Prctico

VRD
8.87 V
8.45 V
8.60 V

VDS
9.9 V
9.2 V
8.9 V

VS
1.100 V
1.182 V
1.200 V

ID
4.5 mA
4.4 mA
3.9 mA

I6. Anlisis de errores por Montecarlo

En vista de que no siempre es posible trabajar con valores exactos, en cuanto a componentes fsicos se
refiera, ser de mucha utilidad llevar a cabo el anlisis de errores por Montecarlo. Esa potente
herramienta de Pspice nos permite visualizar el rango de error o variabilidad estadstica que proporciona
cada uno de los componentes, con sus respectivas tolerancias (5% en este caso), al circuito amplificador
en conjunto.

El anlisis de errores basado en el mtodo de Montecarlo de Pspice se presenta como archivo adjunto. A
continuacin se presenta el grfico de ganancia en voltaje respecto a frecuencia obtenido por el mtodo
de Montecarlo.

Como puede observarse, esta familia de curvas tienen cierto grado de variacin unas de otras, ello se
debe sin duda al comportamiento generalmente impredecible de las propiedades intrnsecas de los
materiales de laboratorio.
Viendo que la curva de ganancia en voltaje puede llegar a variar de esta forma, son comprensibles las
diferencias obtenidas en la tabla presentada en la seccin I5.
I7. CONCLUSIONES

Los objetivos planteados inicialmente fueron cumplidos satisfactoriamente, pues fue posible determinar
de forma cuantitativa la respuesta en frecuencia de un transistor JFET, as como tambin se aprendi a
utilizar correctamente el programa Pspice como herramienta de anlisis y simulacin de circuitos
electrnicos.
De acuerdo a los datos obtenidos en la prctica podemos concluir que para cumplir con el objetivo de
obtener la ganancia y ancho de banda asignados a nuestro grupo, fue necesario modificar los valores de
RL y Cx respectivamente, para regular el funcionamiento del circuito de un modo ms apropiado.
La gran discrepancia con respecto a Cx tal vez se debi a que los componentes requeridos no eran los
valores exactos. Adems las capacitancias parasitas, como las de cableado, afectan considerablemente al
anlisis de altas frecuencias, por lo que se recomienda usar el mnimo de cableado en el circuito
practico. Para los dems valores de los elementos no tuvieron una diferencia significativa, y los
resultados obtenidos se encuentran dentro de condiciones aceptables de diseo.

ANEXO

PREINFORME

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