Universidad Tecnolgica Nacional

Facultad Regional Crdoba

Departamento. Ingeniera Electrnica

PROGRAMA ANALTICO DE : DISPOSITIVOS ELECTRNICOS.

(PLAN 1995/adecuado 2006)
Nivel
Cuatrimestre
Cdigo
Hs. semanales
3ro
Anual
5
Correlatividades:
Para cursar:
Cursada: Informtica 1 - Anlisis Matemtico 1 - Qumica General
Aprobada: Ninguna
Para rendir:
Aprobada: Informtica 1 - Anlisis Matemtico 1 - Qumica General
Estrategia Metodolgica: Clases Tericas, (Exposicin del tema por parte del Docente).
Clases Practicas de aula, (El Docente expone la tcnica a aplicar en ejercicios de
aplicacin y diseo tpicos y luego gua a los estudiantes en la resolucin de los que se
plantean a la clase). Clases practicas de laboratorio, (El Docente gua al los alumnos en la
implementacin de los diseos tericos).
Criterios de evaluacin: Evaluacin continua durante el curso mediante pruebas
parciales. Evaluacin final mediante examen integrador.
Contenidos:
UNIDAD 1: FSICA DE LAS JUNTURAS PN GRADUALES.
Modelo de ligaduras de valencia de un semiconductor. Electrones de conduccin y de
valencia. Lagunas. Impurezas en el slido cristalino, donores y aceptores. Movilidad y su
variacin en funcin de la temperatura. Generacin y recombinacin, portadores
mayoritarios y minoritarios. Efecto Hall. Inyeccin de portadores minoritarios.
Modelo de bandas de energa en un semiconductor. Introduccin. Bandas de energa,
ancho de banda en funcin de la separacin de los tomos, bandas permitidas y prohibidas.
Bandas de energa en el carbono, germanio y silicio, bandas de valencia, de conduccin y
prohibidas. Estructuras de bandas en un semiconductor extrnseco tipo N y tipo P.
Distribucin de los electrones en las bandas. Flujo de portadores en desequilibrio,
generalidades.
Fsicas de las junturas PN. Diodos. Junturas abruptas graduales, las junturas P-N en
equilibrio, diagrama de concentracin de portadores, de impurezas, de carga, de campo
elctrico, de potencial y de bandas de energa, la juntura en desequilibrio exceso de
portadores en los limites de carga espacial, potencial de juntura, corriente en la juntura PN con polarizacin directa e inversa, ecuacin del diodo; curva caracterstica.
Duracin: 2,5 Semanas
UNIDAD 2: DIODOS DE JUNTURA
Principio de funcionamiento. Dinmica de los diodos de juntura. Aplicaciones del diodo.
Dinmica de los excesos de portadores, transitorios de conexin y desconexin, tiempo de
conexin y desconexin, dinmica de las cargas almacenadas en la zona de carga espacial,
capacidad de la juntura o de transicin. Curvas Caractersticas. Propiedades no lineales.
Especificaciones tpicas. Circuito equivalente.
Duracin: 4 Semanas

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UNIDAD 3: TRANSISTOR BIPOLAR.

Principio de funcionamiento. Fsica del transistor bipolar. Comportamiento como elemento
de circuito: composicin de las corrientes terminales. Tipos PNP y NPN. Polarizacin;
circuitos tpicos. Configuraciones circuitales: emisor comn, base comn, colector comn.
Caractersticas de cada configuracin.
Modelo del transistor bipolar para seales dbiles. El transistor como amplificador, modelo
simple para modo activo, modelo de circuito dinmico para seales dbiles, modulacin
del ancho de la base, efecto sobre la concentracin de portadores, representacin mediante
modelo de circuito, resistencia de la base, su efecto a frecuencias altas y bajas, frecuencia
de transicin. El transistor como cuadripolo lineal activo, parmetros impedancia,
admitancia e hbridos. Calculo de impedancia de entrada y salida. Ganancia de tensin y de
corriente para el modelo de parmetros hbridos. Variacin de los parmetros en funcin
de la corriente y de la tensin de salida y de la temperatura.
Curvas caractersticas. Especificaciones tpicas. Circuito equivalente. Anlisis para seal
dbil. Anlisis para seal fuerte.
Funcionamiento para seales fuertes. Dependencia de las corrientes terminales con las
tensiones. El modelo idealizado de dos diodos, caractersticas estticas en emisor comn.
Modos de funcionamiento normal, inverso, de saturacin, de corte.
Limites de operacin. Limites de seguridad de funcionamiento. Caractersticas
tecnolgicas de los transistores de potencia. Transferencia de calor: resistencia trmica.
Disipadores. Transistores Darlington. Anlisis en conmutacin.
Definicin de los parmetros de control de cargas, condiciones diferenciales de las
corrientes en funcin de dichos parmetros. Respuesta del transistor a un escaln de
corriente en base de la zona activa, tiempo de crecimiento y decrecimiento, (mtodos para
disminuirlos), idem de saturacin, carga de saturacin, tiempo de almacenamiento.
Duracin: 5 Semanas
UNIDAD 4: FET, MOSFET.
Principio de funcionamiento. Fsica del transistor de efecto de campo (JFET). Fsica del
transistor de efecto de campo de compuerta aislada (MOS). El transistor de efecto de
campo como componente de circuito. Polarizacin. Parmetros tpicos. Configuraciones
especiales. MOS de doble compuerta. MOS complementarios (CMOS). Curvas
caractersticas. Especificaciones tpicas. Circuitos equivalentes. Anlisis para seal dbil.
Anlisis para seal fuerte. Anlisis en conmutacin. Simetra complementaria.
Duracin: 4,5 Semanas
UNIDAD 5.: DISPOSITIVOS MULTIJUNTURA. (SCR, TRIAC, DIAC etc.)
Tiristor: configuracin fsica. El tiristor como elemento de circuito. Caractersticas de
disparo y bloqueo. Limites de operacin.
Triac: configuracin fsica. El triac como elemento de circuito. Caractersticas
bidireccionales de disparo y bloqueo. Limites de operacin.
Diac: configuracin fsica. El diac como parte de circuitos de disparo.
Curvas caractersticas. Especificaciones tpicas. Circuito equivalente. Ejemplos bsicos de
aplicacin.
Duracin: 4,5 Semanas

UNIDAD 6: OPTOELECTRONICA.

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Estructura de bandas del As. de Ga. Movilidad de portadores. Temperaturas limites de

operacin. Comparacin con los dispositivos basados en el silicio. Sistemas
optoelectronicos. Caractersticas elctricas y tecnolgicas.
Diodos emisores de luz. (LED). Fotodiodos y fototransistores. Principio fsico del
funcionamiento de los dispositivos LCD (Liquid Cristal Devices).
Duracin: 4,5 Semanas
UNIDAD 7: DIODOS ZENER, TNEL, PIN, SCHOTTKY.
Principio de funcionamiento. Curvas caractersticas. Especificaciones tpicas. Circuito
equivalente.
Duracin: 2 Semanas
UNIDAD 8: TRANSISTOR SCHOTTKY:
Principio de funcionamiento. Curvas caractersticas. Especificaciones tpicas. Circuito
equivalente.
Duracin: 2 Semanas
UNIDAD 9: SEMICONDUCTORES TERNARIOS, CUATERNARIOS.
Principio de funcionamiento. Curvas caractersticas. Especificaciones tpicas. Circuito
equivalente.
Duracin: 2 Semanas
UNIDAD 10: DISPOSITIVOS POR EFECTO CUNTICO.
Transistores metlicos. Diodos Laser, etc. Diodos Laser.
Duracin: 1,5 Semanas
Bibliografa:
Millman y Halkias "Electrnica Integrada"
Malvino, Albert Paul "Principios de electrnica"
Boylestad & Nashelsky, "Electrnica: Teora de Circuitos"
Siemens "Componentes electrnicos"
Siemens "Opto Semiconductors Data Book"
Motorola "Optoelectronics Device Data"
RCA "Electro-Optics Handbook"
Galastro et al " Microelectrnica"