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2016-I
Pre-Informe No. 2:
EL TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR Y APLICACIONES
Carlos Eduardo Patio Gmez - cepatinog@unal.edu.co
Profesores: Rodrigo Acua Herrera, Jorge Galvis
Universidad Nacional de Colombia Sede Medelln
Resumen
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que permite generar cierta seal de salida, en
funcin de una seal de entrada. Se utiliza para diversas funciones como amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. Se estudia el funcionamiento del transistor de unin bipolar (BJT), se
proponen diferentes circuitos tanto para amplificacin como regulacin de voltaje, se analiza el
comportamiento del transistor en sus diferentes puntos de operacin, as como su comportamiento al
variar diferentes parmetros.
Introduccin
1.1 Objetivos:
General:
Estudiar el comportamiento del transistor BJT en sus diferentes puntos de operacin, disear circuitos
que evidencien dicho comportamiento y conocer algunas de las aplicaciones de ste dispositivo.
Especficos:
Proponer un sistema de polarizacin por divisin de tensin para un transistor BJT analizando
su comportamiento en el paso por los diferentes puntos de operacin: regin de corte, regin
activa y regin de saturacin.
Observar cambios en la capacidad de amplificacin del transistor de una seal AC de pequea
amplitud, en cada uno de los puntos de operacin.
Disear un regulador de voltaje de tipo serie utilizando un transistor de paso de mediana
potencia. Observar comportamientos en la seal de salida al variar la resistencia de carga.
Realizar un correcto diseo de los diferentes circuitos teniendo en cuenta los parmetros
dados por el fabricante del transistor a utilizar.
2. Marco terico
El transistor es un dispositivo que consta de la unin,
ya sea de dos capas de un material semiconductor
tipo n y una de un material tipo p, llamados
transistor NPN; o la unin de dos capas tipo p y una
tipo n, llamado transistor PNP. Suele utilizarse la
abreviatura BJT para los dispositivos de 3
terminales.
Figura 2.
Como se observa en la figura 2, si se polariza la
juntura Base-Emisor directamente, y la juntura Base
colector inversamente, la barrera de potencial de la
Base-Emisor ser pequea mientras que la barrera
Base-Colector ser muy grande.
Figura 1.
Como se puede observar en la figura, cada terminal
del transistor posee caractersticas que tienen que ver
con su construccin:
V BE >0
V BC <0
V BE >0
V BC >0
I E IC
V BE <0
V BC <0
Configuraciones:
El transistor posee tres configuraciones dependiendo
de cul terminal est ms cercana a tierra: Base
comn, Emisor comn o Colector comn, en ste
caso estudiaremos la configuracin de emisor comn
que es la ms utilizada.
Emisor comn
Figura 5.
Figura 3.
IC
=
IB
I E =I C + I B
Pero debido a que la capa que corresponde a la base
del transistor, es muy delgada y dbilmente dopada,
IC
V BE >0
V BC <0
por
V BE >0
V BC >0
V CE 0
En sta regin se cumple que:
IC < I B
V BE <0
V BC <0
IC 0
Recordar que
I E IC
Consideracin:
La potencia de salida, est dada por
P=V CE I C Pmx
El punto de operacin Q, debe estar por debajo de la
curva de potencia dada por el fabricante.
3. Procedimiento
El transistor que se utilizar en los diferentes
montajes ser el 2N2222, de cuya hoja de
especificaciones obtenemos ciertos valores de
inters:
Figura 6.
CIRCUITO
DE
POLARIZACIN
DIVISIN DE VOLTAJE
POR
Figura 7.
V Th=
R2
V
R1 + R2 CC
RTh se obtiene:
RTh =
R1 R 2
R1 + R2
V Th + R Th I B +V BE + I B R E=0
Sabiendo que
I E =I B+ I C
Figura 8.
La configuracin de polarizacin del divisor de
voltaje es posiblemente la ms comn de las
configuraciones. Esto se debe principalmente a su
baja sensibilidad a los cambios del factor de un
transistor a otro del mismo lote. Se puede aplicar un
anlisis exacto a cualquier configuracin, aunque
tambin se puede aplicar un anlisis aproximado
slo cuando resistencia de emisor reflejada vista en
la base es mucho mayor que el resistor de menor
valor de la configuracin de polarizacin del divisor
de voltaje conectada a la base del transistor.
El Circuito puede tener unos capacitores llamados
capacitores de acople, pero stos no afectan el
anlisis DC ya que, en este caso, se pueden
considerar como un circuito abierto.
Malla Base-Emisor
Al realizar esta malla, nuestro objetivo final es
calcular Ib.
V BE =0.7
Se tiene
I B=
V Th0,7 V
RTh +(+ 1) RE
Ec. 1
Malla colector-emisor
Recorriendo esta malla obtenemos:
V CE =V CC I C ( R E + RC )
Ec. 2
Tambin se tiene para la regin activa, segn el
fabricante que
I C =I B
Port tanto:
I C =
(V Th0,7V )
RTh +( +1) R E
V CC
I
(R E + RC ) C(mx )
Ec. 3
Como se requiere que el circuito tenga un punto de
operacin que pase por las tres regiones, se deben
tomar algunas consideraciones.
IB
Variando
operacin Q
R E + RC 16.666
Se escogen entonces los siguientes valores de
resistencias para cumplir con lo anterior:
R E=1 k
Regin de corte.
Sabemos que, en ste caso,
IC 0
RC =1.5 k
V CE =V CC
I C (Saturacin) =4 mA
Pero
V CE ( mx )=40 V
entonces
un
valor
Regin de saturacin.
V CE 0
Y de la Ec. 2 tenemos
V CC
=I
( R E + RC ) C
I C I C ( mx) , dada por el fabricante .
En este caso para nuestro transistor:
I C ( mx )=600 mA
P=0.04 W
V CE =V CC =10V
En este caso
RC
P=V CE I C
Fijamos
R E y de 0.024 W para
para
Regin Activa.
Para la regin lineal, una buena opcin para
establecer el
V CE
es tomar un valor de
0.5 V CC , obtenindose
V CE =5 V
Para la seleccin de las resistencias
R 1 y R2
R1=10 k
Fijamos entonces
Variando
V R 2=V Th
R2
Ic=
V t h0,7
P=
V Th
R2
R2 526
Se toma un valor de
R2 de 560
R2 4.845 k
Como se escogi el
V CC
aumente la corriente en
R2=4.7 k
y sature al transistor.
R2=10 k
Amplificacin del
divisin de voltaje.
IB
circuito
polarizador
por
R2
I B ser prcticamente 0 y
V CE =V CC
Regin de Saturacin.
Para un valor de R2 = 10kOhms
Toma de datos
CIRCUITO
DE
POLARIZACIN
DIVISIN DE VOLTAJE
Simulacin
Regulador de voltaje tipo serie
Al realizar una malla al circuito de la figura se
obtiene lo siguiente:
VR2 = Vz VBE
POR
Experimental
Regin
Vce
Ic
Vce
Ic
Activa
3.8176V
2.4681mA
3.66V
2.52m
A
Saturaci
n
Corte
93.477mV
3.938mA
60mV
4.1mA
9.9831V
6.7503A
9.98V
7 .1A
Simulacin
V entrada
simulado
353.53m
V
353.53m
V
353.53m
V
V salida
simulado
513.77mV
Factor
de
amplificacin
1.4532
421.76mV
1.19
231.09mV
0.65
Experimental
Regin
Vrms
Vrms
entrada
salida
Activa
346mV
493mV
Saturacin
346mV
334mV
Corte
346mV
207mV
Regulador de voltaje
Factor
de
amplificacin
1.424
0.965
0.598
Simulado
Experimental
Resistencia
R2
V(entrada)
10k
10k
10
10
V(salida)
6.7725
6.81
V(entrada)
15
15
V(salida)
6.7822
6.82
Vsalida
Simulado
6.690
Vsalida
Experimental
6.69
1k
6.7102
6.72
4.7k
6.752
6.78