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Practica #6

Amplificador Multietapa, Electrnica I,

Ing. Karla Puerto

Practica #6 Amplificador Multietapa


I. Introduccin

El acoplo entre las etapas bsicas puede ser

Csar Ramrez-1161098 Nicols Cceres-1161101


En el rea de la Ingeniera Electrnica los
transistores bipolares o BJT son la evolucin
de los dispositivos semiconductores que
dieron paso a la implementacin de la
electrnica de estado slido y son la base de
muchos sistemas o circuitos electrnicos
desde simples radios o micrfonos hasta
elementos ms complejos; de ah la
importancia de conocerlos y comprobar su
funcionamiento real teniendo como base el
anlisis terico para su diseo.
El amplificador con transistor BJT que se
disear contara con tres etapas, las cuales
comprendern: inversor, inversor y seguidor
respectivamente, esto es, para tener
estabilidad y un valor bajo de impedancia de
salida. Cada etapa aporta una ganancia
establecida por el usuario, y al final cada
ganancia se multiplica para conocer la
ganancia total del circuito diseado.
Mediante el siguiente informe, se darn a
conocer las ecuaciones y condiciones
utilizadas en el diseo del amplificador BJT,
adems de evaluar el funcionamiento del
circuito de acuerdo a las especificaciones
dadas.
II. Marco Terico
Un amplificador multietapa es un amplificador
constituido por un conjunto de amplificadores
bsicos conectados en cascada.
La tcnica de anlisis de este amplificador es
sencilla ya que se reduce bsicamente a
analizar un conjunto de etapas bsicas y a
partir de sus modelos equivalentes obtener el
modelo
equivalente
del
amplificador
completo.

realizado de dos maneras:


Directamente o acoplo en DC y a travs de
un condensador. El primero exige estudiar
conjuntamente la polarizacin de cada una de
las etapas lo que complica su anlisis en
continua. Sin embargo el
amplificador
multietapa carece de frecuencia de corte
inferior. El acoplo a travs de un condensador
asla en DC las etapas bsicas a costa de
introducir una frecuencia de corte inferior.
Este ltimo acoplo solo es usado en aquellos
amplificadores realizados con componentes
discretos
II.I. Ecuaciones y condiciones utilizadas
El amplificador deba contener las siguientes
caractersticas:
Ganancia de voltaje: 12
Fuente de alimentacin: 15v
Resistencia de entrada: 100K a 200K
Resistencia de salida: 150 a 400
Con base a esos datos, se utilizaron las
siguientes ecuaciones, tomando en cuenta
que el valor de Zin fue elegido por el grupo de
trabajo y que se conoca el parmetro de
cada transistor utilizado.

Anlisis en DC:
En las dos etapas inversoras:

Practica #6

Icq=

Ip=

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Vce
Rc

R 6=

10Icq

R 1=

Vbe+Vce
Ip

Resistencia de entrada

Vbe+ Icq
Ip
Vcc
R 2
Ip

Anlisis en AC:

Siendo la corriente de polarizacin Ip aquella


que pasa por las resistencias R1 y R2.

R 2=

Ing. Karla Puerto

Zin=Rb(R + ( +1 ) )

Resistencia de salida

Rb1=( 0.1 )( ) ( 1 )

Para el seguidor:
Tomando en cuenta que se tuvieron estas
condiciones:

3=Rc 1=Rc2
Por lo tanto, se usa la misma Icq y la misma
corriente de polarizacin Ip de esas etapas.
Tambin, para mxima transferencia de
potencia:

3=Rl
Siendo esa Rl del seguidor la nica
resistencia de carga utilizada en el
amplificador, y el lugar donde se medir el
voltaje de salida.
Se usaron las siguientes ecuaciones para las
resistencias de la base:

|RL )R 3
3
+1

Zout =
Formulas sacadas del modelo hibrido

R=

VT
Icq

Se utiliz siempre VT= 25mv

Av =

( Rc 1 )( )
r + ( +1 )1

Donde
se
utilizaron
las
siguientes
aproximaciones al modelo con el fin de poder
despejar los datos de una forma ptima:

r << ( +1 )1

Vcc(Vbe+Vce)
R 5=
Ip
Av =

Rc 1
1

( +1)

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Siendo esta una de las frmulas ms


importantes en el diseo, debido a que se
poda hallar los valores de las resistencias
con base a la ganancia deseada en cada
etapa.

III. Montaje Experimental


Luego de realizar el diseo terico, de haber
simulado y verificado cada parmetro, se
realiz el respectivo montaje en protoboard
con los valores de resistencias comerciales
ms cercanos a cada uno de los valores
hallados tericamente, lo que causa una
variacin entre los valores simulados y
obtenidos experimentalmente, pero aun as,
cumpliendo con las exigencias otorgadas por
la gua de trabajo. El montaje y las grficas
de las seales de entrada y salida se hicieron
de la siguiente manera:

Figura2. Seal de entrada medida en el


Osciloscopio

Figura3. Seal de salida medida en el


Osciloscopio
Donde, si realizamos el clculo de la
ganancia tenemos:

Av =

Figura1. Montaje del amplificador


diseado en Protoboard

1.44 V
=12.8571
112 mV

Como la seal presentaba un ruido


considerable a la salida, el grupo de trabajo
considero incrementar el voltaje alterno
senoidal de entrada hasta obtener su mxima
excursin de salida, con el fin de entregar
una seal limpia.

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afectaran, as que se opt por usar dos


etapas de ganancia 4 porque se evidencio
que
la
aproximacin
a
resistencias
comerciales y la transicin entre el modelo
terico y real la degradaban al menos tres
unidades.

Figura3. Nueva seal de entrada medida


por el Osciloscopio

De los valores empleados en el diseo, solo


se le dio valor a la impedancia de entrada de
la primera etapa, con base a ese valor que
cumpla con las condiciones del diseo se
obtuvieron los dems datos.
ETAPA 1:

VCC=15 V

=250

VCE=7.5 V

Av =4.0
Zin=150 K
Figura4. Nueva seal de salida medida por
el Osciloscopio
Donde, si realizamos el clculo de la
ganancia tenemos:

Av =

6.28 V
=12.3622
508 mV

Zin=Rb 1||[ r + ( B+ 1 )1 ]
Si se dejaba esa expresin intacta, la formula
resultaba tediosa de despejar, adems de
que se desconoca el valor de la corriente Icq,
as que se opt por utilizar una aproximacin:

r << ( +1 )1

RB1=( 0.1 )( ) ( 1 )

IV. Resultados
Se decidieron utilizar dos etapas iguales
para facilitar los clculos a realizar, y por
ltimo se implement un seguidor para
otorgarle ms estabilidad al circuito y cumplir
con la condicin de tener una impedancia de
salida de baja magnitud.

Zin=( 0.1 ) ( ) ( 1 )||[ 1+ 1 ]


Zin=( 251 )||( 250 1+ 1 )

Zin=

( 25 1 )( 2501+ 1 )
25 1+ 2501+ 1

Idealmente, para obtener una ganancia de


12, se utilizaran dos etapas de

2 3 ,

pero la ganancia final al simular era ms baja


de lo que se esperaba y la aproximacin a los
valores comerciales de resistencias la

6250 1 +251
Zin=
1(25+250+1)

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Zin=

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12 ( 6250+ 25 )
1 ( 276 )

Zin=

Ing. Karla Puerto

R 2=

1(6275)
(276)

VBE+ ICQR e 1
IP

R 2=

0.7+(0.28 mA )( 6.60 K )
11.2 A

R 2=227.5 K

16275
Zin=150 K=
276

R 2=2 20 . K Valor comercia l


Despejamos Re1:

1=

( 150 K )276
6275

1=6.60 K

R 1=

VCC
R 2
IP

R 1=

15 V
227.5 K
11.2 A

Re1= 6.8K Valor comercial


De la ecuacin de ganancia:

Av =

( Rc 1 )( )
r + ( +1 )1

r < < ( + 1 )1

De acuerdo al diseo; la etapa 2 tendr los


mismos parmetros que la etapa 1, por ende:

( +1)
Av =

Rc 1
1

R 1=1.1 M

Rc 1=( Av ) ( 1 )

Rc 1=(4.0 ) ( 6.60 K )

Rc 1=26 . 4 K

ETAPA 2:

VCC=15 V
Av =4.0

=205

2=6. 60 K

Rc 1=27 K Valor comercial

Rc 2=26.4 K

VCE
7.5 V
=
RC 1 26.4 K

R 4=227.5 K

ICQ 1=

ICQ 1=0.28 mA
10ICQ
IP=
=11 .2 A

VCE=7.5 V

R 3=1.1 M

ETAPA 3:
=256

3=Rc 1=Rc 2=26 . 4 K

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Amplificador Multietapa, Electrnica I,

ICQ 3=ICQ 1=ICQ 2=0.28 mA


IP 3=IP 2=IP 1=11 . 2 A
R 6=

VBE +VCE 0.7 V +7.5 V


=
IP
11.2 A

R 6=732.14 K
R 6=750 K Valor comercial

R 5=

VCC(VBE+VCE ) 15 V (0.7 V +7.5 V )


=
IP
11.2 A

R 5=607.14 K

Ing. Karla Puerto

de entrada y salida de cada una de las


etapas:
Primera y segunda etapa
Zin= 150k
Fue el dato elegido por el grupo de trabajo,
con base a ese valor se hall el valor de la
resistencia Re de las dos primeras etapas.
Zout: Se mide el valor de la impedancia de
salida de cada etapa inversora desde antes
del comienzo de la siguiente etapa, debido a
la ausencia de una RL, y de que el voltaje
Early (VA) tiende a infinito, el valor de la Zout
es el mismo que el de Rc1

Zout =Rc 1=26.4 k


R 5=680 K Valor comercial
Tercera etapa

R 3=

VT (256)(25 mV )
=
ICQ 3
0.28 mA

R 3=22.86 K

3=RL

3||RL=13.2 K

R 5|R 6 )( R 3+ ( + 1 ) R e 3)
Zin=
R 5||R 6=( 607.14 k )||( 732.14 k )=331.90 k
R 3=22.86 K
Zin=331.90 k 6807.66 k

( +1 )
1
+
3||RL R 3

Zout=
1
257 1
Zout =[
+
]
13.2 K 22.86 K

Zin=316.47 k
Y la Zout fue hallada en el anlisis anterior,
siendo esta:

Zout =88.35
Obtenindose, de manera analtica:

Zout =88.35
Luego de tener las 3 etapas con todos sus
parmetros hallados, se halla la impedancia

Av total=4.04.01=16.0
Esto es, porque para el diseo el valor de la
ganancia de cada etapa fue dado por el

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grupo de trabajo para hallar el resto de


parmetros con base a dicho valor.

Ing. Karla Puerto

Los datos de las variables de cada transistor


son los siguientes segn el simulador:

Luego se procedi a simular el circuito


hallado pero con los valores comerciales,
quedando:

Figura5. Esquemtico del amplificador


Multietapa diseado

Figura7. Parmetros de cada transistor


otorgados por el simulador OrCAD.
Posteriormente, para hallar Zin; se procedi a
desconectar la fuente alterna, conectar en
lugar de ella una fuente de prueba VAC de
1V, emplear un anlisis en AC SWEEP y
hallar la impedancia de entrada como la
razn entre el voltaje de la fuente y la
corriente que pasa por el primer capacitor de
acople:

Figura6. Grficas de entrada y salida del


amplificador en el dominio del tiempo
Con base al valor pico de cada onda, se
realizo la operacin:

Av =

Vo 1.1917 v
=
=11.9179
Vs 99.992 mv

Figura8. Esquemtico empleado para


hallar Zin

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Ing. Karla Puerto

Figura9. Impedancia de entrada del


amplificador
Para hallar la impedancia de salida, se
desconect y se hizo corto la fuente de
entrada, y se ubic una fuente de prueba
VAC en paralelo a la salida del seguidor,
luego se hall la relacin entre el voltaje de la
fuente de prueba y la corriente que pasa a
travs de Rl.

Figura11. Impedancia de salida del


amplificador
V. Anlisis de Resultados
De los datos tomados y hallados, se puede
elaborar la siguiente tabla de datos:
Etapa 1
Variable

Terico

Simulado

Practico

IC

0.28mA

0.233mA

0.238mA

VCE

7.5 V

7.13 V

6.95V

VBE

0.7 V

0.737 V

0.679V

Variable

Terico

Simulado

Practico

IC

0.28mA

0.256mA

0.237mA

VCE

7.5 V

8.23 V

6.96V

VBE

0.7 V

0.739 V

0.711 V

Etapa 2

Figura 10. Esquemtico empleado para


hallar Zout

Etapa 3

Practica #6

Amplificador Multietapa, Electrnica I,

Variable

Terico

Simulado

Practico

IC

0.28mA

0.233mA

0.187 mA

VCE

7.5 V

7.11 V

8.06V

VBE

0.7 V

0.737 V

0.733 V

Ing. Karla Puerto

Se usaron capacitores de acople


nicamente entre etapas, y su valor fue
uno predeterminado de 10 F.

Al momento de llevar a la prctica


influyen en el anlisis del transistor los
valores de beta dependientes de la
temperatura ambiente, y los valores del
capacitor afectados por la frecuencia, los
cuales a su vez hacen variar la ganancia
de salida lo que no se ve reflejado al
momento de realizar los clculos
analticos.

Con el fin de eliminar lo ms posible del


ruido de la seal a la salida, se
increment la seal de entrada senoidal
hasta que la salida (seal amplificada)
obtuviese la mxima excursin simtrica
(Ver fig.4).

VI. Conclusiones

Los
valores
de
las
resistencias
adecuados comercialmente permiten que
haya
una
transferencia
total
al
amplificador, adems de que la baja
magnitud de Zout permite transferir toda
la seal amplificada por las etapas a la
resistencia de carga RL.
El clculo de la ganancia en el simulador
Orcad, se realiz en el dominio del
tiempo, dndole un valor de frecuencia de
10 KHz como solicitaba la gua de trabajo,
y una amplitud de 100mV (que realmente
eran 99.992m), y se graficaron 4 ciclos de
la seal -aunque en la imagen solo se
alcanzan a observar dos por esttica-,
midindose los puntos mximos de cada
seal y relacionndolos en la frmula de
la ganancia.

Bibliografa
[1] Savant, Jr, 2a ed. (1992). Diseo
electrnico:
circuitos
y
sistemas.
Amplificadores con transistores bipolares de
unin.