Вы находитесь на странице: 1из 12

Introduo

A fim de entender a origem das propriedades dos materiais, necessita-se focalizar em seu nvel atmico. Dois
parmetros so especialmente importantes nesta influncia:
1.As foras que mantm os tomos unidos (as ligaes atmicas) que atuam como molas, ligando um tomo
ao prximo no estado slido;
2.O modo no qual os tomos empacotam , desde que isto determina quantas pequenas molas h por unidade
de rea , e o ngulo no qual estas so puxadas;
Neste captulo, vamos analisar as foras que mantm os tomos unidos as molas. As vrias maneiras em
que os tomos podem ser ligados envolvem:
1.Ligaes Primrias- inica, covalente ou metlica , que so relativamente fortes
2.Ligaes Secundrias Van der Waals e hidrognio que so fracas.
Cermica e metais so inteiramente mantidos juntos por ligaes primrias inica e covalente em cermica e
metlica e covalente em metais.
1.- Ligao Inica
Trs tipos de ligaes primrias ou ligaes qumicas so encontradas nos slidos inica, covalente e
metlica.
A ligao inica o tipo mais bvio de atrao eletrosttica entre cargas positiva e negativa. simbolizado
pela coeso no cloreto de sdio. Outros compostos tais como LiF, MgO , Al2O3 so totalmente ou parcialmente
mantido unido por ligaes inicas.
Iniciemos com o tomo de sdio. Ele tem um ncleo de 11 prtons e 12 nutrons sem carga e circundado por
11 eltrons cada um com carga negativa. Os eltrons so atrados para o ncleo por foras eletrostticas e
assim tm energia negativa, mas as energias dos eltrons no so todas as mesmas. Aqueles eltrons mais
distantes do ncleo naturalmente tm a mais elevada energia ( menos negativa). O eltron que pode ser
removido mais facilmente do tomo de sdio o mais externo , isto , pode-se remov-lo dispendendo 5,14eV
de trabalho. Este eltron pode ser transferido para uma posio vaga em um tomo de cloro , retornando 4,02
eV de energia. Assim, pode-se fazer ons isolados Na+ e Cl- fazendo-se 5,14 4,02 =1,12eV de trabalho, Ui.
Necessita-se de energia para criar os ons que formar as ligaes inicas.Contudo, as cargas positiva e
negativa atraem-se e, se ns as aproximamos , a fora de atrao produzir trabalho.

onde q a carga de cada on, 0 a permeabilidade eltrica no vcuo, e r a separao dos ons. O trabalho
feito quando os ons so levados para a separao r do infinito :

A Figura 2.5 mostra como a energia do par de ons cai quando r decresce , at, em r=1nm para uma ligao
inica tpica,tem-se que 1,12eV de trabalho necessrio para formar os ons Na + e Cl - . Para r< 1nm, a ligao
inica torna-se mais e mais estvel. Quando os ons tornam-se mais e mais prximos e suficientemente juntos,
as distribuies de carga eletrnicas iniciam-se a superposio uns com os outros, e isto causa uma repulso
maior. A ligao inica torna-se mais estvel no mnimo da curva U(r) , que bem aproximada pela expresso:
U(r) = Ui - q2 / ( 40 r ) +( B / r n ), onde n uma potncia grande prxima de 12.
1eV = 1,6. 10-19J.
A fora lquida FL entre dois tomos exatamente a soma das componentes de atrao e de repulso :
FL = FA + FR
Quando FL se anula , diz-se queexiste um estado de equilbrio.
Em termos de energia, tem-se que :

EL = Energia Lquida ; EA =Energia Atrativa e ER = Energia Repulsiva.( Figura 2.6).


A energia de ligao para estes dois tomos , E0 , corresponde energia no ponto mnimo da curva de
energia potencial. Ela representa a energia que seria necessria para separar esses dois tomos at uma
distncia de separao infinita.
Ela encontrada em compostos cuja composio envolve tanto elementos metlicos como no-metlicos, ou
seja, elementos que esto localizados nas extremidades horizontais da tabela peridica. Os tomos de um
elemento metlico perdem facilmente os seus tomos de valncia para os tomos no-metlicos. No processo,
todos os tomos adquirem configuraes estveis ou de gs inerte e , adicionalmente, uma carga eltrica,
tornando-se ons.
As foras de ligao atrativas so de Coulomb, isto , ons positivos e negativos devido s suas cargas
eltricas lquidas atraem-se uns aos outros. Para dois tomos isolados, a energia atrativa EA funo da
distncia interatmica de acordo com a equao 1.2:
EA =_(1 / 40) ( V1e ) (V2 e) / r (1.2)

Uma equao anloga para energia de repulso :


ER = B / rn (1.3)
Se um tomo livre eletropositivo e um eletronegativo forem aproximados suficientemente, de modo a se
tornarem dois ons de cargas opostas, a energia potencial do par de ons tornar-se- mais negativa, medida
que a distncia radial de separao decresce. Porm, `a medida que a distncia de separao decresce , as
nuvens eletrnicas dos dois ons comearo a se superpor. Nesse instante, um trabalho deve ser executado
sobre os ons a fim de for-los a se aproximarem, e a quantidade de trabalho necessrio inversamente
proporcional a uma certa potncia , m , da distncia entre os centros dos ons.Se a energia de ligao
grande , existir um mnimo na curva de energia potencial total versus distncia. O mnimo ocorre distncia r
= do, onde as foras de atrao e repulso se equilibram.
A distncia de equilbrio entre os centros de dois tomos vizinhos pode ser considerada como a soma dos
seus raios. Muitos fatores podem alterar os centros dos tomos: temperatura, valncia inica e o nmero de
tomos adjacentes.
A ligao inica chamada no-direcional , isto , a grandeza da ligao igual em todas as direes ao redor
do on. Consequentemente, para que materiais inicos sejam estveis , em um arranjo tridimensional todos os
ons positivos devem possuir ons carregados negativamente como seus vizinhos mais prximos e vice-versa.
As energias de ligao, que, geralmente, variam na faixa entre 600 e 1500kJ/mol (3 e 8eV/tomo) so
relativamente altas o que refletido em temperaturas de fuso elevadas.
Deve-se esperar que tomos no-direcionalmente ligados, como os dos elementos metlicos, solidifiquem-se
segundo o arranjo mais compacto possvel. Deste modo, o nmero de ligaes por unidade de volume
maximizado e, ento, a energia de ligao por unidade de volume minimizada. Como primeira aproximao,
portanto, estes tomos podem ser tratados como esferas duras empilhadas.
Ligao Covalente
Ligaes covalentes estveis so formadas no estado slido primariamente entre tomos no-metlicos ,
como nitrognio, oxignio, carbono, flor e oxignio. Outros elementos , como silcio, germnio, arsnico e
selnio , formam ligaes que so parcialmente covalentes , parcialmente metlicas.
Na ligao covalente, as configuraes eletrnicas estveis so adquiridas pelo compartilhamento de eltrons
entre tomos adjacentes. Dois tomos ligados de maneira covalente iro cada um contribuir com pelo menos
um eltron para a ligao , e os eltrons compartilhados podem ser considerados como pertencentes a ambos
os tomos. ( Figura 2.7).
A ligao covalente direcional , isto , ela ocorre entre tomos especficos e pode existir somente na direo
entre um tomo e o outro que participa no compartilhamento de eltrons.As ligaes covalentes podem ser
muito fortes , como no diamante, que muito duro e com temperatura de fuso alta ou fracas como ocorre no
caso do bismuto que funde temperatura de 270C. Os tomos de carbono apresentam, muitas vezes, quatro
ligaes de igual energia dirigidas para os vrtices de um tetraedro regular , resultantes da hibridizao sp3.
possvel a existncia de ligaes interatmicas que sejam parcialmente inicas e parcialmente covalentes , e

, de fato, poucos compostos exibem ligaes com carter que seja exclusivamente inico ou covalente.
O percentual de carter inico de uma ligao entre os elementos A e B ( onde A o elemento mais
eletronegativo) pode ser aproximado pela expresso :
% carter inico = ( 1 exp ( - ( 0,25)( XA XB ) 2 )) x 100
onde XA e XB so, respectivamente, as eletronegatividades dos respectivos elementos. Eletronegatividade a
tendncia do tomo em atrair eltron para a sua camada eletrnica.
Ligao covalente aparece no diamante na sua forma pura, silcio e germnio . o tipo de ligao principal em
silicatos e vidros e contribuem para a ligao dos metais de alto ponto de fuso ( W, Mo, Ta) . Aparece,
tambm, em polmeros, ligando tomos de carbono carbono ao longo das cadeias. O exemplo mais simples
de ligao covalente a molcula de hidrognio. A proximidade dos dois ncleos cria um novo orbital
eletrnico, compartilhado pelos dois tomos no interior do qual os dois eltrons ficam.
Um tomo de silcio que tem uma valncia de 4, adquire 8 eltrons em sua camada de energia pelo
compartilhamento de seus eltrons com 4 tomos de silcio circundantes.Embora ligaes covalentes so
muito fortes, materiais ligados desta maneira tm baixa dutilidade e baixa resistncia eltrica e trmica. Para
um eltron se movimentar e conduzir corrente, a ligao covalente deve ser quebrada, necessitando-se alta
temperatura ou tenso.
Ligao Metlica
A ligao metlica encontrada em metais e suas ligas. Os materiais metlicos possuem um , dois ou no
mximo trs eltrons de valncia. Com esse modelo, estes eltrons de valncia no se encontram ligados a
qualquer tomo em particular no slido e esto mais ou menos livres para se movimentar ao longo de todo o
material. Eles podem ser considerados como pertencentes ao metal como um todo , ou como se estivessem
formando uma nuvem de eltrons. Os eltrons restantes, aqueles que no so eltrons de valncia ,
juntamente com os ncleos atmicos , formam o que so chamados ncleos inicos , que possuem uma carga
lquida positiva igual em grandeza carga total dos eltrons de valncia por tomo. Os eltrons livres
protegem os ncleos inicos carregados positivamente das foras eletrostticas mutuamente repulsivas que
eles iriam, de outra forma, exercer uns sobre os outros; consequentemente a ligao metlica apresenta
carter no-direcional. Adicionalmente, esses eltrons livres atuam como uma cola para manter juntos os
ncleos inicos. A ligao pode ser fraca ou forte; as energias de ligao variam na faixa de 0,7eV/ tomo para
o mercrio e 8,8 eV/tomo para o tungstnio.
Os metais so bons condutores de calor , eletricidade e experimentam nveis significativos de deformao
plstica.
Os elementos metlicos , que tm uma baixa eletronegatividade , doam seus eltrons de valncia aos tomos
circundantes. Alumnio, por exemplo, doam seus trs eltrons de valncia , deixando atrs um ncleo
consistindo de carga positiva e eltrons mais internos. Desde que eltrons carregados negativamente foram
cedidos , o ncleo passa a ter uma carga positiva de trs. Os eltrons de valncia movem-se livremente no
interior da nuvem , e tornam-se associados com ncleos de tomos. Os ncleos dos tomos carregados
positivamente so mantidos juntos pela atrao mtua ao eltrons diversos, assim produzindo uma forte

ligao metlica. Em razo de seus eltrons no so fixados em qualquer posio , metais so bons
condutores eltricos e trmicos.
Ligaes Secundrias ou de Van der Waals
Ligao de Van der Waals junta molculas ou grupos de tomos por fraca atrao eletrosttica. Muitos
plsticos , cermicos, gua e outras molculas so permanentemente polarizadas ; isto , algumas pores da
molcula so positivamente carregadas , enquanto outras so negativamente carregadas. A atrao
eletrosttica entre as regies positivamente carregadas de uma molcula e a regio negativamente carregada
de uma segunda molcula fracamente mantm as duas molculas .
Alm das trs ligaes primrias ( covalente, metlica e inica ) existem nos slidos vrias ligaes
secundrias. So secundrias no sentido de que so relativamente fracas em comparao com as ligaes
covalente, metlica e inica e so resultantes de atraes eletrostticas de dipolos.
Uma molcula pode ser definida como um grupo de tomos que so mantidos fortemente ligados , mas cujas
ligaes a outros grupos similares so relativamente fracas.As energias de ligao so tipicamente da ordem
de 0,1 eV /tomo . Ligaes secundrias existem entre virtualmente todos os tomos ou molculas, mas a sua
presena pode ficar obscurecida se qualquer um dos trs tipos de ligao primria estiver presente. A ligao
secundria fica evidente para os gases inertes, que possuem estruturas eletrnicas estveis e entre suas
molculas.
As foras de ligaes secundrias surgem de dipolos atmicos ou moleculares. Essencialmente, um dipolo
eltrico existir sempre que houver alguma separao entre as fraes positiva e negativa de um tomo ou
molcula. A ligao resulta da atrao coulombiana entre a extremidade positiva de um dipolo e a regio
negativa de um dipolo adjacente.( Figura 2.8). A maior ou menor tendncia dessa molcula em se orientar
diante de uma placa eletrizada denominada momento dipolar.

= q x ln (1.4)
onde ln a distncia internuclear.
As ligaes entre molculas polares , onde um dos plos o hidrognio , so denominadas pontes de
hidrognio, sendo indicadas por ( Figura 2.8) .Trata-se de um tipo de ligao intermolecular.A ligao de ponte
de hidrognio mais fraca que a ligao covalente , porm 10 vezes mais forte que a ligao de Van der
Waals.
No havendo atrao eltrica entre essas molculas como no caso de molculas apolares , elas deveriam
permanecer sempre afastadas o que equivale a dizer no estado gasoso. No entanto, muitas substncias
apolares so lquidas e mesmo quando gasosas podem ser liquefeitas e solidificadas em temperaturas muito
baixas.
As foras de Van Der Waals resultam do seguinte: a molcula formada por muitos eltrons , que se
movimentam rapidamente. Pode acontecer, em um dado instante, de uma molcula estar com mais eltrons
de um lado que do outro . Esta molcula estar , momentaneamente, polarizada e, por induo eltrica , ir
provocar a polarizao da molcula vizinha, resultando atrao fraca entre elas ( Figura 2.9).Evidentemente,

as atraes entre esses dipolos temporrios so muito mais fracas que as atraes entre os dipolos
permanentes.
Metais - alta condutibilidade trmica e eltrica , opacos e, usualmente , pesados e deformveis.
Polmeros - baixa densidade, isolante trmico e eltrico, refletores pobres de luz e alguns deles so flexveis e
sujeitos deformao.
Cermicos - duros e quebradios, isolante trmico e eltrico e inertes.
Ligao inica a fora que mantm os ons unidos depois que um tomo entrega definitivamente um, dois,
ou mais eltrons a outro tomo.
Ligao covalente normal a unio entre tomos estabelecida por pares de eltrons de modo que cada par
seja formado por um eltron de cada um dos tomos.
Ligao metlica a nuvem de eltrons livres deslocando-se rapidamente ao longo dos tomos neutros e
ctions.
Momento dipolar ( ) o produto do mdulo da carga eltrica parcial pela distncia entre os dois extremos de
um dipolo.
Foras dipolo-dipolo
Quando uma molcula polar, ela apresenta uma extremidade mais eletropositiva e outra mais eletronegativa.
Evidentemente , o lado positivo de uma molcula passa a atrair o lado negativo da molcula vizinha, e
assim sucessivamente. Essas foras de coeso recebem o nome de foras dipolo-dipolo.
Pontes de Hidrognio
Um caso extremo de atrao dipolo-dipolo ocorre quando temos o hidrognio ligado a tomos pequenos e
fortemente eletronegativos (F,O e N). A atrao que se estabelece entre o hidrognio e esses elementos
chama-se ponte de hidrognio.
Foras de Van der Waals
As molculas apolares, num dado instante, contm mais eltrons de um lado que do outro. Essa molcula por
induo eltrica ir provocar a polarizao de uma molcula vizinha( dipolo induzido) , resultando uma atrao
fraca entre ambas.
Um material cristalino aquele no qual os tomos esto situados em um arranjo que se repete ou que
peridico ao longo de grandes distncias atmicas .Ao descrever estruturas cristalinas os tomos ou ons so
considerados como esferas rgidas que possuem dimetros bem definidos.
Estrutura cristalina so arranjos regulares, tridimensionais de tomos no espao. A regularidade com que os
tomos so usualmente empilhados nos slidos decorre de condies geomtricas , que so impostas por
ligaes direcionais e compacidade.

O arranjo mais estvel dos poliedros de coordenao num cristal ser aquele que minimiza a energia por
unidade de volume ou, em outras palavras , aquele que:
1.preserva a neutralidade eltrica
2.satisfaz direcionalidade e ao carter discreto de todas as ligaes covalentes
3.minimiza a forte repulso on-on.
4.Agrupa os tomos mais compactamente possvel, compatvel com (a), (b) e (c).
Uma rede espacial um arranjo infinito, tridimensional de pontos, em que cada ponto tem idnticas
vizinhanas. Esses pontos , com idnticas vizinhanas , so chamados pontos da rede. Os pontos da rede
podem ser arranjados de 14 modos diferentes apenas, que so chamados redes de Bravais; esto nas
posies de 1 daqueles 14 arranjos.
Clulas Unitrias - consiste na unidade estrutural bsica e define a estrutura cristalina em virtude da sua
geometria e das posies dos tomos no seu interior.
Os arranjos locais de tomos num slido so usualmente regulares e previsveis , ainda que a estrutura em
maiores distncias possa apresentar-se regular ( cristalina) ou irregular ( vtrea). Os arranjos dependem, em
parte, de ser a ligao direcional ou no-direcional. Se a ligao direcional , o arranjo atmico local
determinado pelos ngulos das ligaes e pode ser representado por um poliedro de ligao , cujos vrtices
representam as direes de maior energia de ligao. Se a ligao no-direcional , o arranjo depende dos
tamanhos relativos dos tomos. O arranjo de empilhamento pode ser descrito geometricamente em termos de
um poliedro de coordenao , que construdo conectando-se os centros de todos os tomos ou ons vizinhos
que toca um tomo ou on central.
As caractersticas da ligao covalente que determinam o arranjo dos tomos so o seu carter discreto e
direcional no espao. Esta direo espacial, por sua vez, determinada pelo estado quntico dos eltrons que
tomam parte na ligao. Os orbitais sp3 diferem dos orbitais s e p por permitirem maior superposio e pela
sua orientao espacial.
Os tomos no-direcionalmente ligados , como os metais e inicos, solidificam-se segundo o arranjo mais
compacto possvel . Deste modo, o nmero de ligaes por unidade de volume maximizado e ento a
energia de ligao por unidade de volume minimizada.Como primeira aproximao , portanto, esses tomos
podem ser tratados com esferas duras empilhadas . Geometricamente, doze o nmero mximo de esferas
que podem ser arranjadas em torno de uma esfera central, de modo que todas elas a toquem
simultaneamente.
NDICE CRISTALOGRFICO
A conveno geral que seguiremos para orientar um cristal prev uma representao triaxial com os eixos x, y
e z em suas posies de hbito. Tambm , por conveno, assumiremos que a origem do sistema triaxial
coincide com o vrtice mais esquerda , mais inferior e mais interno da representao em perspectiva da
clula unitria. Sero positivas as direes que assumirem o sentido desse vrtice para o leitor (x), para a
direita (y) e para cima (z).

Todos os pontos do interior da clula podem ser identificados em termos de suas projees nos eixos
coordenados. Consequentemente, a origem 0,0 e 0. Como o centro da clula tem coordenas a/2,b/2 e c/2 ,
os ndices dessa localizao sero 1/2, 1/2 e 1/2 . Os coeficientes dessa localizao so sempre expressos em
fraes das dimenses celulares respectivas.
Qualquer ponto da clula que for transladado de um nmero inteiro de parmetros celulares ( a, b e c) ocupar
uma posio equivalente em outra clula unitria.
Embora a descrio das posies atmicas numa clula unitria seja uma descrio completa da estrutura
cristalina , til ter meios de descrever tambm planos e direes cristalinas. Com este fim , desenvolveu-se
um sistema de ndices cristalogrficos.Quando formos correlacionar posteriormente propriedades com
estruturas cristalinas , ser necessrio identificar direes nos cristais , porque muitas das propriedades so
direcionais.
ndices de um plano
Um plano no espao satisfaz equao ;
x/a + y/b + z/ c = 1
onde a , b e c so os interceptos do plano com os eixos x, y e z , respectivamente. Para descrever os planos
cristalogrficos, tomam-se os eixos ao longo de trs arestas no paralelas da clula unitria , e os interceptos
so medidos em termos de um comprimento unitrio , que se especifica em cada aresta , independente da sua
dimenso real. O uso dos interceptos a, b e c para representar um plano cristalogrfico dentro de uma clula
unitria tem a desvantagem de os interceptos serem, frequentemente, fraes menores que a unidade ,
podendo ser infinitos ( para um plano paralelo a um eixo). Por essa razo, a prtica comum o uso dos
recprocos dos interceptos para designar um plano cristalogrfico.
h = 1/a ; k = 1/ b ; l = 1/c
de modo que hx + ky + lz =1.
Os ndices de um plano ( chamados geralmente de ndices de Miller) so simplesmente h , k e l escritos entre
parnteses , (hkl) , e se usam para descrever o plano. Por exemplo, numa clula unitria cbica , a face do
cubo que intercepta o eixo positivo dos x o plano (100), como se mostra na Figura. Os ndices da face oposta
do cubo podem ser determinados , transladando-se a origem do sistema de coordenadas para outro vrtice da
clula unitria ( isto permitido porque todos os vrtices da clula unitria so pontos da rde e so, portanto,
equivalentes). O plano ento intercepta o eixo x, negativo; para se indicar isto , pe-se o sinal menos em cima
do recproco do intercepto ( -100). Os ndices de planos paralelos , de um mesmo lado da origem e com
idnticas distribuies atmicas , reduzem-se , frequentemente, aos menores ndices comuns, dividindo-se
pelo maior fator comum; assim , os planos ( 1/2;1/2;0 ) , e (1/2 , 1/2 , 0) sero chamados planos (110) , a
menos que haja uma razo particular para distingui-los.
Alm disso, cristais de alta simetria tm planos no paralelos que apresentam idnticas distribuies atmicas.
Dizse que tais planos so cristalograficamente equivalentes. Exemplos disto so os planos (100), (010), (001)
numa rede cbica. Diz-se que planos equivalentes tm a mesma forma e so representados pelos ndices de

um deles , escritos entre chaves: {100} designa a forma , e (100) , (001), (010), ( -100), (0-10) ,(00-1) designam
as seis faces do cubo.No sistema cbico , por exemplo, os planos seguintes constituem uma famlia de planos,
ou formam uma famlia de planos:
(100) (010) (001) (

00)(0

0) (00

) = {100}

Densidade planar o nmero de tomos por unidade de rea.


NDICE DE UMA DIREO DA REDE
Os ndices de uma direo so simplesmente os componentes do vetor da direo segundo os eixos
coordenados , reduzidos aos menores inteiros. Por exemplo, se uma clula cbica origem est num dos
vrtices e os eixos so paralelos s arestas , uma diagonal do cubo seria [111] ( Figura ). Os nmeros 111
so os ndices da direo e o uso dos colchtes, em vez de parnteses, indica que les se referem a uma
direo cristalogrfica, e no a um plano. Uma das direes das faces seria a direo [110]. Diz-se que
direes de mesma distribuio atmica linear so da mesma forma, sendo representadas assim: <110> inclui
as direes [110], [10-1], [0

] etc. Densidade Linear o nmero de tomos por unidade de

comprimento.No cristal cbico, as direes que se seguem so idnticas:


[111], [11

],[1

], [

1][

1],[

11]

],[1

].

til notar que no sistema cbico , e s no sistema cbico, todas as direes e planos com ndices idnticos
so respectivamente perpendiculares entre si. Isto , a normal a um plano a direo com os mesmos ndices
do plano. Esta relao permite o uso de lgebra vetorial para simplificar muitos clculos cristalogrficos.
lgebra Vetorial para Rdes Cbicas
ndices de Miller Bravais
No caso dos cristais hexagonais, usa-se, frequentemente, um outro sistema de ndices, que utiliza quatro
nmeros em cada conjunto de ndices. Esses so chamados ndices de Miller-Bravais. Usam-se quatro ndices
a fim de se tornar ,mais evidente a relao entre os ndices e a simetria da rde hexagonal. Se se utiliza a
clula da Figura como clula unitria hexagonal, pode-se descrev-la em relao a quatro eixos , um dos quais
ao longo do prisma hexagonal, e os outros trs na base , formando entre si ngulos de 120. Os ndices de
Miller-Bravais de um plano so representados por h, k, i e l , escritos entre (hkil). Estes ndices so os
recprocos dos interceptos sobre os eixos a1, a2, a3 e c , respectivamente. Como no caso dos ndices de
Miller, os recprocos so usualmente divididos pelo maior fator comum. Como apenas trs eixos no
coplanares so necessrios para especificar um plano no espao, os quatro ndices no podem ser
independentes. A condio adicional a que seus valores devem satisfazer :
h + k = -i

Na Figura , representam-se os planos (0001) chamado plano basal e um dos planos prismticos ( 10
O plano prismtico da forma {10

0).

0}.

Os ndices de Miller-Bravais de uma direo so as componentes vetoriais da direo, resolvidas segundo


cada um dos quatro eixos coordenados, e reduzidas aos menores inteiros. Por consistncia, a mesma
restrio que se aplica aos planos vlida tambm para direes.
Materiais Cristalinos e no-cristalinos
Para um slido cristalino, quando o arranjo peridico e repetido dos tomos perfeito ou se estende ao longo
da totalidade da amostra , sem interrupo, o resultado um monocristal.
Todas as clulas unitrias se ligam da mesma maneira e possuem a mesma orientao. Os monocristais
existem em a natureza, mas podem ser produzidos artificialmente. Nos ltimos anos, os monocristais se
tornaram extremamente importantes em muitas de nossas tecnologias modernas,em particular em
microcircuitos eletrnicos, que empregam monocristais de silcio e outros semicondutores.
A maioria dos slidos cristalinos composta por uma coleo de muitos pequenos cristais ou gros , e so
policristalinos. Vrios estgios na solidificao de uma amostra policristalina esto representadas
esquematicamente na Figura. Inicialmente, pequenos cristais ou ncleos se formam em vrias posies. Estes
possuem orientaes cristalogrficas aleatrias, conforme est indicado pelos reticulados quadrados. Os
pequenos gros crescem mediante a adio sucessiva de tomos , vindos do lquido circunvizinho, estrutura
de cada um deles. As extremidades de gros se chocam umas com as outras medida que o processo de
solidificao se aproxima de seu trmino.
As propriedades fsicas dos monocristais de algumas substncias dependem da direo cristalogrfica . Essa
direcionada das propriedades conhecida por anisotropia, e est associada diferena do espaamento
atmico.
Difrao de Raios X
Raios-X so ondas eletromagnticas que surgem na coliso de raios catdicos contra anteparos duros. A onda
eletromagntica uma forma de energia constituda de campos eltricos e campos magnticos, em planos
perpendiculares entre si, capazes de propagar-se no espao.
Comprimento de onda ( ) a menor distncia entre dois pontos atingidos pelas ondas e que se acham em
concordncia de fase. Freqncia (f) o nmero de oscilaes produzidas pelas ondas, na unidade de tempo.
Um tubo de Geissler constitudo de uma ampola de vidro possuindo 2 eletrodos. No interior da ampola podese colocar um gs qualquer a uma presso de 1 a 30mm Hg.Um dos eletrodos ligado ao plo negativo e
ser chamado de ctodo e o outro o nodo. Quando o tubo de Geissler submetido a determinada
tenso, d-se a descarga , porque o ctodo emite eltrons, que colidem com as molculas do gs produzindo
ionizaes . Os ons dirigem-se para o ctodo, enquanto que os eltrons vo para o nodo.

A difrao ocorre quando uma onda encontra uma srie de obstculos regularmente separados que (1) so
capazes de dispersar a onda e (2) possuem espaamentos comparveis em magnitude ao comprimento da
onda. Alm disso, a difrao uma conseqncia de relaes de fase especficas estabelecidas entre duas ou
mais ondas que foram dispersas pelos obstculos.A relao de fases entre as ondas dispersas que ir
depender da diferena entre os comprimentos das trajetrias , importante.Uma possibilidade resulta quando
essa diferena no comprimento da trajetria corresponde a um nmero inteiro de comprimento de onda.
Quando as amplitudes so somadas, tem-se a manifestao do fenmeno de difrao.
Os raios-X possuem elevada energia e comprimentos de onda da ordem de grandeza dos espaamentos
atmicos nos slidos. Quando um feixe de raios-X incide sobre um material slido , uma frao deste feixe se
dispersa , ou se espalha , em todas as direes pelos eltrons associados a cada tomo ou on que se
encontra na trajetria do feixe.
Considere os dois planos paralelos de tomos A-A e B-B que possuem os mesmos ndices de Miller h, k e l , e
que esto separados por um espaamento interplanar dhkl . Suponha um feixe de raios-X paralelo e em fase
com comprimento de onda esteja incidindo sobre esses dois planos de acordo com um ngulo . Dois
raios nesse feixe, chamados 1 e 2, so dispersos pelos tomos P e Q. Caso a diferena entre os
comprimentos das trajetrias entre 1-P-1 e 2-Q-2 seja igual a um nmero inteiro , n, de comprimento de onda ,
uma interferncia construtiva dos raios dispersos 1 e 2 tambm ir ocorrer em um ngulo de em relao
aos planos. Isto , a condio para difrao :
n = SQ + QT ; n = 2 dhkl sen( )
Assim, n representa a ordem de reflexo que pode ser qualquer nmero inteiro ( 1,2,3 ,....) que seja
consistente com o fato de que sen( ) no pode exceder 1. Dessa forma, tem-se uma expresso simples que
relaciona o comprimento de onda dos raios X e o espaamento interatmico ao ngulo do feixe difratado.Se a
lei de Bragg no for satisfeita , ento a interferncia ser de natureza no-construtiva , de modo que ir
produzir um feixe de difrao com intensidade muito baixa.
A distncia entre dois planos adjacentes e paralelos de tomos uma funo dos ndices de Miller ( h,k e l)
bem como dos parmetros de rede . Por exemplo, para estruturas cristalinas que possuem uma simetria
cbica,
dhkl = a / ( (h2 + k2 + l2 )1/2 )
onde a representa o parmetro de rede ( comprimento da aresta da clula unitria).
Mtodo do Debye-Scherer ( mtodo do p)
Neste mtodo, toma-se o cuidado de que a amostra no contenha um nico cristal , mas muitas centenas de
cristais orientadas ao acaso. A amostra um fino p metlico contido num tubo metlico ou arame metlico
policristalino.
A Figura mostra como so encontradas as reflexes na cmara. Um feixe monocromtico paralelo de raios-X ,
vindo da esquerda da figura , atinge o agregado cristalino. Como a amostra contm centenas de cristais
orientados ao acaso na regio atingida pelo feixe de raios X incidente , muitos deles tero planos {100}

formando um ngulo de 1130 com o feixe original. Contudo, como os cristais esto orientados ao acaso no
espao, as reflexes no saem numa mesma direo, mas sim ao longo da superfcie de um cone que forma
um ngulo de 23 com a direo original do feixe de raios X . As cmaras mais usadas no mtodo do p
empregam um longo filme que curvado de modo a formar um cilindro que envolva toda a amostra . Neste
filme , a distncia 2S entre dois segmentos circulares do cone {100} est relacionada com a abertura angular
do cone e, portanto, com o ngulo entre o plano refletor e o feixe incidente. Ento, o ngulo em radianos entre
a superfcie do cone e o feixe de raios X igual a S/R, onde R o raio do crculo formado pelo filme.
2 = S / R
O mtodo do p assim uma ferramenta importante para a determinao da estrutura cristalina dos materiais.
Espectrmetro de raios-X
O espectrmetro de raios X um dispositivo que mede a intensidade das reflexes de raios X produzidas por
um cristal, utilizando um aparelho eletrnico tal como um contador Geiger . O dispositivo montado de forma
que o cristal e o medidor de intensidade girem. O contador , entretanto, sempre se move com uma velocidade
angular duas vezes maior que a da amostra, o que o mantm sob ngulo adequado durante a rotao do
cristal, de forma a captar a reflexo de Bragg to logo ela ocorra. O medidor de intensidade refletido ligado
atravs de um sistema de amplificao de sinal apropriado a uma registrador grfico , obtendo-se um grfico ,
conforme mostrado na Figura.