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TRANSISTORES BIPOLARES

Antes de 1950 todo equipamento eletrnico utilizava vlvulas, aquelas com bulbo de
baixo brilho que em uma determinada poca dominaram nossa industria, por isso, os
equipamentos de vlvula exigiam uma fonte de alimentao robusta e criavam uma
boa quantidade de calor que constituam a mais para os projetistas.
Em 1951, Schocklley inventou o primeiro transistor de juno. Foi um desses
acontecimentos que mudaram todas as regras. O impacto do transistor na eletrnica foi
enorme, o transistor contribuiu para todas as invenes relacionadas como os circuitos
integrados, componentes optoeletronicos e microprocessadores.
ALGUMAS IDEIAS BASICAS
A figura 1 A mostra um cristal NPN. O emissor densamente dopado, sua funo
de emitir ou injetar eltrons na base. A base levemente dopada e muito fina, ela permite
que a maioria dos eltrons injetados pelo emissor passe para o coletor. O nvel de dopagem
do coletor intermedirio, entre a dopagem densa do emissor e a dopagem fraca da base.
O coletor a regio mais extensa das trs; ela deve dissipar mais calor que a base ou
emissor.
DIODOS COLETOR E EMISSOR
O transistor da figura 1 A tem duas junes, uma entre o emissor e a base; e outra
entre a base e o coletor; por causa disso o transistor se assemelha a dois diodos,
chamamos o diodo da esquerda de diodo emissor-base ou simplesmente diodo emissor. O
diodo da direita o diodo coletor- base ou diodo coletor.
emissor base
N
P

coletor
N

Figura 1 A

emissor base
P
N

coletor
P

figura 1 B

POLARIZANDO UM TRANSISTOR
Polarize diretamente o diodo emissor e inversamente o diodo coletor, e o inespeado
acontece. Na figura 2 A , esperamos uma grande corrente do emissor porque esta
polarizado diretamente, mas no esperamos uma corrente no coletor porque o diodo coletor
esta polarizado reversamente, apesar disso a corrente de coletor quase to grande quanto
a corrente do emissor.
Aqui apresentado uma rpida idia de se obter uma grande corrente de coletor na
figura 2 A . No instante em que a polarizao aplicada ao diodo emissor, os eltrons do
emissor ainda no penetraram na regio da base ( veja figura 2 b) se Vbe for maior que do
que o potencial da barreira ( 0,6 a 0,7V para transistores de silcio), muitos eltrons entram
do emissor penetram na regio da base, como mostra a figura 2 C. Esses eltrons na base
podem fluir em qualquer uma das duas direes, descendo pela fina e passando pelo
terminal externo da base, ou atravs da juno do coletor passando para a regio do
1

coletor. A componente para baixo da corrente da base chamada corrente de recombinao


porque a base pouco dopada contendo somente poucas lacunas.
Uma segunda idia , importante no funcionamento dos transistores que a base
muito fina ( veja figura 2C). A base esta repleta de eltrons injetados da banda de conduo,
produzindo a difuso para dentro da camada de depleo do coletor. Uma vez dentro dessa
camada, os eltrons livres so empurrados pelo campo da camada de depleo para dentro
da regio do coletor ( veja figura 2 D). esses eltrons do coletor podem ento fluir pelo
terminal externo do coletor como mostra a figura
Muitos eltrons
n

muitos eletrons
p

n
Poucos
eltrons

Veb

N
----------------------

N
P
------------------------------------------------Eltrons do emissor

Figura 2 A

Vcb

figura 2 b

figura 2 c

eltrons do coletor

figura 2 d

--------------------------------------------------------------------------------------------------

Exerccios
1-) Especifique trs aplicaes para o transistor?
2-)As trs sees do transistor so o ___________, _____________ e ____________
3-) os eltrons so portadores de carga tipo _____(P,N) e as lacunas so os portadores do
tipo _____(N,P)
4-) A seo do transistor bipolar que a maior e dissipa a maioria do calor ________
5-) A seo do transistor que possui maior dopagem o _______________
6-) A base de um transistor de juno bipolar NPN do material tipo ________ (N,P)
7-) O potencial de barreira de uma juno emissor base polarizada diretamente _______
volts para um transistor de silicio
8-) A corrente de coletor ________ vezes maior que a corrente de base.

ALFA cc
Isto quer dizer que mais de 95% dos eltrons atingem o coletor, o mesmo que dizer que a
corrente do coletor praticamente igual a corrente do emissor, e definido pela formula:
= Ic / Ie
BETA cc
Relacionamos a corrente de coletor, com a corrente de base definindo-se como beta CC de
um transistor da seguinte forma:
= Ic /Ib

O beta cc quase sempre maior que 20. Geralmente, ele se encontra entre 50 e 300, em
alguns transistores possuem um beta cc da ordem de 1000. em u outro sistema de analise,
chamado parmetros H , usa-se hfe em vez de beta para o ganho de corrente .

SIMBOLO ESQUEMATICO
A figura 3 A de um transistor bipolar NPN e na figura 3b seu smbolo esquemtico.
Na figura 3 c mostra a seo transversal de um transistor PNP e na figura 3 D seu smbolo
esquemtico.

Figura 3A

figura 3B

Figura 3C
figura 3D

CARACTERISTICAS DO TRANSISTOR
Uma maneira de se visualizar como
funciona um transistor atravs atravs dos
grficos que relacionam as correntes e tenses

de um transistor
Curvas de coletor
Voc pode obter dados para as curvas do coletor, como so mostradas abaixo
4

Curvas de base
A figura abaixo mostra um grfico da corrente de base versus a tenso de base emissor,
como a juno base emissor de um transistor um diodo, esperamos o grfico parea com
a curva de um diodoemissor comum.

LINHAS DE CARGA
Pode-se desenhar uma linha de carga nas curvas par dar uma viso melhor de como
o transistor opera:
O ponto onde a linha de carga intercepta IB =0 conhecido como corte, neste ponto
a corrente de base zero, e a corrente de coletor pequena ( s existe corrente de
fuga); numa melhor aproximao, a tenso coletor-emissor iguala-se ao extremo
inferior da linha de carga. ( Vce =Vcc)
A interseo da linha de carga e a curva IB chamada saturao, neste ponto a
corrente de coletor mxima ( Ic = Vcc / Rc)
A linha de carga nos, qual a faixa da tenso ativa de Vce de um transistor, em
outras palavras, o transistor funciona em qualquer ponto ao longo da linha de carga.
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Exemplo
Suponha a figura abaixo

Vce

Exemplo
No circuito abaixo determine graficamente os pontos de corte e saturao do transistor
Agora sendo Vcc= 6V
Rc= 150

ESPECIFICAES DO TRANSISTOR
Os transistores tem suas limitaes, as folhas de dados fornecem as especificaes
mximas porque fixam os limites das correntes, da tenso e de outras quantidades dos
transistores. Por exemplo 2N 3904
Vceo = 40 V
Vcbo = 60v
Ic = 200 mA
Pd = 310 mW

tenso do coletor para emissor quando a base esta aberta


tenso entre base coletor com emissor em aberto
a corrente mxima do coletor cc
especificao mxima do componente atravs de Vce . Ic

As limitaes de tenso, corrente e potencia podem vistas na curva caracterstica de sada


do transistor, na figura abaixo:

TRANSISTOR COMO CHAVE


A forma mais simples de se usar um transistor como chave, significando que
operamos na regio de saturao ou corte e em nenhum outro lugar ao longo da reta de
carga. Quando um transistor esta saturado como se houvesse uma chave fechada do
coletor para o emissor, quando o transistor esta no corte como se a chave estivesse
aberta.
Afigura 1 A mostra o circuito como analisado a figura 1 B a forma como
geralmente visto

figura 1 A

figura 1 B

Resolvendo tirar o valor de Ib temos:


Ib =

. Vbb - Vbe .
Rb

Por exemplo suponha que Vbb = 5V e Rb = 1 M, qual o valor de IB?

EXERCICIOS
1-) Um transistor tem uma Ie = 50mA e um = 50; calcule os valores de Ib?
2-) Qual a corrente de base para o circuito da figura 2 A ?
3-) Desenhe a reta de carga ( ou linha de carga ) da figura 1 A?
4-) Um transistor tem corrente de coletor de 10mA e uma tenso coletor emissor de 12V.
Qual a potencia dissipada/
5-) Um 2N 3904 tem uma especificao de potencia de 310mW. Se a tenso coletor
emissor for 10V, qual a mxima corrente que o transistor pode agentar?
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6-) desenhe a linha de carga para a figura 2B . Qual a corrente de saturao ? Qual a
tenso de corte?
7-) Qual a corrente de base na figura 2B ?
8-) Qual o valor da corrente de base na figura 2C? Qual a corrente de coletor? Qual a tenso
entre coletor emissor?

fig 2 A

fig 2 B

fig 2 C

9-) Na figura 2d determine. Dado =50


a)IBQ e ICQ
b) VCE
c)VB e VC
d) VBC
10-) na figura 2d qual a corrente de saturao?
11-) dada a reta de carga da figura 3 e o ponto Q definido , determine os valores de: Vcc,
Rc e Rb ?,

Vdd=12V
Ic

240k
RB
C1

Vcc =12V
2.2k
Rc

ent r ada
10uF

Ib

C2

Vce

Figura 2d

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Figura 3
12-)Dada a informao do circuito da figura 4 calcular: dado = 80
a) Ic
b) Rc
c) Rb
d) Vce

Vcc =12V

Ic

RB

Rc

Vc =6V
+
I b=40uA

Vce

Figura 4

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resp.
1-) Ib = 1mA
2-) Ib = 5A
3-)
4-) P= 120 mW
5-) Ic= 31 mA P = Vce . IC
6-) Ic = 5mA Vce = 10V
7-) 5 mA
8-) Ib = Vbb Vbe/ Rb = 5 0,7/4,7k = 0,91mA --- b) Ic = 5/470 = 10mA --c) Vce = 0
9-) Ib =47,08A, Ic= 2,35 mA, Vce 6,83V, Vb = Vbe = 0,7V, Vc = Vce = 6,83V .Vcb = Vb-Vc =
0,7 6,83 = -6,13
10-) Ic sat = 5,45 mA
11-) Vcc =20V; Ic= Vcc/Rc = 20/10 2K ; Ib = Vcc-Vbe/Rb = 20-0,7/25A= 772K
12-) Ic = Ib. = 40. 80 = 3,2mA, Vcc/Ic = 12/3,2m = 3,75K ; Rb = Vbb-vbe/ib= 120,7/40uA=____; Vc = vce = 6V

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TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE


A figura 1 A tem um resistor Re entre o emissor e o ponto comum. A corrente do
emissor passa pelo resistor, produzindo uma queda de tenso Ie.Re. Somando-se as
tenses ao longo da malha temos;
Vce + IeRe -Vcc + IcRc = 0

figura 1 A

figura 1B

Como a corrente do coletor iguala-se corrente do emissor podemos escrever a


equao anterior da seguinte forma:
Ic

Vcc - Vce
Rc + Re

A figura 1 B a forma comum de se encontrar um transistor como fonte de corrente,


dada uma tenso da base Vbb, voc pode estabelecer uma corrente fixa para o emissor
escolhendo um valor adequado para Re. Isto til porque o circuito relativamente imune
as variaes de . O uso de um resistor do emissor a base para valores firmes como uma
rocha da corrente de coletor, quanto maior re mais estvel a corrente do coletor
Exemplo
Calcule a corrente no LED, e desenhe a reta de carga na figura 2 A

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Ic

Vce

Como o emissor esta amarado dentro dos 0,7 V da tenso de 2 V, a tenso pelo
resistor de emissor Re de 1,3 V e a corrente de emissor vale aproximadamente:
Ie = 2 0,7 . = 13 mA
100
Observe que no inclumos a queda de tenso no LED nestes clculos porque o
transistor esta agindo como fonte de corrente e no como chave
EXERCICIOS
1-)desenhe a linha de carga para a figura 3 A Qual o valor de saturao d corrente de
emissor? Qual a tenso de corte
2-) Qual a mxima corrente possvel para o coletor na figura 3 B? Se Vbb = 2 V qual a
tenso do coletor ao terra?

figura 3 A

figura 3 B

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3-) Qual a IC na figura 3 C


4-) Qual o valor de Vbb e Vce, na figura 3 D dado Ie = 4 mA, VLED = 1,5 V

figura 3 C

figura 3 D

resp.
1- grfico
2- Ic = 9,1 mA Ie = Vbb vbe / Re = 2-0,7/180
= 7,3 mA
3- Ie = 2,3 m A
4- Vce = 4V , Vbb 4,7V V= 4 V

POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO


a polarizao mais usada em circuitos lineares. O nome divisor de tenso
provem do divisor de tenso formado por R1 e R2. A tenso R2 polariza diretamente o
diodo emissor. A figura abaixo mostra este tipo de polarizao.

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A polarizao por divisor de tenso por :


Vth = .

R2 . . Vcc
R1 + R2
A corrente do emissor dad por:
Ie = . Vth - Vbe .
Re

O circuito equivalente mostrado abaixo:


Rth dado por
Rth = R1 . R2 .
R1 + R2

Exemplo
Dado o circuito abaixo calcular reta de carga; Vth ( Vb); Ie, Vc, Ve e Vce

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Ic sat

Vce vvvV
(V)

RETA DE CARGA
Ic sat =

. Vcc
.=
Rc + Re

Vce = Vcc

.
30
. = 8 mA
3000 + 750

= 30V

Calculo de Vth (Vb)


Vth = . R2 . . Vcc
R1 + R2

1000
6800 + 750

. . 30 =

3,85 V

A corrente no emissor dada por


Ie = . Vth - Vbe . = . 3,85 - 0,7 . = 4,2 mA = Ic
Re
750
A tenso no coletor :
Vc = Vcc Rc . Ic = 30 3K . 4,2mA = 17,4 V
A tenso no emissor :
V = Vth Vbe = 3,85 0,7 = 3,15 V
A tenso coletor emissor dada por
Vce = Vcc ( Rc . Ie + Re . Ie ) ou Vce = Vc - V = 17,4 -3,15 = 14,3 V

Exerccios
1-) Na figura 1 A abaixo calcular : a reta de carga, Vc ,V, Vce, Vth
2-) Idem ao anterior
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figura 1 A

figura 1 B

3-) Para o circuito da figura 1C abaixo calcule o Vc par aos dois estgios

figura 1 C

4-) No circuito abaixo da figura 1d calcular Vb e Vc

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Vcc=15V
47Ohm_5%
Rc

12kOhm_5%
R1

Resp
Ic= 13,36ma Vb = 2,30V
Vc = 8,72V

2
1

220Ohm_5%
R2
3
12Ohm_5%
Re
0

figura 1d

5-) Suponha o circuito da figura 1d qual deve ser a causa para os seguintes defeitos?
Sintomas
a) Teso de base 0V.
b) tenso de base muito baixa e a tenso sobre o resistor de emissor igual a zero
c) As tenses de base e emissor so muito altas, com a tenso de coletor medindo um valor
muito baixo
d)tenso de base correta, a tenso do coletor igual a tenso da fonte do coletor e a
resistncia do emissor esta indicando um valor maior que o normal
e) tenso da base correta. A tenso do coletor igual tenso da fonte do coletor e a tenso
do emissor igual tenso da base
f) tenso da base correta., a tenso do coletor igual a tenso da fonte e a tenso de
emissor esta normal

Respostas
20

Possveis causas
a) resistor R1 aberto
b) curto o circuito do resistor de emissor
c) resistor de base esta em aberto
d) resistor de emissor em aberto
e) transistor danificado
f) curto circuito no resistor de coletor

Bibliografia
Eletrnica vol1
At Malvino ed Makron Books
Teoria e desenvolcvimento ded projetos e circuitos eletrnicos
At. Antonio Cipelli e Waldir sandrini ed. Erica
Dispositivos eletrnicos
At Boylestad Ed Pearson
www.almhpg.com/views/indice02_arquivos/03_transistor/transistores.htm
WWW.rabfis15.uco.es/.../transistorbipolar.html

//radiocom.kunsan.ac.kr/lecture/malvino/ch7_exam.htm -------livro malvino

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