CP 123835

Tese apresentada Pr-Reitoria de Ps-Graduao e Pesquisa do Instituto
Tecnolgico de Aeronutica, como parte dos requisitos para obteno do ttulo

de Mestre em Cincias no Programa de Ps-Graduao em Fsica, na rea de
Fsica Atmica e Molecular.
Kenya Aparecida Alves
CARACTERIZAO DE FOTODETECTORES DE
INFRAVERMELHO A POOS QUNTICOS
Tese aprovada em sua verso final pelos abaixo assinados:
Prof. Dr. Celso Massaki Hirata

Pr-Reitor de Ps-Graduao e Pesquisa
Campo Montenegro
So Jos dos Campos, SP Brasil
2009
Livros Grtis
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Milhares de livros grtis para download.
II
Dados Internacionais de Catalogao-na-Publicao (CIP)

Diviso de Informao e Documentao
Alves, Kenya Aparecida
Caracterizao de fotodetectores de infravermelho a poos qunticos.
So Jos dos Campos, 2009.
Nmero de folhas no formato 156 f.
Tese de mestrado Curso de Fsica e rea de Fsica Atmica e Molecular Instituto Tecnolgico de
Aeronutica, 2009. Orientador: Dr. Gustavo Soares Vieira.
1. Detector infravermelho. 2. Poos qunticos. 3. Caracterizao. I. Comando Geral de Tecnologia
Aeroespacial. Instituto Tecnolgico de Aeronutica. Diviso de Ensino Fundamental.
II. Ttulo: Caracterizao de fotodetectores de infravermelho a poos qunticos.
REFERNCIA BIBLIOGRFICA
ALVES, Kenya Aparecida. Caracterizao de fotodetectores de infravermelho a poos
qunticos. 2009. 156 f. Tese de Mestrado Instituto Tecnolgico de Aeronutica, So Jos
dos Campos.
CESSO DE DIREITOS
NOME DO AUTOR: Kenya Aparecida Alves
TTULO DO TRABALHO: Caracterizao de fotodetectores de infravermelho a poos qunticos.
TIPO DO TRABALHO/ANO: Tese de mestrado / 2009.
concedida ao Instituto Tecnolgico de Aeronutica permisso para reproduzir cpias desta

tese e para emprestar ou vender cpias somente para propsitos acadmicos e cientficos. O
autor reserva outros direitos de publicao e nenhuma parte desta tese pode ser reproduzida
sem a sua autorizao (do autor).
___________________________
Rua Padre Jos Dias, n 704 - Centro
33350-000 - So Jos da Lapa MG Brasil
III
CARACTERIZAO DE FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO

A POOS QUNTICOS.
Composio da Banca Examinadora:
Prof. Dr.
Lara Khl Teles
Presidente (ITA/CTA)
Prof. Dr.
Gustavo Soares Vieira
Orientador (IEAv/CTA)
Prof. Dr.
Nicolau Andr Silveira Rodrigues
Membro Interno (IEAv/CTA)
Prof. Dr.
Paulo Mostisuke
Membro Externo (INPE)
ITA
IV
Dedicatria
Dedico esse trabalho a minha me Luzia (in memorian) que me ensinou a acreditar e lutar
para realizar meus sonhos, ao pai Sebastio, que em um momento de perda superou as
dificuldades e demonstrou fora para me apoiar e incentivar na busca de novas realizaes e
a minha querida e amada irm Elanza, que sempre me apoiou e se privou da minha
companhia, concedendo-me a oportunidade de me realizar ainda mais.
Simplesmente amo vocs.
Agradecimento
Primeiramente, agradeo a Jesus Cristo, o autor e salvador da minha vida, por ter me dado
este presente.
Ao meu orientador Prof. Dr. Gustavo Soares, pelos ensinamentos, pela pacincia que teve
nesses dois anos de convivncia e pela oportunidade.
Ao Instituto de Estudos Avanados (IEAv), ao Instituto Tecnolgico de Aeronutica (ITA) e
ao Instituto de Pesquisas Espaciais (INPE) pelo apoio tcnico para realizao do presente
trabalho. Em particular ao pesquisador Ruy.
Aos professores do Departamento de Fsica, em especial aos professores Jayr e Marinho.
Aos funcionrios do Departamento de Fsica, da Secretria de Ps-Graduao e da Biblioteca
do ITA.
Aos meus colegas e amigos do Departamento de Fsica do ITA e IEAv Lvia, Mrcio
Eduardo, Fabrcio, Srgio, Lencio, Renata, Marcelo, Sheyse.
Aos meus amigos: Jaziel, pelas horas dedicada a nossa amizade; Fernanda, pela confiana e
confidencias; Ronaldo, pelo exemplo de tranqilidade e f; Carlinha, pelo exemplo de fibra e
conselhos; Emmanuela, pela presena em momentos chaves, pela confiana e (des)controle;
Juliana, pelo incentivo e pacincia de me ouvir. A amizade de vocs foi primordial para que
eu conseguisse chegar a esse ponto.
Agradeo em especial, a minha querida famlia, meu pai e minha irm, que mesmo distante
sempre esteve presente e perto nestes momentos.
Em especial agradeo ao Mrcio pelo amor demonstrado, apoio, incentivo e todo o carinho e
cuidado dedicados a mim.
Aos amigos que ficaram em Minas Gerais e torceram pelo sucesso do meu trabalho durante
esses dois anos.
VI
CAPES e ao Ministrio da Defesa, pela bolsa concedida, dentro do programa Pr-Defesa, e

FINEP pelo apoio financeiro s atividades de pesquisa
VII
Valeu a pena? Tudo vale a pena

Se a alma no pequena.
(Fernando Pessoa)
VIII
Resumo
Este trabalho apresenta a caracterizao eletro-ptica de fotodetectores para o infravermelho
operando nas janelas atmosfricas de ondas mdias e longas. Utilizou-se sensores QWIP
(Quantum Well Infrared Photodetector) baseados em estruturas semicondutoras de poos
qunticos mltiplos de GaAs/AlGaAs e InGaAs/AlInAs, utilizando transies intrabanda. As
estruturas semicondutoras foram crescidas pela tcnica de Epitaxia de Fase Vapor de
compostos Metalorgnicos (MOVPE). As amostras foram medidas na geometria de guia de
onda com incidncia da radiao a 45 pela borda do substrato. Os dispositivos foram
caracterizados quanto sua corrente de escuro e responsividade a 77K. A responsividade foi
determinada por dois mtodos: usando um simulador de corpo negro como padro de fonte
luminosa e por comparao com um detector comercial de resposta conhecida. A
responsividade de ambos os detectores foi determinada como uma funo da tenso aplicada.
O QWIP de Al0,27Ga0,73As/GaAs apresenta um pico de resposta em torno de p = 9,1 m e o
QWIP de In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As um pico de resposta em torno p = 4,1 m.
IX
Abstract
This work presents electro-optical characterization of infrared photodetector operation in the
mid-wave infrared (MWIR) and in the long-wave infrared (LWIR). The detectors measured
were QWIPs (Quantum Well Infrared Photodetectors) made of AlGaAs/GaAs and
AlInAs/InGaAs. These are infrared detectors based on intersubband transitions. The
semiconductor structures were grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE). The
samples were measured in a waveguide geometry with 450 incident radiation through the
substrate edge. The devices were characterized for their dark current and responsivity at 77K.
The responsivity was determined by two methods: using a cavity black body simulator as a
standard light source and by comparison with a detector of known responsivity. The
responsivity of both detectors were determined as function of the applied bias. The QWIP of
GaAs/Al0,27Ga0,73As obtained a peak response at p = 9,1 m and the QWIP of
In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As a peak response at p = 4,1 m.
Lista de Figuras
Figura 2.1 - Ilustrao do espectro eletromagntico com nfase na regio do infravermelho. 29

Figura 2.2 Classificao dos detectores infravermelho (IR). ................................................ 31
Figura 2.3 Ilustrao de termodetectores (a) piroeltrico (b) termopilha (c) bolmetro....... 32
Figura 2.4 - Esquema ilustrativo de um detector fotoemissivo. ............................................... 34
Figura 2.5 Esquema ilustrativo de funcionamento de um detector fotovoltaico. .................. 34
Figura 2.6 Diagrama de energia representando o processo de absoro no fotodiodo. ........ 35
Figura 2.7 Esquema de operao de um fotocondutor. ......................................................... 35
Figura 2.8 Diagrama de banda de energia de um fotocondutor intrnseco............................ 36
Figura 2.9 Diagrama de bandas de energia esquemtico de um poo quntico. A absoro
intrabanda pode ocorrer entre os nveis de energia de um poo quntico associados com a
banda de conduo quando a dopagem do tipo n (E1E2) ou de valncia (H1H2) quando a
dopagem do tipo p. ................................................................................................................ 37
Figura 2.10 (a) Crescimento de uma heteroestrutura de MQW de AlGaAs/GaAs. (b)
Diagrama de energia da banda de conduo da estrutura de QWIP de MQW AlGaAs/GaAs
apresentado o processo de fotocorrente.................................................................................... 39
Figura 2.11 - Cmeras QWIP comercializadas. ....................................................................... 41
Figura 2.12 (a) Rosto de uma pessoa com cncer de pele no nariz, a ponta do nariz est mais
quente do que os tecidos vizinhos devido angiognese de um cncer de pele; (b) Rosto de
uma pessoa que no tem cncer de pele no nariz, normalmente o nariz e as orelhas so mais
frios em relao s outras partes da face. ................................................................................. 43
Figura 2.13 (a) Imagem no visvel de um tumor cerebral. (b) Imagem no infravermelho
discriminando os tecidos saudveis dos mortos. ...................................................................... 44
Figura 2.14 Variao de temperatura nas mos e nos cotovelos de um paciente com
hansenase detectado por uma cmera de QWIP...................................................................... 44
Figura 2.15 - Comparao entre duas imagens de uma rea incendiada, feitas noite, uma
com uma cmera CCD no visvel de alta sensibilidade (a) e outra feita com uma cmera
QWIP no infravermelho distante (b). ....................................................................................... 45
Figura 2.16 - Comparao das imagens do Vulco Kilauea, no Hava, uma feita com uma
cmera CCD no visvel de alta sensibilidade (a) e outra com cmera de QWIP no
infravermelho distante. ............................................................................................................. 46
Figura 2.17 - Imagem do mssil Delta II obtida por uma cmera QWIP durante o lanamento.
.................................................................................................................................................. 47
Figura 2.18 - Espectro de radiao de corpo negro para varias temperatura............................ 48
Figura 2.19 - O espectro do rudo 1/f de uma FPA de QWIP de 256 x 256 pixels em 8 9
m.(1 ADU = 430 eltrons). O grfico mostra claramente que os QWIPs apresentam um rudo
1/f desprezvel abaixo de 30 mHz, portanto, os QWIP podem ser usados em instrumentao
onde o tempo de interao seja maior. Isso causa um aumentando na capacidade de frame... 49
XI
Figura 2.20 - Comparao de imagens no infravermelho prximo (NWIR) da Nebulosa de

rion (a) Imagem feita com uma cmera planetria do Telescpio Hubble. (b) imagem feita
com uma QWICPIC com imageamento de 8,5 m (LWIR) no foco principal do Telescpio
Hale. Neste caso possvel notar regies de maior aquecimento da estrela. ........................... 50
Figura 3.1 Emitncia espectral no semi-hemisfrico com simetria circular.......................... 53
Figura 3.2 Emitncia Espectral radiante de um corpo negro em funo do comprimento de
onda para vrias temperaturas (a) e (b) emitncia espectral radiante em escala logartmica... 54
Figura 3.3 Emitncia Espectral M(T,) de um corpo negro a diferentes temperatura
demonstrando a Lei de Deslocamento de Wien. ...................................................................... 55
Figura 3.4 - Emitncia entre 3-5 m e 8-10 m em funo da temperatura............................. 57
Figura 3.5 Transferncia de fluxo.......................................................................................... 58
Figura 3.6 Corpo representado as trs interaes possveis de ocorrer: a absoro, a reflexo
e a transmisso.......................................................................................................................... 60
Figura 3.7 - Representao de uma cavidade de corpo negro .................................................. 63
Figura 3.8 - Emitncia radiante espectral dos trs tipos de fontes de radiao. ....................... 64
Figura 3.9 Emissividade espectral em funo do comprimento de onda das trs fontes de
radiao..................................................................................................................................... 65
Figura 3.10 Espectro de Transmisso no Infravermelho da Atmosfera. ............................... 66
Fonte: Adaptada de Hudson, p. 115 [1].................................................................................... 66
Figura 3.11 - Confinamento das heteroestruturas em relao dimensionalidade, (a) o
semicondutor volumtrico - 3D, (b) um poo quntico 2D, (c) o fio quntico 1D e (d) o
ponto-quntico 0D e as respectivas densidades de estados que portadores de carga podem
apresentar.................................................................................................................................. 70
Figura 3.12 Representao do gap de energia e constante de rede de vrios semicondutores
volumtricos a uma temperatura de 4,2 K................................................................................ 71
Figura 3.13 Esquema de acoplamento de luz para estruturas QWIP de GaAs/AlGaAs: (a) a
luz incidente normal a uma face polida com um ngulo de 45o em relao aos poos
qunticos. (b) uma grade de difrao usada para refletir a luz vinda atravs do substrato. ..... 73
Figura 3.14 Diagrama de bandas de conduo para um QWIP B-B que mostra a
fotocondutividade produzida pela transio intrabanda e o tunelamento para fora do poo. .. 76
Figura 3.15 - Diagrama de bandas de conduo para um QWIP B-C, mostrando a
fotoexcitao e o processo de transporte de eltrons quentes. ................................................. 77
Figura 3.16 Comparao da corrente de escuro de dois QWIPs XIR, um B-C e outro B-Q,
em funo da polarizao em T = 45K. Pode-se observar a significativa reduo da corrente
de escuro para o detector com transio para o estado quase ligado........................................ 79
Figura 3.17 - Diagrama de bandas de conduo em um QWIP de banda larga sob a aplicao
de um campo eltrico externo................................................................................................... 80
Figura 3.19 Parmetros e diagrama de banda de conduo de um QWIP BM-BM.............. 82
Figura 3.20 Diagrama da banda de conduo de uma estrutura BC-CM. ............................. 83
Figura 3.21 Diagrama da banda de conduo da estrutura de QWIP B-M. ........................... 84
Figura 3.22 Diagrama da banda de conduo para estruturas de QWIP B-M de passo........ 84
XII
Figura 3.23 Geometria do detector sob a incidncia de radiao infravermelha. ................. 85

Figura 3.24 Representao dos mecanismos de gerao de fotocorrente.............................. 89
Figura 3.25 - Trs mecanismos de gerao da corrente de escuro em um fotodetector QW: (1)
tunelamento do estado fundamental, (2) tunelamento assistido termicamente e (3) emisso
terminica. ................................................................................................................................ 94
Figura 3.26 Esquema representando as estruturas de mltiplos poos qunticos sem tenso
de polarizao (a) e quando aplicada a tenso de polarizao (b)............................................ 94
Figura 4.1 Estrutura de processamento das amostras. ......................................................... 102
Figura 4.2 Estrutura semicondutoras crescidas no LabSem (a) AMOSTRA I de QWIP de
MQW Al0,27Ga0,73As/GaAs e (b) AMOSTRA II de QWIP de MQW
In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As. ................................................................................................... 102
Figura 4.3 Demonstrao do encapsulamento realizado na amostra de QWIP................... 103
Figura 4.4 Esquema de conexes da Amostra I e identificao dos dispositivos
caracterizados. ........................................................................................................................ 104
Figura 4.5 Amostra II de In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As fixa no suporte................................ 104
Figura 4.6 Esquema das conexes da Amostra II e identificao do dispositivo
caracterizado........................................................................................................................... 105
Figura 4.7 Caixa metlica para blindagem da radiao infravermelha de fundo nas Amostras
de QWIP. ................................................................................................................................ 106
Figura 4.8 Montagem experimental de um sistema de caracterizao eltrica de corrente por
tenso (IxV) em laboratrio do IEAv. .................................................................................... 106
Figura 4.10 - Ilustrao da lmina reticulada de um modulador mecnico............................ 109
Figura 4.11 Laboratrio de Sensores do INPE usado para medidas de responsividade dos
fotodetectores. ........................................................................................................................ 111
Figura 4.12 Diagrama em blocos do arranjo experimental utilizado em laboratrio para
medidas de responsividade espectral...................................................................................... 114
Figura 4.13 Laboratrio de LaRaC do IEAv para medidas de responsividade espectral dos
fotodetectores. ........................................................................................................................ 115
Figura 4.14 (a) Curva Tpica do espectro de irradiao de um corpo negro a 1050K, de um
Globar Oriel M-6363 com 0,1 cm2 de rea, para uma distncia de 0,5 m e (b) emissividade de
um Globar Oriel M-6363. . (dados traduzidos do Manual) para alimentao da lmpada com
potncia mxima..................................................................................................................... 115
Figura 4.15 Interface do programa de controle dos equipamentos para medidas de
responsividade espectral, em LabView. ................................................................................. 117
Figura 4.16 Criostato de nitrognio liquido com janela de BaF2. ........................................ 118
Figura 4.17 Criostato refrigerado por nitrognio lquido com janela de ZnSe.................... 119
Figura 4.18 Espectro de transmisso na regio do infravermelho para a janela de BaF2
medido por FTIR no INPE. .................................................................................................... 119
Figura 4.19 Espectro de transmisso na regio do infravermelho para a janela de ZnSe de 3
mm de espessura medido por FTIR no INPE. ........................................................................ 120
Figura 4.20 Grfico da medida de corrente de escuro nos trs dispositivos da Amostra I em
XIII
funo da tenso de polarizao. ............................................................................................ 122

Figura 4.21 Densidade de corrente de escuro da mesa A da Amostra I em funo da tenso
de polarizao, demonstrando a assimetria das curvas........................................................... 123
Figura 4.22 Grfico da medida de corrente de escuro em funo da tenso de polarizao do
dispositivo da Amostra II, In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As. ........................................................ 124
Figura 4.23 - Densidade de corrente de escuro da amostra II em funo da tenso de
polarizao, demonstrando a simetria das curvas................................................................... 125
Figura 4.24 Grfico da tenso de sada do detector de referncia J15D16 em funo da
abertura do corpo negro com os dados medidos no aparato do Laboratrio de Sensores do
INPE e o fornecido pelo fabricante ........................................................................................ 126
Figura 4.25 Grfico da Umidade Relativa do ar em funo do tempo................................ 127
Figura 4.26 Fotocorrente da mesa A da Amostra I em funo da distncia (d) com purga.128
Figura 4.27 Grfico de Isd2 da mesa A da Amostra I em funo da distncia (d) com purga
................................................................................................................................................ 129
Figura 4.28 Fotocorrente da mesa A da Amostra I em funo da distncia (d) sem purga.. 130
Figura 4.29 - ln (Ipd2) da mesa A da Amostra I em funo da distancia (d) sem purga......... 132
Figura 4.30 - Espectro de Resposta Relativa da Amostra I com tenso de polarizao de - 6,0
V e -5,0 V, obtido por FTIR na PUC-Rio. ............................................................................. 133
Figura 4.31 Espectro da Resposta Relativa a 1,0 V da amostra II obtido por FTIR na PUCRio. ......................................................................................................................................... 134
Figura 4.32 Pico de Responsividade em funo da tenso de polarizao da amostra I (a)
para a mesa A (b) mesa B e (c) mesa C.................................................................................. 137
Figura 4.33 Pico de Responsividade da Amotra I em funo da tenso de polarizao. .... 139
Figura 4.34 Grfico do Pico da Responsividade da Amostra II em funo da tenso de
polarizao e para trs valores distintos de abertura do corpo negro. .................................... 141
Figura 4.35 Curva de resposta do detector obtida no LaRaC IEAv com purga e sem purga.
................................................................................................................................................ 143
Figura 4.36 Funo de Transferncia do monocromador em funo do comprimento de
onda. ....................................................................................................................................... 144
Figura 4.37 Espectro da Densidade de Potncia em funo do comprimento de onda obtido
atravs do detector de referncia. ........................................................................................... 145
Figura 4.38 - Espectro de fotocorrente para uma tenso de polarizao negativa. ................ 146
Figura 4.39 - Espectro de fotocorrente para uma tenso de polarizao positiva. ................. 146
Figura 4.40 Grfico do Responsividade Espectral da Amostra II para uma tenso de
polarizao negativa. .............................................................................................................. 148
polarizao positiva. ............................................................................................................... 148
Figura 4.42 Grfico do Pico de Responsividade calculado usando dois mtodos distintos.
................................................................................................................................................ 150
XIV
XV
Lista de Tabelas
Tabela 2.1 - Classificao da faixa do infravermelho. ............................................................. 30

Tabela 2.2 - Classificao da radiao infravermelha adotada. ............................................... 30
Tabela 4.1 Valores do fator de transferncia Fm do modulador mecnico para um valor
especifico de . ....................................................................................................................... 110
Tabela 4.2 Valores do fator de transferncia Fm do modulador mecnico para um valor de
abertura do corpo negro (CN)................................................................................................. 110
Tabela 4.3 Pico de Responsividade da Amostra I para a abertura do corpo negro de 0,6
polegadas. ............................................................................................................................... 135
polegadas. ............................................................................................................................... 135
polegadas. ............................................................................................................................... 136
Tabela 4.6 Pico de Responsividade da Amostra I. .............................................................. 138
Tabela 4.7 Pico de Responsividade da Amostra II para vrias tenses de polarizao e
abertura do corpo negro.......................................................................................................... 140
Tabela 4.8 Valor do pico de Responsividade da Amostra II para vrias tenses de
polarizao.............................................................................................................................. 142
Tabela 4.9 Pico de Responsividade obtido usando os dois mtodos descritos.................... 149
XVI
Lista de Smbolos
Eg energia do gap
h constante de Planck
c velocidade da luz
comprimento de onda
freqncia
constante reduzida de Planck
m* - massa efetiva
Lw largura do poo quntico
n nmero inteiro
T - temperatura
L(,T) radincia espectral
Le(,T) radincia espectral, parmetro da radiometria
Lq(,T) radincia espectral, parmetro da quntica
k constante de Boltzmann
M(T,) emitncia espectral em um cone de meio ngulo ()
M(,T) emitncia espectral radiante
M(T) emitncia radiante total do corpo negro
constante de Stefan-Boltzmann
Ad rea do detector
As rea da fonte
d distncia do detector a fonte de radiao
fluxo radiante
ngulo slido
d ngulo do detector com a normal a superfcie
XVII
s ngulo da fonte de radiao com a normal a superficie

d ngulo slido da fonte de radiao sobre o detector
I0() intensidade da radiao incidente
Ir() intensidade da radiao refletida
r() refletncia
Ia() intensidade da radiao absorvida pelo material
a() absortncia
It() intensidade da radiao transmitida
x espessura do material
() coeficiente de absoro ptico
It() intensidade da radiao transmitida
T() - transmitncia
() emissividade espectral
M CN ( ) - emitncia radiante de um corpo negro
DB comprimento de onda de De Broglie
p momento dos portadores de carga
g(E) densidade de estados
r
(r ) - funo de onda
r
V (r ) - potencial eltrico
n (z ) - funo de onda na direo z

( x, y ) - funo de onda na direo x-y
r
k - vetor de onda no plano x-y
A - constante de normalizao da funo de onda no plano x-y
L espessura do detector
s fluxo ptico incidente sobre a superfcie do fotodetector
XVIII
(z ) - intensidade do fluxo penetrante no detector
G(z) taxa de gerao de cargas fotoexcitadas por unidade de volume

P(z) densidade de cargas fotogeradas
tempo de vida de recombinao dos eltrons
P - densidade mdia dos fotoeltrons
- eficincia quntica total
q carga eltrica
Ip fotocorrente total
- velocidade de deriva das cargas fotoexcitadas
e velocidade de deriva dos eltrons
e carga eltrica do eltron
g - ganho fotocondutivo
Pc probabilidade de captura do poo quntico
N nmero de poos qunticos na estrutura de Mltiplos Poos Qunticos
ip fotocorrente emitida por um nico poo quntico
w - eficincia quntica de um nico poo quntico
p - pico do coeficiente de absoro
/ - largura da banda de absoro
ND - densidade de dopagem no poo
e() - potncia de radiao espectral incidente no detector
Vs sinal de tenso
Is sinal de corrente
Ps potncia ptica incidente
R responsividade
ID(V) corrente de escuro
XIX
n*(V) - nmero efetivo de eltrons termicamente excitado

In - corrente de rudo
D detectividade
f - largura de banda de rudo (freqncia)
D* - detectividade normalizada
H densidade de potencia de radiao incidente
Ij corrente de rudo Johnson
- resistncia do detector
d - intervalo de tempo da medida
IGR corrente de rudo de gerao-recombinao (G-R)
gn - ganho do rudo
inb rudo de corrente de fundo
ind rudo da corrente de escuro
b - potncia de radiao incidente de fundo
- fator de correo de polarizao
Ib corrente de fundo detectada
Fm - fator de transferncia do modulador mecnico
As - rea de abertura da cavidade do corpo negro
TJ - fator de transmisso da janela ptica do criostato
d - distncia entre a abertura do corpo negro e o detector
a - ngulo de abertura do corpo negro
t - ngulo de abertura da retcula do chopper
Da dimetro da abertura do corpo negro
Dc dimetro da abertura do chopper
R() responsividade espectral
XX
s() espectro de resposta normalizado
R p0 - pico de responsividade do detector

() coeficiente de extino
XXI
Sumrio
Dedicatria ...............................................................................................................................IV
Agradecimento .......................................................................................................................... V
Resumo .................................................................................................................................. VIII
Abstract.....................................................................................................................................IX
Lista de Figuras ......................................................................................................................... X
Lista de Tabelas...................................................................................................................... XV
Lista de Smbolos ..................................................................................................................XVI
Sumrio..................................................................................................................................XXI
1.Introduo.................................................................................................................. 23
2.Radiao Infravermelha e Detectores........................................................................ 27
2.1.Histrico dos detectores de infravermelho ......................................................... 27
2.2.Subdiviso do Infravermelho.............................................................................. 29
2.3.Detector de Radiao Infravermelha .................................................................. 31
2.4.Aplicaes de Detectores de Infravermelho....................................................... 39
3.Base Terica .............................................................................................................. 51
3.1.Radiao de Corpo Negro e Transferncia de Fluxo.......................................... 51
3.1.1.Leis da Radiao.......................................................................................... 51
3.1.2.Alguns conceitos fsicos .............................................................................. 59
3.1.3.Transmisso Atmosfrica ............................................................................ 65
3.1.4.Fontes artificiais de Radiao Infravermelha .............................................. 66
3.2.Fotodetectores de Infravermelho a Poos Qunticos ......................................... 68
3.2.1.Desenvolvimento Histrico dos QWIP ....................................................... 68
3.2.2.Heteroestruturas........................................................................................... 69
XXII
3.2.3.Confinamento Quntico............................................................................... 69
3.2.4.Breve Descrio das Transies Intersubbanda (ISBT) .............................. 72
3.2.5.Tipos de QWIPs .......................................................................................... 75
3.2.6.Figuras de Mrito ........................................................................................ 84
3.2.6.1.Ganho de Fotocondutividade e Fotocorrente........................................ 85
3.2.6.2.Espectro de absoro ............................................................................ 91
3.2.6.3.Responsividade..................................................................................... 91
3.2.7.Corrente de Escuro ...................................................................................... 93
3.2.8.Detectividade ............................................................................................... 95
4.Procedimento Experimental .................................................................................... 101
4.1.Descrio das Amostras.................................................................................... 101
4.2.Caracterizao do sistema QWIP ..................................................................... 105
4.2.1.Caracterizao Corrente de Escuro (IxV) .................................................. 105
4.2.2.Caracterizao da Responsividade ............................................................ 107
4.2.2.1. Responsividade Integral ..................................................................... 107
4.2.2.2. Responsividade Espectral ................................................................... 113
4.3.Resultados e Discusses ................................................................................... 121
4.3.1.Caracterizao IxV..................................................................................... 121
4.3.2.Caracterizao da Responsividade ............................................................ 125
5.Concluses e Trabalhos Futuros.............................................................................. 152
Referncia Bibliogrfica......................................................................................................... 153
23
1. Introduo
Mtodos para deteco de radiao infravermelha tm sido investigados h mais de

200 anos, desde que o astrnomo William Herschel descobriu, em 1800, o que hoje
chamado de radiao infravermelha do espectro [1].
Um objeto temperatura ambiente irradia a maior parte de sua energia na faixa do
infravermelho e, portanto, a observao de objetos e atividades terrestres sem reflexo de luz,
a radiao infravermelha um dos mais importantes aspectos a serem monitorados [2].
Os detectores de infravermelho (IR) so componentes chaves em dispositivos usados, por
exemplo, no sensoriamento remoto, em diagnsticos na medicina, no monitoramento
ambiental, em segurana do trfego areo e em sistemas de comunicaes no espao livre. O
uso de detectores de infravermelho em aplicaes militares tambm importantssimo e o uso
desses detectores est presente em equipamentos para viso noturna, guiamento de msseis e
localizao de minas dentre outros [1].
Atualmente no Brasil, existe um grande interesse pelo domnio da tecnologia de
desenvolvimento de detectores de infravermelho para o uso em aplicaes civis e militares
sujeitas a rgidas restries de importao.
Comercialmente existem dois tipos distintos de detectores, os trmicos e os
fotodetectores. Os detectores trmicos operam convertendo radiao infravermelha em calor,
que produz o aumento da temperatura do material do detector, induzindo alguma mudana nas
propriedades que possa ser medida. Nos fotodetectores, os ftons absorvidos geram cargas
fotoexcitadas passveis de serem medidas diretamente [1], [3].
A fotocondutividade de um semicondutor um ramo clssico da Fsica e seus
princpios fsicos tm sido amplamente estudados, tornando-se estruturas e princpios fsicos
24
dos detectores bem estabelecidos. Portanto, a melhoria no desempenho do detector

normalmente depende mais da otimizao da qualidade do material que do projeto do
detector. Isso particularmente verdadeiro para detectores de materiais mais complexos,
como HgCdTe [2].
Atualmente, a tecnologia dominante dos detectores de infravermelho a dos
detectores fabricados com HgCdTe, apesar de apresentarem excelente capacidade de
deteco, estes detectores apresentam srias limitaes devido instabilidade e no
uniformidade em determinados comprimentos de onda, gerando srios problemas para a
obteno de matrizes de sensores homogneas, alm de ter um alto custo [3], [4].
A situao diferente para fotodetectores de infravermelho de poos qunticos (QWIP
Quantum Well Infrared Photodetector). Essa alternativa tecnolgica surgiu a partir do final
da dcada de 80, nesses detectores a absoro de infravermelho ocorre via transies pticas
dentro de uma nica banda de energia (transies intrabanda) e no dependente diretamente
da largura da banda proibida (banda de gap, Eg) do material semicondutor volumtrico (bulk)
do detector [2], [4].
Baseado neste novo conceito de detector, um material semicondutor pode ser usado
para detectar uma radiao com energia muito menor do que seria possvel pela separao
entre a banda de valncia e de conduo. As energias de transies so determinadas pelos
nveis de energia em cada poo quntico, e pode ser sintonizado atravs da modificao da
sua estrutura. Dessa forma, a escolha do material detector se torna muito mais ampla, e na
maioria dos casos, o material convencional pode ser substitudo por um sistema de materiais
mais conhecido e com melhor desempenho. Estes detectores, na maioria das vezes, envolvem
a utilizao de compostos da famlia III-V, cujas tecnologias de produo e processamento
apresentam alto grau de maturidade. Um bom exemplo o sistema composto de AlxGa1xAs/GaAs,
visto que a tecnologia do GaAs est bem estabelecida, o desempenho do detector
25
no se limita pela qualidade do material, mas pelas propriedades optoeletrnicas intrnsecas

do QWIP [2], [4].
Alm disso, apresentam facilidade de obteno de matrizes relativamente grandes de
sensores com excelente homogeneidade, possuem alta capacidade de deteco, capacidade
multiespectral e podem ser produzidos para operar na janela atmosfrica de 3 a 5 m
(MWIR), na janela atmosfrica de 8 a 12 m (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda
maiores (VLWIR). Os QWIPs possuem ainda baixa dissipao trmica e facilidade de
integrao com os pr-amplificadores de leitura. Estes detectores entraram em fase comercial
com excelentes resultados no final dos anos 90 e incio dos 2000 [4].
O desenvolvimento de detectores de infravermelho efetuado na Diviso de Fsica
Aplicada (EFA) do Instituto de Estudos Avanados (IEAv), abrange os QWIPs, os QDIPs
(Quantum Dot Infrared Photodetectors) e sensores convencionais (transies interbandas) de
InGaAs. Esse desenvolvimento vem sendo realizado em parceria com outras instituies de
ensino e pesquisa do Brasil, a saber: Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG),
Universidade Federal do Rio de Janeiro (UFRJ), Pontifcia Universidade Catlica do Rio de
Janeiro (PUC-RIO), Universidade Federal de So Carlos (UFSCar), Instituto Nacional de
Pesquisas Espaciais (INPE) e Universidade de So Paulo.
Esta parceria j gerou detectores QWIPs e QDIPs, com picos de resposta tanto na
janela atmosfrica de 3 a 5 m quanto na janela atmosfrica de 8 a 12 m. A primeira janela
de interesse tanto para sensoriamento remoto quanto para msseis de interceptao. Para
aplicaes em msseis de interceptao, a resposta espectral estreita possvel com os sensores
de infravermelho a poos qunticos vantajosa, pois reduz a sensibilidade do mssil a falsos
alvos naturais gerados pela reflexo do Sol. A segunda janela ptica corresponde ao chamado
infravermelho termal, ou seja, dentre outras aplicaes, a faixa de frequncias mais til para
imagens com resoluo trmica de corpos com temperatura prxima temperatura ambiente.
26
Neste trabalho de mestrado apresentamos detalhamento da caracterizao eletro-ptica

de detectores QWIP de Al0,27Ga0,73As/GaAs crescidos no Laboratrio LabSem na PUC-RIO
por Epitaxia de Fase Vapor de Metalorgnico (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
MOVPE) sobre um substrato de arseneto de glio (GaAs) e detectores QWIP de
In0,53Ga0,47As/Al10,52In0,48As sobre um substrato de fosfeto de ndio (InP) tambm crescido por
MOVPE. Os QWIPs tipo mesa foram fabricados por tcnicas de litografia convencionais.
Estes detectores foram caracterizados com a medio de variao da corrente com tenso
aplicada. Utilizou-se um analisador de parmetros de semicondutores para tais medidas e
foram feitas medies da responsividade espectral e integral.
Foram efetuadas medidas tanto visando o aprimoramento do desempenho dos
dispositivos como um aperfeioamento do aparato usado para caracterizao.
27
2. Radiao Infravermelha e Detectores
Neste captulo so abordados alguns dos diversos tipos de detectores de infravermelho

e suas aplicaes enfatizando os detectores de infravermelho a poos qunticos que sero
apresentados ao longo deste trabalho.
Inicialmente, uma seo apresenta o resumo histrico do desenvolvimento dos
detectores de infravermelho e aborda alguns dos fatos mais relevantes que ocorreram durante
o desenvolvimento desses detectores.
A seguir, uma segunda seo dedica-se a apresentar as subdivises do infravermelho,
em especial diviso adotada neste trabalho. Segue-se ento uma seo destinada
apresentao dos principais tipos de detectores de infravermelho. Finalizando o captulo,
abordam-se as principais aplicaes dos detectores, enfatizando aplicaes dos QWIPs.
2.1. Histrico dos detectores de infravermelho
Em abril de 1800, o astrnomo ingls Sir. William Herschel (1738 1822) construiu
um monocromador utilizando um prisma para decompor a luz solar e termmetros de
mercrio com bulbos negros como detector e mediu a distribuio de energia da luz solar,
percebendo um considervel aumento de temperatura na regio escura que se estende alm do
extremo vermelho do espectro. Herschel denominou essa radiao de raios invisveis e
calor escuro; assim foi descoberta a radiao infravermelha, nomeada dessa forma dcadas
depois [1].
Em 1829, Leopoldo Nobili (1784 - 1835) desenvolveu o primeiro termopar, sensor
trmico de contato formado pela juno de dois metais distintos baseado no efeito
termoeltrico descoberto em 1821 por Thomas Johann Seebeck (1770 - 1831). E em 1833,
28
Melloni construiu a primeira termopilha conectando vrios termopares em srie [1].

Langley, em 1880, desenvolveu o primeiro bolmetro usando duas fitas de platina
conectadas de maneira a comporem dois braos de uma ponte de Wheatstone. Langley
continuou desenvolvendo seu sensor por mais vinte anos, alcanando uma sensitividade 400
vezes maior que a do primeiro, podendo detectar o calor emitido por uma vaca a uma
distncia de 350 metros [1].
Durante a I Guerra Mundial ocorreu um avano relacionado aos detectores, onde
equipamentos de deteco de inimigos eram considerados de grande interesse. Neste perodo,
Theodore W. Case, em 1917, desenvolveu o primeiro fotodetector sensvel radiao
infravermelha superando os sensores de infravermelho comercializados neste perodo [1].
O perodo da Segunda Guerra Mundial marca o surgimento da tecnologia moderna de
detectores de infravermelho e os anos de Guerra Fria que sucederam, juntamente com o
desenvolvimento dos materiais semicondutores e da tecnologia de integrao de circuitos,
promoveram um grande avano na produo de detectores de infravermelho [5].
Pode-se dizer que o desenvolvimento tecnolgico nesta rea sempre esteve associado
primeiramente a aplicaes militares. E a necessidade de observar alvos em terra noite e
gerar imagens no infravermelho deu origem a detectores e sistemas de deteco cada vez mais
avanados. Todo esse avano possibilitou a obteno de melhores equipamentos e
dispositivos no s para o uso militar, mas tambm industrial e cientfico [5].
Atualmente um dos desafios das pesquisas na rea de desenvolvimento de detectores
de infravermelho tm sido melhorar o desempenho do detector de radiao infravermelha para
um comprimento de onda particular devido diversidade das aplicaes [2].
29
2.2. Subdiviso do Infravermelho
Esta seo destina-se a apresentar algumas das divises do espectro eletromagntico

na regio do infravermelho, seguindo-se uma apresentao da diviso adotada neste trabalho.
No espectro eletromagntico, a radiao infravermelha est localizada entre a regio
de radiao visvel e a regio de radiao de microondas e abrange comprimentos de onda que
vo desde 0,7 m at 1000 m, conforme a Figura 2.1 [1].
Figura 2.1 - Ilustrao do espectro eletromagntico com nfase na regio do infravermelho.
30
A regio do infravermelho no espectro pode ser dividida em subregies e para esta

subdiviso no existe um consenso entre os autores ou uma norma internacional
regulamentado esta nomeclatura, o que causa variaes da mesma na literatura relacionada ao
assunto.
Segundo a ABNT (2006) [6], adota-se uma classificao da faixa do infravermelho em
cinco subdiviso de comprimento de onda, como descritas pela Tabela 2.1.
Tabela 2.1 - Classificao da faixa do infravermelho.

Faixa
Comprimento de onda (m)
Infravermelho muito prximo
0,78 1,1
Infravermelho prximo
1,1 3,0
Infravermelho mdio
3,0 6,0
Infravermelho distante
6,0 15,0
Infravermelho muito distante
15,0 1000,0
Fonte: ABNT, [6].
A subdiviso mais comumente encontrada na literatura internacional atualmente, e

usada neste trabalho, apresentada na Tabela 2.2.
Tabela 2.2 - Classificao da radiao infravermelha adotada.

Nomeclatura
Designao
Abreviao
Near Infrared
Short-wave Infrared
Mid-Wave Infrared
Long-Wave Infrared
Very-Long Wave Infrared
Infravermelho Prximo
Infravermelho de Onda Curta
Infravermelho Mdio
Infravermelho Distante
Infravermelho muito Distante
Fonte: Byrnes, [7].
NIR
SWIR
MWIR
LWIR
VLWIR
Comprimento
de onda (m)
0,7 1,0
1,0 3,0
3,0 5,0
8,0 12,0
12,0 30,0
Esta subdiviso est relacionada resposta dos detectores de infravermelho, por

exemplo, detectores usados em telecomunicaes utilizam a faixa do infravermelho de onda
curta (SWIR) que abrange uma das janelas atmosfricas.
31
2.3. Detector de Radiao Infravermelha
Nesta seo sero abordados alguns dos principais tipos de detectores de

infravermelho e como ocorre o seu funcionamento.
Os detectores so dispositivos destinados a reconhecer a presena ou intensidade de
um fenmeno fsico, transformando esse dado em informaes passveis de serem
processadas [1].
A funo dos detectores de infravermelho converter a radiao incidente sobre ele e
captada pelo sistema em outra forma mensurvel de energia, geralmente um sinal eltrico.
Este sinal eltrico pode ser posteriormente amplificado, filtrado e processando, utilizando-se
de recursos eletrnicos [1].
Os detectores de infravermelho so classificados como termodetectores (detectores
trmicos) ou fotodetectores (detectores qunticos) de acordo com o mecanismo fsico
envolvido no processo de deteco, isto , a forma com que a radiao infravermelha
incidente interage com o sistema. A Figura 2.2 apresenta a classificao dos detectores
infravermelha mais comumente usada dos detectores de infravermelho [1].
Detectores de Infravermelho
Fotodetectores
Fotovoltaico
Fotocondutivo
Termodetectores
Fotoemissivo
Bolmetro
Piroeltrico
Figura 2.2 Classificao dos detectores infravermelho (IR).
Termopilha
32
No termodetector, a radiao incidente absorvida provocando aquecimento do

material e, conseqentemente, modificando alguma propriedade, por exemplo, o aquecimento
da estrutura resulta em uma mudana da resistncia eltrica [1], [8]
Os termodetectores possuem uma resposta espectral mais plana com a freqncia, uma
vez que, os efeitos trmicos, neste caso, so geralmente independentes do comprimento de
onda da radiao infravermelha incidente. Apresentam larga faixa de sensibilidade espectral e
tempo de resposta relativamente longos devido inrcia trmica dos componentes. Os
termodetectores so aplicados em sistemas que operam em diversas faixas espectrais e que
no necessitam de altas freqncias de medio [5], [9].
Os principais tipos de termodetectores so: o piroeltrico, no qual ocorre uma
mudana na polarizao do material ferroeltrico devido variao da temperatura, o
bolmetro, no qual ocorre uma mudana da resistncia do material, e a termopilha, na qual
vrios termopares so ligados em srie. A Figura 2.3 ilustra alguns desses termodetectores [5],
[8].
(a)
(b)
(c)
Figura 2.3 Ilustrao de termodetectores (a) piroeltrico (b) termopilha (c) bolmetro.
Fonte: Boshetti, p. 17-18 [8].
Os fotodetectores operam pela interao direta entre os ftons da radiao incidente e
os eltrons no material do detector. O sinal eltrico observado resultado da mudana na
33
distribuio de energia dos portadores de carga, dependendo do nmero de ftons que

interage diretamente com os portadores de cargas e apresentam uma dependncia seletiva com
o comprimento de onda. Os fotodetectores so mais sensveis e tem um tempo de resposta
menor que os termodetectores [1], [8], [9].
A temperatura um problema para este tipo de detector, as cargas livres geradas
termicamente aumentam o rudo destes dispositivos diminuindo sua sensibilidade. Assim, a
maioria dos fotodetectores trabalham necessariamente resfriados a temperaturas criognicas
[1].
Eles podem ser classificados como fotoemissivos, fotocondutivos e fotovoltaicos,
sendo que os dois ltimos so baseados em materiais semicondutores. Os fotocondutivos e
fotovoltaicos podem ser intrnsecos ou extrnsecos dependendo das caractersticas do
semicondutor utilizado, se sem impurezas, intrnseco, ou se dopado (com impurezas),
extrnsecos [1], [10].
Detectores fotoemissivos so compostos de um tubo de vcuo com alta tenso onde
um fotocatodo absorve os ftons incidentes e a energia absorvida pode ser suficiente para
liberar eltrons, uma vez que o eltron liberado e chega ao anodo, ele medido como uma
corrente que corresponde ao fluxo no catodo (Figura 2.4) [1]. Este tipo de fotodetector exige
uma energia dos ftons relativamente alta, limitando sua aplicao a comprimentos de onda
curtos, tipicamente abaixo de 2 m.
34
Figura 2.4 - Esquema ilustrativo de um detector fotoemissivo.

Detectores fotovoltaicos, ou tambm conhecidos como fotodiodo, so dispositivos
formados por uma juno p-n ou p-i-n. Utilizam um circuito eletrnico de leitura que os
polarizam reversamente, ou no polarizam, medindo a variao da tenso (ou corrente) gerada
pela incidncia da radiao, conforme ilustrado na Figura 2.5 [1], [8], [10].
Figura 2.5 Esquema ilustrativo de funcionamento de um detector fotovoltaico.

A Figura 2.6 ilustra o processo de gerao de cargas por absoro de ftons na regio
de depleo de uma juno p-n de um fotodiodo intrnseco [1].
35
Banda de conduo
Banda de valncia
Figura 2.6 Diagrama de energia representando o processo de absoro no fotodiodo.

Detectores fotocondutivos so constitudos de semicondutores cuja condutividade
aumenta com a incidncia de radiao, gerando pares eltron-buraco. Diferente dos
fotovoltaicos, os fotocondutores operam necessariamente com uma tenso de polarizao e
mede-se a corrente que flui pelo circuito. O sinal de sada aumenta em corrente quando o
detector exposto radiao, a Figura 2.7 ilustra um esquema de funcionamento dos
fotocondutor [11].
Figura 2.7 Esquema de operao de um fotocondutor.

Detectores fotocondutivos intrnsecos se baseiam na absoro ptica interbanda
envolvendo fotoexcitao de cargas atravs da banda de energia proibida, gap (Eg), isto ,
excitando eltrons da banda de valncia para a banda de conduo. Para que isso ocorra a
36
energia do fton incidente deve ser maior que a energia do gap (h > Eg) do material
fotossensvel, portanto a deteco de radiao infravermelha incidente com determinada
energia depende da relao entre o gap do material e a energia do fton da radiao incidente,
sendo [1], [9]
Eg
hc
(2.1)
onde h a constante de Planck e c a velocidade da luz (2,99 x 108 m/s).

A Figura 2.8 mostra o diagrama de energia do fotocondutor intrnseco e o processo de
gerao de cargas [1], [9].
Banda de conduo
Banda de valncia
Figura 2.8 Diagrama de banda de energia de um fotocondutor intrnseco.
Para deteco de radiao infravermelha termal (LWIR) ( 10 m) o gap do
semicondutor deve ser muito estreito (Eg 0,12 eV), no caso de um fotodetector intrnseco.
Materiais semicondutores com gap muito estreitos so mais difceis de crescer e processar do
que semicondutores de gap largo [4], [12].
Esta dificuldade motivou a busca por alternativas, dentre elas a utilizao de transies
pticas intrabanda como princpio de deteco [4], [12]. Surgiram ento os fotodetectores a
37
poos qunticos (QWIP) onde uma camada de material semicondutor crescido entre
camadas de outro material semicondutor de gap maior causando um confinamento dos
portadores de carga em uma das dimenses. A Figura 2.9 apresenta um diagrama de banda de
energia de um material semicondutor com estruturas de poos qunticos e o processo de
absoro intrabanda [4], [12].
Banda de Conduo
E2
h1
E1
Eg(AlGaAs)
Absoro
Intrabanda
Eg(GaAs)
H1
h2
H2
Banda de Valncia
Figura 2.9 Diagrama de bandas de energia esquemtico de um poo quntico. A absoro

intrabanda pode ocorrer entre os nveis de energia de um poo quntico associados com a
banda de conduo quando a dopagem do tipo n (E1E2) ou de valncia (H1H2) quando a
dopagem do tipo p.
A idia do uso de estruturas de mltiplos poos qunticos para deteco de radiao de

infravermelha pode ser explicada pelo uso dos princpios bsicos da mecnica quntica. O
poo quntico equivalente ao problema de uma partcula no poo unidimensional da
mecnica quntica bsica e a Equao de Schrdinger independente do tempo a soluo
deste problema [4]. A soluo dada pelos autovalores de energia que descrevem os nveis de
energia quantizados dentro do poo quntico, para os quais a partcula pode existir.
38
As posies dos nveis de energia so determinadas pelas dimenses do poo quntico,

no caso de uma barreira infinita e bandas de energia parablicas, os nveis de energia do poo
quntico so definidos por [4], [12]
h 2 n
En =
2m* Lw
(2.2)
onde Lw a largura do poo quntico, a constante reduzida de Planck, m* a massa efetiva

da carga dentro do poo e n um nmero inteiro. A transio intrabanda entre o eltron no
estado fundamental e o primeiro estado excitado dada por [4], [12]
( E 2 E1 ) =
3h 2 2
.
2m * L2w
(2.3)
Os QWIPs so baseados na fotoexcitao dos eltrons entre o estado fundamental e o

estado excitado na banda de conduo no caso do QWIP tipo-n e fotoexcitao dos buracos,
ou lacunas, no caso do QWIP tipo-p entre o estado fundamental e o estado excitado na banda
de valncia e os efeitos do confinamento quntico nestas heteroestruturas provocam a
transformao das bandas contnuas de energia que existem no semicondutor (banda de
conduo e de valncia) em subbandas [4], [12].
A Figura 2.10(a) ilustra o processo de crescimento de uma heteroestrutura de
Mltiplos Poos Qunticos (MQW) e a Figura 2.10(b) ilustra o processo de fotocorrente
gerado pela excitao de cargas do estado fundamental no poo quntico para um estado
excitado de energia no contnuo.
39
E2
h
E1
E2
h
E1
Campo Eltrico
E2
E1
(a)
(b)
Figura 2.10 (a) Crescimento de uma heteroestrutura de MQW de AlGaAs/GaAs. (b)
Diagrama de energia da banda de conduo da estrutura de QWIP de MQW
AlGaAs/GaAs apresentado o processo de fotocorrente.
importante ressaltar que os poos qunticos desses detectores devem ser dopados
visto que a energia dos ftons insuficiente para gerar pares eltron-buraco (h < Eg) [4].
Em QWIPs fabricados a partir de semicondutores da famlia III-V, como
GaAs/AlxGa1-xAs, a altura das barreiras pode ser ajustada dentro de certos limites, pela
adequada escolha da composio da liga ternria, ou seja, variando o valor de x. Assim,
modificando a largura dos poos qunticos (Lw) e a altura da barreira, a energia de transio
intrabanda varia sobre uma grande faixa do infravermelho. Estes detectores podem ser feitos
sob medida para absorver radiao na faixa de 3 a 20 m [4].
2.4. Aplicaes de Detectores de Infravermelho
Os detectores de infravermelho tem vasta aplicao, tanto civis quanto militares, o que
explica o crescente interesse e investimento de vrios pases e centros de pesquisa no
desenvolvimento de novas tecnologias que permitam a fabricao destes componentes.
Na medicina os detectores de infravermelho auxiliam os mdicos em diagnsticos de
vrios problemas de sade como, problemas vasculares, neurolgicos e outros. Alm de
auxiliar no estudo de estruturas proticas e da seqncia do DNA [14], [15].
40
A Termografia Infravermelha, por exemplo, um dos mtodos mais avanados de

diagnstico por imagem. Com o auxilio dessa tcnica, os mdicos so capazes de localizar e
diagnosticar de forma mais precisa inmeras doenas e distrbios, muitas vezes no so
detectados por outros mtodos de forma precoce e no invasiva [15].
Na rea industrial os sensores infravermelhos podem ser utilizados para automao de
operaes (como termmetros e/ou interruptores), contagem de peas produzidas, controle da
qualidade e na segurana do trabalho. Um exemplo o uso da inspeo termogrfica de
equipamentos que utiliza imagens trmicas na manuteno preventiva identificando
principalmente superaquecimento de peas mveis, mau contato eltrico, rolamentos
defeituosos e outros. Essa forma de anlise dos equipamentos no interfere na produo, pois
os equipamentos podem ser verificados em pleno uso e transcorre com elevada segurana
(sem contato fsico) [14], [15].
Os detectores de infravermelho ainda podem ser usados na rea de sensoriamento
remoto, deteco de materiais biolgicos como ANTHRAX, vazamento de gs,
monitoramento de passageiros em aeroportos, e alarme de portas em elevadores [14], [15].
Na agricultura, eles podem ser usados no mapeamento da distribuio de temperatura
para controle do cultivo de plantas, monitorando anomalias e surgimento de pragas no
processo de crescimento de plantas [14].
Na construo civil, contribuem no imageamento dos materiais como gesso,
argamassa, mrmore, detectando infiltraes ou identificando falhas estruturais nas
construes [14], [15].
No transporte, os detectores auxiliam no sistema de controle em rodovias, no auxlio
ao vo de aeronaves de forma a aumentar a segurana do transporte areo sob condies de
baixa visibilidade [14], [15].
Em laboratrio de plasmas, eles favorecem no diagnstico de radiao produzida por
41
processos de confinamento e instabilidade em mquinas como Tokamak [14].
Os detectores auxiliam na manuteno de satlites, montagem de estruturas espaciais e

estudo e observao de objetos astronmicos como cometas e estrelas [14], [15].
No ambiente militar, estes detectores ganham maior importncia, pois utilizam uma
faixa do espectro eletromagntico no perceptvel para os olhos humanos. Neste caso, so
utilizados, por exemplo, na vigilncia noturna, no rastreamento e identificao de alvos, na
orientao e interceptao de msseis e outros [14], [15].
Alm disso, os detectores de infravermelho podem ser usados na rea de
telecomunicao em conexes de dados no espao livre [14], [15].
Atualmente, cmeras de infravermelho baseada em fotodetectores a poos qunticos
so comercializadas e apresentam excelentes resultados, veja Figura 2.11.
Figura 2.11 - Cmeras QWIP comercializadas.

Fonte: Gunapala, p.6 [13].
Alguns exemplos de aplicaes especficas e bem sucedidas de cmeras de QWIP em
diversas reas foram relatados por Gunapala et at [4] e [16]. A seguir, alguns desses relatos
so citados para exemplificar a capacidade do uso e deteco dos fotodetectores a poos
qunticos.
42
Medicina
Estudos determinam que as clulas cancergenas liberam xido ntrico, causando

mudanas no fluxo sanguneo do tecido em volta do cncer, geralmente essas clulas
cancergenas tm alto metabolismo, demandando um maior abastecimento de sangue, o que
uma das caractersticas de um tumor maligno, os tecidos cancerosos sendo ligeiramente mais
quentes do que os tecidos saudveis podem ser detectados atravs de sensores trmicos [4],
[16].
Um grupo de pesquisadores do State University of New York em Buffalo e do WRAIR
(Water Reed Army Institute os Research) usaram cmera 256 X 256 LWIR de QWIP para
Teletermometria de rea Dinmica (DTA) [4], [16].
A DTA envolve o armazenamento de centenas de imagens no infravermelho
consecutivas e anlises em FFT (Fast Fourier Transform) da biomodulao e
microhomogeneidade da temperatura da pele. A anlise em FFT fornece as freqncias
termoreguladoras, amplitudes da temperatura e perfuso dos vasos capilares da pele. Para
obter dados confiveis da DTA, necessrio uma cmera de infravermelho de comprimento
de onda de deteco acima de 8 m (para evitar reflexes de artefatos de emissores no
ambiente), uma taxa de repetio de 30 Hz (possibilitando o armazenamento mximo de
imagens durante o perodo de observao para maximizar a resoluo do FFT), estabilidade
instrumental quadro-a-quadro (para evitar artefatos decorrentes da variao do instrumental),
e uma sensibilidade menor que 30 mK [4], [16]. De acordo com esses pesquisadores, o
comprimento de onda de operao mais longo, uma maior resoluo espacial, uma maior
sensibilidade e uma maior estabilidade das cmeras baseadas em matrizes de QWIP, as
tornaram a melhor escolha dos vrios tipos de cmeras de infravermelho. Com essas duas
tecnologias aliadas, resultaram na formao de uma imagem da rea de interesse,
43
possibilitando ao mdico realizar um diagnstico imediato, sem causar qualquer desconforto

ao paciente e sem o uso de radiao ionizante. Basicamente, o sensor digital detectou a
energia radiante no infravermelho emitida pelo corpo, enxergando apenas as pequenas
diferenas de temperatura associadas com as alteraes no fluxo sanguneo. Uma cmera
QWIP de alta sensibilidade pode detectar facilmente a existncia de um cncer de pele
maligno (Figura 2.12) [4], [16].
(a)
(b)
Figura 2.12 (a) Rosto de uma pessoa com cncer de pele no nariz, a ponta do nariz est mais
quente do que os tecidos vizinhos devido angiognese de um cncer de pele; (b) Rosto de
uma pessoa que no tem cncer de pele no nariz, normalmente o nariz e as orelhas so mais
frios em relao s outras partes da face.
Essa cmera tambm foi usada por um grupo de pesquisadores da University of
Southern Califrnia em intervenes cirrgicas em crebros, deteco de cncer de pele e em
pacientes com hansenase. Na remoo de tumores cerebrais, a imagem trmica auxilia o
cirurgio a encontrar pequenos vasos capilares que crescem na direo do tumor devido
angiognese (Figura 2.13) [4], [16].
44
Figura 2.13 (a) Imagem no visvel de um tumor cerebral. (b) Imagem no infravermelho
discriminando os tecidos saudveis dos mortos.
Outra aplicao da cmera de QWIP no diagnstico e anlise do gradiente de

temperatura dos ps e dos cotovelos de uma paciente com hansenase mostrado na Figura 2.14
[4], [16].
36,6oC
35,6oC
34,4oC
33,3oC
32,2oC
31,1oC
30,0oC
28,9oC
27,8oC
26,7oC
25,6oC
24,4oC
Figura 2.14 Variao de temperatura nas mos e nos cotovelos de um paciente com
hansenase detectado por uma cmera de QWIP.
Fonte: Gunapala, p 280 [16].
45
Defesa Civil
Uma cmera de QWIP ajudou uma equipe de TV de Los Angeles captar imagens de
um incndio que se propagou no Sul da Califrnia na comunidade de Malibu em outubro de
1996. Essa cmera porttil possui detectores de infravermelho que cobrem comprimentos de
ondas maiores do que os abrangidos pelas cmeras convencionais, permitindo que a cmera
visse atravs da fumaa, com isso a estao de TV localizou e transmitiu imagens com
preciso dos pontos quentes que normalmente no seriam visveis. Esses pontos quentes
foram uma fonte de preocupao para os bombeiros, visto que eles poderiam propagar novos
incndios mesmo aps o fogo aparentemente ter diminudo. A Figura 2.15 mostra a
comparao das imagens no visvel e no infravermelho da rea recm incendiada, observada
pela equipe de notcias noite. A diferena na qualidade entre as imagens ocorreu tanto nas
condies diurnas quanto noturnas. Esse evento marcou a estria da cmera de QWIP como
instrumento de observao de incndios [4], [16].
(a) Visvel
(b) QWIP
Figura 2.15 - Comparao entre duas imagens de uma rea incendiada, feitas noite, uma
com uma cmera CCD no visvel de alta sensibilidade (a) e outra feita com uma cmera
QWIP no infravermelho distante (b).
46
Usou-se uma cmera QWIP similar para observar vulces, formaes de minerais,
clima e condies atmosfricas no vulco Kilauea, no Hava. A ampla faixa de comprimentos
de ondas coberta por esse tipo de cmera capacitou os vulcanologistas a obterem imagens de
caractersticas vulcnicas em temperaturas muito mais elevadas (300 1000oC) do que as
obtidas pelo sistema de imagem trmicas convencionais na faixa de 3 a 5 m ou no visvel. A
Figura 2.16 mostra a comparao entre imagens feita no visvel e no infravermelho do vulco
Kilauea. A imagem no infravermelho do vulco mostra claramente um leito subterrneo de
lava quente que no visvel a olho nu [4], [16].
(a)
(b)
Figura 2.16 - Comparao das imagens do Vulco Kilauea, no Hava, uma feita com uma
cmera CCD no visvel de alta sensibilidade (a) e outra com cmera de QWIP no
infravermelho distante (b).
Militar
Pesquisadores da Ballistic Missile Defense Organizations (BMDO) usaram uma

cmera QWIP em um experimento para discriminar e identificar o veculo de lanamento a
partir do jato de gases quentes emitidos pelos motores do foguete. A Figura 2.17 mostra uma
47
imagem do veculo de lanamento Delta-II obtida a partir da cmera de QWIP. Isto indica
claramente a vantagem do uso de cmera QWIP de comprimento de onda distante para uma
melhor identificao do veculo de lanamento e os gases quentes durante a fase inicial de
lanamento [4], [16].
Figura 2.17 - Imagem do mssil Delta II obtida por uma cmera QWIP durante o lanamento.
A temperatura normal do veculo de lanamento de aproximadamente 250C e a

temperatura do jato de gases quentes emitidos do mesmo pode alcanar 950C. Segundo a
teoria de Planck de emisso do corpo negro, a razo entre o fluxo de ftons dos dois corpos
negros a temperatura de 250 e 950C em um comprimento de onda de 4 m de 25.000,
enquanto que a mesma razo entre o fluxo de ftons em um comprimento de onda de 8,5 m
de 115, conforme est demonstrado na Figura 2.18 [4], [16]. Neste caso, para se obter um
melhor contraste na imagem, interessante explorar comprimento de ondas distantes para
melhor discriminao entre o veculo de lanamento e os gases quentes emitidos porque a
maior faixa dinmica instantnea das cmeras de infravermelho de 12 bits (i.e, 4096 cores)
ou menos [4], [16].
48
Figura 2.18 - Espectro de radiao de corpo negro para varias temperatura.

Astronomia
Para o uso de cmeras QWIP em observaes na astronomia, foi desenvolvida uma

cmera de infravermelho multi-espectral de amplo foco (QWIPCPIC). As observaes foram
realizadas no Telescpio Hale em Mt. Palomar a 5 metros de distncia com uma QWICPIC
baseado em FPA de QWIPs de 256 x 256 pixels em 8 9 m operando numa temperatura de
35 K [4], [16].
O baixo rudo 1/f (veja Figura 2.19) das FPA QWIP permite que QWICPIC realize
uma sondagem lenta sendo, portanto uma caracterstica necessria para observaes do
espao [4], [16].
49
30 mHz
Figura 2.19 - O espectro do rudo 1/f de uma FPA de QWIP de 256 x 256 pixels em 8 9
m.(1 ADU = 430 eltrons). O grfico mostra claramente que os QWIPs apresentam um rudo
1/f desprezvel abaixo de 30 mHz, portanto, os QWIP podem ser usados em instrumentao
onde o tempo de interao seja maior. Isso causa um aumentando na capacidade de frame.
A Figura 2.20 compara uma imagem da nebulosa rion obtida em uma observao de
30 minutos com uma FPA QWIP e uma imagem da nebulosa de rion tiradas com a cmera
do planetrio do Telescpio Espacial Hubble (HST). Comparando as duas imagens nota-se
que na Figura 2.20(b) feita com a cmera QWICPIC existe uma multiplicidade de fontes de
infravermelho que so fracas ou indetectvel pelo HST Figura 2.20(b). A imagem demonstra
claramente estrelas em formao entre a densa nuvem de gs molecular e poeira fria. As
formaes desses discos so importantes para o desenvolvimento do sistema planetrio [4],
[16]. Estas imagens demonstram a vantagem das FPA QWIP de LWIR, uma vez que
apresentam estabilidade (baixo rudo 1/f) para levantamento regies obscurecidas, na busca de
objetos escondidos, que formaro jovens estrelas [4], [16].
50
Figura 2.20 - Comparao de imagens no infravermelho prximo (NWIR) da Nebulosa de

rion (a) Imagem feita com uma cmera planetria do Telescpio Hubble. (b) imagem feita
com uma QWICPIC com imageamento de 8,5 m (LWIR) no foco principal do Telescpio
Hale. Neste caso possvel notar regies de maior aquecimento da estrela.
No decorrer deste captulo foram abordados o desenvolvimento dos detectores de IR,

tendo sido apresentados desde dos vrios tipos de detectores at a forma como cada um deles
detecta a radiao infravermelha, alm das principais divises do espectro na regio do
infravermelho. Ao final deste captulo foram abordadas as principais aplicaes e as algumas
das vrias reas em que o uso destes detectores se torna relevante.
Em relao a aplicaes destes detectores, foram enfatizadas aplicaes dos detectores
de infravermelho a poos qunticos (QWIP), os quais so objetos de estudo deste trabalho. Os
aspectos tericos essenciais para caracterizao e compreenso do mecanismo fsico
envolvido da deteco da radiao infravermelha sero apresentados no prximo captulo.
51
3. Base Terica
Este captulo abordar, resumidamente, os princpios tericos relevantes para

caracterizao de detectores de infravermelho fotocondutivos, alm dos conceitos tericos
bsicos necessrios para que se adquira compreenso do funcionamento dos fotodetectores a
poos qunticos que sero caracterizados. A teoria apresentada a seguir pode ser encontrada
em diversos livros textos, artigos e teses que tratam dos detectores de infravermelho em
especial os fotodetectores a poos qunticos.
3.1. Radiao de Corpo Negro e Transferncia de Fluxo
Esta seo destina-se a apresentar uma reviso dos conceitos fundamentais da radiao
de corpo negro, partindo de uma breve discusso sobre as leis da radiao e descrio do
fenmeno de emisso de radiao pelo corpo negro.
Como descrito anteriormente, os detectores de infravermelho so usados para detectar
a radiao incidente sobre o mesmo. Para estudar as caractersticas desses detectores
necessrio entender o funcionamento e comportamento da fonte de emisso de radiao, ou
seja, o emissor.
A intensidade da radiao advinda de dado objeto depende de alguns fatores dentre
eles: a temperatura do objeto, a distncia que o objeto se encontra do detector, tamanho do
detector e emissividade da fonte.
3.1.1. Leis da Radiao
As Leis da Radiao descritas a seguir explicam e descrevem o fenmeno de emisso
52
de radiao dos objetos.

A nomenclatura e a notao empregadas pela radiometria, fotometria e quntica
possuem palavras diferentes, mas descrevem parmetros anlogos. A nomenclatura oficial
mais aceita a do Commission Internationale de LEclairage (CIE) e do American National
Standard Institute (ANSI/IES), presente em Vicent [17].
Segundo essa nomenclatura, o termo radincia espectral L(,T) definido como sendo
o fluxo radiante emitido por unidade de rea projetada por unidade de ngulo slido por
unidade de comprimento de onda [17].
Assumindo a emissividade do corpo como sendo unitria, isto , como se fosse um
corpo negro perfeito, a quantidade de radiao emitida por esse objeto determinada pela
temperatura, sendo governada pela equao da Lei de Planck [2], [17].
Le (, T ) =
2hc2
kT
2c
hc
W
cm2srm
(3.1)
ou
Lq ( , T ) =
4 e hc kT 1
ftons
1
s cm 2 srm ,
(3.2)
onde Le(,T) o ndice e da equao (3.1) informa que um parmetro da radiometria e Lq(,T)
o ndice q indica que a equao (3.2) um parmetro da quntica; o comprimento de onda,
h a constante de Planck (6,62 x 10-34 Js), c a velocidade da luz no vcuo (2,99 x 108 m/s)e
k a constante de Boltzmann (1,38 x 10-23 J/K) [2], [17].
A radiometria a cincia de medio de energia eletromagntica radiante em todo
53
espectro eletromagntico. Neste trabalho, adotou-se a nomeclatura e notao usada na

radiometria e todas as definies feitas a partir deste ponto estaro referindo-se a essa
nomeclatura.
A emitncia espectral M() definida como o fluxo de radiao por unidade de rea e
por comprimento de onda emitida por uma superfcie. Considerando a radiao do corpo
negro Lambertiana, ou seja, isotrpica (com as mesma caractersticas fsicas em todas as
direes), a emitncia espectral M(T,) de um sistema com simetria circular em um cone de
meio ngulo , mostrado na Figura 3.1, dada por [2], [17]
M (T , ) = L( , T ) cosd
2
M (T , ) = L( , T ) cossendd
(3.3)
0 0
M (T , ) = L( , T )sen2 .
Figura 3.1 Emitncia espectral no semi-hemisfrico com simetria circular.

A emitncia espectral radiante M(,T) dentro de um hemisfrio inteiro M(T,) pode ser
determinada para = 90o, sendo [2], [17]
54
M ( , T ) = L( , T )
W
cm 2 m .
(3.4)
A Figura 3.2 mostra a emitncia espectral radiante M(T,) em funo do comprimento

de onda para diversas temperatura de emisso em duas escalas distintas.
(a)
(b)
Figura 3.2 Emitncia Espectral radiante de um corpo negro em funo do comprimento de
onda para vrias temperaturas (a) e (b) emitncia espectral radiante em escala logartmica.
Fonte: Vincent, p.211 [17].
Derivando a frmula de Planck com relao ao comprimento de onda e a resolvendo

para o resultado mximo dM(T,)/d=0, obtm-se uma simples relao entre o comprimento
de onda mximo mx, no qual a emitncia do corpo negro M(T,) mxima, e a temperatura
do corpo negro determinada pela Lei de Deslocamento de Wien dada pela seguinte expresso
[17]
55
dM ( , T )
=0
d
(3.5)
mxT = 2897,8 m K .
A Figura 3.3 mostra a emitncia espectral de um corpo negro, em destaque a Lei de

Deslocamento de Wien.
10000
-2
-1
Emitncia Espectral (W cm m )
6000K
5000K
1000
4000K
100
3000K
2000K
10
Comprimento de Onda (m)
Figura 3.3 Emitncia Espectral M(T,) de um corpo negro a diferentes temperatura

demonstrando a Lei de Deslocamento de Wien.
Tratando-se de um corpo negro, a emitncia total, isto , o fluxo de radiao total M
emitido pelo corpo negro, para todos os comprimentos de onda, a rea sob toda a curva da
Lei de Planck, sendo facilmente calculada integrando-se a funo para todo o espectro. Tal
soluo equivale conhecida Lei de Stefan-Boltzmann, sendo dada por [17]
56
M (T ) = M (T , )d .
(3.6)
Resolvendo essa expresso para emitncia radiante obtm-se a seguinte expresso [17]
M (T ) =
2 5 k 4 4
T = T 4
15c 2 h3
W
cm 2 ,
(3.7)
onde M(T) a emitncia radiante total do corpo negro, T a temperatura do corpo negro; a
constante de Stefan-Boltzmann [17].
A emitncia entre dois comprimentos de onda 1 e 2 (M(T, 1,2)) dada por, [17]
M (T ) = M (T , )d
1
(3.8)
M (T ) =
2k T
h 3c 2
4
4 x1
x2
x1
x
x
W
dx = 8,8853 1011T 4 x dx 2 .
1
e 1
cm
x2
onde x = hc/(kT).
Para o imageamento trmico, existem duas janelas atmosfricas de interesse, uma est
localizada na faixa de comprimento de onda infravermelho mdio (3 a 5 m) e outra est na
faixa de infravermelho distante (8 a 12 m) [2], [17], [18].
Para um corpo a temperatura de 300 K e comprimento de onda mximo de 9,66 m, o
fluxo de radiao total (M) emitido pelo corpo negro nessa temperatura igual a 45,93 x 10-3
W/cm2. A Figura 3.4 mostra (M(T, 1,2)) em diferentes temperaturas para as duas faixas de
comprimento de onda das janelas atmosfricas de 3 a 5 m e de 8 a 10 m [2].
Emitncia (M(T,1,2) (W/cm ))
57
0,1
8-10m
0,01
3-5m
1E-3
200
300
400
500
600
700
Temperatura (K)
Figura 3.4 - Emitncia entre 3-5 m e 8-10 m em funo da temperatura.

Note que, em 300 K, o fluxo radiante entre 8 e 10 m de 6,1 x 10-3 W/cm2, o que
corresponde a aproximadamente 13 % do fluxo total de radiao emitido pelo corpo negro e
maior que o emitido entre 3 e 5 m. Portanto, um objeto a temperatura ambiente emite mais
intensamente radiao na faixa de comprimento de onda de 8 a 10 m favorecendo sua
deteco de infravermelho. Em T = 502 K, as duas curvas se interceptam e a partir desse
ponto a radiao emitida na faixa de 3 a 5 m passa a ser mais intensa. Logo, para deteco de
objetos em uma faixa de temperatura maior, detectores de infravermelho mdio so mais
adequados [2].
Para anlise da transferncia de fluxo de radiao, assume-se novamente que a fonte
de radiao um corpo negro isotrpico de rea As e a radiao emitida por ele ser
proporcional projeo do ngulo slido [sr] do corpo negro, conforme ilustrado na Figura
3.1 [2], [17], [18].
Considere que o centro do corpo negro, fonte de radiao, se encontra uma distncia d
do detector de rea Ad sendo que distncia d muito maior que as dimenses lineares de As
e Ad. As suas orientaes espaciais esto ilustradas na Figura 3.5.
58
s
d
dd
Ad
As
Figura 3.5 Transferncia de fluxo.
Nesse caso, o fluxo radiante () emitido pela fonte, corpo negro,partindo de As e

entrando no detector em Ad dado por [18]:
d = L( , T )dAs cos s d d d
= L( , T ) cos s dAs d d d
(3.9)
Ad d
= L( , T )d cos s dAs d d
As
Assumindo que o ngulo da fonte s constante e que d o ngulo slido de Ad

mantido sobre As, observa-se que Ad no normal a linha de viso de As como mostrado na
Figura 3.5, d dado por [2], [18]:
d d =
d =
dAd cos d
d2
Ad cos d
.
d2
(3.10)
59
A definio de ngulo slido definida na equao (3.10) igual definio de ngulo

slido projetado de Ad sobre As, e a equao (3.9) pode ser reescrita na forma:
= L( , T )d cos s dAs dd
As
M (T , 1 , 2 )
A cos
=
( As cos s ) d 2 d .
(3.11)
3.1.2. Alguns conceitos fsicos
As leis de radiao apresentadas at o momento se referem apenas ao corpo negro.

Objetos reais no seguem estas leis em grande parte do espectro, embora possam se aproximar
do comportamento de um corpo negro em certos intervalos de comprimentos de onda [19],
[20].
Nesta seo, sero apresentados os principais conceitos fsicos envolvidos na emisso
da radiao em objetos reais, seguindo-se do conceito de corpo negro e as principais
diferenas entre o corpo negro, o corpo cinza e o radiador seletivo.
Em objetos reais, a emitncia radiante menor que a emitncia radiante de um corpo
negro e, portanto necessrio caracterizar algumas propriedades dos objetos. Existem duas
relaes entre as propriedades dos materiais que so muito importantes, a primeira relaciona
absortncia, refletncia e transmitncia no equilbrio da energia radiante, e a segunda a Lei
de Kirchhoff que relaciona absortncia e emissividade [1], [19], [20].
Toda radiao eletromagntica, ao incidir sobre um corpo real, pode apresenta trs
tipos de interao como mostrado na Figura 3.6 [1], [19], [20].
60
Reflexo
I0
Ir
I0
I0
Transmisso
Absoro
It
Figura 3.6 Corpo representado as trs interaes possveis de ocorrer: a absoro, a reflexo
e a transmisso.
Uma frao da radiao incidente pode ser absorvida, refletida pela superfcie do
corpo ou transmitida atravs do corpo quando este no opaco [19], [20].
Em geral, os corpos reais apresentam os trs tipos de interao ao mesmo tempo sendo
um pouco transmissores, absorvedores e refletores. Cada uma destas possibilidades resulta de
interaes entre a radiao e a matria, que dependem fundamentalmente das caractersticas
da oscilao eletromagntica (comprimento de onda, estado de polarizao, etc.) e das
propriedades do material (composio, estrutura cristalina, forma, etc.) [19], [20].
A razo entre a intensidade da radiao refletida Ir(), e incidente I0() chamada de
refletncia, r() [19], [20].
r ( ) =
I r ( )
I o ( )
(3.12)
A radiao ao interagir com a matria pode perder parte de sua energia, sendo esta
absorvida pelo objeto. Isto se d por diversos mecanismos fsicos como emisso de
fotoeltrons, gerao de portadores, e outros. As caractersticas do material, em especial a
61
estrutura eletrnica, e o comprimento de onda da radiao incidente definem o mecanismo e a

sua capacidade de absoro. Filmes semicondutores, por exemplo, absorvem a radiao em
determinados comprimentos de onda gerando pares eltron-buraco. Outro fator a espessura
da camada de material atravessada pela radiao, quanto mais espessa maior a quantidade de
radiao absorvida [19], [20].
A razo entre a intensidade da radiao absorvida pelo material Ia(), e a incidente
I0() recebe o nome de absortncia a() [19], [20].
a( ) =
I a ( )
.
I o ( )
(3.13)
A parcela de radiao que atravessa objeto sem ser absorvida chamada de radiao
transmitida. As caractersticas desta radiao dependem das interaes que ocorreram
anteriormente, por exemplo, refrao, interferncia, difrao e polarizao, alm da absoro
j citada. O feixe transmitido pode ser predominantemente formado por apenas um
comprimento de onda, ou pode estar polarizado[19], [20].
Desconsiderado perdas da radiao incidente por reflexo, a relao entre a
intensidade incidente e a transmitida dada por [19], [20]
I t ( ) = I o ( )e x ,
(3.14)
onde It() a intensidade da radiao transmitida aps passar por uma espessura x do material;
I0() a intensidade incidente; () o coeficiente de absoro ptico, que depende do
material, do comprimento de onda da radiao incidente e do tipo de interao que ocorre .
A razo entre a intensidade da radiao transmitida It()e da incidente I0() define a
62
transmitncia T() desta forma [19], [20]
T ( ) =
I t ( )
.
I o ( )
(3.15)
A soma dos trs coeficientes definidos pelas equaes (3.12), (3.13) e (3.15) para um
mesmo comprimento de onda , resulta na radiao incidente total I0() definida por [19], [20]
I o ( ) = I r ( ) + I a ( ) + I t ( ) .
(3.16)
r ( ) + a( ) + T ( ) = 1 .
(3.17)
ou
A segunda propriedade a chamada emissividade () que descreve a frao da

emitncia radiante produzida por uma superfcie qualquer em relao produzida por um
corpo negro mesma temperatura. Logo, a emissividade espectral (()) a relao da
emitncia radiante espectral de uma superfcie (M()) pela emitncia radiante de um corpo
negro (MBB()) mesma temperatura e comprimento de onda [19], [20]
( ) =
M ( )
M BB ( )
(3.18)
Pode-se dizer que existem trs tipos de fontes de radiao que so caracterizadas pelo
modo como a emitncia radiante espectral varia com o comprimento de onda: o corpo negro,
63
o corpo cinza e o radiador seletivo [19], [20].

Kirchhoff sugeriu um corpo negro como um objeto oco (um tubo ou uma esfera vazia)
aquecido, feito de um material que no deixa passar a radiao e tem um pequeno orificio na
superfcie do objeto. Quando a radiao incide no orificio e entra na cavidade, mesmo se a
parede interna da cavidade absorva parte da radiao e refleta o restante, o grande nmero de
reflexes dentro da cavidade resultaria numa absoro praticamente completa, como mostra a
Figura 3.7 [19], [20].
Figura 3.7 - Representao de uma cavidade de corpo negro.
Em um objeto em equilbrio trmico, a quantidade de radiao absorvida em um

determinado comprimento de onda igual radiao emitida. Logo, o corpo negro tem
emissividade espectral e a absortncia unitria. Embora esta seja uma definio terica de um
corpo que no existe na prtica, vrias substncias apresentam em determinadas faixas do
espectro eletromagntico caractersticas de emisso muito prximas s de um corpo negro
[19], [20].
A maioria dos corpos se comporta como radiadores seletivos nos quais a emissividade
varia com o comprimento de onda (). Alm disso, o tipo de material e suas caractersticas
como cor, rugosidade e umidade tambm influenciam a emissividade e para facilitar algumas
64
pesquisas, comum assumir que os objetos se comportam como um corpo cinza para
determinadas faixas espectrais.
Tal como um corpo negro, o corpo cinza tambm tem uma emissividade independente
do comprimento de onda, porm seu valor inferior a unidade. A Figura 3.8 mostra a
emitncia espectral para corpo negro, corpo cinza e radiador seletivo e a Figura 3.9 apresenta a
emissividade espectral dos trs tipos de fontes de radiao.
Figura 3.8 - Emitncia radiante espectral dos trs tipos de fontes de radiao.
CORPO CINZA
65
Figura 3.9 Emissividade espectral em funo do comprimento de onda das trs fontes de
radiao.
Pode-se notar que as formas das curvas do corpo negro e do corpo cinza de ambos os
grficos mostrado na Figura 3.8 e 3.9 mudam drasticamente comparadas curva do radiador
seletivo.
3.1.3. Transmisso Atmosfrica
Alm das caractersticas da fonte, a transmisso da radiao infravermelha atravs da

atmosfera exerce um papel importante na deteco da radiao infravermelha na faixa do
infravermelho. Esta seo abordar alguns dos principais fatores que interfere nesta
transmisso.
Algumas das condies climticas que afetam a propagao do infravermelho so a
nevoa, a chuva, umidade e nevoeiro [2]. A nevoa causada por pequenas partculas suspensa
no ar. O nevoeiro causado por partculas de gua em suspenso no ar como resultado da
condensao do vapor de gua em camadas mais baixas da atmosfera. Nos dois casos, essas
partculas causam o espalhamento da radiao. O vapor de gua absorve mais a radiao
infravermelha na regio de 8 a 12 m do que na regio de 3 a 5 m. Para condio de alta
umidade, a regio de 3 a 5 m a melhor escolha porm em dias ensolarados, a reflexo da
luz do sol entre 3 e 5 m afeta a deteco nesses comprimento de onda. No caso de chuva ou
nevoeiro, a radiao infravermelha atenuada tanto na regio de 8 a 12 m quanto na regio
de 3 a 5 m devido combinao de espalhamento e absoro [2].
Deve-se considerar o efeito da atmosfera no instrumento de operao e nos dados
resultantes, a menos que o instrumento seja operado em uma atmosfera especial ou em vcuo,
onde a absoro da atmosfera no representa um problema. Cuidados devem ser exercidos nas
66
regies onde existe banda de absoro atmosfrica, dependendo da preciso desejada, pode
ser necessrio purgar o caminho ptico para eliminar, por exemplo, o vapor dgua e o CO2,
para realizar a anlise quantitativa [2].
A Figura 3.10 mostra o espectro de transmisso da atmosfera terrestre na faixas do
infravermelho. O espectro corresponde a uma camada de 1830 m de ar ao nvel do mar com
40% de umidade relativa a 25oC. As regies mais afetadas pela absoro atmosfrica so 2,7
m, 4,3 m e 14,9 m; absoro por molculas de CO2. Alm da faixa de 5,5 a 7,5 m onde
h absoro por molculas de H2O [2].
Figura 3.10 Espectro de Transmisso no Infravermelho da Atmosfera.

Fonte: Adaptada de Hudson, p. 115 [1].
O Nitrognio (N2) no apresenta linhas de absoro nesta faixa do infravermelho e,
portanto, pode ser usado para purgar o caminho ptico.
3.1.4. Fontes artificiais de Radiao Infravermelha
Nesta seo sero abordadas algumas das fontes de radiao mais usadas em
67
laboratrios. A maioria delas so constitudas basicamente por slidos inertes aquecidos

eletricamente. As fontes mais otimizadas so o emissor Nernst Glower, o Globar, as
Lmpadas de Tungstnio e Arco de Carbono [1].
O emissor de Nernst Glower uma mistura de xido de zircnio e trio em forma de
cilindro com 2 mm de dimetro por 30 mm de comprimento, pode ser aquecido a uma
temperatura de at 2000 K aproximadamente. Necessita operar com resistncia de
compensao, regulador automtico de tenso, ventilao para liberar o calor dos xidos
evaporados e ser pr-aquecido porque no condutor quanto est frio. A emissividade do
Nerst Glower varia com o comprimento de onda, mas se mantm quase uniforme em torno de
0,6 na faixa de 2 a 15 m [1].
A fonte Globar, formada por um composto sinterizado de carbeto de slicio em forma
de cilindro, pode ser posta em funcionamento a uma temperatura de cerca de 1500 K e
apresenta emissividade razoavelmente uniforme em funo do comprimento de onda, sendo
cerca de 0,8 na faixa de 2 a 15 m e no necessita ser pr-aquecido. A fonte Globar menos
intensa que a Nernst, mas mais satisfatria acima de 15 m, porque a sua emissividade decai
mais lentamente [1].
O arco de carbono uma descarga eltrica no ar entre dois eletrodos de carbono e
atinge uma temperatura da ordem de 6000 K apresenta mais radincia que o Globar e o Nerst,
porm, sua emissividade decresce na faixa do infravermelho de 2 a 10 m [1].
As lmpadas de filamento de tungstnio so aproximadamente corpos cinzas no
visvel com uma emissividade entre 0,45 e 0,50. Pequenas lmpadas de filamento de
tungstnio podem ser usadas como fontes pontuais. Lmpadas de tungstnio-halgenas
possuem uma vida til muito longa e geralmente operam a uma temperatura muito alta com
uma alta emisso por radiao. Tais lmpadas so freqentemente chamadas de iodo-quartzo
e so extremamente compactas.
68
3.2. Fotodetectores de Infravermelho a Poos Qunticos
No decorrer desta seo sero abordados os principais conceitos fsicos de um

fotodetector de infravermelho a poos qunticos, a fim de facilitar a compreenso do
funcionamento do QWIP. Ao final desta seo sero abordadas as figuras de mrito relevantes
na avaliao de desempenho dos dispositivos, as quais so importantes na comparao entre
tecnologia distintas de detectores de infravermelho.
3.2.1. Desenvolvimento Histrico dos QWIP
A sugesto do uso de poos qunticos para dispositivos infravermelhos (IR) foi

primeiramente documentada por Chag, em 1977, e por Esaki e Sakaki, em 1977. O primeiro
experimento feito usando poos qunticos para deteco IR foi relatado por Chui, em 1983, e
Smith, em 1983. Proposta especfica de fotodetectores juntamente com a teoria foram feitas
primeiramente por Coon e Karunasiri, em 1984, e Goosen e Lyon, em 1985/1988. A primeira
observao experimental de transies pticas intrabanda em semicondutores a poos
qunticos foi desenvolvida por West e Englash, em 1985. Posteriormente, uma forte absoro
intrabanda e o deslocamento Stark foram observados por Harwit e Harris, em 1987. A
primeira demonstrao de fotodetectores IR a poos qunticos (QWIPs) foi feita por Levine et
al. (1987) [12], desde ento, um grande progresso foi feito pelo grupo de pesquisa da Bell
Laboratories (veja Levine et al [12]). Pesquisas recentes desses detectores j chegaram ao
desenvolvimento de grandes matrizes de alta uniformidade e sensibilidade, demonstradas por
vrios grupos [4].
69
3.2.2. Heteroestruturas
Em um material semicondutor o intervalo de energia entre a banda de valncia e a

banda de conduo denominado de gap de energia. Quando duas camadas de
semicondutores com diferentes valores de gap so crescidas uma no topo da outra, uma
heterojuno formada, isso pode ser obtido fazendo uma seleo de materiais
semicondutores com afinidade qumica e estruturas cristalinas compatveis. O crescimento
epitaxial permite a combinao/crescimento de vrios tipos de semicondutores. Dentre as
tcnicas mais utilizadas pode-se citar o MBE (Molecular-beam epitaxy) e o MOCVD (Metal
Organic Chemical Vapor Deposition), que permitem um alto controle da composio local
podendo construir heteroestruturas com interfaces abruptas numa escala atmica [21], [22].
Quando se forma uma heterojuno, surge uma quase descontinuidade na banda de
conduo na interface entre os dois materiais semicondutores. Isto ocorre porque os valores
absolutos da energia da banda de conduo em cada material so, em geral, diferentes [21],
[22].
3.2.3. Confinamento Quntico
Quando as dimenses de um sistema so comparveis ao comprimento de onda de De

Broglie (DB) dos portadores de cargas,
DB =
h
h
= ,
2p p
(3.19)
70
onde p o momento do portados de carga, o movimento desses portadores torna-se

quantizado, implicando em mudanas no espectro energtico e nas propriedades dinmicas de
eltrons e buracos no sistema. Se somente uma das direes comparvel a DB, o sistema
comporta-se dinamicamente como um sistema bidimensional (poos qunticos). No
semicondutor volumtrico, a densidade de estados de portadores varia de um modo contnuo,
e colocando-se barreiras de potenciais, limitando ou quantizando o movimento dos portadores
de cargas, ocorrer uma discretizao na densidade de estados que definem as energias
permitidas. J quando, a limitao de movimento de portadores ocorre em duas ou em trs
dimenses, sero obtidos sistemas unidimensionais (1D) (fios qunticos) e zero-dimensionais
(0D) (pontos qunticos) respectivamente. As diferentes possibilidades de discretizao de
acordo com os vrios tipos de confinamentos so mostradas qualitativamente na Figura 3.11
[21], [22].
Figura 3.11 - Confinamento das heteroestruturas em relao dimensionalidade, (a) o

semicondutor volumtrico - 3D, (b) um poo quntico 2D, (c) o fio quntico 1D e (d) o
ponto-quntico 0D e as respectivas densidades de estados que portadores de carga podem
apresentar.
Nota-se que no caso do semicondutor volumtrico, a densidade de estados g(E) varia
de modo contnuo e quando se colocam barreiras de potencial limitando o seu movimento em
uma, duas ou trs direes, verifica-se a ocorrncia de uma mudana na densidade de estados
71
de energia permitida.
A possibilidade do crescimento de vrias heteroestruturas restrita pelo valor da
constante de rede dos materiais semicondutores. Esses valores devem ser bem prximos para
que o crescimento ocorra sem o surgimento de defeitos e relaxaes que podem vir a
prejudicar o desempenho do dispositivo, a Figura 3.12 mostra valores de gap e a constante de
rede para alguns materiais semicondutores volumtricos [21], [22].
Figura 3.12 Representao do gap de energia e constante de rede de vrios semicondutores

volumtricos a uma temperatura de 4,2 K.
Observe que pela exigncia da compatibilidade da constante de rede estes
semicondutores podem ser divididos em cinco famlias distintas em termo da compatibilidade
do material do substrato. Uma dessas famlias GaAs/AlxGa1-xAs e todo a frao molar do
Alumnio (x) acessvel, pois a constante de rede no varia significativamente neste caso.
72
Outro importante sistema inclui GaxIn1-xAsyP1-y e AlxIn1-xAs , que so depositados sobre um

substrato de InP [21].
3.2.4. Breve Descrio das Transies Intersubbanda (ISBT)
A fsica de forma detalhada para as ISBT pticas em poos qunticos pode ser
encontrada em Choi et al [2], Levine et al [12], Emmanuel et al [21], Fox [22], Bastard [23],
Liu et al [24], Alves [25] e Souza [26]. Esta seo descreve as transies intersubbanda
somente para a banda de conduo, que foram analisadas nas amostras deste trabalho.
Nos dispositivos QWIP formados com materiais semicondutores de gap direto, a
incidncia de radiao normal superfcie no absorvida pelo fato de que, para ocorrer a
transio intrabanda, necessrio que o campo eltrico da onda eletromagntica incidente
tenha componente normal ao plano dos poos qunticos, isto , na direo z de crescimento.
Portanto, radiao incidente perpendicular aos QWIP, cujo campo eltrico se localiza no
mesmo plano dos poos qunticos no absorvida. Devido a essa regra de seleo de
polarizao necessrio que se crie mecanismos que acoplem a luz ao detector, tal regra,
vlida para poos qunticos onde a aproximao da massa efetiva considerada.
Por causa da regra de seleo, a geometria de incidncia normal da luz no wafer ou ao
longo da direo de crescimento no adequada. comum o uso da geometria de uma das
bordas polida 45o. Nessa geometria, metade da luz incidente perdida, porm simples e
conveniente o uso, alm de ser usada como padro de referncia para determinao da
performance do detector.
A maioria das aplicaes dos QWIPs requerem matrizes 2D onde esta geometria de
45o na face no factvel. Outras formas de acoplamento da luz so utilizadas.
Nas cmeras de QWIP usadas para imageamento, a luz deve ser acoplada
73
uniformemente s matrizes de sensores, FPA (2D), de modo que uma grade de difrao ou
alguma estrutura semelhante deve ser fabricada sobre um lado dos detectores para
redirecionar a radiao com incidncia normal para ngulos de propagao mais favorveis
absoro [12].
Figura 3.13 Esquema de acoplamento de luz para estruturas QWIP de GaAs/AlGaAs: (a) a
luz incidente normal a uma face polida com um ngulo de 45o em relao aos poos
qunticos. (b) uma grade de difrao usada para refletir a luz vinda atravs do substrato.
Fonte: NAG, p. 324 [28].
A Figura 3.13(a) mostra a face de um dispositivo QWIP polida 45o na extremidade

adjacente ao detector. Observa-se que o substrato, neste caso, transparente ao comprimento
de onda de absoro do dispositivo. As amostras utilizadas neste trabalho foram medidas
utilizando esta geometria [24].
A Figura 3.13(b) apresenta uma grade confeccionada na superfcie superior do
dispositivo que difrata a luz normal incidente de volta para o detector em um ngulo que
resulta em componentes do campo eltrico na direo de crescimento dos poos qunticos,
melhorando a absoro [24].
No caso de heteroestruturas, os nveis de energia da banda de conduo podem ser
facilmente calculados atravs da resoluo da equao de Schedinger independente do tempo
74
definida por
r
r
r
h2
2 ( r ) + V ( r ) ( r ) = E ( r ) .
*
2m
(3.20)
Considera-se z a direo de crescimento da heteroestrutura e o movimento da partcula

r
na direo x e y livre, a funo de onda (r ) pode ser separada como mostrado na expresso
abaixo
r
(r ) = n ( z ) ( x, y ) .
(3.21)
Considere o modelo de um poo quntico com barreira infinita com potencial nulo
(V=0) para 0 < z < Lw e potencial infinito (V=) para z 0 ou z Lw . Neste caso, a equao
de Schoedinger independente do tempo, unidimensional, na regio do poo dada por
h2 d
n ( z ) + V (r ) n ( z ) = E n n ( z ) ,
2m * dz 2
(3.22)
sendo En > 0.
Levando-se em considerao as condies de contorno n(0)= n(Lw)=0 para o caso da
barreira de potencial infinito, baseado na equao (3.22) obtm-se as seguintes solues para
os autoestados da funo de onda e autovalores de energia [21], [24].
r
(r ) = n ( z ) ( x, y )
r
(r ) =
[ ( )]
r r
nz 1
2
sen
exp i k r
Lw
Lw A
(3.23)
75
h 2 n
En =
2m * Lw
r
2
h 2k 2
+
,
2m *
(3.24)
onde Lw a largura do poo, A a constante de normalizao da funo de onda no plano x-y,
r
n o numero quntico e inteiro positivo, k o vetor de onda no plano x-y e m* a massa
efetiva no poo quntico [24].
Este o caso mais simples que permite a obteno dos valores dos nveis de energia
dentro do poo quntico e das funes de onda dos eltrons nesses nveis.
O problema real apresenta maior complexidade, por exemplo, os poos possuem
barreira finita, e pode ocorrer o tunelamento. Neste caso, as autofunes possuem um termo
indicando o decaimento exponencial da funo dentro da barreira, alm disso, o coeficiente de
absoro intersubbanda depender da regra de ouro de Fermi para se determinar a taxa de
transio induzida dos eltrons (banda de conduo).
3.2.5. Tipos de QWIPs
Os QWIPs so formados por vrias estruturas de mltiplos poos qunticos com

transies pticas intrabanda de vrios tipos, simtricos, assimtricos que podem ter dopagem
tipo-n ou tipo-p e outros.
Considerando as transies pticas possveis os QWIP podem ser do tipo estado ligado
para estado ligado (B-B), estado ligado para o contnuo (B-C), estado ligado para o quasecontnuo (B-Q), banda larga, minibanda ligada para minibanda ligada (BM-BM), minibanda
76
ligada para minibanda no contnuo (BM-CM) e estado ligado para minibanda (B-M), segundo
a classificao citada por Gunapala et al [4], abaixo segue os tipos de QWIP devido s
transies apresentadas formados por MQW com dopagem tipo-n.
1) Tipo estado ligado para estado ligado (B-B)
Neste tipo de QWIP ocorrem transies intrabanda entre dois estados ligados e foi
demonstrado por Levine et al [12], a Figura 3.14 mostra uma estrutura de MQW produzida
com apenas dois estados ligados dentro do poo quntico e o mecanismo de gerao da
fotocorrente [4]. Trata-se do primeiro QWIP demonstrado.
Figura 3.14 Diagrama de bandas de conduo para um QWIP B-B que mostra a
fotocondutividade produzida pela transio intrabanda e o tunelamento para fora do poo.
Fonte: Gunapala et al, p.202 [4].
Neste caso, aps a absoro dos ftons no infravermelho os portadores de cargas
fotoexcitadas tunelam para fora do poo. Essas cargas fotoexcitadas que escapam do poo
podem ser transportados ao longo do plano do poo no estado acima da barreira devido ao
campo eltrico aplicado, as barreiras bloqueiam o transporte de portadores no estado
77
fundamental nos poos qunticos, diminuindo a corrente de escuro. Logo, os QWIPs so

baseados no tunelamento e transporte de portadores de cargas fotoexcitadas perpendicular aos
poos qunticos [4].
2) Tipo estado ligado para o contnuo (B-C)
Neste tipo de QWIP, diminui-se a largura dos poos qunticos de um QWIPs B-B, at
que se tenha um estado ligado, assim a absoro ser entre os estados ligados e estados no
contnuo acima das barreiras. A Figura 3.15 ilustra a banda de conduo de um QWIP B-C
[4].
Figura 3.15 - Diagrama de bandas de conduo para um QWIP B-C, mostrando a

fotoexcitao e o processo de transporte de eltrons quentes.
Nos QWIPs deste tipo, os eltrons fotoexcitados para o contnuo podem escapar do
poo quntico sem que ocorra o tunelamento atravs da barreira, permitindo um aumento da
espessura da barreira reduzindo o tunelamento do estado fundamental sem que ocorra uma
diminuio significativa na coleta dos fotoeltrons. Uma das principais vantagens desta
estrutura que os eltrons fotoexcitados podem escapar do poo quntico sem tunelamento
atravs da barreira, isto facilita o processo de gerao de fotocorrente. A tenso de
78
polarizao requerida para coletar de forma eficiente os fotoeltrons pode ser reduzida
sensivelmente, diminuindo a corrente de escuro [4], [12].
3) Tipo estado ligado para o quase-contnuo (B-Q)
Este um fotodetector a poos qunticos com transio entre um estado ligado dentro
do poo e um estado quase-ligado (B-Q) atravs do posicionamento do primeiro estado de
energia excitado na borda do poo. Este tipo de QWIP apresentou um melhor desempenho
que o B-C devido diminuio da corrente de escuro conforme visto na Figura 3.16 [4], onde
mostra a corrente de escuro de um QWIP tipo B-C e logo abaixo a corrente de escuro de um
QWIP tipo B-Q, que apresentou valores 10 vezes menores que o QWIP B-C. A Figura 3.16
tambm represena juntamente com o grfico da corrente de escuro o esquema da banda de
conduo e o processo de fotoexcitao do QWIP B-C e do QWIP B-Q.
79
Figura 3.16 Comparao da corrente de escuro de dois QWIPs XIR, um B-C e outro B-Q,
em funo da polarizao em T = 45K. Pode-se observar a significativa reduo da corrente
de escuro para o detector com transio para o estado quase ligado.
Em temperaturas acima de 45 K a corrente de escuro do QWIP dominada pela
emisso terminica dos eltrons no estado fundamental, dentro do poo para o contnuo de
energia. A diminuio da corrente de escuro no QWIP B-Q ocorre ao se posicionar o primeiro
estado excitado no topo do poo quntico, assim a barreira para emisso terminica se torna
maior do que no QWIP B-C e igual barreira para fotoionizao como ilustrado na Figura
3.16. Para o QWIP B-C a barreira de energia para emisso terminica aproximadamente de
10 15 meV menor do que para a fotoionizao [4].
4) Tipo banda-larga
80
O QWIP banda larga possui uma estrutura de MQW no simtrico, que baseado em
um repetio peridica de um conjunto de poos e barreiras com parmetros ligeiramente
diferentes, tais como largura de poo e altura da barreira. O primeiro dispositivo baseado
nesse tipo de estrutura foi demonstrado por Bandara, em 1998, e continha 33 conjunto de 3
poos de GaAs, com barreiras de AlGaAs com 575 de espessura separando os conjuntos
entre si. A espessura dos trs poos foi projetada para responder em torno de 13, 14 e 15 m
respectivamente. Esses poos so separados por uma barreira de AlGaAs com 75 de
espessura. A frao de Al nas barreiras foi escolhida de tal modo que o poo de 13 m opere
no modo B-Q a Figura 3.17 mostra o diagrama da banda de conduo de um QWIP de banda
larga sob a aplicao de um campo eltrico externo e os possveis caminhos de gerao da
corrente de escuro e fotocorrente no dispositivo sob uma tenso de polarizao [4].
Figura 3.17 - Diagrama de bandas de conduo em um QWIP de banda larga sob a aplicao
de um campo eltrico externo.
5) Tipo minibanda ligada para minibanda ligada (BM-BM)
Para que minibandas de energia surjam necessrio construir superredes considerando

o mesmo procedimento para construo de MQW. A Figura 3.18 ilustra as superredes
construdas atravs da sobreposio de camadas dos materiais semicondutores A e B, o
81
processo de penetrao das funes de onda nas barreiras e poos e a formao das
minibandas de energia para os eltrons e buracos ao longo da super-rede.
Figura 3.18 (a) Superredes construdas por semicondutores A e B, (b) Penetrao das
funes de onda nas barreiras e poos, (c) Formao das minibandas de energia para eltrons
e buracos.
Se a distncia entre dois poos consecutivos suficientemente pequena, possvel que
os eltrons tunelem pela barreira e passem de um poo para outro, em virtude da penetrao
da funo de onda dos eltrons na barreira e em outros poos. Assim as funes de onda dos
poos individuais tendem a se superpor devido ao tunelamento. Os nveis de energia de um
poo para o outro so ressonantes e os eltrons tunelam pela barreira sem mudar sua energia.
As minibandas ocorrem quando a tenso de polarizao atravs de um perodo da
superrede se torna menor que a largura da minibanda [4].
Os detectores de infravermelho baseados em superrede com transio entre dois
estados ligados, cada um pertencente a uma minibanda, ou seja, duas minibandas abaixo do
topo da barreira so denominados de minibanda ligada para minibanda ligada (BM-BM) [4].
Nos detectores com minibandas a fotoexcitao ocorre entre a minibanda fundamental
e a primeira minibanda excitada e o transporte dos eltrons fotoexcitados ocorre ao longo da
minibanda excitada. A Figura 3.19 demonstra o diagrama da banda de conduo de um QWIP
82
BM-BM juntamente com os parmetros de projeto do fotodetector desenvolvido por Bandara,

em 1992, para reduzir a corrente de escuro devido ao tunelamento na minibanda de mais
baixa energia [12].
Figura 3.19 Parmetros e diagrama de banda de conduo de um QWIP BM-BM

6) Tipo minibanda ligada para minibanda no contnuo (BM-CM)
O QWIP minibanda ligada para minibanda no contnuo (BM-CM) surge com

posicionamento da minibanda de estados excitados dentro do contnuo. Com isso, o transporte
dos eltrons fotoexcitados pode ser melhorado, semelhante ao caso dos QWIP (B-C).
Portanto, se espera que os detectores baseado na fotoexcitao de uma minibanda no estado
fundamental abaixo do topo da barreira para outra minibanda de estado excitado acima da
barreira apresente um desempenho superior. A Figura 3.20 mostra o diagrama da banda de
conduo de um QWIP BM-CM e o processo de fotoexcitao. Gunapala, em 1991, props e
demonstrou que fotodetectores com transio entre uma minibanda ligada e outra no contnuo
QWIP (BM-CM). Este dispositivo apresentou uma melhoria de mais de uma ordem de
magnitude no transporte de eltrons e no desempenho do detector comparada com os QWIP
BM-BM. O aumento da responsividade do detector, devido ao posicionamento da minibanda
83
excitadas dentro do contnuo, produz, porm, um aumento da corrente de escuro terminica

devido menor altura da barreira [4].
Figura 3.20 Diagrama da banda de conduo de uma estrutura BC-CM.

7) Tipo estado ligado para minibanda (B-M)
Yu e Li, em 1991, propuseram e desenvolveram um dispositivo QWIP de transporte

em minibanda que contem dois estados ligados, sendo que o estado de maior energia est em
ressonncia com a minibanda fundamental nas barreiras da super-rede (Figura 3.21).
Neste caso, a radiao infravermelha absorvida nos poos qunticos dopados
provocando a excitao de eltrons para a minibanda. Esses eltrons fotoexcitados so
transportados dentro da minibanda at serem coletados ou esses eltrons podem ser
recapturados em outro poo quntico. O princpio de operao dessa estrutura anlogo ao
QWIP B-C, sendo que os estados contnuos acima das barreiras so substitudos por
minibandas ao longo das barreiras. Os QWIP B-M apresentam um ganho fotocondutivo
inferior ao dos QWIP B-C devido ao transporte de eltrons fotoexcitados que ocorrerem
dentro da minibanda, assim os eltrons precisam de tunelar por vrias barreiras finas de
84
potencial, resultando numa baixa mobilidade [12].
Figura 3.21 Diagrama da banda de conduo da estrutura de QWIP B-M.

Fonte: Levine, p. R58 [12].
Yu, em 1992, props uma estrutura de QWIP B-M de passo (step bound-to-miniband),
visando diminuio da corrente de escuro melhorando o desempenho do detector. Essa
estrutura consistiu de superredes de AlGaAs/GaAs e entre cada super-rede, so construdos
poos qunticos mais profundos, a Figura 3.22 demonstra a banda de conduo dessa
estrutura juntamente com a minibanda [12].
Figura 3.22 Diagrama da banda de conduo para estruturas de QWIP B-M de passo.
Fonte: Levine, p. R58 [12].
3.2.6. Figuras de Mrito
85
A dificuldade de medir as caractersticas de um detector de infravermelho para relatar

seu desempenho est no grande nmero de variveis envolvidas experimentalmente, como por
exemplo, ambiental, eltrica e parmetros de radiometria que devem ser considerados e
controlados cuidadosamente [12].
Nesta seo, so apresentados alguns testes que podem ser realizados nos detectores
de infravermelho. Restringimos as consideraes das figuras de mrito apenas para detectores
que geram um sinal eltrico na sada do detector como resposta radiao incidente.
Visando facilitar a comparao entre vrios detectores usam-se as figuras de mritos,
que so um conjunto de medidas do detector que define seu desempenho. As figuras de mrito
mais comuns sero discutidas a seguir de acordo com o trabalho de Gunapala et at [12].
3.2.6.1.Ganho de Fotocondutividade e Fotocorrente
A Figura 3.23 mostra um esquema simples de um fotodetector de rea Ad, espessura L

e um fluxo ptico s incidindo perpendicularmente sobre a sua superfcie.
Figura 3.23 Geometria do detector sob a incidncia de radiao infravermelha.
86
Fonte: Gadir et al, p.5821 [33].
A intensidade do fluxo, para dado comprimento de onda, decresce exponencialmente

com a profundidade de penetrao z devido absoro ptica do material [33].
( z ) = s (1 r )e ( az )
(3.25)
onde r a refletncia da superfcie e a a absortncia do material [33].

A taxa de gerao de cargas fotoexcitadas G(z) por unidade de volume, considerando a
absoro apenas por fotoexcitao dada por [2], [33]
G( z) =
1 d ( z )
,
Ad dz
G( z) =
Ad
s (1 r )e ( z ) .
(3.26)
(3.27)
Em estado de equilbrio, a densidade de cargas fotogeradas P(z) constante isto , [2],

[33]
P ( z )
=0
t
(3.28)
Portanto, a taxa de gerao deve ser igual taxa de recombinao. Isso pode ser
descrito pelo tempo mdio de recombinao dos eltrons (). A equao (3.28) pode ser
reescrita como [2], [33]
87
P ( z )
P( z )
= G( z)
= 0.
t
(3.29)
Portanto, a partir da equao (3.29) a densidade de cargas fotogeradas pode ser

expressa da seguinte forma [2], [33]:
P ( z ) = G ( z ) .
(3.30)
A equao da densidade mdia dos fotoeltrons ( P ) ao longo da espessura da amostra

dada por [2], [33]
P=
1
1
P( z )dz = G ( z )dz
L0
L0
(3.31)
P=
s
(1 r ) exp(z )dz,
LAd
0
(3.32)
P =
s
(1 r )[1 exp( L)] = s ,
LAd
LAd
(3.33)
onde corresponde a eficincia quntica definida como a probabilidade de absoro de um

fton no poo quntico para produzir um carga (q) fotoexcitada. A eficincia quntica dada
por [2], [33]:
= (1 r )[1 exp(L)].
(3.34)
A partir da equao (3.34), observa-se que a eficincia quntica aumenta com o

aumento da espessura do detector [2], [33].
88
Se uma tenso eltrica for aplicada entre as superfcies superior e inferior, a

fotocorrente (Ip) gerada pode ser escrita como [2], [33]

I p = Ad P q = ( s )q ,
L
(3.35)
onde a velocidade de deriva das cargas fotoexcitadas.

Considerando que os eltrons so as cargas fotoexcitados, a equao (3.35) pode ser
reescrita em termos da velocidade de deriva dos eltrons e e da carga eltrica do eltron e a
fotocorrente

I p = ( s )e e
L
I p = e s g ,
(3.36)
onde g conhecido como o ganho fotocondutivo e pode ser interpretado como a razo entre o
livre caminho mdio dos eltrons (e) e a espessura do detector (L) [2], [33]
g=
e
L
(3.37)
Considerando um tpico QWIP, onde a corrente de escuro dominada pela emisso

terminica, o ganho do rudo e o ganho de fotocondutividade pode ser escrito em termos de
probabilidade de captura nos poos qunticos (Pc), probabilidade de captura do eltron pelo
prximo perodo de MQW, e o nmero de poos qunticos N na regio dos mltiplos poos
qunticos (MQW) [12], [33].
89
A Figura 3.24 demonstra esquematicamente o modelo de fotocorrente da estrutura de

mltiplos poos qunticos (MQW) definida em Levine et al [12].
Figura 3.24 Representao dos mecanismos de gerao de fotocorrente.

Fonte: Levine et al, pg R28 [12].
A fotocorrente total composta pela fotocorrente remanescente formada pelos eltrons

no capturado pelo poo [(1-Pc)Ip] e pela fotocorrente gerada pela emisso dos eltrons a
partir do poo [(1-Pc)ip], sendo que Pc a probabilidade de captura do poo quntico.
Portanto, a fotocorrente total (IP) pode ser definida como [2], [33]:
I P = (1 Pc ) I P + (1 Pc )i p ,
I P Pc = (1 Pc )i p
(3.38)
Usando a definio de fotocorrente dada pela equao (3.36), a fotocorrente emitida

por um nico poo quntico dada por:
i p = e w s
(3.39)
90
sendo w eficincia quntica de um nico poo quntico com ganho unitrio.

Partindo da definio de fotocorrente (equao 3.36) a fotocorrente total (IP) tambm
pode ser definida como:
I p = e s g ,
(3.40)
sendo a eficincia quntica total da estrutura de MQW constituda por um nmero de Nw

poos qunticos no QWIP e considera-se a carga fotoexcitada como um eltron (q = e) [2],
[33].
Admitindo-se que a quantidade de cargas escapando do poo igual quantidade de
cargas capturada pelo poo, tem-se que (PcIp = (1-Pc)ip), e combinando as expresses (3.38) e
(3.39), a fotocorrente total em uma estrutura de MQW pode ento ser representada por [33]:
e s gPc = (1 Pc )e w s .
(3.41)
O ganho fotocondutivo total obtido a partir da expresso (3.41) acima pode ser
expresso por:
g =
(1 Pc ) w
.
Pc
(3.42)
Assumindo que a eficincia quntica < 1 e considerando Nww, pode-se

reescrever a equao (3.42) da forma:
91
1 Pc 1
.
Pc N w
(3.43)
3.2.6.2.Espectro de absoro
O coeficiente de absoro a um parmetro importante usado no desenvolvimento dos

projetos de fotodetectores. As heteroestruturas de semicondutores so otimizados para um
espectro de absoro requerido e o coeficiente de absoro medido aps o crescimento da
amostra, antes da fabricao do dispositivo [12].
Para o nosso caso, o coeficiente de absoro para poos qunticos com transies de
estado ligado para o contnuo tem amplitude menor e espectro mais largo que os poos
qunticos com transies de estado ligados para estados ligados. Esse fato atribudo
conservao da integral da fora do oscilador [12], [17], [21], [22], [23], [24].
Matematicamente o espectro definido como [2], [12],
constante
ND
(3.44)
onde p o pico do coeficiente de absoro; / a largura da banda de absoro; ND a

densidade de dopagem no poo.
A absoro medida, em geral, usando um espectrmetro de infravermelho de
Transformada de Fourier (FTIR) obtendo o espectro de absoro [25].
3.2.6.3.Responsividade
A responsividade de um detector de infravermelho definida como a razo entre o
92
valor rms da componente fundamental do sinal eltrico de sada do detector e o valor rms da
componente fundamental da potncia de radiao na entrada. A responsividade espectral de
tenso (ou corrente) dada por [1]:
R ( ) =
Vs
[V / W ]
e ( )
(3.45)
Is
R ( ) =
[ A /W ]
e ( )
onde e() a potncia de radiao espectral incidente no detector, Vs e Is respectivamente o

sinal de tenso e o sinal de corrente (fotocorrente) devido ao fluxo de radiao incidente.
Adicionalmente, possvel obter a responsividade teoricamente, sendo definida como
a fotocorrente por potncia ptica incidente (Ps) [2]
R=
Ip
Ps
[A /W ]
(3.46)
onde Ps = sh. Reescrevendo a responsividade (R) substituindo a fotocorrente (Ip) pela

expresso dada na equao (3.36), tem-se:
R=
R=
e s g
s h
(3.47)
e
g
h
A equao 3.47 pode determinar a responsividade teoricamente, mas tambm pode ser
utilizada para determinar a responsividade a partir de dados experimentais dos valores da
93
eficincia quntica ().
3.2.7. Corrente de Escuro
A corrente de escuro um dos parmetros mais importantes que limitam o

desempenho de um fotodetector de infravermelho. a corrente que flui ao longo de um
detector, com determinada tenso de polarizao, na ausncia de radiao infravermelha [12].
Nos QWIPs, a corrente de escuro a principal fonte de rudo do detector em altas
temperaturas. Assim, os detectores QWIP so, em geral, resfriados no intervalo de 50 - 77K
para reduzir a corrente de escuro [3], [12].
No caso de um poo quntico, os eltrons so confinados na direo do crescimento
(denominemos z) e circulam livremente nos outros dois sentidos (x,y). A energia total dos
eltrons a soma da energia do estado do poo unidimensional somada energia de
deslocamento no plano das camadas.
Existem, basicamente, trs mecanismos que geram a corrente de escuro no dispositivo
a poos qunticos que podem ser facilmente identificados e est ilustrado na Figura 3.25 [12].
94
Figura 3.25 - Trs mecanismos de gerao da corrente de escuro em um fotodetector QW: (1)
tunelamento do estado fundamental, (2) tunelamento assistido termicamente e (3) emisso
terminica.
O primeiro mecanismo ocorre devido a uma seqncia de tunelamento ressonante que
ocorre quando o eltron no estado fundamental deslocar-se pela barreira para poo quntico
seguinte. Esse mecanismo independe da temperatura e predomina em baixas temperaturas de
operao dos dispositivos. Para superar este efeito, barreiras mais espessas podem ser
incorporadas entre os dois poos [12].
O segundo mecanismo predomina em mdias temperaturas (40 - 70 K), o
tunelamento assistido termicamente, processo que envolve a excitao trmica dos eltrons e
posteriormente o tunelamento atravs da barreira, podendo ser facilitado por estados de
defeito que surgem na parte triangular na barreira formada sob aplicao de uma tenso de
polarizao. Para superar este efeito, tenso de polarizao (veja Figura 3.26(b)) deve ser
reduzida.
Figura 3.26 Esquema representando as estruturas de mltiplos poos qunticos sem tenso
de polarizao (a) e quando aplicada a tenso de polarizao (b).
O terceiro mecanismo ocorre pela emisso terminica, eltrons so excitados
termicamente para o estado no contnuo fora do poo e ocorre em elevadas temperaturas. Para
95
reduzir esse efeito a profundidade do poo e a concentrao de dopantes devem ser

otimizados [12], [25].
Teoricamente, para se fazer uma estimativa da corrente de escuro, costuma-se assumir
um campo eltrico aplicado uniforme nos MQWs e um equilbrio termodinmico das cargas.
A corrente de escuro calculada em funo da tenso de polarizao, segundo Levine
et al, [12] como sendo:
I D (V ) = en* (V ) (V ) Ad ,
(3.48)
onde Ad a rea do dispositivo, e a carga do eltrons, (V) a velocidade mdia de deriva

dos eltrons, n*(V) o nmero efetivo de eltrons termicamente excitado para fora do poo.
A diminuio da temperatura o principal mecanismo para reduzir a corrente de
escuro por emisso terminica nos detectores [12].
3.2.8. Detectividade
A potncia equivalente ao rudo (NEP) descreve o menor nvel de radiao detectvel

no detector. De uma forma mais precisa o NEP a potncia de radiao incidente sobre o
detector que produz um sinal de sada igual ao rudo dado por [2], [26]
NEP =
In
,
R
(3.49)
neste caso R a responsividade e In corresponde corrente de rudo no detector.

O NEP tambm definido como o nvel de sinal que produz uma relao sinal-rudo
96
unitria. Jones (1952) verificou que o NEP diretamente proporcional raiz quadrada da rea
do detector e da largura de banda de freqncia da medida
Ad f .
mais conveniente comparar diferentes detectores utilizando a detectividade D,

definida como o inverso do NEP:
D=
1
.
NEP
(3.50)
A detectividade normalizada (D*) para um detector de rea Ad e largura de banda de

rudo f a definido por
D* =
Ad f
NEP
Ad f
In
R p0 .
(3.51)
A importncia de D* que esta figura de mrito permite a comparao entre detectores

do mesmo tipo, mas com reas diferentes, sendo tambm definida como a relao sinal-rudo
rms (para uma largura de banda de 1 Hz) por unidade rms de potncia de radiao incidente
(H), sendo expressa em cmHz1/2W-1 e dada por:
D* =
1
H
f I s
.
Ad I n
(3.52)
Um valor de Detectividade (D*) maior implica em um NEP menor e, portanto, um

detector mais sensvel [2], [26].
As fontes bsicas de rudo associadas a um fotodetector podem ser dividas em dois
grupos: o rudo devido flutuao de ftons que pode estar relacionado fonte ptica ou a
97
radiao de fundo e o rudo gerado no detector. Os tipos de rudo gerados no QWIP so o

rudo trmico, rudo de gerao-recombinao e o rudo flicker. O rudo trmico no QWIP
pode ser atribudo ao movimento randmico dos portadores de cargas, sendo produzido pela
flutuao das cargas e est diretamente relacionado com a temperatura do detector. No
semicondutor, a flutuao no nmero de cargas pode ser causada pela gerao e combinao
de doadores, centros de recombinao na estrutura e outros, portanto, a resistncia flutua. Este
rudo denominado de rudo de gerao-recombinao (G-R). Muitas fontes de rudo tm
uma independncia com o espetro de freqncia para baixas freqncias, visto que, a
intensidade do espectro diminui para altas freqncias. A nica exceo o rudo flicker (1/f),
o qual usualmente tem um espectro que varia com o inverso da frequencia (1/f) ao longo de
toda faixa de freqncia. Como resultado, o rudo flicker denominado de rudo 1/f. Sua
causa atribuda a irregularidades da superficie do detector e rudos de contato. Segundo
Lloyde (1996), ele ocorre devido a variaes nas resistncias de contato causadas por
oscilaes caticas no estado potencial das superfcies. A seguir ser discutido brevemente
cada fonte de rudo.
Rudo Trmico:
O rudo Johnson est associado flutuao na velocidade dos portadores causada pelo
movimento termal dos portadores no elemento resistivo. O rudo Johnson pode ser calculado
atravs da mecnica estatstica e considerando a distribuio estatstica de Poisson. A
expresso da corrente de rudo Johnson dada por [2], [26]:
Ij =
4kTf
(3.53)
98
onde a resistncia do detector e f a largura de banda da freqncia medida dada por:
f =
1
2 d
(3.54)
onde d o intervalo de tempo da medida.

O rudo Johnson a fonte de rudo dominante para baixas tenses de polarizao no
QWIP.
Rudo de gerao-recombinao (G-R)
O rudo gerao-recombinao (G-R) est associado flutuao da corrente devido

flutuao da densidade de portadores. Neste caso, existem um rudo associado com a gerao
de portadores de cargas, chamado de rudo de gerao e um rudo associado com o processo
aleatrio de recombinao de portadores de cargas que tambm contribui para a flutuao na
densidade de portadores [2], [26].
O rudo de gerao-recombinao (G-R) considerando o processo de gerao e
recombinao dos portadores de carga, a corrente deste rudo dada por [2], [26]
I GR = 4 g n eI d f .
(3.55)
onde Id a corrente de escuro do dispositivo e gn o ganho do rudo. Em fotocondutores, o

ganho do rudo gn igual ao ganho fotocondutivo g (gn=g) e esta uma boa aproximao para
efeitos prticos.
99
Rudo 1/f
A presena de imperfeies nos fotodetectores como, por exemplo, estado de

impureza pode causar flutuao na densidade de cargas mveis e na densidade de cargas
imveis, com uma freqncia diferenciada para cada estado de impureza. A combinao de
diferentes respostas em freqncia fonte de rudo flicker (1/f) [2], [26].
O rudo G-R associado com flutuao trmica e decaimento de cargas, portanto,
resultando na flutuao do nmero de portadores de cargas no QWIP. O rudo G-R a fonte
de rudo dominantes nos QWIP fotocondutores.
Em geral, o rudo de corrente para o QWIP inclui dois componentes, um o rudo da
corrente de escuro do QWIP (ind) e outro o rudo devido radiao de fundo a 300K (inb).
O rudo da corrente de escuro (ind) dado por:
4 g n eI d f para o rudo gerao recombinao
ind = 4kTf
para o rudo Johnson
(3.56)
O rudo de ftons da radiao de fundo causado pela flutuao do nmero de ftons

de fundo absorvido pelo QWIP, este rudo pode ser calculado basicamente usando a estatstica
de ftons incoerentes. O rudo de corrente gerado pelos ftons de radiao de fundo dado
por

2
= 4e 2 g 2 b f ,
inb
h
(3.57)
onde b a potncia de radiao de fundo incidente, o fator de correo de polarizao,
100
a freqncia dos ftons incidentes, e g o ganho fotocondutivo.

O rudo de corrente total no QWIP expresso como
2
2
+ ind
I n2 = inb

I n2 = 4e 2 g 2 b f + 4 geI d f
h
2
I n = 4eg (I d + I b )f ,
(3.58)

onde I b = eg b a corrente de fundo detectada no QWIP.
h
A relao entre o sinal e o rudo (SNR) do fotocondutor dada pela razo entre a
fotocorrente e a corrente de rudo sendo
2
(ge s )2
S Ip
=
=

2
N I n 4eg (I d + I b )f
(3.59)
No decorrer deste captulo foram abordados os conceitos fundamentais de emisso de

radiao por um corpo negro e como ocorre a transferncia do fluxo de radiao, tendo sido
apresentados desde das leis da radiao de um corpo negro at os tipos de fontes artificiais de
radiao usadas em laboratrios alm dos fatores envolvidos na transmisso atmosfrica.
Na seo 3.2 foram apresentados o resumo do desenvolvimento histrico dos
fotodetectores de infravermelho a poos qunticos, alm dos aspectos mais relevantes para a
compreenso do mecanismo fsico envolvido em seu funcionamento. Ao final deste captulo
forma abordadas as figuras de mritos relevantes na avaliao de desempenho dos detectores
de infravermelho, as quais como j dito, so importantes na comparao entre tecnologias
distintas.
101
4. Procedimento Experimental
Neste captulo sero descritos os mtodos utilizados para caracterizao das amostras
de QWIPs desenvolvidas no projeto.
A primeira seo deste captulo detalhar a composio das amostras de QWIPs
caracterizadas. As outras sees iro detalhar o procedimento de montagem e preparao do
experimento para caracterizao das amostras, e os mtodos utilizados para anlise dos dados,
de acordo com as figuras de mritos: responsividade espectral, responsividade integral e
corrente de escuro. Por ltimo, uma seo destina-se a apresentar os resultados experimentais
obtidos e discusses desses resultados.
4.1. Descrio das Amostras
As amostras de QWIP foram crescidas no Laboratrio LabSem (PUC-RIO) pela

tcnica de Epitaxia de Fase Vapor Metalorgnicos (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
MOVPE).
Usou-se o acoplamento ptico de guia de onda a 45o pela borda do substrato como
mostrado na Figura 4.1.
102
Figura 4.1 Estrutura de processamento das amostras.

Fonte: Souza, p.90 [26].
A estrutura semicondutora dos fotodetectores QWIP e os parmetros de projeto que

determinaram as caractersticas finais do dispositivo so apresentados na Figura 4.2.
50 x
GaAs (Tipo-n Si 1018 cm-3) (500nm)

Camada de Contato
InGaAs (Tipo-n Si 2x10 18 cm-3) (500nm)

Camada de Contato
Barreira Al0,27Ga0,73As (30 nm)
Barreira Al0,52In0,48As (30 nm)
Poo GaAs (Tipo-n Si 1018 cm-3) (5nm)
Poo In0,53Ga0,47As (Tipo-n Si 1018 cm-3) (5nm)
Barreira Al0,27Ga0,73As (30 nm)
50 x
Barreira Al0,52In0,48As (30 nm)
GaAs (Tipo-n Si 1018 cm-3) (500nm)

Camada de Contato
InGaAs (Tipo-n Si 2x10 18 cm-3) (500nm)

Camada de Contato
Substrato GaAs (450 m)
Substrato InP (350 m)
(a)
(b)
Figura 4.2 Estrutura semicondutoras crescidas no LabSem (a) AMOSTRA I de QWIP de
MQW Al0,27Ga0,73As/GaAs e (b) AMOSTRA II de QWIP de MQW
In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As.
A Amostra I crescida sobre um substrato semi-isolante (substrato formado por
semicondutor intriseco com resistividade da ordem de 108cm, tornando o material quase
isolante [10]) de GaAs de espessura de 450 m orientado com o plano (100) paralelo a
superficie. A camada de contato de GaAs com espessura de 500 nm foi dopada com Si (ND =
103
1 x 1018 cm-3). A estrutura de mltiplos poos qunticos (MQW) composta de 50 poos de

GaAs de 50 dopados com Si (ND = 1 x 1018 cm-3) e 51 barreiras de Al0,27Ga0,73As com
espessura de 300 [26].
A Amostra II crescida sobre um substrato semi-isolante de InP de espessura de 350
m orientado com o plano (100) paralelo superficie. A camada de contato de InGaAs com
espessura de 500 nm foi dopada com Si (ND = 2 x 1018 cm-3). A estrutura de mltiplos poos
qunticos (MQW) composta de 50 poos de In0,53Ga0,47As de 30 dopados com Si (ND = 2
x 1018 cm-3) e 51 barreiras de Al0,52In0,48As de 300 [26].
As Amostras I e II possuem rea de 285 m x 180 m (5,13 x 10-4 cm2) e uma janela
ptica de 120 x 120 m2 (1,44 x 104 m2). O contato metlico foi depositado por evaporadora
de feixe de eltrons cuja composio Ti/AuGe/Ni/Au [26].
A Amostra I (Al0,27Ga0,73As/GaAs) fixa no suporte de encapsulamento mostrado na
Figura 4.3. A descrio dos terminais identificando trs dispositivos caracterizados
denominados por A, B e C apresentada na Figura 4.4.
Figura 4.3 Demonstrao do encapsulamento realizado na amostra de QWIP.

Fonte: Souza, p.91 [26].
104
C
C
Figura 4.4 Esquema de conexes da Amostra I e identificao dos dispositivos

caracterizados.
A Figura 4.5 mostra a Amostra II de (In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As) fixa no portaamostra. A Figura 4.6 apresenta a descrio dos terminais conectados ao dispositivo da
Amostra II.
Figura 4.5 Amostra II de In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As fixa no suporte.
105
Figura 4.6 Esquema das conexes da Amostra II e identificao do dispositivo

caracterizado.
4.2. Caracterizao do sistema QWIP
As principais figuras de mrito, mencionadas no captulo 3, como corrente de escuro e

responsividade foram determinadas. Elas descrevem as caractersticas e desempenho dos
detectores.
Esta seo detalha o procedimento experimental e o sistema implementado durante o
trabalho para obteno das figuras de mritos citadas das Amostras de QWIP.
4.2.1. Caracterizao Corrente de Escuro (IxV)
A caracterizao IxV da corrente de escuro foi feita usando um analisador de

parmetros de semicondutores Kethley 4200 SCS (Semiconductor Characterization System).
A Amostra foi imersa em nitrognio lquido (LN2), 77 K, no interior de uma Gaiola de
Faraday (feita para amenizar interferncias eletromagnticas). As Amostras foram colocadas
ainda dentro de uma caixa metlica escura e tambm imersa no LN2 para blindar a radiao
infravermelha de fundo mostrado na Figura 4.7.
106
Figura 4.7 Caixa metlica para blindagem da radiao infravermelha de fundo nas Amostras
de QWIP.
A montagem dos equipamentos de laboratrio utilizados no sistema para obteno das
curvas IxV no Laboratrio de Caracterizao de Dispositivos Semicondutores do Instituto de
Estudos Avanados (IEAv) apresentada na Figura 4.8.
Figura 4.8 Montagem experimental de um sistema de caracterizao eltrica de corrente por

tenso (IxV) em laboratrio do IEAv.
Esta seo apresentou o procedimento experimental alm do mtodo e equipamentos
usado para caracterizao da corrente de escuro dos dispositivos.
107
4.2.2. Caracterizao da Responsividade
A responsividade envolve a medida dos nveis de sinal produzidos pelos detectores,

sob determinadas condies de operao, permitindo a comparao, qualitativa e quantitativa,
entre dispositivos semelhantes.
A medio da responsividade foi efetuada no Laboratrio de Radiometria e Calibrao
de Sensores Eletro-pticos (LaRaC) do Instituto de Estudos Avanados (IEAv) e no
Laboratrio Associado de Sensores (LAS) do INPE. No LaRaC mediu-se a responsividade
espectral utilizando um monocromador e um sensor de referncia. No LAS mediu-se a
responsividade integral, ou seja, a responsividade medida contra um corpo negro a dada
temperatura. Utilizando-se a responsividade relativa dos sensores, previamente medida em um
espectrmetro de transformada de Fourier da PUC-Rio, o pico de responsividade e,
conseqentemente, a responsividade espectral absoluta foi determinada.
4.2.2.1. Responsividade Integral
O diagrama em blocos do arranjo experimental utilizado em laboratrio para medio

da responsividade integral mostrado na Figura 4.9. Nesse arranjo, o detector iluminado
por um corpo negro (Black Body IR461, Infrared Industries Inc.), cuja radiao modulada
mecanicamente por um chopper (Chopper PAR192, E.G.G. Princenton Apllied Research).
O sinal produzido pelo detector aps a incidncia da radiao medido por um amplificador
sncrono (Lock-in Amplifier Signal Recovery 7265) com ajuste de fase automtico.
O amplificador sncrono um instrumento utilizado para a medida de sinais baixos
imersos em rudo. Trata-se de um instrumento largamente utilizado em experimentos ptico.
108
Amplificador Sncrono Lock-in
DIAGRAMA DE
BLOCO DA
FONTE DE
TENSO DE
POLARIZAO
DO DETECTOR
Sinal
RESISTOR
VARIVEL
Referncia
DETECTOR
9,0 V
CONECTOR
COAXIAL
Criostato
com
Detector
Corpo Negro
TB
Chopper
Modulador
Mecnico

medidas de fotocorrente do detector.
Considerando o primeiro harmnico da densidade de potncia incidente no detector,
produzida pelo corpo negro e modulada pelo chopper, H(TB, ), pode ser expresso por
As 2
H (TB , ) = FmTJ 2 M (TB , )d ,
d 1
(4.1)
onde: Fm o fator de transferncia do modulador mecnico; As corresponde rea de abertura

da cavidade do corpo negro na temperatura TB (K); TJ o fator de transmisso da janela ptica
do criostato; d a distncia entre a abertura do corpo negro e o detector e M(TB,) representa a
emitncia espectral radiante do corpo negro definida de acordo com a equao (3.4).
O fator de transferncia Fm refere-se ao valor rms do primeiro harmnico do sinal
modulado. Este fator depende da relao entre a abertura As e a abertura da retcula do
109
modulador, como mostrado na Figura 4.10.
Figura 4.10 - Ilustrao da lmina reticulada de um modulador mecnico.

Fonte: Boschetti p.11 [8].
Faz-se necessrio agora determinar o fator de transferncia Fm a partir dos ngulos de

abertura da retcula e do corpo negro. Para tal, obtm-se a seguinte expresso para a razo
entre o ngulo de abertura do corpo negro a e o ngulo de abertura da retcula do chopper t,
[1], [8]
a
.
t
(4.2)
A relao expressa na equao (4.2) pode tambm ser expressa em termos do dimetro
de abertura (Dc) da lmina do chopper e nmero de aberturas (n) da mesma, de forma que [1],
[8].
nDa
,
(Dc Da )
onde Da corresponde ao dimetro da abertura do corpo negro [1], [8].
(4.3)
110
Os valores dos respectivos fator de transferncia Fm para um valor especfico de so

listados na Tabela 4.1. Admitindo-se que a abertura do corpo negro fosse pontual o sinal
modulado seria na forma de uma onda quadrada. Na prtica isso no ocorre [1], [8]
Tabela 4.1 Valores do fator de transferncia Fm do modulador mecnico para um

valor especifico de .
0 (onda quadrada)
0,05
0,08
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50 (onda triangular)
Fm (fator rms)
0,450
0,448
0,445
0,442
0,443
0,421
0,405
0,386
0,340
0,286
Fonte: Hudson, [1].
Neste trabalho, variou-se a abertura do corpo negro e conseqentemente o fator de

transferncia Fm relativo ao valor rms do sinal modulado tambm variou. Sendo n =17 e Dc =
20,6 cm. Os valores dos respectivos fatores de transferncia para uma abertura do corpo negro
so listados na Tabela 4.2.
Tabela 4.2 Valores do fator de transferncia Fm do modulador mecnico para um

valor de abertura do corpo negro (CN).
Dimetro de Abertura do CN, Da
(polegadas)
0,6
0,4
0,2
Fm (fator rms)
0,29
0,38
0,43
111
A Figura 4.11 apresenta a montagem realizada no Laboratrio Associado de Sensores

do INPE onde se realizou a medida de responsividade integral.
Figura 4.11 Laboratrio de Sensores do INPE usado para medidas de responsividade dos
fotodetectores.
Partindo da relao de responsividade dada pela equao (3.45), possvel determinar
o pico de responsividade, sendo que, neste caso, obtm-se o fluxo de radiao por
e ( ) = H (TB , ) Ad cos ,
(4.4)
onde H(TB, ) a densidade de potncia incidente no detector definida pela equao (4.1) e Ad
a rea do detector e o ngulo de incidncia.
Escrevendo a responsividade espectral (R()) em termos do espectro de resposta
relativa normalizada s() e o pico de responsividade do detector, obtm-se a seguinte
expresso
112
R( ) = R p0 s( ) .
(4.5)
Substituindo as equaes (4.1), (4.4) e (4.5) na equao (3.45) pode-se definir a

corrente de sada como:
AA
I s = FmTJ s 2d
d
M (T , )R s( )d
0
p
AA
I s = R p0 FmTJ s 2d
d
(4.6)
M (T , )s( )d
B
Essa relao vlida para as medidas realizadas com purga, pois nesse caso as perdas
devido absoro ou ao espalhamento do fluxo de radiao so desconsideradas.
Para medidas realizadas sem purga, a densidade de potncia emitida pelo corpo negro
atenuada ao incidir no detector devido absoro atmosfrica e espalhamento por partculas
em suspenso, sendo ambos dependentes do comprimento de onda. Definindo o coeficiente de
extino como (), teremos um fator de atenuao do sinal igual a e-()d, onde d a distncia
entre a abertura do corpo negro e o detector [1].
No sistema sem purga a densidade de potncia incidente no detector definida de
acordo com a equao (4.1) e apresenta atenuao atmosfrica. Portanto, a densidade de
potncia incidente no detector ser expressa por
As 2
H = FmTJ 2 M (TB , )e ( ) d d .
d 1
(4.7)
113
O coeficiente de extino depende do comprimento de onda da radiao, portanto a

relao definida na equao (4.7) no apresenta uma relao algbrica simples relacionando a
intensidade da radiao incidente com a distncia do corpo negro.
Supondo que seja possvel encontrar um coeficiente de extino efetivo independente
do comprimento de onda, ()= = constante, tem-se a seguinte expresso para a densidade
de potncia:
As d 2
H = FmTJ 2 e M (TB , )d .
d
1
(4.8)
Esta seo foi detalhado o procedimento experimental adotado para caracterizao da

responsividade integral dos QWIPs e o mtodo utilizado para amenizar o efeito da absoro
da atmosfera na caracterizao dos dispositivos. A prxima seo ir tratar do procedimento
experimental realizado para caracterizao da responsividade espectral dos dispositivos.
4.2.2.2. Responsividade Espectral
O arranjo experimental para medidas de responsividade espectral (R()) diferente

daquele mostrado na Figura 4.9, entre o chopper e o detector foi intercalado um
monocromador (SpectraPro 2500i - ACTON) que trabalha com grades de difrao adequadas
para as diferentes faixas de comprimento de onda de interesse. Devido ao aumento do
caminho ptico e principalmente devido s perdas inerentes ao monocromador, a radiao
incidente no detector atenuada de forma significativa, sendo necessrio a substituio do
corpo negro por uma fonte do tipo Globar (Oriel Intruments M-6363), mais intensa.
Neste arranjo, foi usado um chopper (Chopper Model SR540 - Stanford Reseach
114
Systems, INC) e um amplificador sncrono (SR510 Lock-in Amplifier - Stanford Reseach

Systems, INC) e para diminuio do efeito da absoro atmosfrica, foi feita purga no
monocromador com nitrognio seco.
O diagrama em blocos do arranjo experimental utilizado em laboratrio para medidas
de responsividade espectral mostrado na Figura 4.12.
Amplificador
Sncrono
Lock-in
Computador
Sinal
Referncia
Fonte
Globar
Criostato
com
Detector
Monocromador
Chopper
Modulador
Mecnico

medidas de responsividade espectral.
A montagem experimental usada para caracterizao da responsividade espectral
mostrada na Figura 4.13.
115
FONTE DE
TENSO
CRIOSTATO
DETECTOR
77K
COMPUTADOR
MONOCROMADOR
CHOPPER
AMPLIFICADOR
LOCK-IN
FONTE
GLOBAR
Figura 4.13 Laboratrio de LaRaC do IEAv para medidas de responsividade espectral dos
fotodetectores.
A curva de radincia da fonte artificial usada no laboratrio, Globar Oriel M-6363, e a
curva de emissividade desta fonte a uma potncia de 100W so apresentadas na Figura 4.14.
Figura 4.14 (a) Curva Tpica do espectro de irradiao de um corpo negro a 1050K, de um
Globar Oriel M-6363 com 0,1 cm2 de rea, para uma distncia de 0,5 m e (b) emissividade de
um Globar Oriel M-6363. . (dados traduzidos do Manual) para alimentao da lmpada com
potncia mxima.
116
O sistema microcontrolado por uma interface GPIB, permitindo a varredura

automtica do intervalo de comprimento de onda desejado. As medidas foram realizadas com
o programa de controle e aquisio de dados do sistema j existente no laboratrio em
plataforma LabView 8.0.
O programa controla o movimento das grades de difrao do monocromador e

armazena os dados do sinal enviado pelo Lock-in e pelo osciloscpio. Neste trabalho, foram
usados apenas os sinais medidos no Lock-in atravs da placa de interface. A Figura 4.15
mostra a interface grfica do programa usado.
117
Figura 4.15 Interface do programa de controle dos equipamentos para medidas de

responsividade espectral, em LabView.
118
O programa permite a escolha da grade de difrao (Grade 1, Grade 2 e Grade 3

centrada em 8,0 m, 4,0 m e 2,0 m, respectivamente) em Seleo de Torre e Grade
Na janela Amplificador, os ajustes de fase, escala e unidades de medidas do
amplificador sncrono so feitos, possvel optar por medidas feitas pelo osciloscpio e pelo
amplificador. Na janela Medies, os parmetros do nmero de medidas por comprimento de
onda, comprimento de onda inicial e final e o intervalo de comprimentos de onda so
preenchidos antes de iniciar a medio. Na janela Resultados, mostram-se os grficos obtidos
a partir dos dados medidos no Amplificador Lock-in.
As Amostras so fixadas em um porta-amostra de cobre e acoplado em um criostato
refrigerado a nitrognio lquido para a caracterizao eltrica e determinao das figuras de
mrito. Utilizou-se dois criostatos: um com janela ptica de BaF2, mostrado na Figura 4.16 e
outro com janela ptica de ZnSe, mostrado na Figura 4.17, ambos com conectores Detronics
de 10 pinos. Faz-se vcuo no criostato at atingir uma presso da ordem de 4 x 10-6 mbar.
Figura 4.16 Criostato de nitrognio liquido com janela de BaF2.

Fonte: Barros, p.76 [27].
119
Figura 4.17 Criostato refrigerado por nitrognio lquido com janela de ZnSe.
As perdas da radiao incidente na janela ptica dos criostatos foi determinada a partir
dos espectros de transmisso j existentes na literatura.
O espectro de transmisso da janela ptica de BaF2 com espessura de 1,0 mm medido
no INPE atravs do FTIR mostrado na Figura 4.18. Observa-se neste caso, que o coeficiente
de transmisso na faixa de comprimento de onda de 2 10 m est em torno de 90%.
100
90
Transmitncia (%)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
15
20
Comprimento de Onda ( m)
Figura 4.18 Espectro de transmisso na regio do infravermelho para a janela de BaF2

medido por FTIR no INPE.
120
O espectro de transmisso da janela ptica de ZnSe com espessura de 3 mm tambm

medido por FTIR no INPE apresentado na Figura 4.19. Neste caso, a faixa de comprimento
de onda em torno de 2,0 15 m o coeficiente de transmisso est em torno de 70%.
100
90
80
Transmitncia (%)
70
60
50
40
30
20
10
0
10
15
20
Figura 4.19 Espectro de transmisso na regio do infravermelho para a janela de ZnSe de 3

mm de espessura medido por FTIR no INPE.
Calibrou-se o sistema para medidas de responsividade espectral utilizando um detector
de infravermelho fotocondutor de HgCdTe, (Judson J15D16) [34] [35], cujas resposta
espectral, responsividade espectral e outras figuras de mritos foram fornecidas pelo
fabricante. A partir deste detector de referncia tambm se obteve a potencia incidente nas
amostras nesta montagem experimental.
Nesta seo foi apresentado o procedimento experimental, o laboratrio, os
equipamentos e o programa usado para caracterizao da responsividade espectral das
amostras de QWIPs. Alm do espectro de transmisso das janelas pticas dos criostatos
obtidos atravs do FTIR.
121
4.3. Resultados e Discusses
Os resultados obtidos para caracterizao eltrica as Amostras de QWIP so

apresentados nesta seo.
Neste trabalho, convencionouse que a tenso de polarizao positiva refere-se
tenso positiva aplicada no contato de topo das mesas que constituem os dispositivos, em
relao ao contato na base das mesmas.
4.3.1. Caracterizao IxV
A caracterizao da corrente de escuro das Amostras I e II foi obtida atravs do

sistema IxV descrito na seo 4.2.1. As curvas obtidas pela caracterizao IxV da Amostra I
(Al0,27Ga0,73As/GaAs) das mesas identificadas por A, B e C conforme mostrado na Figura 4.4
so apresentadas na Figura 4.20.
122
1E-5
1E-6
1E-7
Corrente (A)
1E-8
Corrente de Escuro A
Corrente de Escuro B
Corrente de Escuro C
1E-9
1E-10
Corrente Montagem sem Amostra
1E-11
1E-12
1E-13
1E-14
1E-15
-6
-4
-2
0
Tenso (V)
Figura 4.20 Grfico da medida de corrente de escuro nos trs dispositivos da Amostra I em
funo da tenso de polarizao.
Na Figura 4.20 observa-se que a corrente de escuro das trs mesas da Amostra I
apresenta proximidade nos valores e no perfil das curvas demonstrando uniformidade entre os
dispositivos e tambm foi medido a resposta IxV do porta-amostra sem conexes amostra,
mostrando o rudo do sistema e a corrente de fuga.
A assimetria das curvas com a tenso de polarizao reversa e direta provavelmente

devido assimetria das interfaces entre camadas epitaxiais. Essa assimetria fica mais evidente
no grfico da Figura 4.21, que mostra o mdulo da densidade de corrente de escuro da
Amostra I em funo do mdulo da tenso de polarizao, para ambas as polaridades.
Densidade de Corrente de Escuro (A/cm )
123
0,01
Polarizao Negativa
1E-3
1E-4
Polarizao Positiva
1E-5
1E-6
Corrente de Escuro A
Corrente de Escuro B
Corrente de Escuro C
1E-7
0
3
Tenso (V)
Figura 4.21 Densidade de corrente de escuro da mesa A da Amostra I em funo da tenso

de polarizao, demonstrando a assimetria das curvas.
A Figura 4.22 mostra a curva IxV para a Amostra II (In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As).

Neste caso o rudo do sistema e a corrente de fuga da montagem se encontra abaixo do menor
valor de corrente medido (~3,00 x 10-10 A) e, portanto, no influenciou as medies de
corrente.
124
Corrente (A)
1E-6
1E-7
1E-8
1E-9
1E-10
-4
-2
Tenso (V)
Figura 4.22 Grfico da medida de corrente de escuro em funo da tenso de polarizao do
dispositivo da Amostra II, In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As.
A curva IxV da Amostra II apresenta assimetria menor em relao a tenso de

polarizao que a curva IxV da Amostra I de AlGaAs/GaAs. Isso fica evidenciado na Figura
4.23 que mostra a curva da densidade de corrente de escuro da Amostra II em funo da
tenso de polarizao com a parte negativa refletida.
125
Densidade de Corrente de Escuro (A/cm )
0,01
1E-3
1E-4
1E-5
Polarizao Negativa
Polarizao Positiva
1E-6
0
Tenso (V)
Figura 4.23 - Densidade de corrente de escuro da amostra II em funo da tenso de
polarizao, demonstrando a simetria das curvas.
4.3.2. Caracterizao da Responsividade
Primeiramente, faz-se necessrio medir a responsividade do detector de referncia

J15D16 para garantir que o aparato experimental utilizado era confivel. Foram realizadas
medidas no sistema usando um corpo negro de cavidade no Laboratrio de Sensores no INPE
e no Laboratrio de Caracterizao LaRaC no IEAv.
Fez-se as medies de fotocorrente do detector de referncia sob as mesmas condies
descritas pelo fabricante, ou seja, corpo negro a 500 K, freqncia do chopper de 500 Hz e
detector resfriado a 77 K. Variou-se a distncia entre o detector e o corpo negro alm da
variao da abertura do corpo negro.
Os resultados das medies de tenso de sada (fotocorrente) do detector J15D16
126
forma obtidas sob as condies descritas acima em funo do dimetro de abertura do corpo
negro para determinada distncia entre o detector e o corpo negro e os dados da tenso de
sada calculados a partir de dados fornecidos pelo fabricante, so mostrados na Figura 4.24.
35
30
Tenso (mV)
25
20
15
10
Dados Experimentais
Dados do Fabricante
Distncia (47,40,5) cm
5
0
-5
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
Dimetro Abertura Corpo Negro (pol)
Figura 4.24 Grfico da tenso de sada do detector de referncia J15D16 em funo da

abertura do corpo negro com os dados medidos no aparato do Laboratrio de Sensores do
INPE e o fornecido pelo fabricante.
A proximidade dos dados de resposta de tenso obtido a partir das informaes do
fabricante e dos valores medidos atravs da configurao experimental no INPE, garante a
confiabilidade do aparato experimental utilizado.
Foram realizadas medidas tambm com o corpo negro a 900 K sob as mesmas
condies descritas acima e obteve-se resultados de acordo com os resultados do fabricante,
por exemplo, o pico de responsividade medido foi de 3,3 x 103 V/W e o valor fornecido pelo
fabricante de 3,0 x 103 V/W.
As medidas de responsividade realizadas no Laboratrio de Sensores do INPE foram
feitas no sistema sem purga e com purga.
127
Para determinao da umidade relativa do ar dentro da cmara de acrlico com purga,

usou-se o termigrmetro (Delta OHM D09406). O fluxo de N2 foi de 27 L/min e a Figura 4.25
mostra o grfico da variao da umidade relativa do ar com a cmera lacrada em funo do
tempo de purga.
45
Umidade Relativa do ar (%)
40
35
30
25
20
15
10
5
0
10
20
Tempo (min)
30
40
Figura 4.25 Grfico da Umidade Relativa do ar em funo do tempo.
Aps 41 minutos, a umidade relativa do ar foi de 0,79%. Em todas as medies

realizadas com purga esperou-se um tempo de aproximadamente 40 min para iniciar a
aquisio dos dados de fotocorrente.
Para exemplificar o mtodo utilizado na anlise dos dados experimentais neste
trabalho, segue um resumo utilizado a partir dos dados obtidos para a Amostra I.
A Figura 4.26 mostra o grfico obtido a partir dos dados de fotocorrente da mesa A da
amostra I no criostato de janela ptica de BaF2 com um fator de transmisso TJ = 0,9, tenso
de polarizao de 6,0 V, corpo negro a 900K, dimetro de abertura de 0,6 polegadas e Fm =
0,29. possvel notar que a curva da fotocorrente do detector decresce monotonicamente com
128
distncia (d).
2,0
1,8
Fotocorrente (nA)
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
25
30
35
40
45
50
55
60
65
Distncia (cm)
Figura 4.26 Fotocorrente da mesa A da Amostra I em funo da distncia (d) com purga.
A partir da equao (4.6), pode-se obter a seguinte expresso multiplicando os dois

lados da igualdade por (d2)
I s d 2 = R p0 (FmTJ )
As Ad
M (T
BB
, )s( )d
(4.9)
I s d 2 = a = const.
Observa-se, a partir da equao (4.9) que o pico de responsividade R p0 determinado

por
129
R p0 =
(FmTJ )
As Ad
M (T , )s( )d
(4.10)
A Figura 4.27 exemplifica o mtodo adotado para determinao do pico de

responsividade a partir da linearizao do grfico de Isd2 em funo da distncia (d).
1800
Fotocorrente x Distncia (nAcm )
1750
1700
1650
1600
1550
1500
1450
1400
1350
Equation
y = a + b*x
Adj. R-Square
1300
Value
1250
1200
25
30
35
AC
Intercept
AC
Slope
40
45
50
Standard Error
1605,48266
25,25858
--
55
60
65
Distncia (cm)
Figura 4.27 Grfico de Isd2 da mesa A da Amostra I em funo da distncia (d) com purga.
Considerou-se os erros relativos distncia e a resposta do detector. A curva de ajuste

linear obtida mostra-se concordante com os valores experimentais, demonstrando a
consistncia do mtodo usado.
A Figura 4.28 mostra o grfico obtido a partir dos dados de fotocorrente da mesa A da
amostra I no criostato de janela ptica de ZnSe e, portanto um fator de transmisso TJ = 0,6,
tenso de polarizao de 6,0 V, corpo negro a 900K, dimetro de abertura de 0,6 polegadas,
130
Fm = 0,29 e freqncia do chopper de 500Hz.
1,4
Fotocorrente (nA)
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
25
30
35
40
45
50
55
60
65
Distncia (cm)
Figura 4.28 Fotocorrente da mesa A da Amostra I em funo da distncia (d) sem purga.
Neste caso, substituindo as equaes (4.4), (4.5) e (4.8) na equao (3.45) e
multiplicando ambos os lados da igualdade por (d2), obtm-se uma expresso para a
fotocorrente dada por
I p d 2 = R p0 (FmTJ )
As Ad d 2
e M (TB , )s ( )d
d 2
1
(4.11)
Para obteno de uma relao linear da expresso (4.11), calcula-se o logaritmo

natural de ambos os lados da igualdade, obtendo como resultado
AA
ln (I p d ) = ln R p0 (FmTJ ) s 2d
d
(
)
(
)
M
T
,
d .
B
1
(4.12)
131
Pode-se reescrever a equao (4.12) como
y = a +b* x ,
(4.13)
onde as incgnitas so definidas por:
y = ln (I p d 2 )
x = d
a = ln R 0 (F T ) As Ad
p
m J
d 2
b =
(
)
(
)
M
T
B
1
(4.14)
O grfico do ajuste dos dados experimentais de fotocorrente a partir da equao (4.12)

para o sistema experimental sem purga mostrado na Figura 4.29.
132
7,00
ln(Fotocorrente x Distncia )
6,95
6,90
6,85
6,80
6,75
6,70
Equation
Adj. R-Square
y = a + b*x
0,19022
6,65
Value
6,60
25
AG
Intercept
AG
Slope
30
35
40
Standard Error
6,97353
0,04373
-0,00207
0,00106
45
50
55
60
65
Distncia (cm)
Figura 4.29 - ln (Ipd2) da mesa A da Amostra I em funo da distancia (d) sem purga.
Observa-se que a curva no apresenta boa linearidade. Sendo assim, conclui-se que a
aproximao de um coeficiente de extino efetivo, independente do comprimento de onda,
no apresenta bons resultados.
O mtodo utilizado, neste trabalho para determinao do pico de responsividade das
Amostras o descrito para a montagem experimental com purga devido melhor consistncia
demonstrada e maior confiabilidade dos resultados que sero obtidos atravs deste mtodo.
Neste caso, considera-se o espectro de resposta relativa da Amostra I de
Al0,27Ga0,73As/GaAs obtido atravs do FTIR para uma tenso de polarizao de (- 6,0V e - 5,0
V) a 77K mostrado na Figura 4.30.
133
1,0
- 6,0 V
- 5,0 V
Resposta Relativa
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
2
10
11
12
13
14

Figura 4.30 - Espectro de Resposta Relativa da Amostra I com tenso de polarizao de - 6,0
V e -5,0 V, obtido por FTIR na PUC-Rio.
A Figura 4.30 mostra os dois espectros de resposta, observa-se que eles apresentam
resultados prximos, o pico de resposta est em torno de 9,1 m.
Para
clculo
do
Pico
de
Responsividade
da
Amostra
II
de
In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As foi considerado o espectro da resposta relativa normalizado obtido

atravs do FTIR para uma tenso de polarizao de +1,0 V a 77K mostrado na Figura 4.31. O
pico de resposta neste caso est em torno de 4,2 m.
134
1,0
Resposta Relativa
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
2
Comprimento de onda (m)

Figura 4.31 Espectro da Resposta Relativa a 1,0 V da amostra II obtido por FTIR na PUCRio.
A caracterizao do Pico de Responsividade dos dispositivos foi realizada a 77 K no

criostato apresentado na Figura 4.16 cujo fator de transmisso da janela ptica TJ = 0,9. A
radiao infravermelha, modulada em 500 Hz, fornecida por um corpo negro a 900K. O
fator de modulao variou de acordo com a abertura do corpo negro e a leitura do sinal
fotogerado foi obtida atravs do amplificador sncrono Signal Recovery modelo 7265. As
Tabelas 4.3, 4.4 e 4.5 mostram os valores do pico de responsividade obtidos para vrios
valores de tenso de polarizao e abertura da cavidade para a Amostra I.
135
No foi possvel realizar a caracterizao da Amostra I para tenso de polarizao

positiva devido ao baixo sinal de sada neste caso.
Tabela 4.3 Pico de Responsividade da Amostra I para a abertura do corpo negro de

0,6 polegadas.
Tenso de
Polarizao (V)
- 6,0V
- 5,0 V
- 4,0 V
- 3,5 V
- 3,0 V
- 2,5 V
- 2,0 V
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa A
(27,2 0,2)
(23,6 0,3)
(20,4 0,7)
(16,2 0,2)
(11,2 0,6)
(6,3 0,5)
(2,4 0,4)
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa B
(23,1 0,3)
(21,8 0,4)
(20,1 0,3)
(15,8 0,5)
(10,8 0,7)
(5,9 0,6)
(2,3 0,8)
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa C
(23,1 0,4)
(21,6 0,3)
(19,7 0,8)
(15,8 0,7)
(10,9 0,5)
(5,9 0,8)
(2,2 0,4)

0,4 polegadas.
Tenso de
Polarizao (V)
- 6,0V
- 5,0 V
- 4,0 V
- 3,5 V
- 3,0 V
- 2,5 V
- 2,0 V
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa A
(25,2 0,8)
(23,1 0,5)
(19,4 0,6)
(15,4 0,6)
(11,2 0,7)
(6,3 0,4)
(2,0 0,9)
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa B
(24,1 0,5)
(21,8 0,4)
(20,1 0,6)
(15,8 0,5)
(10,8 0,8)
(5,9 0,3)
(2,6 0,7)
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa C
(23,0 0,3)
(21,6 0,6)
(19,7 0,8)
(15,8 0,4)
(10,9 0,5)
(5,9 0,8)
(2,2 0,6)
136

0,2 polegadas.
Tenso de
Polarizao (V)
- 6,0V
- 5,0 V
- 4,0 V
- 3,5 V
- 3,0 V
- 2,5 V
- 2,0 V
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa A
(28,2 0,5)
(23,7 0,5)
(21,6 0,7)
(16,3 0,5)
(11,1 0,8)
(6,7 0,4)
(2,8 0,5)
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa B
(22,1 0,5)
(21,8 0,6)
(19,0 0,8)
(16,1 0,7)
(10,3 0,3)
(5,9 0,5)
(2,0 0,4)
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa C
(22,0 0,7)
(21,6 0,6)
(19,0 0,4)
(15,8 0,4)
(10,9 0,8)
(5,4 0,5)
(2,1 0,6)
Conforme os resultados apresentados nas tabelas (4.3), (4.5) e (4.5) construiu um

grfico dos resultados do pico de responsividade para determinada abertura do corpo negro
para a amostra I considerando cada uma das mesas mostrada na Figura 4.4.
A Figura 4.32 mostra o grfico do pico de Responsividade para cada abertura do corpo
negro e cada uma das mesas caracterizadas. Observa-se um aumento na disperso dos
resultados com o aumento da tenso. Tal efeito ser estudado em maiores detalhes
posteriormente.
Pico Responsividade (mA/W)
137
30
Abertura 0,6 pol

Abertura 0,4 pol
Abertura 0,2 pol
25
20
15
10
5
0
-6
-5
-4
Tenso (V)
-3
-2
(a)
30
Abertura 0,6 pol

Abertura 0,4 pol
Abertura 0,2 pol
25
20
15
10
5
0
-6
-5
-4
Tenso (V)
(b)
30
-3
-2
Abertura 0,6 pol

Abertura 0,4 pol
Abertura 0,2 pol
25
20
15
10
5
0
-6
-5
-4
Tenso (V)
(c)
-3
-2
Figura 4.32 Pico de Responsividade em funo da tenso de polarizao da amostra I (a)

para a mesa A (b) mesa B e (c) mesa C.
138
A Tabela 4.6 apresenta a mdia dos valores de pico de responsividade para cada mesa
caracterizada pela variao da abertura do corpo negro.
Tabela 4.6 Pico de Responsividade da Amostra I.

Tenso de
Polarizao (V)
- 6,0V
- 5,0 V
- 4,0 V
- 3,5 V
- 3,0 V
- 2,5 V
- 2,0 V
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa A
(26,9 0,5)
(23,5 0,4)
(20,5 0,7)
(16,0 0,4)
(11,2 0,7)
(6,4 0,4)
(2,4 0,6)
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa B
(23,1 0,4)
(21,8 0,5)
(19,7 0,6)
(15,9 0,6)
(10,6 0,6)
(5,9 0,5)
(2,3 0,6)
Pico Responsividade
(mA/W)
Mesa C
(22,7 0,5)
(21,6 0,5)
(19,5 0,7)
(15,8 0,5)
(10,9 0,6)
(5,7 0,7)
(2,2 0,5)
A Figura 4.33 mostra o grfico da mdia do pico de responsividade em funo da

tenso de polarizao dos dispositivos A, B e C.
139
30
Amostra I - A
Amostra I - B
Amostra I - C
25
20
15
10
5
0
-6
-5
-4
Tenso (V)
-3
-2
Figura 4.33 Pico de Responsividade da Amotra I em funo da tenso de polarizao.
A responsividade cresce quase que linearmente at uma tenso de polarizao de

aproximadamente - 4,0 V e aps essa tenso o crescimento sublinear. Temos um valor
mximo tenso mxima de Rp = 0,027 A/W para a mesa A, e Rp = 0,023 A/W para a mesa B
e C. A mesa A apresentou uma responsividade 15 % maior do que a mesa B e C, essa
diferena ocorreram para a tenso de polarizao mxima. A medida que a tenso de
polarizao decresce a diferena entre os valores de pico de responsividade da mesa A das
mesas B e C tambm decresce.
A Tabela 4.7 mostra os resultados do pico de responsividade obtido, para vrios

valores de tenso de polarizao e dimetro de abertura do simulador de corpo negro da
Amostra II.
140
Tabela 4.7 Pico de Responsividade da Amostra II para vrias tenses de polarizao e

abertura do corpo negro.
Tenso de
Polarizao (V)
- 4,0V
- 3,5 V
- 3,0 V
- 2,5 V
- 2,0 V
- 1,5 V
- 1,0 V
1,0 V
1,5 V
2,0 V
2,5 V
3,0 V
3,5 V
4,0 V
Pico Responsividade
(mA/W)
Abertura 0,6 pol
(87 1)
(74 2)
(67,6 0,7)
(57,0 0,7)
(47,4 0,4)
(25,2 0,2)
(20,1 0,2)
(29,9 0,3)
(43,5 0,5)
(53,8 0,6)
(64,6 0,6)
(75,9 0,8)
(93 2)
(103,7 0,4)
Pico Responsividade
(mA/W)
Abertura 0,4 pol
(84 1)
(73 1)
(64,5 0,9)
(54,5 0,5)
(45,1 0,7)
(24,0 0,2)
(19,6 0,2)
(27,1 0,4)
(41,8 0,4)
(51,7 0,7)
(62 1)
(72,3 0,9)
(87 2)
(103 2)
Pico Responsividade
(mA/W)
Abertura 0,2 pol
(87,2 0,4)
(75,6 0,4)
(67,1 0,2)
(55,9 0,5)
(45,7 0,2)
(24,2 0,1)
(19,1 0,1)
(29,2 0,1)
(42,3 0,2)
(52,1 0,2)
(63,7 0,3)
(73,9 0,3)
(89,7 0,1)
(103,7 0,2)
O grfico de pico de responsividade em funo da tenso de polarizao da Amostra II

mostrado na Figura 4.34.
141
Pico de Responsividade (mA/W)
100
80
60
40
Abertura 0,6 pol
Abertura 0,4 pol
Abertura 0,2 pol
20
0
-4
-3
-2
-1
0
1
Tenso (V)
Figura 4.34 Grfico do Pico da Responsividade da Amostra II em funo da tenso de

polarizao e para trs valores distintos de abertura do corpo negro.
Os valores do Pico de Responsividade encontrados apresentaram pouca disperso nas

medies da Amostra II, em especial se compararmos com os resultados da Amostra I. A
responsividade cresce quase que linearmente at uma tenso de polarizao de
aproximadamente 4,0 V; observa-se que a este valor de tenso a responsividade ainda no
atingiu uma tenso de polarizao de saturao e o valor mximo de responsividade medido
de aproximadamente Rp ~ 0,103 A/W para a tenso de polarizao de + 4,0 V. Observa-se
tambm que a responsividade para tenses de polarizao positivas maior do que para
tenses de polarizao negativas.
A Tabela 4.8 apresenta o valor mdio do pico de responsividade da Amostra II para

vrias tenses de polarizao. As mdias foram calculadas sobre os valores obtidos para
diversas aberturas do corpo negro da Amostra II.
142
Tabela 4.8 Valor do pico de Responsividade da Amostra II para vrias tenses de

polarizao.
Tenso de Polarizao (V)
- 4,0V
- 3,5 V
- 3,0 V
- 2,5 V
- 2,0 V
- 1,5 V
- 1,0 V
1,0 V
1,5 V
2,0 V
2,5 V
3,0 V
3,5 V
4,0 V

Amostra II
(86,1 0,8)
(74 1)
(66,4 0,6)
(55,8 0,1)
(46,1 0,4)
(24,5 0,2)
(19,6 0,2)
(28,7 0,3)
(42,5 0,4)
(52,5 0,5)
(63,4 0,6)
(74,0 0,7)
(90 1)
(103,5 0,9)
Levine et al [12], apresenta um dispositivo QWIP de In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As cujo

dimetro da mesa 200m, constitudo de 50 poos qunticos dopados (ND = 1 x 1018 cm3) e
51 barreiras de 300 e 30 de espessura respectivamente cujo a responsividade mxima de
0,025 A/W a uma tenso de polarizao de 5,0 V a 77K. Na Amostra II, a responsividade
mxima de 0,103 A/W para uma tenso de polarizao de + 4,0 V, porm para essa tenso
de polarizao o sinal de sada bastante ruidoso. O rudo decresce significativamente com o
decrscimo da tenso de polarizao.
A Responsividade espectral foi tambm obtida a partir do experimento descrito da

seo 4.2.2.
Com o objetivo de caracterizar o aparato experimental do LaRaC no IEAv, mediu-se o

espectro, no corrigido de uma fonte tipo Globar com purga e sem purga do monocromador.
143
A Figura 4.35 mostra o espectro no corrigido obtido com a purga e sem purga e as setas
indicam as linhas de absoro atmosfrica. visvel a reduo da absoro com a purga e isso
fica mais evidente na Figura 4.35 atravs da indicao das setas. Como o caminho ptico no
foi totalmente purgado, um resduo das linhas de absoro permanece.
1,0
Fotocorrente Normalizada
Sem purga
Com purga
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0
10
12
14
16
18
Figura 4.35 Curva de resposta do detector obtida no LaRaC IEAv com purga e sem purga.
A funo de transferncia do monocromador tambm foi determinada utilizando-se

um simulador de corpo negro como fonte e a responsividade do detector de HgCdTe da
Judson fornecida pelo fabricante. A Figura 4.36 mostra o grfico da mdia dos valores do
coeficiente de transmisso do espectrmetro obtido a partir da variao da temperatura do
simulador de corpo negro e as setas indicam o efeito da absoro atmosfrica.
144
100
Funo de Transferncia (%)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
12
14
16
Comprimento Onda (m)
Figura 4.36 Funo de Transferncia do monocromador em funo do comprimento de

onda.
As setas, neste caso, indicam novamente as linhas de absoro atmosfrica. Este

resultado foi obtido sem a realizao da purga no monocromador.
Para caracterizao da Responsividade espectral por este mtodo, a Amostra I no

apresentou um sinal de resposta capaz de ser medido pela montagem usada. Ser necessrio
modific-la introduzindo-se concentradores. Logo, com as perdas pticas da montagem a
potncia incidente no sensor no foi suficiente para obter-se uma resposta mensurvel do
detector.
145
A Figura 4.37 apresenta os espectros de densidade de potncia incidente no detector,

medidos a 77 K no detector de referncia para vrias tenses de polarizao da Amostra II
usando o mtodo experimental descrito na seco 4.2.2.
-6
-2
-1
Densidade de Potncia (Wcm m )
6,0x10
-6
5,0x10
-6
4,0x10
-6
3,0x10
-6
2,0x10
-6
1,0x10
0,0

Figura 4.37 Espectro da Densidade de Potncia em funo do comprimento de onda obtido
atravs do detector de referncia.
As Figuras 4.38 e 4.39 apresentam o espectro de fotocorrente da Amostra II para as
tenses de polarizao negativas e positivas, respectivamente.
Fotocorrente (u.a)
146
3,5x10
-4
3,0x10
-4
2,5x10
-4
2,0x10
-4
1,5x10
-4
1,0x10
-4
5,0x10
-5
0,0
-4,0 V
-3,5 V
-3,0 V
- 2,5 V
-2,0 V
-1,5 V
-1,0 V
C om prim ento de O nda ( m )
Figura 4.38 - Espectro de fotocorrente para uma tenso de polarizao negativa.
Fotocorrente (u.a)
3,5x10
-4
3,0x10
-4
2,5x10
-4
2,0x10
-4
1,5x10
-4
1,0x10
-4
5,0x10
-5
0,0
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
Com prim ento de O nda ( m )
Figura 4.39 - Espectro de fotocorrente para uma tenso de polarizao positiva.
V
V
V
V
V
V
V
147
Para melhor visualizao do pico de responsividade do espectro para a respectiva

tenso de polarizao nas quais os espectros foram ruidosos, efetuou-se uma suavizao das
curvas atravs de filtros digitais, optou-se pelo mtodo de Savitzky-Golay para a suavizao
do rudo. Durante a aplicao deste mtodo muito importante a escolha adequada do grau do
polinmio e do tamanho da janela mvel a ser utilizada. Por exemplo, uma janela muito larga
pode tanto remover rudo, como tambm picos informativos nos espectros.
Foram feitos vrios testes com diferentes janelas e polinmios, escolhendo o prprocessamento dos espectros das amostras pelo mtodo Savitzky-Golay uma janela de vinte
pontos e o polinmio de segunda ordem. Os espectros pr-processados por este mtodo,
usando estas condies so mostrados nas Figuras 4.40 e 4.41 onde est representado a
responsividade espectral para tenses de polarizao negativas e positivas respectivamente.
148
- 4,0V
-3,5V
-3,0V
-2,5V
-2,0V
-1,5V
-1,0V
Responsividade (mA/W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0

polarizao negativa.
100
4,0V
3,5V
3,0 V
2,5V
2,0V
1,5V
1,0V
Responsividade (mA/W)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0

polarizao positiva.
149
A purga realizada no monocromador reduziu a absoro atmosfrica, porm a

absoro de CO2 ainda est presente nos espectros medidos (a seta na Figura 4.40 indica a
absoro atmosfrica).
A Tabela 4.9 apresenta os valores do pico de responsividade obtidos a partir dos dois
procedimentos experimentais, sendo que a medida de responsividade de pico atravs da
medida de responsividade integral est indicada por INPE e a medida do pico de
responsividade atravs da responsividade espectral est indicada por IEAv.
Tabela 4.9 Pico de Responsividade obtido usando os dois mtodos descritos.
Tenso de
Polarizao (V)
- 4,0V
- 3,5 V
- 3,0 V
- 2,5 V
- 2,0 V
- 1,5 V
- 1,0 V
1,0 V
1,5 V
2,0 V
2,5 V
3,0 V
3,5 V
4,0 V

Amostra II (INPE)
(86,1 0,8)
(74 1)
(66,4 0,6)
(55,8 0,1)
(46,1 0,4)
(24,5 0,2)
(19,6 0,2)
(28,7 0,3)
(42,5 0,4)
(52,5 0,5)
(63,4 0,6)
(74,0 0,7)
(90 1)
(103,5 0,9)

Amostra II (IEAv)
(85,3 0,5)
(71,2 0,9)
(65,0 0,8)
(53,5 0,4)
(47,4 0,7)
(26,3 0,8)
(19,7 0,4)
(28 0,7)
(44,3 0,8)
(52,6 0,8)
(64,3 0,4)
(75,2 0,6)
(94,5 0,9)
(102,3 0,8)
150
A Figura 4.42 apresenta a dependncia do pico de responsividade com a tenso de

polarizao obtido atravs dos dois procedimento.
Valores Responsividade por deconvoluo

Valores Responsividade usando um monocromador
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-4
-3
-2
-1
Tenso (V)
Figura 4.42 Grfico do Pico de Responsividade calculado usando dois mtodos distintos.
Observa-se que o pico de responsividade para tenso de polarizao positiva

permanece maior do que para tenso de polarizao negativa. Sabe-se que as interfaces dos
poos no so simtricas por limitao da dinmica de crescimento dos filmes epitaxiais e
como no tem um modelo que indique claramente qual polarizao deveria ter a
responsividade pode-se afirmar que esses valores so coerentes e a razovel coincidncia dos
valores obtidos por dois diferentes mtodos aumenta a confiabilidade dos dados.
151
Como complementao este trabalho medidas de rudo esto sendo realizadas para
determinao da detectividade das amostras alm de medidas de capacitncia para estudos
complementares das caractersticas dos detectores e para subsidiar o projeto de pramplificadores de leitura dedicados.
152
5. Concluses e Trabalhos Futuros
Neste trabalho, foi efetuada a caracterizao eletro-ptica de QWIPs fabricados para

deteco na janela do infravermelho termal e na janela do infravermelho de ondas mdias,
obtendo-se a responsividade e corrente de escuro de ambos.
Mediu-se a responsividade dos detectores por dois mtodos distintos, sensor de
referncia e deconvoluo a partir da responsividade integral e de um espectro relativo
previamente medido, obtendo razovel concordncia dos resultados.
Os aparatos de medida foram aprimorados e testados. Apesar das melhorias obtidas,
novos aperfeioamentos so necessrios e sero efetuados na sequncia do trabalho. Dentre
estes aperfeioamentos esto a incluso de concentradores de energia, espelhos parablicos,
na montagem que utiliza o monocromador.
Medies de capacitncia dos QWIP j esto sendo realizadas no Laboratrio de
Caracterizao de Dispositivos Semicondutores do Instituto de Estudos Avanados (IEAv)
atravs de um sistema de caracterizao de dispositivos semicondutores - Modelo 4200-SCS e
um analisador de C-V de alta freqncia (Modelo 590/100k/1M/4), ambos da Keithley.
Medies de rudo das amostras I e II dos QWIPs esto sendo realizadas utilizando um
amplificador de transimpedncia modelo 5182 da Signal Recovery, amplificador de corrente e
um analisador de espectro FFT modelo SR780 100 kHz. E sero feitas medies de rudo
usando um amplificador Lock-in modelo 7265 da Signal Recovery. Alm da caracterizao
utilizando uma estao de teste (probe station) criognica com circuito fechado de He,
pretende-se caracterizar os detectores multiespectrais e estruturas de QDIPs j crescidas e
processadas.
153
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em: <http://www.judsontechnologies.com/PB%20PDFs/PB212.pdf>, Acesso em: 01
set 2008.
[35] Judson Technologies, J15D16 S/N: 07-05-31974 Relative Response, 2007,
Comunicao privada.
FOLHA DE REGISTRO DO DOCUMENTO

1.
CLASSIFICAO/TIPO
DM
5.
2.
DATA
3.
REGISTRO N
17 de setembro de 2009 CTA/ITA/DM-053/2009
4.
N DE PGINAS
156
TTULO E SUBTTULO:
Caracterizao de fotodetectores de infravermelho a poos qunticos.

6.
AUTOR(ES):

7.
INSTITUIO(ES)/RGO(S) INTERNO(S)/DIVISO(ES):
Instituto Tecnolgico de Aeronutica - ITA

8.
PALAVRAS-CHAVE SUGERIDAS PELO AUTOR:
1. Detector infravermelho. 2. Poos qunticos. 3. Caracterizao.

9.PALAVRAS-CHAVE RESULTANTES DE INDEXAO:
Detectores infravermelhos; Poos qunticos de semicondutores; Dispositivos de poos qunticos;

Caracterizao; Fsica do estado slido; Fsica; Engenharia eletrnica
10.
APRESENTAO:
X Nacional
Internacional
ITA, So Jos dos Campos. Curso de Mestrado. Programa de Ps-Graduao em Fsica. rea de Fsica
Atmica e Molecular. Orientador: Prof. Dr. Gustavo Soares Vieira. Defesa em 01/09/2009. Publicada em
2009.
11.
RESUMO:
Este trabalho apresenta a caracterizao eletro-ptica de fotodetectores para o infravermelho operando

nas janelas atmosfricas de ondas mdias e longas. Utilizou-se sensores QWIP (Quantum Well Infrared
Photodetector) baseados em estruturas semicondutoras de poos qunticos mltiplos de GaAs/AlGaAs e
InGaAs/AlInAs, utilizando transies intrabanda. As estruturas semicondutoras foram crescidas pela
tcnica de Epitaxia de Fase Vapor de compostos Metalorgnicos (MOVPE). As amostras foram medidas
na geometria de guia de onda com incidncia da radiao a 45 pela borda do substrato. Os dispositivos
foram caracterizados quanto sua corrente de escuro e responsividade a 77K. A responsividade foi
determinada por dois mtodos: usando um simulador de corpo negro como padro de fonte luminosa e
por comparao com um detector comercial de resposta conhecida. A responsividade de ambos os
detectores foi determinada como uma funo da tenso aplicada. O QWIP de Al0,27Ga0,73As/GaAs
apresenta um pico de resposta em torno de p = 9,1 m e o QWIP de In0,53Ga0,47As/Al0,52In0,48As um pico
de resposta em torno p = 4,1 m.
12.
GRAU DE SIGILO:
(X ) OSTENSIVO
( ) RESERVADO
( ) CONFIDENCIAL
( ) SECRETO
Livros Grtis
( http://www.livrosgratis.com.br )
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Tese apresentada Pr-Reitoria de Ps-Graduao e Pesquisa do Instituto

Tecnolgico de Aeronutica, como parte dos requisitos para obteno do ttulo

Kenya Aparecida Alves

Tese aprovada em sua verso final pelos abaixo assinados:

Prof. Dr. Celso Massaki Hirata

Dados Internacionais de Catalogao-na-Publicao (CIP)

concedida ao Instituto Tecnolgico de Aeronutica permisso para reproduzir cpias desta

CARACTERIZAO DE FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO

Kenya Aparecida Alves

Composio da Banca Examinadora:

Lara Khl Teles

Gustavo Soares Vieira

Nicolau Andr Silveira Rodrigues

Membro Interno (IEAv/CTA)

Membro Externo (INPE)

CAPES e ao Ministrio da Defesa, pela bolsa concedida, dentro do programa Pr-Defesa, e

Valeu a pena? Tudo vale a pena

Figura 2.1 - Ilustrao do espectro eletromagntico com nfase na regio do infravermelho. 29

Figura 2.20 - Comparao de imagens no infravermelho prximo (NWIR) da Nebulosa de

Figura 3.23 Geometria do detector sob a incidncia de radiao infravermelha. ................. 85

funo da tenso de polarizao. ............................................................................................ 122

Tabela 2.1 - Classificao da faixa do infravermelho. ............................................................. 30

s ngulo da fonte de radiao com a normal a superficie

n (z ) - funo de onda na direo z

(z ) - intensidade do fluxo penetrante no detector

G(z) taxa de gerao de cargas fotoexcitadas por unidade de volume

n*(V) - nmero efetivo de eltrons termicamente excitado

s() espectro de resposta normalizado

R p0 - pico de responsividade do detector

Mtodos para deteco de radiao infravermelha tm sido investigados h mais de

dos detectores bem estabelecidos. Portanto, a melhoria no desempenho do detector

visto que a tecnologia do GaAs est bem estabelecida, o desempenho do detector

no se limita pela qualidade do material, mas pelas propriedades optoeletrnicas intrnsecas

Neste trabalho de mestrado apresentamos detalhamento da caracterizao eletro-ptica

2. Radiao Infravermelha e Detectores

Neste captulo so abordados alguns dos diversos tipos de detectores de infravermelho

2.1. Histrico dos detectores de infravermelho

Melloni construiu a primeira termopilha conectando vrios termopares em srie [1].

2.2. Subdiviso do Infravermelho

Esta seo destina-se a apresentar algumas das divises do espectro eletromagntico

Figura 2.1 - Ilustrao do espectro eletromagntico com nfase na regio do infravermelho.

A regio do infravermelho no espectro pode ser dividida em subregies e para esta

Tabela 2.1 - Classificao da faixa do infravermelho.

A subdiviso mais comumente encontrada na literatura internacional atualmente, e

Tabela 2.2 - Classificao da radiao infravermelha adotada.

Esta subdiviso est relacionada resposta dos detectores de infravermelho, por

2.3. Detector de Radiao Infravermelha

Nesta seo sero abordados alguns dos principais tipos de detectores de

Figura 2.2 Classificao dos detectores infravermelho (IR).

No termodetector, a radiao incidente absorvida provocando aquecimento do

distribuio de energia dos portadores de carga, dependendo do nmero de ftons que

Figura 2.4 - Esquema ilustrativo de um detector fotoemissivo.

Figura 2.5 Esquema ilustrativo de funcionamento de um detector fotovoltaico.

Figura 2.6 Diagrama de energia representando o processo de absoro no fotodiodo.

Figura 2.7 Esquema de operao de um fotocondutor.

onde h a constante de Planck e c a velocidade da luz (2,99 x 108 m/s).

Figura 2.9 Diagrama de bandas de energia esquemtico de um poo quntico. A absoro

A idia do uso de estruturas de mltiplos poos qunticos para deteco de radiao de

As posies dos nveis de energia so determinadas pelas dimenses do poo quntico,

onde Lw a largura do poo quntico, a constante reduzida de Planck, m* a massa efetiva

Os QWIPs so baseados na fotoexcitao dos eltrons entre o estado fundamental e o

2.4. Aplicaes de Detectores de Infravermelho

A Termografia Infravermelha, por exemplo, um dos mtodos mais avanados de