UNIDAD I CONCEPTOS BSICOS

I.
II.
III.
IV.
V.
VI.
VII.

Estructura
Defectos cristalinos
Soluciones
Clasificacin
Solubilidad
Solidificacin
Difusin

UNIDAD II DIAGRAMAS DE FASE

I.
II.
III.
IV.
V.
VI.
VII.
VIII.

Diagramas binarios
Curvas
Anlisis de fase y composicin qumica
Aplicaciones
Diagramas ternarios
Curvas
Anlisis de fase y composicin qumica
Aplicaciones

UNIDAD III ALEACIONES

I.
II.
III.
IV.

En funcin del elemento base

Ferrosas
No ferrosas
En funcin del uso

ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Sistema
Cbico

Lados
a=b=c

ngulos
===90

Tetragonal

a=b c

===90

Ortorrmbico

abc

===90

Rombodrico/trigonal

a=b=c

== <120 , 90

Monoclnica

abc

= =90

Triclnica

abc

Hexagonal

abc

==90 =120

REDES DE BRAVAIS

Sistema
Cbica
Tetragonal
Ortorrmbica
Rombodrica
Monoclnica
Triclnica
Hexagonal

Simple
X
X
X
X
X
X
X

F.C.C
X
X

B.C.C
X
X
X

Bases
X
X

De acuerdo a lo anterior los slidos se clasifican en slidos y cristalinos:

Cristalino: Se caracteriza por tener ordenada su estructura, sus molculas o iones tienen forma bien definida,
los metales son cristalinos ya que tienen cristales o granos bien definidos.
Amorfo: No tiene estructura interna definida.

(1,0,1)

(0,0,0)

(1,1,1)

(0,1,0)

(0,1,1)

(1,0,0)

(0,0,1)

(1,1,0)

(0,0,1)
Z
X

(0,-1,0)

(-1,0,0)

-Y

X
(1,0,0)

-Z
(0,0,-1)

CONCEPTOS BSICOS

(0,1,0)

Con respecto a la figura anterior es importante definir algunos conceptos.

Celda unitaria: Menor subdivisin de una red que retiene las caractersticas generales de toda una retcula.
Red: Se le llama as a un patrn que se repite o regular de un motivo.
Motivo: Unidades repetitivas de un patrn.
Reticulado: Arreglo tridimensional en el que cada punto tiene los mismos vecinos.
Estructura cristalina: Forma geomtrica en donde los tomos, molculas o iones estn ordenados
espacialmente, estos se representan con esferas de dimetro fijo.
Nmero de coordinacin: Nmero de tomos que se encuentran en contacto con un tomo en particular o el
nmero de tomos vecinos.
Parmetro de red: Son las longitudes de los lados de una celda unitaria tomando en cuenta los ngulos entre
sus lados.
Todos los materiales los vamos a diferenciar por el tipo de red que contengan. Cada tipo de red va a depender
Del tamao de sus iones, tomos y su enlace.
Orden de corto alcance: Se le conoce as a un arreglo espacial de tomos, molculas que solo se extiende a

sus vecinos ms cercanos. Se presenta en estructuras no cristalinas. Ej.; Vidrio, brea (geles) y recubrimientos
por depositacin de vapor.

Slido amorfo: Aquellos donde los tomos o molculas que lo forman no se localizan en posiciones fijas
dentro del cristal y como consecuencia no presentan una distribucin en 3 dimensiones de forma regular. Ej.;
El vidrio, que es producto de fundir material inorgnico el cual se enfra a un estado slido sin cristalizar,
Slice (SiO2), Na2O y B2O3 fundidos.
Orden de largo alcance: Se le conoce as a un arreglo espacial de tomos o molculas que se encuentran por
el slido a lo largo de una red.

CALCULANDO EL NMERO DE TOMOS EN CELDA UNITARIA

de tomos Nmero de esquinas

( Nmero
)( Celda )
Esquina

tomos=

Cbica simple:

( 18 ) ( 8)=1 tomo

Cbica centrada de cuerpo (BCC):

Cbica centrada en caras (FCC):

( 18 ) ( 8) +1=2 tomos
( 18 ) ( 8) +( 12 ) ( 6 )=4 tomos

Nanoestructura: Estructuras de escala atmica que pueden tener propiedades diferentes a otros tomos del
mismo material.

Microestructura: Son estudios atmicos de escala mayor a la anterior, como por ejemplo los granos, los
cuales al tener diferente arreglo atmico afectan al material.
Macroestructura: La escala a la cual observamos un material de manera directa, por ejemplo, los defectos en
la fundicin.

1m

Macro
Meso
Micro
Nano
Atmico

1 10 mm
50 500 Nm
3 100Nm
1 100

Multiplicidad de Hund: Cuando un nivel electrnico tenga varios orbitales con la misma energa, los
electrones se van ocupando lo ms desapareados posible en ese nivel.
Principio de exclusin de Pauli: No puede haber dos electrones con los cuatro nmeros cunticos iguales.
Tabla peridica: Formada por 103 elementos aceptados;

80 metales
9 no slidos
8 gases reactivos
6 gases nobles

Electronegatividad: Tendencia de un tomo a ganar electrones

Electropositivad: Tendencia de un tomo a ceder electrones
Radio atmico: distancia del ncleo al electrn ms lejano
Propiedad: Respuesta de un material a un estmulo externo.
Procesamiento: Manejo de un material para que adquiera cierta geometra o gorma

PLANOS

Cuando los planos intersectan al eje de las coordenadas se deber

mover este eje a una posicin diferente para resolver cada uno de
esos planos.
Un plano se representa con 3 nmeros (colocados entre parntesis
que corresponden a las intersecciones con el eje x,y,z
respectivamente. Ej.: (110)
Todo plano negativo se indicar colocando el signo por encima del
nmero. Nunca colocar comas o puntos ya que indican
coordenadas. Ej.: (

0 .

La familia de planos se representa colocando entre llaves x,y,z. Ej.:

{ 10 0 }
Planos cristalogrficos: Se entiende por plano a todo conjunto de tomos que se colocan en un rea
determinada. Sirven para poder determinar el sentido en el cual crecen los cristales en algunos materiales.

ndices de Miller: Su objetivo es identificar todos los planos de deformacin (planos especficos) en una
estructura cristalina. Adems se pueden indicar planos de deslizamiento.
Procedimiento:
a)
b)
c)
d)

Identificar las intersecciones del plano con x,y,z

Determinar el recproco de estas intersecciones.
Simplificar las fracciones resultantes sin reducir a mnimos enteros.
Representarlos entre parntesis, recordando que para los nmeros negativos se pone una
lnea horizontal sobre ellos.

DIRRECIONES CRISTALOGRFICAS

Los ndices de Miller en la direccin cristalogrfica se utilizan para describir una direccin especfica en la
celda unitaria. Como las direcciones son vectoriales, la direccin y su negativo representan la misma lnea
pero diferente sentido.
Se utilizan para describir o indicar la orientacin de un cristal. La direccin y su mltiplo son iguales y en este
caso se reducirn a mnimos enteros.
Procedimiento:
a)
b)
c)
d)

Obtener las coordenadas del punto inicial y final.

Restar las coordenadas de punto delantero del trasero.
Eliminar fracciones o reducir el resultado a mnimos enteros.
Encerrar el resultado entre corchetes recordando colocar una lnea horizontal sobre
negativos

DIFUSIN
Mecanismo por el cual la matera se transporta, los tomos se mueven de manera predecible, tratando de
eliminar diferencias de concentracin y producir una composicin homognea. Los fenmenos de difusin se
dan en slidos, lquidos y gases, en estos ltimos es muy rpido, en los lquidos es ms lenta al existir mayor
interaccin atmica y finalmente en los slidos se da por vibracin trmica hasta alcanzar el equilibrio,
Tipos de difusin
Autodifusin: Consiste en la difusin de tomos en un slido por otro de su misma naturaleza.
Difusin de slidos o impurezas; Cuando las impurezas o tomos se desplazan en una matriz de tomos
diferentes.
Cundo ocurre la difusin?

Debe existir una posicin (vacante) prxima vaca.

tomos con suficiente energa vibratoria para romper el enlace con sus vecinos y distorsionar la red
en el desplazamiento.

Mecanismos principales de difusin

Sustitucional o por vacancias: Es cuando se mueven los tomos dejando su posicin para llenar otra
creando creando vacantes

Intersticial: En este caso el tomo intersticial se desplaza a otro sitio vaco sin desplazar
permanentemente a otro tomo de la matriz. Los tomos que se difunden intersticialmente son ms
pequeos que los de la matriz

Energa de activacin: Se le llama as a la energa requerida para mover un tomo de un sitio de red a otro.

Eac Mec sustitucin Eac Mec Intersicial

Flujo de difusin (J): Cantidad de masa(tomos) que se difunden perpendicularmente a travs de un rea.

1ERA LEY DE FICK (DIFUSIN EN ESTADO ESTACIONARIO)

En este tipo de difusin, el flujo (J) permanece constante, ya que no cambia la concentracin de tomos de
soluto en un punto determinado con el tiempo.
Se expresa matemticamente como sigue:

J =D

dc
dx

J: Flujo de difusin

( m2Kgs )

: Nmero de tomos M que se difunden por unidad de superficie y tiempo

x /y : Gradiente de concentracin (cambio de concentracin por unidad de superficie)

D: Difusibilidad o coeficiente de difusin

( m2s )

C: Masa de la sustancia o NA por unidad de volumen

Kg
( m3
)

( atm
m3 )

El signo negativo indica que la direccin de la difusin es contraria al gradiente de concentracin (desde
elevada hasta baja concentracin).

Difusin y temperatura
El coeficiente de difusin tiene una dependencia exponencial con la temperatura

D=D . exp

( Qd
RT )

D: Coeficiente de difusin

( m2s )

D0: Coeficiente de proporcionalidad

Qd: Energa de activacin

R: Constante de gases 8.134

T: Temperatura absoluta

( m2s )

J
eV
( molK
) ( molK
)
J
molK
Dintersticial D Substitucional

2DA LEY DE FICK (DIFUSIN EN ESTADO NO ESTACIONARIO)

La concentracin del soluto en un punto del material cambia con el tiempo (el flujo de difusin y el gradiente
no permanecen constantes). La mayora de los materiales estn en estado no estacionario.

Cx
c
=
D
t
x
x

( )

Condicin lmite:
T

C=Co para 0< x <

concentracin superficial

C=
C=Co para x=

CxCo
x
=1erf
CsCo
2 Dt

Aplicacin en procesos industriales

Endurecimiento superficial del acero

Fabricacin de

Sinterizacin: Los tomos se difunden en los puntos de contacto, reduciendo el tamao de poro, provocando
la formacin de puentes o cuellos entre las partculas o granos independientes.
La difusin es ms rpida para:

En estructuras cristalinas no compactas.

Minerales con enlaces secundarios.
Difusin de tomos pequeos.
Materiales de baja densidad.

La difusin es ms lenta para:

Estructuras compactas.
Materiales con enlaces covalentes.
Difusin de tomos grandes.
Materiales de alta densidad.

Defectos cristalinos

Puntuales
Lineales
Planares
Volumen

Para calcular la concentracin de los defectos puntuales:

Nv=Noexp

( Qv
KT )

Nv: Nmero de defectos por m3

No: Total de sitios ocupados por tomos.
-Qv: Energa de activacin

K: Constante de Boltzman

23

)(

1.38 x 10 J
8.62 x 10 eV

atomK
atomK

T: Temperatura.
*Nv/N = 10-4 (1 vacante por cada 1000 lugares ocupados)
*El nmero de vacantes (Nv) aumenta con la temperatura.
Dentro de los defectos puntuales estn:
Defectos Frenkel: Un in salta de un punto normal a un sitio intersticial dejando una vacancia.
Defectos Schottky: Par de vacancias en un material con enlace inico. Para mantener la neutralidad debe
faltar un catin y un anin.

Solucin slida
Fase cristalina de composicin variable. Existen de dos tipos:

Sustitucionales
Intersiticiales