1.

- Para el ckt de la figura 1se puede afirmar:

* Esta en configuracin de emisor comn con el colector a tierra por medio de C3

* Esta en configuracin de colector comn con el emisor desacoplado.
* Esta en configuracin de base comn sin resistencia de carga
a)
b)
c)
d)
e)

FFF
VVV
VVF
FFV <<<<<
VFF

2.- Se puede decir para el ckt de la figura 2.

a. El ckt de la figura 2(a) es un amplificador con BJT cuyo ckt es para A.C. y D.C. y la figura
2(b) es el ckt equivalente de salida del amplificador de la figura 2(a) para A.C.
b. El ckt de la figura 2(a) es un amplificador con BJT cuyo ckt es para D.C. y la figura 2(b) es
otro circuito amplificador.
c. El ckt de la figura 2(a) es un amplificador con BJT cuyo ckt es para D.C. y la figura 2(b) es el
ckt equivalente de salida del amplificador de la figura 2(a) para A.C. cuya resistencia de
colector es R y de carga R5
a) VVF
b) FFF <<<<<
c) VFV
d) VFF
e) FFV

3.- En la figura 1 si los valores son 82K para R1 y 39K para R2 y R5=33R podemos obtener un
voltaje de base de
a)
b)
c)
d)
e)

4.4v <<<<<
12-(R5 ICBQ)
La tensin de base es la que obtengo por divisor de tension
ninguna
3.87 voltios

4.- Si la tensin de base es 0.65 mayor que la tensin de emisor entonces V1 vale:
a)
b)
c)
d)
e)

4.52v
4.65v
3.22v
3.17v
Ninguno <<<<<

5.- Si ignoramos la corriente de base del transistor de la figura 1 entonces la corriente que pasa
por R1 y R2 es:
a)
b)
c)
d)
e)

0.1 nA
ninguno
0.01 mA
0.99 mA
99 uA

6.- Si la corriente del punto de reposo es: 0.7 mA entonces tomando en cuenta la preg. 4 la
resistencia de emisor que debo colocar como valor normalizado es:
a)
b)
c)
d)
e)

4K6 <<<<<
3k3
1k2
2k2
4k7

7.- Para la figura 1 siguiendo las preguntas si la tensin del punto de reposo es 4 voltios el valor
normalizado que debo colocar para R4 es:
a)
b)
c)
d)
e)

5K6
3k3
4k7
1k2
6k8 <<<<<

8.- Marque la opcin correcta:

* La configuracin de emisor comn presenta baja impedancia de salida y alta impedancia de
entrada.
* La configuracin de base comn no produce ganancia de corriente pero si de tensin

* El transistor FET es un dispositivo controlado por corriente y por tensin.

* El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente de Emisor.
a)
b)
c)
d)
e)

FFFF
VFFV
FVFF <<<<<
VVVV
VVFV

9.- En un amplificador con transistores:

* Todos los parmetros hibridos son funcin del punto de reposo.
* Se denominan parmetros hibridos porque combinan la corriente continua con la corriente
alterna.
* hie es una admitancia de entrada en la configuracin de emisor comn.
* hfb es la razn de transferencia directa de en la configuracin de base comn.
a)
b)
c)
d)
e)

FFFF
FVFF
VVVV <<<<<
VFFV
VFFF

10.- Para hallar el circuito equivalente en un amplificador de emisor comn sin condensador de
emisor el procedimiento ordenado es:
1. Dibujar el ckt con parmetros hibridos.
2. Hallar el ckt equivalente para corriente alterna.
3. Calcular el punto de reposo.
4. Llevar la corriente que va del colector al emisor a tierra y de esta al emisor, de este
modo la resistencia de emisor queda multiplicada por beta mas uno.
5. Calcular las impedancias de entrada y salida y las ganancias de corriente y voltaje.
a)
b)
c)
d)
e)

32145 <<<<<
23541
31245
12345
23145

11.- Para el clculo de los condensadores hay que ceirse a la siguiente regla:

* La reactancia capacitiva de un condensador de acoplo debe ser diez veces mas pequea que la
impedancia correspondiente, de entrada o de salida, a la frecuencia mas baja con la que el ckt
vaya a trabajar.
* Para hallar el condensador de entrada debe hallarse el ckt Thevenin en c.c. visto desde la base.
* Para hallar el condensador de emisor debe hallarse la resistencia de Thevenin vista desde la
fuente de seal.
* Para hallar el condensador de salida debe encontrarse la resistencia que este mira hacia la carga.
a)
b)
c)
d)
e)

FFFF
VFVF
VFFV
FVFF <<<<<
VFFF

12.- Para el ckt de la figura 3 seleccione la opcin correcta.

* En el calculo del punto de reposo no interviene R3b pero si interviene R3a
* Si HFE=50 no importa si uso ecuaciones aproximadas para el clculo de ICQ
* Todos los condensadores del esquema son polarizados
* La impedancia de salida es R4
a)
b)
c)
d)
e)

FFFF
VFVF
VFFV
FFFV <<<<<
VFFF

13.- En las figuras 1,2,3.

* La seal se amplifica si la tensin VCEQ >> VCE SAT

* No es cierto que VCE SAT=0.2V si el transistor es Germanio.
* Si el transistor opera en su zona lineal la seal de entrada esta en fase con la salida.
a)
b)
c)
d)
e)

FFF
VFF
FFV
VFV <<<<<
VVF

14.- El grafica de la figura 4 corresponde a la determinacin del parmetro hibrido de:

a)
b)
c)
d)
e)

hrb
hie <<<<<
hre
hoe
hfe

15.- De las distintas configuraciones se puede decir:

* La polarizacin de un transistor es la responsable de establecer las corrientes y tensiones que

fijan su punto de trabajo en la regin lineal (bipolares) o saturacin (FET), regiones en donde los
transistores presentan caractersticas mas o menos lineales.
* El amplificador de emisor comn se caracteriza por amplificar la seal tanto en voltaje como en
corriente, adems el voltaje de salida es invertido con respecto al de entrada. Su impedancia de
entrada y de salida son altas.

* El estudio de amplificadores exige previamente un anlisis en continua para determinar la

polarizacin de los transistores. Posteriormente, es preciso abordar los clculos de amplificacin e
impedancias utilizando modelos de pequea seal con objeto de establecer un ckt equivalente.
* El seguidor de emisor es un amplificador que presenta baja impedancia de entrada y alta
impedancia de salida la seal de salida no esta invertida.
a)
b)
c)
d)
e)

VVFF
VFVF <<<<<
VVVF
FFVV
FFFF

16.- Para la figura 5 si usamos CALCULOS APROXIMADOS.

a)
b)
c)
d)
e)

VB=1.8V , IEQ=2Ma
VB=2V , IEQ=1.2 mA
VB=1.8V , IEQ=1.1mA <<<<<
VB=2V, IEQ=1.1mA
VB=1.8V, IEQ=1.2mA

17.- La impedancia vista por la seal es (asuma HFE=100) y clculos aproximados.

a)
b)
c)
d)
e)

82k
76k
8k
7.6k
8.2k <<<<<

18.- hib para la figura 5 vale:

a) 25 Ohm
b) 23 Ohm

c) 22.5 Ohm
d) 22.72 Ohm <<<<<
e) Ninguno

19.- La ganancia de voltaje con clculos aproximados es:

a)
b)
c)
d)
e)

Av=2.44
Av=3
Av=4.4 <<<<<
Av=5.2
Ninguno

20.- La figura 6 corresponde:

a) La figura 6(a) al ckt con parmetros hbridos de la configuracin emisor comn de un

transistor NPN la figura 6(b) a la configuracin emisor comn con parmetros hbridos de
un transistor PNP. <<<<<
b) La figura 6(a) al ckt en c.a. de la configuracin emisor comn la figura 6(b) a la
configuracin emisor comn con parmetros hbridos.
c) La figura 6(a) al ckt en c.a. dela configuracin emisor comn de un transistor NPN la figura
6(b) a la configuracin emisor comn con parmetros hbridos de un transistor PNP.
d) La figura 6(a) al ckt c.a. de la configuracin emisor comn de un transistor NPN la figura
6(b) a la configuracin emisor comn con parmetros hbridos de un transistor PNP.
e) La figura 6(a) al ckt c.a. de la configuracin base comn y la figura 6(b) a la configuracin
emisor comn.