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AL ESTADO SLIDO
5.3 Electrones libres en metales: modelo de Drude
Se pretende explicar las propiedades de los metales a partir
de diferentes modelos (5.3: Drude y 5.4: bandas)
Su conductividad elctrica:
n~
1028
m-3
http://www.ing.udep.edu.pe/
Universidad de Piura
Facultad de Ingeniera
QUMICA GENERAL 1
Fundamentos Fsicos de la Informtica
Carmen Martnez Toms y Nuria Garro
Curs 2009-2010
Movimiento aleatorio
vpromedio = 0
velocidad
arrastre
tiempo de
relajacin
La densidad de corriente:
TEMA 2: CIRCUITOS DE CC
2.1 Corriente elctrica (cont)
En un cable conductor:
n: nmero de partculas libres portadoras de carga / Vol
q: carga de cada partcula
vd: velocidad
En t
pasa un volumen A vdt
La corriente elctrica:
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La densidad de corriente:
Como:
siempre +
Teora Pauli:
mximo
2 electrones
por orbital
1 tomo
Teora Pauli:
mximo
2 electrones
por orbital
1 tomo
2 tomos
N tomos=
N niveles
= BANDA
Teora Pauli:
mximo
2 electrones
por orbital
Los electrones de
un slido SOLO
pueden ocupar
ciertas BANDAS
de energa.
1 tomo
2 tomos
N tomos
distancias
grandes =
tomos
aislados
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distancias
intermedias:
empieza la
atraccin
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distancias
pequeas:
REPULSIN
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distancias de
EQUILIBRIO =
distancia entre
tomos en el
SLIDO
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Bandas ocupadas
Los electrones
disponen de niveles
para ocupar
Banda de valencia semiocupada
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Bandas ocupadas
Los electrones
disponen de niveles
para ocupar
Bandas ocupadas
Semiconductores:
Los electrones
disponen de niveles
para ocupar si E > Eg
Bandas ocupadas
Aislantes
El gap de energa Eg
es muy grande
Eg >> 1 eV
Material
Estructura electrnica
Na
2.13 x107
1.64 x107
Mg
2.25 x107
Ca
3.16 x107
Metales alcalinos
Metales alcalinotrreos
conductores
1s2,
2s2,
2p6,
3s2,
3p1
3.77
x107
Ga
0.66 x107
Fe
1.00 x107
Ni
1.46 x107
Cu
5.98 x107
Ag
6.80 x107
Au
4.26 x107
Sn
0.90 x107
Si
Ge
.....................4s2, 4p2
C (diamante)
Metales de transicin
conductor
5 x10-4
semiconductor
2.00
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Carmen Martnez
Toms y Nuria Garro
aislante
-16
> x10
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