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Introduccin
La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad constante en la mayora de los
sistemas electrnicos. En este proceso, los transistores desarrollan un papel fundamental, pues
bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de seal mayor
de la que absorben.
El anlisis de un amplificador mediante su asimilacin a un cuadrpolo (red de dos puertas), resulta
interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de parmetros relativamente
simples que nos proporcionan informacin sobre su comportamiento.
En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los sonidos y de las
seales en general. El amplificador posee una entrada por donde se introduce la seal dbil y otra
por donde se alimenta con C.C. La seal de salida se ve aumentada gracias a la aportacin de esta
alimentacin, siguiendo las mismas variaciones de onda que la de entrada.
La seal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan dispositivos
como el micrfono (transforman ondas sonoras en seales elctricas que siguen las mismas
variaciones que las primeras), sensores trmicos, luminosos, etc.
Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido aplicada a su entrada, se
dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la ganancia de un
amplificador es la relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a la salida y el de la
entrada. Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos tratando, se pueden observar tres
tipos de ganancia: ganancia en tensin, ganancia en corriente y ganancia en potencia.
De esta forma podemos definir los siguientes parmetros:
1
Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea su impedancia de
entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo que es vlido para
un margen de frecuencias no tiene porqu serlo necesariamente para otro. De todas formas, en
todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia permanece
prcticamente constante (banda de paso del amplificador). El margen dinmico de un amplificador
es la mayor variacin simtrica de la seal que es capaz de presentar sin distorsin a la salida;
normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o Voltios pico-pico (Vpp).
Ampliacin
Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partir del circuito de la
figura, en el que el transistor se conecta en la configuracin denominada de emisor comn.
El generador Veb asegura que la unin base-emisor est polarizada en sentido directo. Una batera
Vc (Vc>> Vbe) proporciona la tensin de polarizacin inversa a la unin del emisor.
El circuito de entrada, en el que se aplicar la seal que se desea amplificar, es el que contiene a la
base y el emisor. El circuito de salida est conectado a las terminales del colector y del emisor.
Rc es la resistencia de carga del circuito de salida.
Supondremos que, cuando la tensin de entrada es nula (terminales de entrada cortocircuitadas),
las corrientes que circulan por cada terminal son Ie, Ib e I0, con los sentidos indicados en la figura.
A continuacin, se calcularn cuales son los incrementos que se producen en dichas intensidades
si se modifica ligeramente la tensin Web, aplicando una ddp adicional a la entrada.
En este desarrollo, se admitir que el incremento de tensin aplicado, es lo suficientemente
pequeo para que las variaciones de intensidad que provoca estn relacionadas linealmente con
l.
Asimismo, se despreciarn los efectos dinmicos producidos por la aplicacin de una diferencia de
potencial, aplicada muy lentamente.
Por otra parte, el trmino exponencial puede expresarse en funcin de la intentsidad del colector:
La expresin anterior implica que el incremento de la tensin colector-emisor puede aumentar sin
lmite, sin ms que incrementar suficientemente la resistencia de carga R0. Tal suposicin no es
cierta cierta ya que hay que tener presente que, en el modelo simplificado que se ha desarrollado,
no se ha tenido en cuenta el efecto de la tensin de polarizacin inversa Vcb sobre la anchura de la
base, W. Valores muy elevados de gmRm suponen una importante variacin de Vcb, lo que
modificara notablemente la anchura W, no siendo vlidas entonces las premisas del modelo
utilizado.
d. Ganancias de corriente y de tensin:
Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica una seal alterna de
pequea amplitud, y frecuencia lo suficientemente pequea para que puedan ser despreciados los
efectos dinmicos que no han sido tenidos en cuenta en el modelo anterior.
En estas condiciones, por el circuito de entrada circular una corriente alterna -Ib-AIb. Es decir,
sobre la corriente -Ib que exista para un incremento de tensin 0, se superpone una corriente
alterna de amplitud incremento de la intensidad de base.
De forma anloga, en el circuito de salida aparecer una corriente alterna de amplitud igual al
incremento de la intensidad de colector, superpuesta a -Ic(corriente de colector para un
incremento de tensin 0).
Se define ganancia en intensidad como:
Obsrvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de instensidad puede tomar valores
muy elevados.
De forma anloga, se defina la ganancia de tensin como:
Corriente mxima: Es anlogo al introducido para los diodos: una corriente excesiva
destruira al dispositivo.
Por ltimo, podemos generalizar que los transistores sin pequeos dispositivos empleados
en todo tipo de circuitos, ya sea relacionados con la electrnica digital o analgica, ya que
forman el alma mater de los actuales microprocesadores y dems elementos digitales.
Al realizar el anlisis en corriente continua, se eliminan todas las fuentes de seal alterna y
sustituiremos los componentes por su equivalente para continua.
En corriente continua, el circuito de entrada ejerce un control sobre el circuito de salida. La
aplicacin por excelencia, posiblemente se encuentra en el concepto de amplificacin: bajo
determinadas condiciones podemos conseguir que la corriente de colector sea proporcional a la
corriente de base.
Anlisis de un transistor en corriente alterna
Los transistores tienen un modelo equivalente que permite aplicar los mtodos tradicionales de
anlisis de circuitos (mallas, nodos). Estos modelos se obtienen del estudio de las ecuaciones que
rigen el comportamiento de los transistores.
Existen varios modelos para simular el comportamiento del transistor en alterna, el ms popular
es del modelo en parmetros h.
A la entrada, la seal se encuentra con una resistencia hie y un generador de tensin pendiente de
la tensin colector-emisor, hre*Vce. A la salida, un generador de corriente refleja la dependencia
entre la corriente de colector y la corriente de base, hfe*ib y la resistencia 1/hoe representa la
resistencia de salida.
Trabajar con los parmetros h constituye una gran ventaja ya que podemos sustituir el transsitor
por este sencillo circuito que nos permitir hallar la expresin de la seal de salida en funcin de la
seal de entrada y de los parmetros de transistor.