Instituto Federal do Norte Fluminense.

IFF Campus Centro

Professora: Anglica Cunha
Matria: Tratamentos Trmicos
Turma __________
Aluno (a):______________________________________________
Exerccios para NOta
Exerccios para Nota

1 Faa uma correlao entre as colunas abaixo:

( 1) Encruamento
( 5) Deformao Plstica
( 9) Deformao Frio

( 2) tomos intersticiais
( 6) Vetor de Burgues
(10) Deformao Quente

( 3) Deformao Elstica
( 7) Vacncia
(11) Defeitos Pontuais

) Esto associados com uma ou duas posies atmicas.

) Corresponde regio que separa dois ou mais cristais de orientao diferente.

( 4) Discordncias
( 8) Contorno de Gro
(12) Elementos de liga

(
) D a magnitude e a direo de distoro da rede. Corresponde distncia de deslocamento dos tomos ao
redor da discordncia.
(
) A deformao proporcional tenso correspondente ao esforo aplicado. Cessados a fora a clula volta
forma e dimenses originais.
(
) So formados durante a solidificao do cristal ou como resultado das vibraes atmicas, envolve a
falta de um tomo.
(
) So consideradas impurezas adicionadas intencionalmente com a finalidade aumentar a resistncia
mecnica, aumentar a resistncia corroso, aumentar a condutividade eltrica, etc.
(
) Deformao realizada sob condies em que os processos de recuperao e recristalizao no so
efetivos, ocorrendo o Encruamento.
(
) So defeitos nos quais envolve um tomo extra no interstcio, podendo produzir uma distoro no
reticulado, j que o tomo geralmente maior que o espao do interstcio.
(
) Deformao na qual ocorre acima de 0,5 da temperatura de fuso do metal , na qual a estrutura do metal
restaurada ou substituda uma nova estrutura livre de tenses.
(
) Deformao na qual o material deformado permanentemente quando sujeitos aos esforos mecnicos.
Esta deformao facilita as operaes de conformao mecnica.
(
) Ocorre na deformao plstica dos metais atravs da movimentao de discordncias, levando a uma
reduo de mobilidade no sistema de escorregamento resultando em um aumento de resistncia mecnica do
material.
(
) So defeitos responsveis pela deformao, falha e ruptura dos materiais. Podem ser controlados pelo
grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos.

2 - Marque V para verdadeiro e F para falso nos seguintes quesitos.

(
) Tecnologicamente, o metal um elemento qumico que existe como cristal ou agregado de cristais, no
estado slido, tendo como propriedades a alta dureza, grande resistncia mecnica, elevada plasticidade (grandes
deformaes sem ruptura), relativamente alta condutibilidade trmica e eltrica.
(
) O campo de aplicao dos metais aumentou atravs da obteno das ligas metlicas, melhorando certas
propriedades para direcionar de forma mais precisa o seu uso.
(
) Parece ter sido o cobre o primeiro metal a atrair a ateno do homem, pois s o cobre e o ouro
apresentam-se, no estado nativo, com certa abundncia. Porm, sendo o ouro mais resistente do que o cobre, ele
foi ele utilizado para as primeiras armas e ferramentas.
(
) Os depsitos de minerais que se encontram na superfcie da Terra so, em geral, combinaes de vrios
minerais
(
) Quando o mineral contm uma quantidade de metal que permite sua explorao econmica, leva o nome
de ao de baixa liga.
(
) A liga metlica uma combinao de metais e outros elementos que quando misturados no estado liquido
em propores convenientes, resultam num novo material com caractersticas intermedirias entre as dos seus
constituintes.
(

) A corroso uma ao metalrgica da umidade do ar ou de outros reagentes qumicos sobre os metais.

) Os metais so bons condutores de electricidade e do calor.

(
) Aparecem em geral no estado puro na natureza o ouro, a platina, a prata, o cobre, o ao, o mercrio, o
enxofre e o ferro meterico.
(

) Os metais so bons condutores de electricidade e do calor.

) Ordem de longo alcance quando no existe ordem na disposio dos tomos ao longo da estrutura.

(
) Estuda-se o arranjamento atmico devido as propriedades de alguns materiais estarem diretamente
associadas sua estrutura cristalina, isto explica a diferena significativa nas propriedades de materiais cristalinos
e no cristalinos de mesma composio.
(
) Os materiais slidos so classificados em cristalinos ou no-cristalinos de acordo com o tipo de tomos
ou ons se dispem em relao seus vizinhos.
(
) Um material cristalino aquele no qual os tomos encontram-se ordenados sobre longas distncias
atmicas formando uma estrutura tridimensional que se chama rede cristalina.
( ) A clula unitria consiste num pequeno grupos de tomos que formam um modelo repetitivo ao longo da
estrutura unidimensional.
(
) Como a ligao metlica direcional no h restries quanto ao nmero e posies dos vizinhos mais
prximos.
(
) A estrutura cristalina dos metais tm geralmente um nmero grande de vizinhos e alto empacotamento
atmico.
(
) As estruturas cristalinas Cbica de corpo centrado, cbica de face centrada e hexagonal compacta so as
mais comuns nos metais em metais devido ao seu empacotamento atmico.
(

) O fator de empacotamento atmico da estrutura cbica simples (CS) de 52%.

(
) No sistema cbico simples apenas 1/4 de cada tomo cai dentro da clula unitria, ou seja, a clula unitria
contm apenas 1 tomo.

(
) O nmero de coordenao numa estrutura cristalina corresponde ao nmero de tomos vizinhos mais
prximos.
(

) Para a estrutura cbica simples (CS) o nmero de coordenao 8.

(
) Na estrutura cbica de corpo centrado (CCC) cada tomo dos vrtices do cubo dividido com 8 clulas
unitrias. J o tomo do centro pertence somente a sua clula unitria.
(

) O fator de empacotamento atmico da estrutura cbica de face centrada (CFC) de 68%.

) Na estrutura cbica de corpo centrado (CCC) h 1 tomos por clula unitria.

) Para a estrutura cbica de face centrada (CFC) o nmero de coordenao 6.

(
) Na estrutura cbica de face centrada (CFC) cada tomo dos vrtices do cubo dividido com 8 clulas
unitrias. J o tomo do centro pertence somente a sua clula unitria.
(

) Na estrutura cbica de face centrada (CFC) h 4 tomos por clula unitria.

) Na estrutura cbica de face centrada (CFC) o nmero de coordenao 12.

) O fator de empacotamento atmico da estrutura cbica de corpo centrado (CCC) de 74%.

( ) Muitas propriedades dos metais, sobretudo as que mais interessam sob o ponto de vista de aplicao, como
as propriedades mecnicas, desviam-se apreciavelmente das que se poderiam prever na base de um cristal prefeito.
Isto permite desenhar e criar novos materiais com a combinao desejada de propriedades.
(

) A figura abaixo trata-se de uma defeito que pode ocorrer na estrutura, chamada de discordncia em hlice.

(
) Um defeito na estrutura cristalina do material uma imperfeio ou um "erro" no arranjo peridico regular
dos tomos em um cristal, que podem envolver uma irregularidade na posio dos tomos ou no tipo de tomos.
( ) Os defeitos de SCHOTTKY e FRENKEL esto presentes em compostos que tem que manter o balano de
cargas.
( ) As discordncias se movem com a mesma facilidade em todos os planos cristalinos e em todas as direes
cristalinas. A movimentao das discordncias se d preferencialmente atravs de sistemas de ambos com a menor
densidade atmica de um dado reticulado cristalino.
(
) Um material com mais de uma orientao cristalina, ou seja, que contm vrios gros chamado de
Monocristal.
( ) A discordncia em hlice envolve um semi-plano extra de tomos, possuindo zonas de trao e compresso
no reticulado cristalino.
(
) Os defeitos de Shottky e Frenkel ocorrem em slidos inicos. Sendo o de Shottky quando um on sai de
sua posio normal e vai para um interstcio, diferentemente do Frenkel.
(
) Nas solues slidas as impurezas podem ser substitucionais ou intersticiais. As intersticiais podem se
classificar em ordenadas ou no-ordenadas.

) Os defeitos lineares esto associados com uma ou duas posies atmicas.

) Vacncias, tomos Intersticiais, Schottky, Frenkel so chamados de defeitos lineares.

) O nmero de vacncias aumenta com a elevao da temperatura.

) A formao de um defeito intersticial implica na criao de uma vacncia.

( ) As solues slidas intersticiais ocorrem quando a impureza apresenta raio atmico maior do que o tomo
da rede.
(
) As discordncias geram vacncias e influem nos processos de difuso, porm no contribuem para a
deformao plstica.
(
) Como os materiais metlicos tem geralmente fator de empacotamento alto as posies intersticiais so
relativamente pequenas, geralmente, no mximo 5 % de impurezas so incorporadas nos interstcios.
(
) As discordncias esto associadas com a cristalizao e a deformao. Logo, possui origem trmica,
mecnica e supersaturao de defeitos pontuais.
(
) Com o aumento da temperatura h uma diminuio na velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e formao de discordncias nicas.
(
) A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos.
(
) Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se longe das discordncias formando uma atmosfera de
impurezas.
(

) A discordncia em cunha envolve zonas de trao e compresso, devido ao semi-plano extra de tomos.

(
) O cisalhamento se d mais facilmente nos planos de menor densidade atmica, por isso a densidade das
mesmas depende da orientao cristalogrfica.
(

) Os defeitos planos ou interfaciais esto associados c/ 1 ou 2 posies atmicas.

(
) A deformao mecnica dos materiais promove a formao de imperfeies que geram um aumento na
resistncia mecnica

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