LABORATORIO N 1

TIRISTORES
CARRERA

: TECNOLOGA MECNICA ELCTRICA

CICLO

:V

SECCIN

: F

DOCENTE

: Zevallos lvarez, Luis Enrique

CURSO

: Electrnica Industrial

ALUMNO (S)

:
-

Rojas Gutirrez Yerson

Tello Castillo Frank

FECHA DE ENTREGA

: 22/04/2016

2016 I
TIRISTORES
I.

OBJETIVOS:

 Obtener destreza en el reconocimiento y prueba de semiconductores de

potencia.
Probar su funcionamiento y establecer diferencia de comportamiento.
II.

FUNDAMENTO TEORICO:

El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los

interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por
completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son
capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede
observarse tambin en el diodo Shockley.
El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso
momentneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en ingls,
GATE) cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el
nodo es mayor que en el ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la
fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido
inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existir una dbil
corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa mxima,
provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la unin).
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una
corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe haber una pequea corriente
en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer
que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe
inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche,
sin la cual el dispositivo dejara de conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede
controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF -> ON,
usando la corriente de puerta adecuada (la tensin entre nodo y ctodo dependen
directamente de la tensin de puerta pero solamente para OFF > ON). Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de
puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que el tiristor conduzca.
Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad
de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo.
III.

EQUIPOS Y MATERIALES:

Cantidad

Descripcin

Marca

Modelo

01

TRANSISTOR DE POTENCIA

2N3045

----------

OK

01

MOSFEST

1RF3205

---------------

OK

01

TRNASTIRO

SKN 26/08

-----------------

OK

01

IGBT

G4PC40W

-----------------

OK

01

Multmetro digital

METERMAN

34XR

OK

01

Protoboard

.------------------

EN ESTE LABORATORIO TRABAJAR CON

TENSIONES PELIGROSAS.
NO MODIFIQUE NI HAGA NINGUNA OTRA
CONEXIN, SALVO QUE SU PROFESOR LO
AUTORICE.

IV.

Observacin

PROCEDIMIENTO

A. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO

OK

1. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

Cdigo Elctrico de identificacin:

SKN 26/08

Smbolo:

2.

Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin ( Use el

manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor):
Fabricante:

SEMIKRON

PARMETRO
Voltaje Pico inverso repetitivo:
Voltaje pico inverso no
repetitivo:
Corriente Directa Media:

ABREVIACIN

V RRM

800 V

VRSM

800 V

VTAV

25 A
40 A

Corriente Directa Eficaz:

Corriente Instantnea no Repetitiva:

VALOR

I FRMS
IFSM

375 A

3. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la

diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

4.

R
e
a
c
e

li

la prueba de funcionamiento del

dispositivo usando el Multmetro

.OL
Lectura del Multmetro:

0.464
Lectura del Multmetro:

Marque el estado del dispositivo:

Operativo:
Inoperativo:

Conclusiones y Observaciones:
-Despus de realizar las pruebas y comprobar con el multmetro
que al colocar la pinza roja en la parte roscada y la pinza negra
en la parte contraria, se logra obtener un pequeo voltaje, por lo
tanto el ctodo es la parte roscada y el nodo es la parte
contraria a este.

B. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL SCR

5. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

Cdigo Elctrico de identificacin:

Smbolo:

SKT4008

6. Realice la bsqueda en la hoja de datos

de la siguiente
informacin (Use el manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor.):
Fabricante: SEMIKRON

PARMETRO
Voltaje Pico inverso repetitivo:
Voltaje pico inverso no repetitivo:
Corriente Directa Media:

ABREVIACIN

VALOR

800 V

V RRM

900 V

VRSM

40 A

Corriente Directa Eficaz:

ITAV

Corriente Instantnea no Repetitiva:

I FRMS

38 A
a 45C

63 A

7. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la

diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

8. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Digital.

Resultados:
Cable Rojo del

Cable Negro del

Multmetro
A

Multmetro
K

Dado lo terico:

Valor Medido (V)

OL
OL
OL
OL
0.031
0.031

Marque el estado del

dispositivo
Operativo:
Inoperativo:
Conclusiones y Observaciones:
Para comprobar si el SCR est en buen estado se necesitan
hacer algunas pruebas con ayuda del multmetro en el cual
debe existir un valor pequeo de voltaje cuando se midan
ctodo y gate, teniendo conocimiento de esto y llevndolo a la
realidad, se comprob que el SCR est en buen estado y se
identific nodo, ctodo y gate.

C. RECONOCIMIENTO DE TRANSISTORES
TRANSISTOR N 1
9.

Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

Tipo de Transistor:

Transistor Bipolar de Junta (BJT)

Cdigo Elctrico de identificacin:

Smbolo:

2N3055

10.

e
a
l
i
c
e la bsqueda en la
hoja de datos de la
siguiente informacin (Use el manual ECG o las hojas de datos dada por el
profesor.):
Fabricante: ST

Parmetro

Abreviacin

Valor

Voltaje Mximo C-E:

V cer

60 V

Voltaje Mximo C-B:

V cbo

100 V

Ic Mximo:

Ic

15 A

Potencia de Disipacin:

Ptot

115 W

Beta o hfe:

H fe

70

Frecuencia de Operacin:

Ft

3 MHz

11. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos

realice la diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique
sus terminales.

Colecto
r

Emis

Bas
e

12. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Digital.

Experimentos en el laboratorio

RESULTADOS:
Cable Rojo
del

Cable Negro
del

Valor Medido (V)

OL
OL
OL
OL
0.596
0.596

Marque el estado del dispositivo:

Operativo:
Inoperativo:

Conclusiones y Observaciones:
Despus de realizar las pruebas para comprobar si el transistor
est en correcto estado e identificando colector, emisor y base,
obtuvimos que la relacin entre base emisor y base colector
tenan un pequeo valor de voltaje, en el que base y emisor era
mayor, por lo tanto, el transistor est operativo.

TRANSISTOR N 2

13. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

Tipo de Transistor:

MOSF

Cdigo Elctrico de identificacin:

IRF320

Smbolo:

14. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el

manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor):
Fabricante:

International IR Recibiere

PARMETRO
Voltaje Mximo DS : Voltaje G-S :
ID Mximo a 25C :
Potencia de

ABREVIACIN
VDS

VALOR
55 V

VGS

+/- 20 V

ID

110 A

PD a 25 C

200 W

RDS

8.0 m

Disipacin :
Resistencia D-S

15. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la

diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

GATE

DRENAD

SURTID
OR

16. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Digital.

Cable Rojo
del

Cable Negro
del

Multmetr
o
D

Multmetr
o
S

Marque el estado del

dispositivo: Operativo:

Valor Medido (V)

OL
0.439
OL
OL
OL
OL

Inoperativo:

Comentario:
Despus de realizar las pruebas en las que solo deba
haber voltaje en la relacin S y D, se comprob que el
transistor MOSFET se encuentra operativo.

TRANSISTOR N 3
17. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

Tipo de Transistor:

Transistor Bipolar de
compuerta aislada (IGBT)

Cdigo Elctrico de identificacin:

G4PS40W
Smbolo:

18. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el

manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor.):

Fabricante: International IR Rectifier

PARMETRO

ABREVIACIN

VALOR

Voltaje Mximo C-E :

VCES

600 V

Voltaje G-E :

VGE

15V

Ic Mximo :

IC

20 A

PD A 25 C

600 W

VCE (On)

2.05 V

Potencia de Disipacin :
Voltaje C-E ( On ) :

19. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la

diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

20. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro Digital.

Cable Rojo
del

Cable Negro
del

Multmetr

Multmetr

Valor Medido (V)

OL
OL
OL
OL
OL
OL

Marque el estado del

dispositivo: Operativo:
Inoperativo:
Conclusiones y Observaciones:

Despus de realizar las pruebas correspondientes se concluy que

el transistor IGTB est operativo, y que si se hubiera detectado un
pequeo voltaje entre E C tambin hubiera estado operativo, y el
responsable de ese voltaje hubiera sido el diodo dmper.
D. PRUEBA DE TRANSISTORES
21. Implemente el siguiente circuito usando para ello:

Una fuente de voltaje contino

Una tarjeta de Proyectos

Potencimetro de 10 kOhms

Resistencias de 15 Ohms / 20 W

100 Ohms

Multmetro digital

Cable
Utilizando el programa Multisim 12.0 realizamos el siguiente circuito:

TRANSISTOR BIPOLAR
22. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente manera:
T1

Colector

T2

Base

T3

Emisor

23. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para
cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el punto
A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.

Implementacin del circuito en el programa Multisim

12.0 con el transistor bipolar SN3055A

Parmetros encontrados en los voltmetros:

Voltaje en
B
15 V
12 V
10 V
8V
6V
4V
2V
1V
0V

Voltaje en
A
0.295 V
0.301 V
0.307 V
0.314 V
0.324 V
0.341 V
0.831 V
9.605 V
15 V

24. En el cuadro anterior encierre en un recuadro las mediciones que muestren los
siguientes estados:
Corte:

Se observa que el punto de corte es

donde el colector y el emisor emiten
15 V dejando sin voltaje a la base
Amplificacin

Saturacin:

Al momento de amplificar se debe regular

el potencimetro dejando circular al
transistor el voltaje que se quiere regular

Se observa que el punto de saturacin es donde el

colector y el emisor estn cortocircuitados dejando
con tensin a la base.

COMENTARIO:
En esta prueba con el transistor bipolar el paso de corte a
saturacin es amplio en la cual se tendra que regular al
mximo hasta el menor para poder obtener esos trabajos.
Se utiliz un potencimetro menor para lograr regular bien el
voltaje en B.

TRANSISTOR MOSFET
25. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente manera:
T1

Drenador

T2

Gate

T3

Surtidor

26. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y regular
el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para cada uno
de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el punto A y mida
la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.

Implementacin del circuito en el programa Multisim

12.0 con el transistor MOSFFET IRF3205

Parmetros encontrados en los voltmetros:

Voltaje en
B
15 V
12 V
10 V
8V
6V
4V
2V
1V
0V

Voltaje en
A
6.540 mV
6.864 mV
7.263 mV
8.041 mV
9.955 mV
0.039 V
15 V
15 V
15 V

27. En el cuadro anterior encierre en un recuadro las mediciones que muestren los
siguientes estados:
Corte:

Si los terminales soportan el mximo voltaje proporcionado por la

fuente de alimentacin. Para que el transistor trabaje en CORTE,
el terminal de control G no debe recibir seal de voltaje.

Amplificacin

Al momento de amplificar se debe regular el

potencimetro dejando pasar el voltaje entre
drenador y surtidor

Saturacin

Cuando los terminales principales D y S permiten el paso

mximo de corriente limitado por la carga se encuentra
en estado de Saturacin.

COMENTARIO:
En este proceso se registr que al poner el voltaje de 2V en el punto
B se pas de corte a saturacin ms corto tiempo que el transistor.

TRANSISTOR IGBT
28. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente manera:

T1
T2
T3

Drenador
Gate
Surtidor

29. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y regular
el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para cada uno
de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el punto A y mida
la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.

Implementacin del circuito en el programa Multisim

12.0 con el transistor IGBT IRG4BC20U

Parmetros encontrados en los voltmetros:

Voltaje en
B
15 V
12 V
10 V
8V
6V
4V
2V
1V
0V

Voltaje en
A
1.276 V
1.285 V
1.298 V
1.333 V
1.526 V
15 V
15 V
15 V
15 V

30. En el cuadro anterior encierre en un recuadro y anote las mediciones que

muestren los siguientes estados:

Corte:

Si los terminales soportan el mximo voltaje

Proporcionado por la fuente de alimentacin. Para que el transistor trabaje
como en CORTE, el terminal de control G no debe recibir seal de voltaje.

Amplificacin

Al momento de amplificar se debe regular el

potencimetro dejando pasar el voltaje entre
drenador y surtidor
Saturacin

Si los terminales C y E tienen una cada de voltaje de 0.1V

aproximadamente. Para que el transistor trabaje en
SATURACION el terminal de control G debe recibir
permanentemente una seal de voltaje.

31. Cul de los dispositivos posee un cambio ms rpido de corte a saturacin?

T. Bipolar

T. Mosfet

T. IGBT

COMENTARIO:
El transistor IGBT es el componente que rpido pasa de corte a
saturacin por lo cual es muy utilizado en la parte industrial por sus
carcteristicas.

ANEXOS

AUTOCAD