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simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que
las conexiones permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores
limitan en apariencia los lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio
material semiconductor, la tcnica del diseo de la red y los lmites del equipo de
manufactura y procesamiento.
El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el ms
sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel vital en
los sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en gran medida
a las de un sencillo interruptor. Se encontrar en una amplia gama de
aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente complejas.
Aparte de los detalles de su construccin y caractersticas, los datos y grficas
muy importantes que se encontrarn en las hojas de especificaciones tambin se
estudiarn para asegurar el entendimiento de la terminologa empleada y para
poner de manifiesto la abundancia de informacin de la que por lo general se
dispone y que proviene de los fabricantes.
Antes de examinar la construccin y caractersticas de un dispositivo real,
consideremos primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base
comparativa. El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el
smbolo y las caractersticas que se muestran en la figura 1.1a y b,
respectivamente.
(a)
(b)
Figura 1.1 Diodo ideal: (a)smbolo; (b) caracterstica.
(corto circuito)
Figura 1.2 Estados (a) de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal.
Figura 1.3 (a) Estado de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal
determinados por la direccin de corriente de la red aplicada.
1S
2S 2P 3S 3P 3d
4S 4P 4d 4f
5S 5P
Boro _____ B __ 5
2_1
Carbono __ C __ 6
2_2
Aluminio __ Al __13
2_6 2_1
Silicio ____ Si __ 14
2_6 2_2
2_6 2_3
2 _ 6 2 _ 6 _ 10
2_1
Germanio__Ge __32
2 _ 6 2 _ 6 _ 10
2_2
2 _ 6 2 _ 6 _ 10
2_3
Indio _____In __ 49
2 _ 6 2 _ 6 _ 10
2 _ 6 _ 10
2_1
Estao ____Sn__ 50
2 _ 6 2 _ 6 _ 10
2 _ 6 _ 10
2_2
Antimonio__Sb_ 51
2 _ 6 2 _ 6 _ 10
2 _ 6 _ 10
2_3
Electrones por
Nivel (2
18
32
Material Intrnseco
Cristal de Silicio
Tipo P
Tipo P
Diodo Semiconductor
Regin de Agotamiento
En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los
electrones y los huecos que estn en , o cerca de, la regin de "unin", se
combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como
mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de
iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de
Agotamiento por la ausencia de portadores.
Condicin de Polarizacin Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de
iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N
aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el
potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos
descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones
inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.
De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado
para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo).
Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o
se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de
impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ.
As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a
-200 V y potencias de 1/4 a 50 W.
El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su
potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se
activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.
Diodos Tunel.
Fotodiodos.
Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo,
mbar, azul y algunos otros.
En este punto del curso vale la pena tomar en cuenta los siguiente comentarios:
- Qu tan vlido es utilizar las aproximaciones ?
- Qu tan exacto puede ser un clculo y/o una medicin realizada en el
laboratorio ?
Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de
especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque
ambos hayan sido producidos en el mismo lote.
Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno
marcado de 100 puede ser realmente de 98 o de 102 o tal vez si ser exacto,
y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o
tal vez a 10V.
1.6 Comportamiento de CC de
un diodo.
ANLISIS POR RECTA DE CARGA
La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendr un efecto
importante sobre el punto de regin de operacin de un dispositivo (en este caso
el diodo).
V = IDRL ID = V / RL
Si ID = 0:
V = VD VD = V
Como se mostr anteriormente, una lnea recta trazada entre estos dos puntos
define la recta de carga.
Es muy vlido tambin utilizar para el diodo, en lugar de la curva real, la curva
del modelo simplificado. En este caso, el punto Q no cambiar o cambiar muy
poco.
COMPORTAMIENTO DE CC DE UN DIODO
Con V = 12 volts
Realizando la malla:
V - VT - VR = 0
12 - 0.7 - IR = 0
Despejando I de la ecuacin anterior:
I = (12 - 0.7)/1.2 k = 9.42 mA
I = ID = 0 A
3.-
0.4 - 0.4 - IR = 0
I = 0 VR = 0
4.-
5.-
6.-
V1 - VR1 - VD - VR2 + V2 = 0
10 - IR1 -0.7 - IR2 + 5 = 0
14.3 - I(R1 + R2) = 0
I = 14.3 / (4.7k + 2.2k) = 2.1 mA
Vo = VR2 - V2 = (4.56 - 5)v = -0.44v
VR2 = (2.1 mA)(2.2k) = 4.56v
7.-
10 - VR - 0.7 = 0
10 - (I)(R) - 0.7 = 0
I = 9.3 / 3.3k = 2.8 mA
VR = (I)(R) = (2.8m)(3.3k) = 9.3 v
8.-
9.-
10.-
, pero f y f =
1/T
donde:
V1 = Voltaje en el devanado primario
V2 = Voltaje en el devanado secundario
N1 = # de vueltas en devanado primario
N2 = # de vueltas en el devanado secundario