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Chapitre 4
Transistors bipolaires :
Jonction NPN & PNP
Schma quivalent
Symbole
Figure-1
Caractristiques : Le transistor NPN est caractris par :
Une couche N fortement dope constituant lmetteur.
Une couche P trs mince et faiblement dope constituant la base.
Une couche N faiblement dope constituant le collecteur.
Transistor PNP
Schma quivalent
Symbole
Figure-2
P
Ei
Ei
Ei
Ei
Vcc
P
Si on applique un deuxime gnrateur entre la base et lmetteur (Figure-4a), la jonction base metteur se trouve polarise en direct, la zone de dpltion qui lentourait disparat et un courant
directe circule entre la base et lmetteur, on lappelle le courant de base IB
C
N
Ic
Vcc
IB
Ei P
Ei
lectrons
VBB
N
IE
B
Figure-4a : NPN polaris
est voisin de lunit (0.95 0.99) ce qui permet souvent de considrer IC IE, par contre, le
rapport entre le courant du collecteur et celui de la base est important, il varie entre quelques
dizaines quelques centaines, cest le gain en courant du transistor. Dans les ouvrages
anglophones, est souvent not h21 ou hfe
En rsum, le transistor est un composant lectronique gr par la relation IC = IB . Cette relation
traduit la possibilit de contrler un courant important (IC) laide dun courant beaucoup plus
faible (IB) do son utilisation grande chelle en amplification.
En ralit, le fonctionnement du transistor est lgrement plus complexe, il faut tenir compte des
courants inverses des jonctions. Si la base nest pas polarise (Figure-3b), le courant entre le
collecteur et lmetteur nest pas tout fait nul mais il a une faible valeur, on le note ICEO. De la
mme faon si on laisse lmetteur ouvert et on polarise la jonction C-B en inverse, elle est
traverse par un courant inverse qui sera not ICBO. La relation IC = IB devient IC = IB + ICEO ,
avec ICEO = ICBO.
III. Rseaux des caractristiques dun transistor bipolaire
IC
Caractristique de sortie
Caractristique de transfert
IC = f(VCE) IB = cst
VCE
Caractristique dentre
Caractristique de raction
Les transistors NPN sont plus rpandus car ils ont de meilleures performances que les PNP (la
conductibilit du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en tension).
1. Les montages de base.
Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune l'entre et la
sortie du montage, il y a 3 manires fondamentales de procder :
La patte commune est l'metteur : on parle de montage metteur commun. L'entre est la base
et la sortie le collecteur.
La patte commune est la base : on parle de montage base commune. L'entre est l'metteur et
la sortie le collecteur.
La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun. L'entre est la
base et la sortie l'metteur.
IC
IB
VC
VB
0.7V
VBE
Pente
ICE0
Figure-7 : Caractristique de transfert du transistor.
La caractristique de transfert est donc une droite; le transistor est un gnrateur de courant
command par un courant.
Si on considre le courant de fuite ICEO, la caractristique ne passe pas par l'origine, car IC =
ICEO pour IB = 0.
Le du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 10 pour des
transistors de grosse puissance, 30 80 pour des transistors de moyenne puissance, et de 100
500 pour des transistors de signal.
5. Caractristique de sortie.
La caractristique de sortie du transistor est dfinie par la relation IC = f (VCE) IB = cte. En
pratique, on donne un rseau de caractristiques pour plusieurs valeurs de IB.
IB5
IB3
IB2
2
IB1
IB0
leurs possibilits (100 300 mA), et atteignent 1 3V pour des transistors de puissance des
courants de l'ordre de 10A.
PTT Max
P
Max
Zone
Active
damplification
VCE Max
Saturation
IC Max
7. En bref
Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor , c'est que c'est un amplificateur de courant:
c'est un gnrateur de fort courant en sortie pilot par un faible courant en entre.
Le choix d'un transistor au premier ordre, se fera en considrant les paramtres suivants :
Le VCEMax que peut supporter le transistor.
Le courant de collecteur maxi ICMax.
La puissance maxi que le transistor aura dissiper.
Le gain en courant .
Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation VCEmaxsat sera un critre de
choix essentiel.
IC
IB
VC
E
VB
E
IE
Figure 10 : Montage : polarisation par une rsistance de base
On dtermine le courant IB en crivant la loi dOhm dans la maille dentr :
Vcc = R B I B + 0.7 + R E (I B + I C )
En remplaant IC par IB, on obtient :
VCC
VBE
+
R B + ( + 1)R E R B + ( + 1)R E
cest lquation de la droite dattaque
Le courant du collecteur est I C = I B
La tension VCE est obtenue en crivant la loi dOhm dans la maille de sortie :
IB =
Vcc = R C I C + VCE + R E (I B + I C )
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP
1
VCC = VCE + R C + R E (1 + ) I C
1
1
IC =
VCE +
VCC
soit
1
1
R C + R E (1 + )
R C + R E (1 + )
RC =4K.
T0
Q0
1.33
IB (A)
PB
1.33
E0
VBE
Droite dattaque
5.35
VCE (V)
12
Droite de charge
VBE
Figure 11 : position du point de fonctionnement dans le rseau de caractristique
VCC VB
12 2.7
=
= 930K
IB
0.01x10 3
RB =
RC =
RE =
VE
VE
2
=
=
= 1.98K
IE
I C + I B 1.01x10 3
VCC VCE VE 12 5 2
=
= 5K
IC
10 3
IC
IC
IB
IB
VC
VC
VB
E
VB
IE
IE
R B2
VCC
R B1 + R B 2
R B1 R B 2
R Th = R B1 // R B 2 =
R B1 + R B 2
Le courant IB est dtermin partir de :
E Th = R Th I B + VBE + R E (I B + I C )
E Th =
E Th
VBE
+
R Th + ( + 1)R E R Th + ( + 1)R E
cest lquation de la droite dattaque
Le courant du collecteur est I C = I B
La tension VCE est obtenue en crivant la loi dOhm dans la maille de sortie :
IB =
Vcc = R C I C + VCE + R E (I B + I C )
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP
10
1
VCC = VCE + R C + R E (1 + ) I C
IC =
soit
1
R C + R E (1 + )
VCE +
1
R C + R E (1 + )
VCC
Application numrique :
Vcc=12V,
=100,
RB1 =56K
RC =10K.
T0
PS
Q0
0.53
IB (A)
PB
5.3
E0
VBE
Droite dattaque
5.6
VCE (V)
12
Droite de charge
VBE
Figure 13 : position du point de fonctionnement dans le rseau de caractristique
11
Ces donnes ne suffisent pas pour calculer les deux rsistances du pont, elle permettent seulement
de calculer RTh. Pour lever cette indtermination, on se donne une des deux rsistances et on calcule
l'autre. Une deuxime solution consiste se donner le rapport entre le courant du pont IP et le
courant de base IB. Si on note I1 le courant dans RB1 et I2 le courant dans RB2, on a I1 = IB + I2, si I2
est grand devant IB, on peut ngliger IB et on obtient I1 = I2 = IP = courant du pont. Prenons IP =
30 IB.
IB = IC/ = 1 / 100 = 0.01 mA
VB = Ve + 0.7 = 1.7 V
V VB
V
12 1.7
1.7
R B1 = CC
R B2 = B =
=
= 34.3K
5.9K
I1
30 0.01
I2
29 0.01
RE =
VE
VE
1
=
=
1K
IE
I C + I B 1.01
RC =
12
vbe
Quadriple
i c = h 21 i b + h 22 v ce
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP
13
iC C
iB
h11
v BE
iB
h12 v CE
v CE
h22
h 21 = =
h 12 =
I C
I B
VBE
VCE
VBE
I B
VCE = 0
h 22 =
I C
VCE
iB
vBE
h11
E
iC
iB
vCE
E
Grce aux modles linaires du transistor, le calcul complet d'un amplificateur est trs simple et se
dcompose en quatre tapes successives :
1. calcul du point de fonctionnement du circuit : celui-ci ne dpend que des sources
continues (les sources alternatives sont mises zro) ;
2. calcul des paramtres du transistor , h11, = 1/h22 partir du courant de repos Ic ;
3. dessin du schma petits signaux dans lequel on annule toutes les sources continues et
on remplace le transistor par son modle petits signaux;
4. calcul des paramtres de l'amplificateur quivalent reprsent par les rsistances Ze, Zs
et son gain en tension Av ;
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP
14
Vs
E bb = R bb I B + VBE + R e (I C + I B )
IB =
E bb
VBE
+
Cest lquation la droite dattaque
R b + (1 + )R e R b + (1 + )R e
15
La maille de sortie
1
Vcc = VCE + R e (1 + ) + Rc I C
Vcc = VCE + (R e (1 + ) + Rc )I C
IC =
VCE +
Vcc
(R e (1 + ) + Rc )
(R e (1 + ) + Rc )
Cest lquation de la droite de charge
On remplace maintenant le transistor par son schma quivalent de la Figure-16 laide des
paramtres hybrides (on pose Rb = R1//R2), on obtient le schma de la Figure-22 :
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP
16
Vs
Ve
Daprs le schma de la Figure-22, on peut crire :
Ve = h11i b
RcRu
Vs = (Rc // Ru // ) x i b =
ib
Rc + Ru + RcRu
Do l'expression du gain en tension du montage:
Gain en tension A V =
Av =
Vs
RcRu
=
Ve
(Rc + Ru + RcRu )h11
Av =
ic
ib
ib
Rb
is
ic-ib
Av =
ic
ib
Montage (a)
+ (h22 = 0)
Vs
ib
Rb
Vs
RcRu
=
Ve
(Rc + Ru )h11
Vs
Rc
=
Ve
h11
is
ic-ib
Vs
Montage (b)
+ et Ru = +
Sans charge
i
Ai = s
ie
Daprs le schma de la Figure-22, on a aussi :
Gain en en courant
Ve = (R b // h 11 )i e =
R b h 11
ie
R b + h 11
17
Vs = R u i S
i
R b h 11
R b h 11
Vs
Vs
Ai = s =
x
=
ie
Ru (R b + h 11 )Ve Ru(R b + h 11 ) Ve
i
R b h11
Ai = s =
i e Ru(R b + h11 )
RcRu
(Rc + Ru + RcRu )h11
Ai =
is
Rb
Rc
=
i e (R b + h 11 ) (Rc + Ru + RcRu )
i
Rb
Rc
Ai = s =
i e (R b + h11 ) (Rc + Ru )
Si +
Impdance dentre
Ai = 0
Ze =
Ve
ie
Dfinition : limpdance dentre cest limpdance vue entre les bornes de lentre de
lamplificateur
V
Par dfinition, on a Z e = e
ie
On a Daprs le schma de la Figure-9, on a:
Ve = (R b // h 11 )i e =
ZS =
R b h 11
ie
R b + h 11
Ze =
R b h 11
R b + h 11
VS
iS
Dfinition : limpdance de sortie cest limpdance vue entre les bornes de la sortie de
lamplificateur en isolant la charge et en court-circuitant les sources de tension et
ouvrant les sources de courant.
V
Par dfinition, on a Z S = S
iS
Zs nest pas fonction de la charge Ru
18
Daprs ce schma, on a :
Rc
Vs = (//Rc) i S =
i S Lexpression de limpdance de sortie est :
+ Rc
Si + Zs = Rc
Zs =
Rc
+ Rc
On a :
Re existe entre lmetteur et la masse
R1 et R2 sont en parallle
Rc et Ru sont en parallle
19
On remplace maintenant le transistor par son schma quivalent laide des paramtres hybrides
(on prend (h22 0 ; = +) Figure-17 :
Vs
on pose Rcu = (Rc // Ru )
Ve
Daprs le schma de la Figure-13, on peut crire :
Gain en tension A V =
Ve = h 11 i b + R e (i b + i c ) = (h 11 + (1 + )R e )i b
Vs = (Rc // Ru ) i c = - Rcu ic = = - Rcu ib
Vs
Rcu
=
Ve (h11 + (1 + )R e )
A V ( R e = 0) =
Vs Rcu
=
rsultat dj trouv prcdemment
Ve
h11
Rcu = Rc//Ru = Rc
V
Rc
A V ( R e = 0, Ru = + ) = s =
Ve
h11
is
ie
Daprs le schma de la Figure-13, on a :
Gain en courant A i =
Ve = R b (i e i b ) = R b i e R b i b
Ve = h 11i b + Re(i c + i b )
= (h 11 i b + R e (i c + i b )
= (h 11 + (1 + )R e )i b
R b i e R b i b = (h 11 + (1 + )R e )i b
20
1
(R b + h 11 + (1 + )R e )i b
Rb
ie =
(*)
Vs = R u i S
Vs = ( R u // Rc)i C = R cu i C = R cu i b
iS =
R u i S = R cu i b
R cu
ib
Ru
i e R u (R b + h 11 + (1 + )R e )
Ve
ie
Daprs le schma de la Figure-13, on a :
Ve = h 11 i b + re(i c + i b )
= (h 11 i b + R e (i c + i b )
Impdance dentre Z e =
= (h 11 + (1 + )R e )i b ib =
Ve
h 11 + (1 + )R e
De plus, on a Ve = R b (i e i b ) = R b i e R b i b
R b Ve
= Rbie
h 11 + (1 + )R e
Rb
1 +
h 11 + (1 + )R e
Ve = R b i e
Ze =
Ve R b (h 11 + (1 + )R e )
=
ie
h 11 + R b + (1 + )R e
VS
iS
On respecte la mthodologie de calcul de limpdance de sortie (dbrancher la charge Ru et courtcircuiter la source Ve de la Figure-26), le schma de la Figure-26 devient comme indique la
Figure-27 :
Impdance de sortie Z S =
21
Figure-28a : Montage CC
On remplace maintenant le transistor par son schma quivalent laide des paramtres
hybrides (Rb = R1//R2) Figure-30:
22
On montre de la mme manire que le montage metteur commun, les rsultats illustrs ci-dessous :
V
Gain en tension A V = s
Ve
Ve = h 11 i b + Vs et Vs = ( // R e // Ru)(1 + )i b
h 11
Ve =
+ 1 Vs
( // R e // Ru)(1 + )
Si +
AV =
AV =
Vs
( // Re// Ru)(1 + )
=
Ve h11 + ( // Re// Ru)(1 + )
Vs
(Re// Ru)(1 + )
=
Ve h11 + (Re// Ru)(1 + )
Sans charge Ru = +
Gain en courant A i =
AV =
Vs
R e (1 + )
=
Ve h11 + R e (1 + )
is
ie
i
(1 + )R b R e + (1 + )R
Ai = s =
ie
(h11 + R b )(R e + Ru)
Ve
ie
Ze = (h 11 + (1 + )( R E // // R U ) // R b + ( // R e // Ru )(1 + )i b
V
Impdance de sortie Z S = S
iS
Impdance dentre Z e =
ZS =
VS
= (h11 // // R e )
iS
23
Figure-32a : : Montage BC
On remplace maintenant le transistor par son schma quivalent laide des paramtres hybrides,
on obtient le schma suivant figure-33 :
24
On suit la mme manire que le montage metteur commun, on trouve les rsultats suivants :
Gain en tension A V =
Vs
Ve
Vs Rcu
=
Ve
h11
V
Impdance dentre Z e = e
ie
AV =
Ze =
Impdance de sortie Z S =
Ve
h
= R e // 11
ie
(1 + )
VS
iS
ZS =
VS
= RC
iS
Figure-36 : : Montage EC
En absence de la source alternative Ve, le montage est aliment par une source continue Vcc. Alors
le point de fonctionnement Q0 est fixe.
En prsence dune source alternative, Ve, le point de fonctionnement subit une fluctuation autour du
point de repos Q0.
Lamplitude des fluctuations dpend de lamplitude dentre (figure 37a et 37b):
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP
25
figure 37a : Cas damplitude dentre faible. Les fluctuations restent dans la zone normale
damplification.
figure 37b : Cas damplitude dentre grande. Les fluctuations peuvent atteindre les points de
saturation S ou de blocage B
26