PRACTICA DE LABORATORIO #3: AMPLIFICADOR EMISOR COMN DOS

ETAPAS.

ASIGNATURA: ELECTRNICA ANLOGA II

DOCENTE:
ING. JULIAN ADOLFO RAMIREZ GUTIERREZ

ESTUDIANTES;
ALEXIS VER DIAZ. 20142131914
CRISTIAN CAMILO SANCHEZ. 20142131762

GRUPO DE LABORATORIO

(Viernes)

UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA
FACULTAD DE INGENIERA
INGENIERA ELECTRNICA
(30 de abril de 2016)

RESUMEN

Las frecuencias de corte tanto bajas como altas son delimitadas o definidas debido las
distintas reactancias que presentan los capacitores de acoplo, desacoplo, capacitancias
parasitas, pues estos se comportan diferente al estar interactuando con las frecuencias bajas o
altas, haciendo que estos capacitores no se comportan de la misma manera a frecuencias
medias( circuito abierto o corto circuito), por ello se trabaj en esta prctica de manera
experimental ,al realizar distintas medidas y tratar de encontrar las respectivas frecuencias de
corte observando la variacin de la ganancia de voltaje Av , trabajando directamente con la red
de amplificacin, plasmando los datos tomados tratando de encontrar el diagrama de Bode.
INTRODUCCION
El circuito de amplificacin multietapa como se observa en la simulacin fue el cuerpo
experimental, trabajando con transistores NPN 2N3904, con betas aproximados a 180,
polarizados de manera correcta y muy estable; el fin de esta prctica experimental fue analizar
el comportamiento de esta red de amplificacin cuando se enfrenta a variaciones de frecuencias
muy drsticas, entendiendo que va a ser directamente influida por los capacitores de acoplo y
desacoplo para frecuencias bajas y las capacitancias parasitas que presentan las uniones
colector-emisor, colector-base, base-emisor para frecuencias altas, adems al trabajar una red
multietapa, con etapas iguales hace que sea muy interesante el comportamiento y respuesta en
frecuencia.
Trabajando con el generador de funciones a distintas frecuencias, comenzando por bajas,
llegando a medias y posteriormente a las altas se logr encontrar las aproximaciones
correspondientes al momento justo el cual es 70.71% de la ganancia de voltaje Av en
frecuencias medias, en este punto se encontraron las frecuencias de corte Bajas y Altas,
observando la seal de salida , midiendo su desfase respecto a la seal de entrada y as
posteriormente poder graficar o bosquejar el grafico-comportamiento de los datos obtenidos
(Av-Desfase-AvdB).
MARCO CONCEPTUAL
Capacitancias Externas:
Las capacitancias externas al transistor tienen la ventaja de que pueden ser modificadas y
presentar inconvenientes a altas frecuencias.
Capacitancias Parasitas:
Las capacitancias parasitas se presentan internamente debido a la fabricacin del transistor.
Dado que el transistor BJT est formado de junturas donde se acumulan huecos y electrones se
crean placas paralelas con una capacitancia asociada. Estas capacitancias presentan
inconvenientes al trabajar con altas frecuencias.
Entrando muy brevemente al tema sobre ciertas consideraciones de las frecuencias y como esta
afecta a la red de amplificacin desde una hasta mltiples etapas. Considerando que ahora las
capacitancias reactivas de los capacitores de acoplo y desacoplo y capacitancias parasitas
responden a distintas frecuencias, haciendo que la Av tome cierto comportamiento en un rango

que va desde frecuencias bajas, pasando por medias (Av mxima), se logran encontrar dos
zonas crticas en donde Av toma su valor 70.71% del Avmaximo que se logra a frecuencias
medias , estas son conocida como frecuencias de corte y es donde encontramos una cada de -3
dB en una grfica dB-F(Hz) logartmica; es aqu en el diagrama de bode donde se representa
este comportamiento. La frecuencias de corte baja son establecidas por los capacitores de
acoplo y desacoplo de la red amplificadora (Cs, Ce; Cc) y ciertos parmetros resistivos
parmetros resistivos; De cada uno de los capacitores se logra obtener una frecuencia de corte
en donde se comparan para deducir cual es la determina la frecuencia de corte inferior.(Las
ecuaciones para lograr aplicar los clculos , se encuentran en libros guas recomendamos el
Electronica-Boylestad 10 Edicin.).
Ahora bien, a frecuencia de corte superior o alta es tambin un punto en donde la ganancia Av
cae -3dB- esta tiende a un valor de 70.71 % de la ganancia mxima Avmax que se logra a
frecuencias media; Ahora bien las reactancias capacitivas que determinan estas frecuencias son
las que aparecen en las uniones B-E , B-C, C-E , consideradas capacitancias parasitas.
Comnmente conocidas y por cierto bastante pequeas, alrededor de lo pF, estn se pueden
obtener en el datasheet del transistor que se est utilizando a la hora de amplificar; Parmetros a
la hora de calcular la frecuencia de corte superior e obtienen mediante ciertas frmulas que se
encuentran en el libro ya previamente sugerido; as mismo en el presente informe se tratan de
calcular esta frecuencia , aclarando que se ignoran parmetros como capacitancias de cables
Cwi, entre otros y haciendo que muy posiblemente el resultado difiera de lo medido al momento
de trabajar con la red amplificadora en el laboratorio.

PROCEDIMIENTO

Alimentar el circuito multietapa amplificador, determinar el buen funcionamiento de este

mediante la inyeccin de una seal de 10mV a 5 KHz (Frecuencia media) en donde se
determin la ganancias Av medias.
Al verificar el buen funcionamiento de la red, se comenz a variar la frecuencia para poder
encontrar las F de corte bajas y altas; mediante la ayuda del osciloscopio digital, observando la
cada a -3dB de Av o el 70.71 % de la magnitud de la seal de salida.
La generacin de datos por dcada, tomando medidas cautelosas y lo ms precisas-exactas para
minimizar el margen del error, registrando Vi, Vo, ngulo de desfase para as mismo podre
modelar este comportamiento en un grfico respecto a las frecuencias (Grafica logartmica).
La verificacin de estos datos y determinar las coherencias, fenmenos y solucin de dudas al
graficar, normalizando los datos, gracias al software matlab.

RESULTADOS Y DISCUSIN
Para el desarrollo de la practica 3, correspondiente al anlisis de frecuencias, se realizaron las
siguientes tomas del siguiente circuito y se graficaron algunos parmetros relacionados con la

frecuencia.
Para ello se realizaron algunas tomas experimentales como se muestran a continuacin.

La realizacin tericas de las frecuencias mediante el mtodo de superposicin y ganancias se

establecieron en la siguiente tabla.
Parmetros
Ganancias

Etapa 1

v
Av = o
vi

Etapas conjuntas

A v 1A v 2= AvT
A vT 127,69

A v =11.30

f L =
i

1
2 C i Ri 0

f L =
i

1
2 C i Ri 0

Frecuencia Baja

f L 110 Hz

f L 235 Hz

Grafico 1: (Seales de entrada y salida.)

Grafico 2 (Diagramas de Magnitud y Fase.)

Relacionando los siguientes parmetros se obtuvieron las siguientes graficas mediante la ayuda del
Software Matlab.

Para la primera etapa,

Para la segunda etapa,

Para el desarrollo de la practica 3, utilizamos un sistema multietapa el cual se encontraba acoplado

capacitivamente, aspecto que fue de gran ayuda para el anlisis del mismo lo cuales mencionaremos a
continuacin.

Para el sistema del circuito de dos etapas que tenamos, se determin el parmetro de ganancia
tericamente de la siguiente manera, como se puede ver las dos configuraciones, se encontraban
acopladas mediante un capacitor y las dos etapas coincidan con los elementos establecidos en las
resistencias y capacitores, por tanto el anlisis de las ganancias se realizaron por separados y luego se
realiz el producto de
los dos sistemas al ser
similares.

Al comparar el sistema
inicial obtuvimos una ganancia de 11.30 lo que permiti entender que el primer sistema nos entregaba
una ganancia x10, y la seal a la salida se encontraba desfasada por ser un sistema inversor, luego al
entrar a la segunda etapa que es la impedancia de salida que ve la primer etapa, encontramos que al ser
nuevamente un sistema inversor y de ganancia x10, encontraos que la ganancia total era
A vT 127,69
nuevamente el sistema en conjunto nos permita una ganancia del orden de los x100 y
al ser nuevamente un sistema inversor, nos entregaba una seal amplificada en fase con la de la entrada.
Todo ello debe a que Av1 est determinada con la impedancia de entrada a Av2, que acta como la
carga en Av1, as la ganancia total es el producto de las ganancias.
Sobre la consideracin de frecuencia baja (fL), se realiz el mismo tratamiento por separado como se
trabaj con la ganancia total, para frecuencia se realiz de manera similar, para esta frecuencia se
tuvieron en cuenta solamente las capacitancias externas de acoplo y desacoplo del sistema, para ellos se
analiz el sistema de superposicin de esta manera se aplicaron la sumatoria de las frecuencias de corte
bajo de cada capacitor, de esta manera,
f L =
i

1
2 C i Ri 0

Luego de analizar la primera etapa concerniente a las frecuencia de corte baja, se lleg a un valor
aproximado de f L 110 Hz tericamente, de esta manera al realizar las etapas en conjunto, se
encontr que la frecuencia de corte baja aumento aproximadamente en 235Hz.
Al realizar una comparacin entre ganancia y frecuencia, podemos identificar que al haber
amplificadores en el sistema, hace que la ganancia del circuito est relacionada o depende de la
frecuencia. De otra forma al observar el comportamiento de las grafica de la primer etapa con respecto
a la segunda, vemos como hay un menor establecimiento del ancho de banda con respecto a la primer
etapa, esto implica algunas ventajas como el obtener una buena ganancia, pero un minimizar de las
frecuencias de corte baja y alta, esto conlleva a que un incremento en el nmero de etapas
amplificadoras conectadas en por acople, limitan la respuesta a baja y alta frecuencia.
Otro de los grandes componentes aunque no se tiene en cuanta al momento de simular en el laboratorio,
son las capacitancias internas del transistor llamadas tambin capacitancias parasitas, ellas son el punto

clave para entender el comportamiento de las frecuencias de corte altas, que cumplen el papel de pasa
altas.
Un mtodo de se podra utilizar para
hallar estas frecuencias, es utilizar el
teorema de Miller mirando el circuito de
la primer etapa como sigue;
Como tenemos dos etapas inversoras, lo
que conlleva a que AvT >>1 y en fase.
Uno de los primeros pasos para poder hallar estas frecuencias, seria de la siguiente manera,
- Al mirar en altas frecuencias a C2 el condensador sera un corto, as Vo=0
Luego al ver el sistema equivalente
de la siguiente forma y aplicar un
equivalente Thvenin.

Cabe anotar que al realizar estos procesos es necesarios tener en cuenta el parmetro

y el valor de

las capacitancias internas de transistor segn el fabricante.

Ahora bien trataremos de encontrar las frecuencias de corte altas

clculos correspondientes que se encuentran en los libros gua:

f l , por medio de las formulas y

1-Etapa:
Recogiendo los parmetros de capacitancias parasitas:
CEo= 15 pF Vbb=

15 ( 4 . 7 )
=4 . 8V Rbb=3 . 2 K I E =1. 4 mA
14 . 7
EBo= 8 pF , C
CBo= 4 pF ,C
C

h IE=3.27 K =180

f
f
2
1/( Hi) + 1/( Ho)2

1
1
1
f Hi=
=184.37 MHz f Ho=
=2.1 MHz f H =
2 RiCi
2 Ro C o
f H =2.1 MHz
Para la 2 etapa:
En este caso el modelo de pequea seal es muy parecido al de la primera etapa, considerando que
ahora Rs es igual al Zo de la primera etapa tenemos, los mismos parmetros de capacitancias parasitas:

Ri=

Rs|Rbb+ hIE )

180

Ci=52 pF C o=19.4 pF

Ro=Rc

f Hi=

1
=130.8 MHz
2 RiCi

Ri=23.4 Ci=C EB+ (1Av )CCBo

f Ho=

1
=2.1 MHz
2 Ro C o

C o=C CE +C Mo

f
f
2
1/( Hi) +1/( Ho)2

1
f H=

f H =2 MHz

Observamos que las dos etapas tienen unas frecuencias de corte alta a los 2 MHz.

CONCLUSIONES

Al desarrollar la practica 3, logramos comprender de manera prctica y experimental que al

haber dos etapas acopladas de forma no directa sino por medio de un capacitor, podamos hallar
la ganancia del todo el sistema analizando cada esta para por separados ya que su
comportamiento en DC nos permite realizar este tipo de tratamientos y de manera general la
ganancia total se obtuvo al operar la ganancia de la primera con respecto a la segunda.

Otro hecho importante que identificamos al momento de realizar dicha prctica, es la

identificacin de las frecuencias ya que esto tiene que ver mucho con la relacin que existe
frecuencia-ganancia, es por ello que hay que observar tanto terica como experimental hasta
que rango de frecuencia la ganancia que se quiere permanezca estable fuese estable, de ah que
podemos identificar mediante las grficas, la forma en que la onda cambia al ir variando las
frecuencias y lograr de esta forma las frecuencias bajas y altas del sistema.

Un hecho que identificamos al tener dos etapas en conjunto, primero que al tener dos inversores
al finalizar la primera etapa encontramos que la seal amplificada se encuentra desfasada 180 y
al medir al cabo de la segunda etapa, encontramos que la seal amplificada se encuentra en fase
con una ganancia 10 mayor a la primera. Y como segundo al realizar un anlisis grafico de la
segunda etapa, logramos determinar que hay mayor estabilidad en ganancia que en la primera,
reduciendo de esta manera el ancho de banda del sistema.

Uno de los factores que impidi de manera clara el hallar la frecuencia de corte alta, fue el
determinar las capacitancias parasitas que se encuentra en el dispositivo, ya que fuera de ellos
existen factores externos del medio que hacen que esto varen de su valor, por ello es necesario
al momento de trabajar con estos transistores tener a la mano su hoja tcnica y de esta manera
tener una aproximacin a esta frecuencias, ya que para una frecuencia alta el comportamiento
del transistor empieza deteriorar su funcionamiento, debido a las capacitancias internas del
mismo. Este lmite debe tenerse muy en cuenta a la hora de escoger un transistor u otro.

REFERENCIA

[1]

Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky. Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos

Electrnicos, Dcima Edicin, Editorial PEARSON.

[2]

C. J. Savant, Martin S. Roden, Gordon Carpenter. Diseo Electrnico Circuitos y Sistemas

[3]

Gustavo A. Ruiz Robredo. Electrnica Bsica para Ingenieros. Dpto. Electrnica y

Computadores, Universidad de Cantabria.

[4]

Diego Camelo, Catalian Albornoz. Amplificafor BJT, Electronica Analoga. Universidad de

lo Andes.