Chapitre 5

Jonction p-n
IV. La jonction p-n
Caractristiques de base
A lquilibre
Zone de charge despace
caractristiques courant-tension
Champ de claquage
Htrojonction
Science et gnie des matriaux, Romuald Houdr - 2006 /2007
1

Plan du cours
1. Introduction
- Caractristiques physiques des semiconducteurs
- Quels Matriaux pour quel type dapplications

1/3
bases

2. Proprits lectroniques des semiconducteurs

- Structure de bandes
- Statistiques doccupation des bandes
- Proprits de transport
- Processus de recombinaison
3. Jonctions et interfaces
- Jonctions mtal/semi-conducteurs
- Jonction p-n lquilibre, Jonction p-n hors-quilibre

1/3
transport

4. Composants lectroniques
- Transistors bipolaires
- Transistors effet de champ
- Dispositifs quantiques
- Nouveaux matriaux
5. Composants optolectroniques
- Dtecteurs

1/3
optique

- Diodes lectroluminescentes
- Diodes lasers
- Lasers mission par la surface
- Lasers cascade quantique

Circuits microlectroniques

La jonction p-n
Une jonction p-n correspond la juxtaposition de deux
matriaux identiques ou non de type p et de type n

Type
p

Type
n

Une jonction p-n est une diode

La jonction p-n
Applications

Transistors bipolaires
Diodes lectroluminescentes
Diodes laser
Cellules solaires
Dtecteurs

Fabrication
Pendant la croissance

Si + accepteurs
Si + donneurs

Substrat type n

Image SEM dune jonction p-n

Fabrication
Par implantation ou diffusion

Jonction p-n fabrication

http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html

Fabrication
Composant final

La jonction p-n

Type
n

Type
p

10

Diagramme de bande
A lquilibre
Type p

Type n
EC
+

EV

Gradients de concentration  il existe un courant de diffusion  Jdiff

Les impurets ne sont plus compenses  un champ lectrique se forme  Jcond
Les deux courants sont de signe oppos
11

Diagramme de bande
A lquilibre

http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation3/

12

Diagramme de bande
A lquilibre (pas dexcitation externe)
Le niveau de Fermi doit tre constant

Jn = -
n grad VF

Equation gnrale des courants

or grad VF = 0
do Jn = 0

(idem pour Jp)

J = Jdrive + Jdiffusion = 0
Il ny a pas de courant dans la jonction
Le courant de drive compense exactement le courant de diffusion

13

Zone de charge despace

La zone de charge despace ou zone de dpltion

Charges fixes

Charges mobiles

14

Diagramme de bande
A lquilibre (pas dexcitation externe)
Calcul de la hauteur de barrire de potentiel

qVbi = EG -(EC - EF)n - (EF - EV)p

avec

(n
ND et p
NA)

En considrant que toutes les impurets sont ionises, nous obtenons

 NvNc 
qVbi = E g
kB T ln

 NA ND 

(built-in potential)

Cette barrire de potentiel est la consquence directe de lapparition de

zones charges positivement et ngativement sous leffet de la
diffusion des porteurs. Cest ce qui conduit lquilibre
15

Zone de charge despace (ZCE)

Approximation dune jonction abrupte
ND - NA
d 2
N
=q A
pour  x p
x < 0
2

dx
ND
d 2
=

q
pour 0 < x
xn
-xp
2

dx
x
n

Neutralit lectrique: xpNA = xnND

Type p

Type n

Extension de la ZCE: W = xp + xn

Calcul du champ lectrique dans ZCE

16

Zone de charge despace

Cas dune jonction abrupte
ND - NA

-xp
x
n

-Emax
Type p

Type n

xn

Vbi = 

E(x)dx

x p

NA
=q


ND

(x + x p )dx + q 
x p

xn

(x  x

)dx

N A x 2p

N D x n2
=q
+q
2
2
E max x p E max x n 1
=
+
= E maxW
2
2
2

2
 N A + N D 
W =

Vbi
q  NA ND 
Extension de la zone de charge despace
17

Zone de charge despace

Exemple: Silicium
Type n: ND=1018 cm-3 et p=ni2/ND=102 cm-3
Type p: NA=1016 cm-3 et n=ni2/NA=104 cm-3
Nc=2.7x1019 cm-3 et Nv=1.1x1019 cm-3
On trouve:

 NvNc 
qVbi = 0.84 eV qVbi = E g
kB T ln

 NA ND 
W = 334 nm

2
 N A + N D 
W =

Vbi
q  NA ND 

=
0
r

0=8.85x10-12 F/m

R = 11.9
q = 1.6x10-19 C

E max =5x104 V/cm

18

Zone de charge despace

Zone de charge despace dans types n et p

W = xn+xp et xnND=xpNA

Do
xn= NA/(ND+NA)W
xp = ND/(ND+NA)W
En pratique ND>>NA do
et xp = W

La zone de charge
despace est principalement
du ct le moins dop

(333 nm)
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation3/
19

Jonction pn l'quilibre
Rsum

Zone de charge d'espace

Le courant de drive compense

exactement le courant de diffusion
20

Jonction p-n: nanofils

1
m

C. Lieber, Harvard (USA)

http://cmliris.harvard.edu/
21

LEDs nanofils

C. Lieber, Harvard (USA)

22

Diagramme de bande
A lquilibre

http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation3/
23

Caractristiques lquilibre
Apparition dune zone de dpltion (zone de
charge despace)
Charges positives et ngatives portes par
les donneurs et les accepteurs sont fixes
Pas de courant lquilibre

24

Zone de charge despace

Exemple: Silicium
Type n: ND=1018 cm-3 et p=ni2/ND=102 cm-3
Type p: NA=1016 cm-3 et n=ni2/NA=104 cm-3
Nc=2.7x1019 cm-3 et Nv=1.1x1019 cm-3
On trouve:
qVbi = 0.84 eV
W = 334 nm

 NvNc 
qVbi = E g
kB T ln

N
N
 A D
2
 N A + N D 
W =

Vbi
q  NA ND 

=
0
r

0=8.85x10-12 F/m

R = 11.9
q = 1.6x10-19 C

E max =3.8x105 V/cm

pour 1015 cm-3, qVbi = 0.61 eV, W = 1.2
m
25

Zone de charge despace

Zone de charge despace dans types n et p
ND - NA

W = xn+xp
xnND=xpNA (condition de neutralit)
-xp

xn

Do
xn= NA/(ND+NA)W
Type p

xp = ND/(ND+NA)W

Type n

En pratique ND>>NA do
et xp = W

La zone de charge despace

est principalement du ct le
moins dop

26

Jonction p-n hors quilibre

Aperu

Lorsque lon applique une diffrence de potentiel, la jonction nest plus

lquilibre
Hors quilibre le calcul liant W et V reste valide avec Vbi remplac par
Vbi-V et V= Vp-Vn

2  N A + N D 
W =

 Vbi
(V p
V ) n
q  NA ND 

27

Jonction p-n hors quilibre

Potentiel positif Vf : Vp-Vn: le potentiel interne est Vbi-Vf et W 
Potentiel ngatif Vr : Vp-Vn: le potentiel interne est Vbi+Vr et W 

28

Caractristiques I-V

29

Caractristiques I-V

A lquilibre et dans les rgions

neutres (n et p) nous avons
Type n:
nn0=ND et pn0=ni2/ND
Type p:
pp0=NA et np0=ni2/NA

( E c
E F ) ( E F
E v ) 

 NvNc 
 NA ND 
np
kB T
kB T
 = k B T ln
qVbi = E g
kB T ln
e
e
 = E g
k B T ln


 np 
 NA ND 

 NA ND

n 

nn 0 pp 0 

pp 0 
n0
qVbi = kB T ln
 = kB T ln
 = k B T ln

2
n
n
p


 n0 
 p0 
i

n n 0 pn 0 = n p 0 p p 0 = n i2

On en dduit
np0 = nn0 exp(-qVbi/kT)
Ou
nn0 = np0 exp(qVbi/kT)

Les densits dlectrons et de

trous des deux cts de la jonction
sont relies par le potentiel Vbi
30

Aperu

Caractristiques I-V
Ces relations sont toujours valables lorsque lon
polarise la jonction (un champ V extrieur est
appliqu)

nn0 = np0 exp(qVbi/kT)

pp0 = pn0 exp(qVbi/kT)

Polarisation (directe: V>0, inverse V<0)

nn = np exp(q(Vbi-V)/kT)
avec nn et np les densits aux limites de zones de charge despace

Nous avons alors nn
nn0 =np0exp(qVbi/kT) = np exp(q(Vbi-V)/kT)

soit np
np0 exp(qV/kT)

(en liminant Vbi)

ou encore np- np0 = np0(exp(qV/kT)-1) du ct p en x=-xp

de faon similaire, nous avons
pn - pn0 = pn0(exp(qV/kT-1) du ct n en x=xn

Relations de Shockley
31

Caractristiques I-V

Jusqu' prsent nous avons dcrit les

densits de porteurs majoritaires et leur
volution au travers de la zone de
charge d'espace.

Il reste dcrire
comment on passe de
ces valeurs aux valeurs
l'quilibre loin de la
jonction

32

Caractristiques I-V
Densits de porteurs minoritaires dans les couches de types n et p
Pas de courants gnrs dans la zone de charge despace, les porteurs viennent des
couches de types n et p (couches neutres)
Calcul du courant dans les couches neutres (types n et p)

Aperu

Equation de continuit:

dn 1 r r
= J n + (Gn
Rn )
dt q
Avec

r
r
r
J n = q n nE
Dn n

Gn : taux de gnration (thermique, lumire ...)

Rn : taux de recombinaison

Admettre

Gn-Rn: retour l'quilibre avec un temps caractristique
n

n
n0
Gn
Rn =
n

cart l'quilibre
temps de vie
33

Caractristiques I-V

Aperu

Do en rgime continu (et avec E=0 dans les couches neutres)

Soit:

34

Caractristiques I-V
On intgre avec np = np0exp(qV/kT) et np=np0 pour x=-

 np-np0=np0(exp(qV/kT) 1) exp[(x+xp)/Ln] avec

Ln est la longueur de diffusion des lectrons dans le type p

35

Admettre

Caractristiques I-V
On fait l'hypothse que les courants de chaque porteurs
ne varient pas dans la zone de charge d'espace.
Lp
diffusion

dpltion

diffusion

Jn

Jt=Jn+Jp=cstn

Jp

Ln

-xp

xn

Le courant total scrit alors

Points o il est ais de
calculer les courants

J=Jn(xn)+Jp,diff(xn)=Jn,diff(-xp)+Jp,diff(xn)
36

Caractristiques I-V
Le courant total scrit alors

Courant de saturation
(diode idale)

Quand V=0, pas de courant car quilibre

Quand V<0, J tend vers Js
Quand V>0, J augmente rapidement (exponentielle)

37

Caractristiques I-V
Quand V=0, pas de courant car quilibre
Quand V<0, J tend vers Js
Quand V>0, J augmente rapidement

I V
P

38

Caractristiques I-V
Calcul du courant Js dans une jonction p-n silicium
NA=5x1016 cm-3, ND=1x1016 cm-3, ni
1010 cm-3
Dn=21 cm/s, Dp=10 cm/s,
n=
p=5x10-7 s
Js = 8.6x10-12 A/cm2
soit dans un dispositif dont la taille va tre de quelques microns un courant de
lordre du femto(10-15)-ampre.

Une diode en inverse ne laisse pas passer de courant

En revanche, pour V = 1V (polarisation en directe), J = 2x106 A/cm2

39

Caractristiques I-V
Caractristiques relles

40

La jonction p-n en Java

Formation jonction p-n
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation3/#
La jonction pn polarise
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/biasedPN/
Courants dans une jonction pn polarise en direct
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/current/
Courbes I-V
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/iv/#
41

Caractristiques I-V
Dans le cas gnral, les caractristiques I-V ne suivent
lquation prcdente que sur une plage restreinte de
courant.
 dautres mcanismes sont prendre en compte
dont les deux principaux sont
i) Gnration et/ou recombinaison dans la
zone de dpltion
ii) Rsistance srie
42

Courant de recombinaison
En fait l'hypothse que les courants de chaque porteurs ne varient pas dans la zone de
charge d'espace est imparfaite. Il existe aussi un courant de recombinaison dans la
charge d'espace.

Le courant total scrit

J=Jp,diff+Jn,diff+Jdp

Admettre

Polarisation en direct
En direct, V>0, Jdp est un courant de recombinaison dans la zone de dpltion:
recombinaison via des phonons (chaleur) ou radiative (lumire). Les porteurs
tendent se recombiner pour retourner leur valeur dquilibre.
Nous avons: pnnp=pn0nn0exp(qV/kBT)=ni2exp(qV/kBT)

(pn=pn0exp(qV/kT)

La probabilit de recombinaison atteint une valeur maximum quand nn=pn=niexp

(qV/2kBT). Ceci est vrifi quand les centres de recombinaison sont au milieu de
la bande interdite, ce qui est en gnral le cas
On peut alors montrer que le courant de recombinaison scrit

J rec

qV
1  qn i w  2kB T
= 
e
2
r 

r est le temps de recombinaison

43

Courant de gnration
En fait l'hypothse que les courants de chaque porteurs ne varient pas dans la zone de
charge d'espace est imparfaite. Il existe aussi un courant de recombinaison dans la
charge d'espace.

J=Jp,diff+Jn,diff+Jdp

Le courant total scrit

Admettre

Polarisation en inverse
En inverse, V<0, Jdp est un courant de gnration de paires lectron-trous dans
la zone de dpltion

On peut alors montrer que le courant de gnration scrit

r est le temps de recombinaison

J gen =

qn i w
2 r

2  N A + N D 
w=

(Vbi
V )
q  NA ND 

44

Courant de recombinaison
Lexpression gnrale peut scrire

avec
le facteur didalit de la jonction

i) Cas idal dun courant de diffusion:
=1
ii) Cas o le courant de recombinaison domine:
=2
iii) Lorsque les deux contributions sont prsentes:
=1-2

45

Caractristiques I-V
Caractristiques relles


 qV
k B T

J = J s e

1


facteur d'idalit
entre 1 et 2

46

Caractristiques I-V
Rsistance srie
A fort courant
>1 et augmente continment
avec la tension
Lune des raisons principales est la prsence
dune rsistance srie (Rs)
Potentiel induit par Vr = RsI
Quand I faible (1 mA) et pour Rs=2 ohms:
Vr=2 mV << kT/q(300K)
Pour 100 mA  Vr=200 mV

47

Caractristiques I-V
Polarisation en inverse -Effet Zener
Lorsque la jonction est polarise en inverse (Vi), la zone de charge despace
varie en V1/2 (V=Vbi+Vi), ainsi que le champ lectrique dans cette zone

2
 N A + N D 
W =

(Vbi + Vi )
q  NA ND 
Le champ lectrique Emax ne peut pas augmenter indfiniment lorsque Vi
augmente car
F = qEmax  ionisation du matriau avec cration de paires e-h
Dans le silicium F = 106 V/cm (champ de claquage)

Dans une jonction, cela se traduit par une tension inverse limite appele tension
Zener (Vz) qui dpend des niveaux de dopages
Vi>Vz  fort courant : cest leffet Zener ou encore effet de claquage
un lectron passe directement de la bande de valence la bande de conduction
par effet tunnel travers la zone de charge despace
48

Caractristiques I-V
Effet Zener

En pratique, leffet Zener napparat que dans les jonctions trs dopes (W petite)
Ce phnomne peut tre destructif, claquage de la jonction ou bien mis profit dans
des diodes conues pour exploiter l'effet, diodes Zener. Vc peut tre choisi par
construction
Lorsque les niveaux de dopages sont faibles  effet avalanche
49

Caractristiques I-V
Diode avalanche
Si la zone de charge despace est grande
(W>0,1
m)  phnomne davalanche
Lorsque le champ devient lev (105 V/cm),
les porteurs subissent une acclration
importante qui conduit la cration de
nouvelles paires e-h par ionisation du
matriau, elles-mmes responsables de
nouvelles paires e-h, et ainsi de suite
Avalanche (Raction en chane)

Rem: Effet Zener, Vcritique  avec T

Effet Avalanche, Vcritique  avec T

50

Caractristiques I-V

Champ de claquage en fonction du dopage

51

Diode tunnel
Rgions n et p sont dgnres (niveau de Fermi dans les bandes)

V=0

V<0

Dopage trs lev  W trs petite (<1 nm)

V<0
Etats occups dans la BV mme nergie que des
tats vides dans la BC  effet tunnel BV vers BC
V>0
Etats occups dans la BC mme nergie que des
tats vides dans la BV  effet tunnel BC vers BV

V>0

52

Diode tunnel
V>0
Quand V augmente, le niveau de Fermi de la rgion n
(BC) peut tre suprieur au sommet de la BV 
courant diminue
Pour des tensions leves, le courant augmente de
nouveau par injection thermique des porteurs

53

Htrojonction et puits quantique

BC
n=3
n=2
n=1
L= quelques nm

BV

n=1
n=2
n=3
n=4

Niveaux d'nergie quantifis

54

fin de la jonction p-n

complment:
capacit de la jonction
comportement en frquence

55