IDENTIFICACIN DE LOS TERMINALES DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

Con un ohmmetro en la escala de Rx1 y teniendo cuidado que los terminales externos
del ohmmetro coincidan con la polaridad de la batera o pila interna, se efecta lo
siguiente:
Se numeran las patitas al azar en Fig. A
Se coloca el ohmmetro tal como se indican la figura B, hasta obtener dos lecturas de
baja resistencia con un punto comn tal como seala la figura B en donde el punto
comn es el contacto nmero 2. En caso de no obtener las dos lecturas de baja
resistencia, intercambie las puntas de prueba y repita las mediciones.
El contacto comn (en este caso la patita 2) viene a ser la BASE del transistor.
Para ubicar el contacto de colector, de las dos lecturas de baja resistencia se selecciona
la menor. La de mayor resistencia seria el emisor, la diferencia es de solamente algunos
ohmios; en algunos casos son dcimos de ohmio.

IDENTIFICACION DEL TIPO DE TRANSISTOR BIPOLAR

Utilizamos las mediciones anteriores observando la polaridad del terminal del ohmmetro
que le correspondi a la BASE. En el ejemplo de la Figura notamos que la BASE le
correspondi el polo positivo luego, el transistor ser del tipo NPN. Si le hubiera
correspondido el polo negativo a la BASE, el transistor sera PNP.

CODIFICACION DE TRANSISTORES
1.- JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council)
Consejo Conjunto de Ingeniera de Dispositivos Electrnicos. Es el principal
desarrollador de estndares para la industria de estado slido. Casi 2500 participantes,
designados por unas 270 compaas trabajan juntas en 50 comits donde evalan las
necesidades de cada segmento de la industria, de los fabricantes e igualmente de los
consumidores. Las publicaciones y los estndares que generan se aceptan en todo el
mundo.
Estndar: digito, letra, serial, sufijo (opcional)
Ejemplo: 2N2222A, 2N3904,
Digito: El nmero designa el tipo de dispositivo
1: Diodo
2: Transistor Bipolar
3: Transistor de efecto de campo FET
4: Optoacoplador
5: Optoacoplador
Letra: Se usa siempre la N

Serial: El nmero de serie se sita entre el 100 y el 9999 y no dice nada sobre el
dispositivo, salvo su fecha aproximada de introduccin.
Sufijo (opcional): indica la ganancia (hfe) genrica del dispositivo:
A: Ganancia baja
B: Ganancia media
C: Ganancia alta
INSTITUTO DE EDUCACIN SUPERIOR
ESPERANZA U.D. Electrnica Analgica

TECNOLOGICO

PBLICO

4
2.- JISC (Japanese Industrial Standard committee):
Es un comit encargado de realizar estndares para la industria japonesa.
Estndar: digito, dos letras, numero de serie, sufijo (opcional)
Ejemplo: 2SA1187, 2SB646
Digito: El numero designa el tipo de dispositivo
1: Diodo
2: Transistor Bipolar
3: Transistor de efecto de campo FET
2 letras: Las letras especifican el rea de aplicacin
SA: PNP HF transistor
SB: PNP AF transistor
SC: transistor NPN HF
SD: transistor NPN AF
SE: Diodos
SF: Tiristores
SG: Dispositivos de disparo
SH: UJT
SJ: FET/MOSFET canal P
SK: FET/MOSFET canal N
SM: Triac
SQ: LED

NUEVA

SR: Rectificador
SS: diodo de seal
ST: diodo de avalancha
SZ: diodo zener
El nmero de serie: varia entre 10 y 9999.
El sufijo (opcional): indica que dicho tipo est aprobado para el empleo por varias
organizaciones japonesas.
3.- PRO ELECTRON: organizacin europea para el registro del tipo numeracin para los
componentes electrnicos activos, que ahora hace parte del la asociacin europea del
fabricantes de componentes electrnicos (EECA: European Electronic Component
Manufacturers)
Estndar: dos letras, letra (opcional), numero de serie
Ejemplo: BC108A, BAW68, BF239
Primera letra: especifica el material semiconductor empleado
A: Germanio
B: Silicio
C: Arseniuro de galio
R: Materiales compuestos
Segunda letra: especifica el tipo de dispositivo
A: Diodo de bajo poder o baja seal
INSTITUTO DE EDUCACIN SUPERIOR
ESPERANZA U.D. Electrnica Analgica

TECNOLOGICO

5
B: Diodo de capacitancia variable (varicap)
C: transistor, de audio frecuencia (AF), pequea seal
D: transistor, AF, potencia
E: Diodo tunel
F: transistor, alta frecuencia (HF), pequea seal
K: Dispositivo de efecto Hall
L: Transistor, HF, potencia
N: Optoacoplador

PBLICO

NUEVA

P: Fotorreceptor
Q: Emisor de luz
R: Dispositivo de conmutacin, baja potencia, ej: tiristor, diac, UJT etc
S: Transistor, conmutacin de baja potencia
T: Dispositivo de conmutacin, potencia, ej: tiristor, triac, etc.
U: Transistor de potencia, conmutacin
W Dispositivo de onda acstica de superficie (SAW)
Y: Diodo rectificador
Z: Diodo zener
Tercera letra (opcional): La tercera letra indica que el dispositivo est pensado
para aplicaciones industriales o profesionales, ms que para uso comercial, suele ser
una W, X, Y o Z.
Nmero de serie: vara entre 100 y 9999
Fuera de estos estndares hay fabricantes que introducen su propia nomenclatura por
razones comerciales (ej. para poner las iniciales de su compaa en el cdigo) o para
enfatizar que este componente se usara para aplicaciones especficas.
Los prefijos ms comunes son:
MJ: Motorola potencia, cpsula de metal
MJE: Motorola potencia, cpsula de plstico
MPS: Motorola baja potencia, cpsula de plstico
MRF: Motorola HF, VHF y transistores microondas
RCA: RCA
RCS: RCS
TIP: Texas Instruments transistor de potencia (cpsula de plstico)
TIPL: TI transistor de potencia plano
TIS: TI transistor de pequea seal (cpsula de plstico)
ZT: Ferranti
ZTX: Ferranti
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