El transistor bipolar

Introduccin

Se denomina transistor de unin a un dispisitivo electrnico constituido por un cristal

semiconductor en el que se han formado dos uniones p-n consecutivas. Esto puede conseguirse
creando dos zonas de tipo p separadas por un zona de tipo n (transistor PNP) o bien creando
dos zonas tipo n separadas por una zona p (transistor NPN).
El transistor es el caballo de batalla de la electrnica. Como elemento amplificador activo, ha
sustituido casi por completo a las vlvulas o tubos electrnicos. La estructura interior muestra
que el transistor es una especie de "diodo doble", con dos uniones (una entre base y emisor y
otra entre base y coelctor). Esto deja claro rpidamente las dos formas posibles, a saber: el
transistor PNP y el transistor NPN. Como el cristal base es extremadamente delgado, una
pequea corriente de control, entre base y emisor, puede regular una corriente mucho ms alta
entre colector y emisor.
La principal aplicacin del transistor es su fuincionamiento como amplificador. Para ello es
preciso polarizar una de las uniones en sentido directo y la otra en sentido inverso. La zona
exterior de la unin polarizada en sentido directo se denomina emisor, mientras que la zona
exterior de la unin polarizada en sentido inverso se denomina colector. La parte central recibe
el nombre de base.
Los transistores son fundamentales en la mayora de los circuitos electrnicos que realizan la
funcin de amplificacin, control, estabilizacin de la tensin, etc. Hay que pensar que los
dispositivos electrnicos que generan las seales de control, como una resistencia NTC en un
termostato, una LDR en una barrera fotoelctrica, un micrfono de audio, etc, producen
seales elctricas muy dbiles que, en la mayor parte de las aplicaciones, hay que aumentar
(proceso de amplificacin) para poder conseguir alimentar a dispositivos o receptores, que
necesitan de un aporte mayor de energa para su funcionamiento (rels que ponen en marcha
una lmpara o motor, o altavoces, etc.)
Antes de descubrirse en transistor (1950), los circuitos electrnicos estaban constituidos a base
de vlvulas de vaco. Estas eran muy voluminosas y necesitaban para su funcionamiento de
una resistencia de caldeo, que provocaba un consumo de energa excesivo y acortaba la vida de
las mismas.
El invento del primer transistor por Schockley dio paso a una nueva era. A partir del transistor
bipolar se han ido desarrollando otro tipo de transistores, como el transistor de efecto campo
"JFET" y el transistor de campo de xido metlico "MOSFET" que por sus especiales
caractersticas les hace ideales para el tratamiento de seales de radio frecuencia y en el diseo
de circuitos digitales. Con ellos, tambin se han desarrollado los circuitos integrados o "chips",

que reunen en un solo componente multitud e transistores de todo tipo, diodos, resistencias,
etc, consiguiendo miniaturizar y simplificar enormemente los circuitos. Los circuitos
integrados consiguen realizar mltiples funciones con un solo componente, como las que
realiza el micropocesador de, por ejemplo, un ordenador.
El transistor es un componente fcilmente identificable por sus tres terminales de conexin que
salen al exterior a travs de una de las bases de su cpsula. Estos, suelen estar dispuestos en
lnea o segn los vrtices de un tringulo imaginario. Cada uno de estos terminales est unido a
un cristal tipo P o tipo N. De esta forma, nos encontramos con un terminal de emisor, un
terminal de base y otro de colector.
Existen dos tipos de transistores, los PNP y los NPN. En la siguiente figura, se muestra la
disposicin de los cristales en cada uno de los dos tipos, as como su smbolo correspondiente.
Obsrvese que si el transistor es PNP (PeNetra) la flecha correspondiente al emisor se dibuja
hacia dentro, y si es NPN (No PeNetra) dicha flecha se dibuja hacia fuera.

En el proceso de fabricacin de un transistor NPN, se hace que el cristal semiconductor

correspondiente al emisor est muy contaminado, por lo que contendr un exceso de
portadores de carga; su tarea consistir en enviar o emitir estos portadores de carga (electrones)
a la base. El cristal semiconductor de la base se fabrica en una dimensin extremadamente
delgada y un grado tenue de contaminacin o dopaje; los electrones emitidos por el emisor
atraviesan, prcticamente en su totalidad, a este cristal, para acabar dirigindose al colector. La
misin de la base consistir en controlar dicho flujo de electrones. El cristal semiconductor del
colector se fabrica con un grado de contaminacin intermedio y recibe este nombre porque
recoge los electrones enviados por el emisor.
Cuando la unin emisor base est polarizada en sentido directo y la unin base colector lo est
en sentido inverso, se dice que el transistor est funcionando en el modo activo.

Este tipo de funcionamiento presenta propiedades de amplificacin, ya que la corriente del

colector puede experimentar grandes cambios con pequeas variaciones en la tensin emisorbase.
En efecto, al polarizar en sentido directo la unin emisor-base, se inyecta un exceso de huecos
en la base, exceso que se difunde hacia el colector. Si el espesor de la base es muy pequeo
(menor que una longitud de difusin) una gran parte de los huecos inyectados desde el emisor
llega hasta la unin base-colector por lo que la corriente que atraviesa esta unin es mucho ms
intensa que la corriente inversa correspondiente a una unin p-n aislada. Por otra parte,
pequeas variaciones en la tensin emisor-base provocan grandes variaciones en la corriente
que atraviesa dicha unin (recurdese la elevada pendiente de la caracterstica I(V) de una
unin polarizada en sentido directo), y por tanto la corriente de colector tambin sufrir
grandes variaciones.
En definitiva, en un transistor funcionando en modo activo, se produce un traslado de corriente
desde un circuito de baja resistencia (el circuito que contiene la unin emisor-base) a otro
circuito de resistencia elevada (circuito con la unin base-colector), producindose una
amplificacin de potencia.
De lo expuesto hasta ahora, se deduce que, para que el transistor funcione como tal, es preciso
que la base sea muy delgada.
Un dispositivo pnp con una base cuya anchura sea mucho mayor que la longitud de difusin no
se comporta como un transistor, sino como dos uniones p-n separadas.
Funcionamiento del Transistor.

Para estudiar el funcionamiento del transistor nos vamos a referir exclusivamente al tipo NPN.
Primeramente, entenderemos, o monaremos en un entrenador didctico el siguiente circuito,
para el estudio del modo de comportamiento del transistor:

Al conectar la fuente de tensin, el LED habr de encenderse, ya que al conectar el polo

positivo de la pila a la base (cristal de tipo P) y el negativo al emisor (cristal tipo N), la unin
queda polarizada directamente y, por tanto, circular una elevada corriente a travs del cristal
(como si se tratase de un diodo), que hace que el LED se encienda.

Esto se puede observar en la figura de superior:

Si se permutan los conductores en los terminales del transistor segn se indica el esquema
siguiente, el Led, al ser cerrado el circuito, no se habr de encender, debido a que si se polariza
la unin emisor-base PN en sentido inverso, la corriente a travs del cristal ser prcticamente
nula y por lo tanto, el diodo LED permanecer apagado tal y como se muestran en las dos
imagenes que vienen a continuacin.

Como se puede observar en la figura de la derecha, la zona de puntos, representa la anchura

que adquiere la regin de transicin, y el componente se comporta como un diodo polarizado
inversamente, la regin de deplexin crece.
Seguidamente, se conectan los terminales de colector y emisor como se muestra a
continuacin, podrs comprobar como en este caso el diodo LED no se enciende.

Veamos cul es la explicacin a todos estos fenmenos.

Los electrones libres del cristal N del emisor son repelidos por el polo negativo de la fuente de
alimentacin, mientras que los electrones libres del cristal N del colector son atrados por el
polo positivo. De todo esto, se deduce que se produce un desplazamiento de electrones en el
sentido del emisor al colector. A pesar de ello, los electrones del emisor no poseen la suficiente
energa para atravesar las barreras AB y CD de las uniones, las cuales los repelen.
La corriente emisor-colector es por tanto muy pequea y por eso el diodo LED no se enciende,
considerndose a efectos prcticos como una corriente de fuga.
Si ahora conectamos una resistencia de 1000W y una fuente de alimentacin de 1,5V
realizando el montaje que se expone en la siguiente figura, podremos comprobar como en este
caso si que se enciende el diodo LED.

La principal barrera que se opona al paso de los electrones desde el emisor al colector, la
constitua la barrera AB, ya que una vez atravesada sta, los electrones se encuentran bajo la
influencia del campo elctrico del polo positivo.
Al aplicar una pequea tensin positiva a la base (cristal P), con respecto al emisor (cristal N),
dicha barrera desaparecer, por quedar polarizada directamente la unin de los cristales PN que
la componen, sintindose atrados los electrones por los potenciales positivos de la base y del

colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho ms elevado que el de la base,
los electrones se sentirn ms atraidos por el primero, por lo que se obtiene una elevada
corriente de colector (que hace que el diodo se encienda y una pequea corriente de base.
A esta explicacin hay que aadir que, al ser el cristal de la base extremadamente delgado y
estar dbilmente contaminado con unos pocos huecos, la base se satura rpidamente al ser
invadida por la gran cantidad de electrones procedentes del emisor, causando una difusin de
los mismos hacia la zona de empobrecimiento de la unin con el colector. Una vez que los
electrones han superado la unin, son atrados con fuerza por el fuerte campo elctrico positivo
a que est sometido el colector.
El nmero de electrones que fluyen hacia el colector ser ms elevado cuanto mayor sea la
tensin de polarizacin directa del diodo base-emisor. Por lo que se puede decir que esta
tensin, junto con la corriente de base, controla la corriente de colector. Haciendo un smil,
podramos decir que la tensin de polarizacin del diodo base-emisor abre ms o menos una
compuerta por donde pasan los electrones; esta compuerta se consigue abrir con un pequeo
esfuerzo (dbil corriente de base); sin embargo, por ella pasan una gran cantidad de electrones,
que se dirigen hacia el colector, debido al fuerte potencial elctrico que ste posee.
Si tenemos en cuenta que la corriente de base es muy pequea con respecto a la del colector y
que esta ltima vara en consonancia con la primera, habremos comprendido la ms importante
propiedad del transistor, consistente en su capacidad de amplificacin de corriente.
Este fenmeno nos permitir que, con la dbil corriente que puede tener cualquier forma de
variacin en el tiempo, como pueden ser seales de radio, TV, sonido, etc, podamos obtener la
misma forma de variacin en el tiempo sobre una corriente mayor, procedente de una fuente de
alimentacin, lo que da lugar a poder transformar seales dbiles en otras suficientemente
fuertes para producir, por ejemplo, sonido en un altavoz, imagen en un televisor, etc.

El estudio que se ha hecho para el transistor NPN es igualmente vlido para el PNP, con la
nica diferencia de que en el caso del transistor PNP la conduccin se produce cuando se
aplica una tensin negativa en el colector con respecto al emisor y una tensin ingualmente
negativa, aunque de inferior valor a la base, con respecto al emisor.

La siguiente figura, muestra la distribucin de portadores en un transistor pnp sin polarizar, as

como las barreras de potencial que aparecen en las uniones.

Estas distribuciones corresponden a las de un transistor tpico, en el cual el emisor est ms

intensamente dopado que el colector, y ambos estn ms dopados que la base.
Pot tanto, las concentraciones de portadores mayoritarios verifican que:

Por el contrario, las concentraciones de portadores minoritarios cumplen las desiualdades:

...donde los subndices e, b y c hacen referencia al emisor, base y colector, respectivamente. El

segundo subndice, o, se refiere a que las concentraciones corresponden a las del equilibrio
trmico.
Las barreras de potencial que aparecen en las uniones emisor-base y base-colector se
representan por V0 y V'0, respectivamente. Dadas las diferencias en el dopado emisor, base y
colector, antes citadas, resulta evidente que V >V' .
0

Supongamos ahora un transistor polarizado en el modo activo. La tensin directa aplicada a la

unin emisor base es Veb' y la tensin de polarizacin inversa aplicada a la unin base-colector
es Vbo'.
En la siguiente figura, se representan las barreras de potencial correspondientes a cada unin, y
en un tercer lugar, se muestran las concentraciones de portadores a lo largo del transistor. Para
obtener dichas concentraciones se pueden seguir los razonamientos expuestos en el estudiados
en otros captulos, para el caso del modelo unidimensional de la unin p-n.
As, la disminucin de la barrera de potencial de la unin del emisor provoca una inyeccin de
huecos desde el emisor a la base, y una inyeccin de electrones desde la base al emisor. Las
concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados de la unin son:

Donde el exceso de huecos de la base P (O), suele ser mucho mayor que el exceso de
electrones en el emisor, n (O), ya que como se ha indicado anteriormente el emisor est mucho
ms dopado que la base y, por tanto, P >> n .
b

bo

eo

Por otra parte, las concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados de la unin de
colector, porlarizada inversamente, son mucho menores que las correspondientes a una unin
sin polarizar, hacindose prcticamente despeciables.
Hay que sealar que, en las proximidades de las dos uniones, las concentraciones de portadores
mayoritarios, se modifican ligeramente con respecto a las del equilibrio trmico.
No obstante, y dado el elevado valor de P , n y P , las variaciones relativas son muy pequeas
frente a las modificaciones en las concentraciones de los portadores minoritarios. Por ello, en
la figura donde se muestran, las concentraciones aparecen representadas mediante rectas
horizontales.
eo

bo

co

Si la anchura de la base fuese varias veces la longitud de difusin, P decrecera

exponencialmente hasta P y luego, en las proximidades de la unin del emisor, disminuira
hasta un valor casi nulo. No obstante, y dado que el espesor de la bse es muy inferior al de una
longitud de difusin, la disminucin de la concentracin de huecos desde el borde de la unin
emisor-base hasta el borde de la unin base-emisor es prcticamente lineal, tal como se
muestra en la figura anterior.
b

bo

Esta aproximacin est fundamentada en el hecho de que, al recombinarse muy pocos huecos
de los inyectados desde el emisor, la corriente de difusin de huecos a travs de la base es
prcticamente constante, lo que requiere un gradiente de concentraciones prcticamente
uniforme y, por tanto, una distribucin lineal.