Transistores de efecto campo FET

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque
la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero
tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante
baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la
familia de dispositivos en los que existe un slo tipo de portador de cargas, y por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma
con el canal una unin p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente,
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La Figura anterior muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de un

FET. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.

La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N entre
ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.
Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar
formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y V = 0, las capas desiertas
profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin.
ds

Si V se hace positiva ( y V sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre
sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su
longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la
capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
ds

gs

Para valores pequeos de V , la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin,
ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara sustancialmente de
su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin aumenta tambin la
polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia de ste
disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un
momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un
incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el
transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia
en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin V a la del punto de transicin entre el
comportamiento casi lineal y el casi saturado.
ds

Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra ms

en el interior que con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin se
necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la polarizacin negativa permite tener la
transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero an inferiores.

El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal por
parte de la tensin de puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra siempre polarizada
inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta impedancia de entrada.
Parmetros del FET

La corriente de sumidero I es funcin tanto de la tensin de sumidero V como de la puerta V .

Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con
lo que podemos escribir:
d

ds

gs

En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico,
son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta
del transistor para pequeos incrementos de V y V en esta forma.
ds

gs

El parmetro r se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la

pendiente de la curva. En el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho
antes existe algo de pendiente), entonces la r es infinita (muy grande).
d

El parmetro g se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la

separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de V de 1
voltio.
m

gs