Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Figura 1. Circuitos de muestreo y retencin: (a) circuito simple con interruptor, (b)
formas de onda.
)
3
Evidentemente, la constante de tiempo R2C debe ser mucho ms corta que el intervalo de
muestreo para que la salida pueda seguir a la entrada.
Cuando se abre el interruptor se mantiene la tensin VA en el condensador. Como antes
dijimos, el condensador no puede mantener esta tensin indefinidamente debido a la
corriente de polarizacin de entrada requerida por el operacional y a la corriente interna de
fugas del condensador y del interruptor. Para minimizar este efecto de cada se debe
utilizar el mayor valor de C consistente con los requisitos de tiempo de adquisicin. El
operacional debe tener la menor corriente de polarizacin posible por lo que es adecuado
un operacional con etapa de entrada FET. Adems, el condensador debe ser del tipo de alta
calidad y bajas fugas.
Figura 4. Circuito inversor de muestreo y retencin: (a) circuito con interruptor, (b)
uso del interruptor FET.
La Figura 4b representa el circuito inversor de muestreo y retencin con FET, T1 es el
conmutador, que es un FET de empobrecimiento de canal p. En este tipo de transistor la
corriente circula cuando la tensin fuente-puerta es cero y disminuye a medida que se hace
ms negativa. Una tensin umbral tpica es VT = VSG = -4 V. Veamos cmo funciona este
conmutador en el circuito de la Figura 4b Primero consideramos que la tensin de control
Vc sea + 5V, es decir, que estamos en el intervalo de retencin, en el que el interruptor est
abierto, y que la tensin de entrada analgica VA es positiva. En este caso, toda corriente
que pase por T1 debe circular desde a hasta b, de modo que a actuar realmente como
fuente y b ser el drenaje. La presencia del diodo D hace que la tensin en a sea fijada en
el nivel de 0,7 V, por lo que VSG nunca superar los 0,7 - 5 = 4,3 V, independientemente de
VA. As, T1 se mantendr en corte (interruptor abierto) y si la tensin umbral VT es -4 V, la
tensin fuente-puerta ser 0,3 V ms negativa que la necesaria para poner a T1, en corte.
Entonces, tendremos un margen de seguridad de 0,3 V.
4
Observando a la seal PAM (Fig. 5) se hace evidente que la seal de audio original est
contenida en la envolvente de los pulsos de voltaje. La seal PAM es cualitativamente
semejante a la que se obtiene en un circuito recortador de seal AM ( Fig.7). Una seal AM
recortada (Fig.7) tambin es una secuencia de pulsos. En una seal AM recortada la
envolvente contiene la informacin de la seal original (de audio, por ejemplo). Esta
envolvente puede ser recuperada haciendo pasar a la seal AM recortada por una red RC
configurada como filtro paso bajo (Fig.7).
As mismo, como la seal AM recortada, la seal PAM puede hacerse pasar por un filtro
paso bajo, de tal forma que se recupere su envolvente (Fig.8)
10
11
En la Fig.9 se presenta el muestreo de una seal de audio de 22 KHz por una seal de
muestreo de 176 KHz. Note que la forma de la envolvente de la seal PAM resultante es
bastante semejante a seal original.
En la Fig.10 se presenta a la misma seal de audio de 22 KHz muestreada ahora por una
seal de 88 KHz. La forma de la envolvente de la seal PAM resultante sigue siendo
12
13
En la Fig. 11 se presenta a la misma seal de audio de 22 KHz muestreada ahora por una
seal de 44 KHz. La forma de la envolvente de la seal PAM resultante sigue siendo
semejante a seal original, aunque ahora el trazo de esta envolvente no es tan claro
14
En la Fig. 12 se presenta a la misma seal de audio de 22 KHz muestreada ahora por una
seal de 29.33 KHz. La forma de la envolvente de la seal PAM aparenta que la seal
original tiene una frecuencia de 7.33 KHz. Con esta frecuencia de muestreo se genera una
frecuencia nueva, inexistente en la seal original.
88KHz, 44 KHz, 29.33 KHz y, adems, se considera el muestreo a 22 KHz, 17.6 KHz y
14.66 KHz. Observe que la envolvente de la seal PAM resultante mantiene la frecuencia
de la seal de audio original solamente si la frecuencia de muestreo es igual o superior a 44
KHz. Para frecuencias de muestreo inferiores a 44 KHz, la frecuencia aparente de la
envolvente vara al variar la frecuencia de muestreo. A estas frecuencias aparentes, no
contenidas en seal original, las llamaremos frecuencias seudnimas (en ingls, "alias
frequency" o "foldover frequency").
Para que la seal original pueda ser recuperada de su correspondiente seal PAM, la
frecuencia de muestreo deber ser mayor que el doble de la mxima frecuencia contenida
en la seal original.
Esta conclusin, llamada Teorema de Muestreo, puede que le haya parecido complicada.
Realmente, su interpretacin es muy sencilla. Considere el espectro de amplitud frecuencia de una seal arbitraria (de audio si gusta) que se muestra en la Fig.14
Fig. 14. - Espectro de amplitud - frecuencia de una seal de audio arbitraria.
AMPLITUD
10
17
15
FRECUENCIA
[KHz]
Observe (Fig.14) que esta seal contiene armnicas de 5 KHz, 10 KHz y 15 KHz. La
frecuencia mxima es, evidentemente, 15 KHz. Por lo tanto, para muestrear a esta seal se
requerir una frecuencia de muestreo superior a:
2 x 15 KHz = 30 KHz
La seal podr muestrearse con una frecuencia de muestreo de 50 KHz, por ejemplo.
Como sabemos la percepcin humana del sonido est entre las frecuencias de 20 Hz y
20000 Hz. Por lo tanto, si de alguna manera eliminramos a las frecuencias superiores a 20
KHz, la seal de audio resultante mantendr casi que todas las propiedades audibles de la
seal original (Fig.15).
Siendo rigurosos, realmente la seal resultante pierde frecuencias que por s solas no son
audibles, pero que al formar parte de una seal compleja contribuyen a resaltar las
frecuencias audibles, por el efecto de suma de sonoridades. Sin embargo, esta leve
diferencia con respecto a la seal original slo ser percibida por personas con un vasto
entrenamiento musical.
18
19
EJERCICIOS Y APLICACIONES
20
EJERCICIOS.
EJERCICIOS RESUELTOS.
1. - Un circuito de muestreo y retencin tiene un condensador de 50 pF y la corriente de
fugas en modo de retencin es de 1 nA. Si el intervalo de retencin es de 50 s y la tensin
de retencin es 1 V, hallar el porcentaje de cada.
La resolucin del ejercicio esta dirigida en la ecuacin por la ecuacin de la corriente en el
condensador:
Ic = C
Vo
t
(1)
donde: Ic = 1[nA] .
t = 50[s ] .
C = 50[ pF ].
con estos valores reemplazndolos en la ecuacin (1), se tiene:
10 9 50 10 6
Vo =
50 10 12
Vo = 10 3 [V ]
Para obtener el porcentaje de cada, se tiene una simple regla de tres.
10 3 100
1
%caida = 0.1%
%caida =
21
Donde:
RC
Vf = 0
Vi = Vo
t = 100[s ]
R = 15[G].
C = 100[ pF ].
100 10
15 10
100 10
12
Vc ( t ) = 0 . 99993 Vo
%caida = 0.007%
De aqu se puede concluir que mientras ms grande sea la resistencia de fugas en modo
retencin el circuito de SAMPLE & HOLD sigue con mayor precisin a la entrada.
R1
R2
Va
Muestra
C
Vo
(a)
t
R2
+ (1 e RC )
R1
donde:
t = 50 s
R1 = R 2 = 15 K
Adems se quiere que Vo = 0.9Va
Reemplazando los valores se tiene:
Vo(t ) = Va(1 e
1.9 = e
5010 9
5010 9
15103 C
15103 C
23
ln(0.1) =
C=
50 10 9
15 10 3 C
50 10 9
15 10 3 2.3
C = 1.45[ pF ]
EJERCICIOS PROPUESTOS.
1. A propsito del estudio del tiempo de adquisicin, demostrar que se requiere 9RgC
para que Vo no se diferencie en mas de 0.01 por 100 de la entrada.
24
R1
R2
Muestra
C
Vo
25
CIRCUITOS DE APLICACIONES
En las aplicaciones se tienen una infinidad de circuitos, en los cuales se tienen en sus
diversas estructuras, ya sea como una simple malla R-C o en circuitos integrados como los
de la serie LF198, LF298, LF398, de los cuales se muestran algunos a continuacin:
Generador de rampa con nivel variable de reset.
15V
R1
8K2
-15V
4
R2*
reset
level
imput
1
LF398
output
reset
D1
LM112
1.2V
Ch*
5V
0V
En este circuito la ecuacin de diseo para el tiempo de la rampa es con R2 > 10K.
Adems se tiene:
V
1.2V
=
T ( R 2) (Ch)
26
1K
1M
V+
7
V-
2
4
Q1
2n5116
imput
output
LH0042H
12K
1
3
5
200K
-15
4
200K
+15
1
30K
3
LM398
8
7
5V
0V
6
0.033uF
reset pulse
>2ms
4K7
27
-15V
1
"A" Imput
4
Output
LF398
6
7
8
47K
"A" select
5V
"B" Imput
0V
"B" select
A
10.02%
1010
1MHz
-90db
B
10.2%
47k
400kHz
-90db
6mV
75 mV
28
Distribuidor de datos.
29
Distribuidor de datos.
30
31
32
33
Detector de peak.
Vout
TLC272
1N4148
Vin
Adems se puede notar que estas son una pequea parte de las grandes aplicaciones que
tienen este tipo de circuito como por ejemplo, en la instrumentacin de equipos
electrnicos de medicin, en estos se encuentra una rama muy importante que es los
equipos de mediciones medicas, que son muy importantes en la actualidad y en la vida de
todos.
Nota: Las aplicaciones propuestas fueron descargadas de los manuales de la NATIONAL y
de la BURR BROWN
Burr-Brown
WWW.NATIONAL.COM
34
35
36
37
BIBLIOGRAFIA
1. Schilling, Donald L.
Circuitos electrnicos: discretos e integrados.
Madrid.
McGraw-Hill. 963 p.
Enc. Materia: CIRCUITOS ELECTRONICOS. CICUITOS DE TRANSISTORES.
2. - http://www.i-une.com/cgi-bin/go.cgi?0=http://obelix.umh.es/9900/teleco_sist/mpcm/public_html/nyquist.htm
3. Burr-Brown
4. - http://www.biopsychology.org/tesis_esteve/confund/confund.htm
5.-http://svc.sony-Spa.com/TechSupport/Entrenamiento/Discocompacto/FIGURAS/2-1.htm
6. - WWW.NATIONAL.COM
BIBLIOGRAFIA ANEXA
1. Nelson, Troy Nagle, Carroll, Anlisis y diseo de circuitos lgicos, Prentice Hall
1996
2.
3.
4.
38