1. Los Diodos.

1.1. Qu es un diodo y para qu sirve?

Un diodo es un dispositivo semiconductor muy sencillo, pero a la vez muy importante, ya
que desempea una funcin parecida a la de un interruptor, por lo que tiene una amplia gama de
aplicaciones. Ahora veremos, antes de continuar, cmo se comportara un diodo y para ello
cogemos uno ideal.

Figura 1.a

Figura 1.b

Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en la regin de

operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de ID y la polaridad de VD en la
figura 1.b.1, encontraremos que:

(corto circuito)

Donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la corriente en

sentido directo a travs del diodo.
Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente (tercer cuadrante) de la figura
1.b.2:

(circuito abierto)

Donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente

inversa en el diodo.
Resumiendo, en forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la
flecha en el smbolo y actuar como un circuito abierto para cualquier intento de establecer
corriente en la direccin opuesta, tal como muestra la figura siguiente:

Figura 1.c Estados (a) de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal.

Para saber si un diodo se encuentra en la regin de conduccin o no, es relativamente

sencillo, ya que basta con observar la direccin de la corriente ID establecida por la tensin
aplicada. Para el flujo convencional de la corriente (es decir, en sentido contrario a los
electrones), si la corriente resultante en el diodo tiene la misma direccin que la de la flecha del
mismo elemento, ste opera en la regin de conduccin. Pero, si al contrario, la corriente fluye
en direccin contraria que la de la flecha del diodo, este se comportar como un circuito abierto.

1.2. Diodo Semiconductor.

El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben
de estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser germanio (Ge) o silicio
(Si) (Figura 2.a).

Figura 2.a. Cristal de Silicio

Pero estos materiales han de tener unos tomos de un componente qumico, como pueden
ser el arsnico (As) y el galio (Ga), para formar un material tipo N o tipo P. Cuando esto sucede,
decimos que este material base posee impurezas.
En la siguiente tabla veremos las diferencias existentes entre un material tipo N, tipo P y
el material base:

Electrones de
valencia
Tipo de tomos
Ejemplo

Material Tipo N

Material Tipo P

Material Base

5 e-

3 e-

4 e-

Donadores
Arsnico (As)

Aceptadores
Galio (Ga)

Silicio (Si)

Como podemos ver, hay un electrn (e-) de diferencia entre el material base y la
impureza. Cuando ese electrn sobrante abandona el tomo donador, el tomo que permanece
adquiere una carga positiva neta: a ste se le conoce como in donador y se representa con un
crculo encerrando un signo positivo. Por razones similares, el signo negativo aparece en el in
aceptador.

Figura 2.b. Material Tipo N (1) y Material Tipo P (2)

? Iones Donadores.
- Portadores Mayoritarios.
+ Portadores Minoritarios.

? Iones Aceptadores.
- Portadores Mayoritarios.
+ Portadores Minoritarios.

1.3. Regin de Agotamiento.

En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los
electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da
como resultado una carencia de portadores en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones
negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia
de portadores.

Figura 3.a

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
- No hay polarizacin (VD = 0 V).
- Polarizacin directa (VD > 0 V).
- Polarizacin inversa (VD < 0 V).

Sin polarizacin (VD = 0 V). En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios
(huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn
directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado,
el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.
Polarizacin Directa (VD > 0 V). La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los
electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los
iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta que desaparezca
(figura 3.b). Esto sucede cuando VD = 0,7V en los diodos de Silicio.

Figura 3.b

Polarizacin Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos
descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero
de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de
iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones
inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.

Figura 3.c

El fenmeno explicado anteriormente provocar que la regin de agotamiento crezca

hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto
significa que la corriente ID del diodo ser cero.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de
agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente IS, y existe solamente en condiciones
de polarizacin inversa.
El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel, es decir, se
satura, de forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de
polarizacin inversa, hasta llegar a un valor mximo de polarizacin inversa denominada
Voltaje Pico Inverso o VPI.
Los diodos de silicio tienen, generalmente, valores nominales de VPI y de corriente ms
altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio.

1.4. Curvas caractersticas de los diodos.

La curva de un diodo semiconductor se puede definir por la siguiente ecuacin:

I D ? I S (e KV D / TK ? 1)

ID= Corriente Directa

IS= Corriente Inversa
K= Constante, siendo
K=11600/n (n=1 para Ge y n=2
para Si).
VD= Tensin Directa.
TK= Temperatura en K

Figura 4.a Grfica VD - ID