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Julho de 1999
de mltiplos estgios;
! uma generalizao da expresso do rendimento
para as Classes A, B, AB, G e H;
! um equacionamento para as diferentes classes
levando em conta as tecnologias BJT, IGBT e
MOSFET;
! uma metodologia para o dimensionamento da
etapa de potncia a partir das potncias mdia e
instantnea dissipadas, e do modelo eletro-trmico do
sistema transistor-dissipador-ambiente, considerandose carga reativa.
2. CARGA RESISTIVA
2.1 Classes A, B e AB.
A Fig. 1 mostra o diagrama de uma etapa de sada
(estgio complementar), a qual constitui a clula
bsica de amplificadores Classes A, B e AB.
1 VL
2 VL max
1
1
.
V
V
+
+
1
(
/
)
1
2
CEsat
L
max
(3)
(1)
(2)
ento,
1 VL
2 VL max
1
1
.
R
R
+
+
1
(
/
)
1
2
DSon
L
(4)
IL
.
(5)
VL
1
.
(6)
VL
1
.
4 VL max 1 + ( RDSon / RL )
(7)
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dada por:
I S ( Q ) = I Q Q
2 IL
+
cos Q ,
(8)
=0,00
90
(Classe B)
80
=0,10
Rendimento - %
70
=0,30
60
=0,50
50
40
=1,00
30
(Classe A)
20
10
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
PL/PLmax
I L max
I
Q sen Q + L cos Q .
(9)
2VL max
RL
V
1 + CEsat
VL max
VL max
1
.
VCEsat
V
Q sen Q + L cos Q
1+
VL max
VL max
(13)
, i = 1,..., N .
PS = 2 ( i VL max + i VCEsat ) I Si .
i =1
(14)
(15)
VL
VL
4 VL max
e o rendimento ( = PL / PS ):
(11)
i =
VCCi i VCEsat
.
VCCN N VCEsat
(16)
VL
VL max
1
.
R
V
1 + DSon Q sen Q + L cos Q
VL max
RL
(12)
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T (i 1) = sen 1 L max i 1 ,
V
L
T 0 = 0 e TN =
VL
< i
i 1 V
L
max
0 = 0
= 1
N
i = 1, 2 , ... , N
(17)
I Si =
(a)
I L T (i )
sen d , i = 1,...N .
(18)
T ( i 1)
2 VL N
Ai ,
RL i =1
(19)
VL
1
4 VL max N
Bi
(20)
i =1
(b)
VL
1
N
4 VL max
Ci
(21)
i =1
(22)
e
VCCi = i VL max + VCEsat .
(23)
i =1
(24)
PS = 2 ( i VL max + VCEsat ) I Si .
VL
1
4 VL max VCEsat N
+ Di
VL max i =1
(25)
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onde Di = (i i 1 ) cos T ( i 1)
MOSFET:
=
e, para dispositivos
VL
1
4 VL max RDSon N
+ Ei
RL
i =1
(26)
onde Ei = (i i 1 ) cos T (i 1) .
Para VCEsat = 0 , as equaes (25) e (26) tornam-se
idnticas s (20) e (21), respectivamente.
A Fig. 7 apresenta os rendimentos das Classes G e
H para diferentes valores de N, considerando
polarizao Classe B.
100
N=100
90
N=10
80
N=4
Rendimento - %
70
N=2
60
N=1
50
40
30
20
10
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
100
PL/PLmax
90
Rendimento - %
60
40
20
10
0
0
0.1
0.2
0.3
H - max = 88.87%
90
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
PL/PLmax
80
G - max = 84%
70
AB
50
30
100
Rendimento - %
70
60
50
VCEsat/VLmax=0,025
N=4
1=0,5
2=0,707
3=0,866
40
30
20
2.4 Sntese
10
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
PL/PLmax
(a)
100
H - max = 92.17%
90
80
G - max = 86.9%
70
Rendimento - %
80
60
40
30
20
10
VL
VL max
X ( Q ) =
,
V
Q sen Q + L cos Q
VL max
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
(27)
onde,
VCEsat/VLmax=0,015
N=6
1=0,408
2=0,577
3=0,707
4=0,817
5=0,913
50
VL
X ( Q ) Y ( N ) Z ( )
4 VL max
PL/PLmax
Y (N ) =
(b)
Fig. 8 - Exemplos de rendimentos das Classes G e H:
(a) N=4 e (b) N=6.
VCEsat N
V
(1 k )
+ i 1 + k CEsat cos T ( i 1)
VL max i =1 i
VL max
(28)
(29)
e
Z () =
1
.
1 + 2
(30)
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AB ( 0 < Q < 2 ).
As equaes (27), (28) e (30) so vlidas para
dispositivos BJT, IGBT e MOSFET sendo que a
equao (29) vlida somente para dispositivos BJT e
IGBT; substituindo o termo VCEsat VL max por
RDSon RL , tem-se a equao (29) vlida tambm para
dispositivos MOSFET.
I L max =
VL max
Z L () min
(33)
PL()
3. CARGA REATIVA
3.1 Potncia mdia na carga
Na prtica, de maneira diferente de como
considerado na maioria dos estudos, os amplificadores
de udio-freqncia so carregados com alto-falantes
ou caixas acsticas de uma (alto-falante + gabinete
acstico) ou mais vias (alto-falantes + gabinete
acstico + divisor passivo de freqncias). Altofalantes e caixas acsticas tm uma impedncia
complexa [3] e, portanto, dependem da freqncia.
Assim, a potncia na carga da forma:
PL () =
VL2
cos ()
2 Z L ()
(31)
VL
X ( Q ) Y ( N ) Z ( ) R( ) cos ( )
4 VL max
ohms
(34)
onde,
R() =
Z L ( ) min
Z L ()
(35)
graus
Fase
Freqncia - Hz
PL
Hz
(32)
PD () = PL ()
1
(
)
(39)
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Pd (t ) = i(t ) v(t )
(40)
VL max
i (t ) = Z ( ) F , i (t ) 0
i(t ) =
L
0 , i (t ) < 0
(41)
onde
V
v(t ) = VL max i + b CEsat sen(t + ( ))
V
L max
(42)
i = 1,2,..., N .
4. DIMENSIONAMENTO
Os transistores devem operar dentro de limitaes
impostas pelo fabricante (dados de manuais) para que
se obtenha um correto funcionamento. Em [25], [26] e
[27], um mtodo para dimensionamento via anlise do
comportamento trmico da juno do transistor,
assumindo que a forma de onda do sinal da potncia
dissipada um trem de pulsos, simulando a operao
em regime de "comutao" (chaveando), apresentado
e discutido. Contudo, o esforo da etapa de sada
funo da classe de operao (que, aqui, no opera em
regime de comutao), da polarizao, das perdas e da
carga (funo da freqncia); de forma que o
dimensionamento baseado em um trem de pulsos, no
corresponde complexidade dos esforos envolvidos.
Assim, da mesma forma que em [10], usou-se
modelar o efeito trmico desejado pela filtragem do
sinal de potncia instantnea dissipada ( Pd (t ) ) atravs
de um sistema linear invariante (equivalente trmico)
representando o sistema transistor-dissipadorambiente. Dessa forma, pode-se obter as temperaturas
mdia e instantnea de juno ( TJ e TJ (t ) ) do(s)
transistor(es) envolvido(s) no processo.
(43)
(44)
(45)
(46)
(47)
(48)
ou ainda
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TJ = PD RJC + TC
(49)
C , C D = 100 J
C , TA = 2 oC e TJMAX = 3 oC ),
(50)
= RDA N T
RDA
(51)
Pd (t ) = 2
e
C D =
CD
NT
(52)
(53)
Portanto,
calculando-se
TJ 0 (t )
( TJ (t )
para
Pd (t )
e
sobrepondo TJ 0 (t ) TJ , obtida a partir de (48),
determina-se o valor de TJ (t ) para t (Fig. 15),
pois na prtica C J << CC << C D . Assim,
TJ (t ) t = TJ 0 (t ) TJ 0 (t ) + TJ
(54)
1
TJ 0 (t ) dt ,
T T
(55)
e
TJ 0 ( t ) =
T = perodo de Pd (t )
Julho de 1999
5. AVALIAO
O objetivo desta Seo fazer uma comparao
entre os esforos de uma etapa de sada quando esta
projetada considerando-se carga resistiva (mtodo
convencional) e carga reativa (proposta deste
trabalho).
Dimensionou-se uma etapa de sada, operando em
Classe B, de modo a se obter 100 watts em uma carga
resistiva de valor igual a 8; em seguida, foram
calculadas as potncias, o rendimento, as tenses, as
correntes e as temperaturas envolvidas, considerandose a carga reativa da Fig. 10 (Apndice B) (o que,
teoricamente, deveria ter em uma impedncia nominal
de 8). Para efeito de comparao, fez-se o mesmo
(carga reativa) para uma etapa de sada operando em
Classe H (Fig. 5c) com 4 estgios e s iguais aos da
Fig. 8a.
Os dados de projeto so: PL = 100 W , RL = 8 ,
I CMAX = 10 A ,
VCEMAX = 140 V ,
VCEsat = 3 V ,
PDMAX = 125 W ,
RJC = 1.0 o C W ,
RDA = 0.2 o C W ,
CD = 100 J
C J = 0.01 J
RCD = 0.7 o C W ,
C,
CC = 1 J
C,
NT
PD () max
PL () max
% () max
iC (t ) max
vCE (t ) max
Pd (t ) max
TJ max
TJ 0 (t ) max
TJ (t ) max
TC max
VCC1
VCC 2
VCC 3
VCC 4
Classe B
Resistiva
2
46,8 W
100 W
73,06 %
5,0 A
83,0 V
57,8 W
84,5 oC
31,9 oC
104,3 oC
61,1 oC
43,0 V
Classe B
Reativa
2
56,1 W
108 W
73,06 %
5,4 A
83,0 V
126,6 W
93,3 oC
66,4 oC
142,2 oC
65,2 oC
43,0 V
Classe H
Reativa
2
39,5 W
108 W
84,11 %
5,4 A
63,0 V
70,2 W
77,5 oC
35,9 oC
104,4 oC
57,8 oC
23,0 V
31,3 V
37,6 V
43,0 V
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10
Julho de 1999
APNDICE A
A impedncia ZT (s) vista por Pd (t ) dada por (Fig.
12):
ZT ( s) =
N Z eq ( s ) = Res
s
s4 + A s3 + B s2 + C s + D s
Qms
A=
A s2 + B s + C
s3 + D s2 + E s + F
b1 b 2
+
QL1 QL2
onde
B = b21 +
1
A=
CJ
B=
RCD + RDA
1
1
+
+
C J CD RCD RDA
C J CC RCD C J CC RJC
C=
D=
E=
C = b21
F=
Para a composio da carga complexa, considerouse um sistema band-pass de 6a ordem (caixa acstica +
alto-falante) [3], cujo circuito equivalente eltrico
apresentado na Fig. B1.
Os dados do sistema so: Fs = 40 Hz , Qts = 0,4 ,
Qes = 0,42 , Vas = 120 l , RE = 6,4 , Red = 20 103 f 0,7 ,
Le = 10 103 f 0,3 H , Vb1 = 120 l , Fb1 = 40 Hz , Vb2 = 45 l ,
Fb2 = 82 Hz e Q L = 7 [3].
b 2
+ b22 b1
Q L2
QL1
D = b21 b2 2
DZ eq ( s ) = s 6 + E s 5 + F s 4 + G s 3 + H s 2 + I s + J
RCD + RDA
1
1
1
+
+
+
C D RCD RDA
CC RCD CC RJC C J RJC
1
RJC + RCD + RDA
RCD + RDA
+
+
b1 b 2
+ 2b 2
QL1 QL2
E=
F = b21 +
G = b21
b 2
Q L2
I=
b1 b 2
+ b2 2 + s
QL1 QL2
Qms
+ b22
H = 2b1 2b2 +
b1 b 2
+
+ s
QL1 Q L2 Qms
b1
Q L1
b1 + b 2 + 2s (1 + 1 + 2 )
Q
Q
L2
L1
s 2
b1 + b1 b 2 + b22 + 2s b1 (1 + 2 ) + b 2 (1 + 1 )
Qms
Q L1 Q L2
Q L2
Q L1
s 2 b 2
b1
+ 2b2 b1 + 2s
Q ms
Q L2
Q L1
b21 (1 + 2 ) + b22 (1 + 1 ) + b1 b 2
Q L1 Q L2
b21 b22 + 2s b21 b 2 + b22 b1
Qms
QL2
QL1
J = 2s b21 2b 2
1 =
Vas
Vb1
2 =
Vas
Vb 2
11
Julho de 1999
BIOGRAFIAS
ROSALFONSO BORTONI, nasceu em So
Loureno, MG, em 1965. Iniciou seu trabalho no
udio aos treze anos de idade, animando festas dos
colegas de escola com Som e Luz. Aos dezesseis
entrou na Escola Tcnica de Eletrnica F.M.C., em
Santa Rita do Sapuca, MG, onde comeou sua
pesquisa em circuitos de udio; nesse perodo tambm
estudou violo clssico (1982 1985). Freqentou a
escola de msica CLAM Centro Livre de
Aprendizagem Musical, em So Paulo, SP, onde
estudou Harmonia e Improvisao e teve grande
influncia do Jazz (1986 1988); atuou como tcnico
de som e guitarrista profissional no perodo de 1987 a
1989. Entrou para o curso de Engenharia Eltrica
(nfase em Eletrnica e Telecomunicaes) do
INATEL Instituto Nacional de Telecomunicaes de
Santa Rita do Sapuca, MG, onde desenvolveu e
apresentou vrios projetos de udio (1988 1993).
Foi professor da Escola Tcnica de Eletrnica
F.M.C. no perodo de 1990 a 1995, onde tambm
fabricou caixas acsticas, amplificadores de potncia e
o TS-1 - Analisador de Parmetros Thiele-Small,
quando da implantao da Incubadora de Empresas.
Em 1996 iniciou seus estudos em ps-graduao na
UEL Universidade Estadual de Londrina, PR, onde
obteve o ttulo de Engenheiro de Segurana (1996) e,
posteriormente, fez Mestrado em Engenharia Eltrica
na UFSC Universidade Federal de Santa Catarina,
Florianpolis, SC, onde obteve o ttulo de Mestre em
Engenharia Eltrica com a Dissertao intitulada
Anlise, Dimensionamento e Avaliao de Estgios
de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B,
AB, G e H (1997 1999). Em 1999 iniciou seu
Doutorado, tambm na UFSC, com o tema em
Sistemas de udio. Desde 1990 vem atuando
profissionalmente como consultor e projetista de
equipamentos de udio e autor de vrios artigos
publicados em revistas tcnicas. Atualmente
consultor da STUDIO R, colaborador do Instituto de
udio e Vdeo (IAV) e membro da Audio Engineering
Society (AES).
E-mail: rosalfonso@hotmail.com
12
Julho de 1999
TJ
PD()
PL
Hz
PL
Hz
(a)
TJ
PD()
(b)
PL
Hz
PL
Hz
(b)
(c)
%()
PD()
PL
Hz
(c)
Fig. 16 Potncia mdia dissipada: (a) Classe B, carga
resistiva; (b) Classe B, carga reativa; (c) Classe H, carga
reativa.
PL
Hz
TJ
%()
(a)
PL
Hz
(a)
PL
Hz
(b)
13
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Pd(t)
%()
PL
Hz
Hz
(c)
(a)
i(t)
Pd(t)
Hz
(b)
v(t)
Hz
i(t)
Pd(t)
(a)
Hz
(c)
v(t)
Hz
TJ0(t)
i(t)
(b)
v(t)
Hz
Hz
(c)
Fig. 18 Linhas de carga: (a) Classe B, carga resistiva; (b)
Classe B, carga reativa; (c) Classe H, carga reativa.
(a)
14
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TJ0(t)
TJ(t)max
Hz
(b)
PL
Hz
(c)
TJ0(t)
Hz
(c)
TJ(t)max
PL
Hz
TJ(t)max
(a)
PL
Hz
(b)
15