Universidad de Atacama

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Compilado: Electrnica Analgica

Profesor: Yerko Reyes C.

Captulo 2: Transistores
El transistor, es un componente de estado slido que tiene tres terminales o
conexiones. Su descubrimiento e industrializacin, marcaron el inicio de una
verdadera revolucin en la electrnica.
Los transistores bipolares, se
FET's ( Field Effect Transistor).

clasifican en bipolares y efecto de campo o

En ambos casos, tienen dos funciones o aplicaciones principales:

1. amplificador de seales
2. interruptor electrnico

Fig. 2.1 Vistas de Transistores y simbolos

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Transistores bipolares
Los transistores bipolares son los ms utilizados y se fabrican con tres capas de
material semiconductor en forma de "sndwich".
Segn la disposicin de estas capas se dividen en dos tipos, transistores NPN y
transistores PNP.

Fig. 2.2 Esquema de Transistor

Cada seccin o capa del transistor tiene un terminal conectado a ella. Estas
secciones se conocen como: Emisor, Base y Colector y se marcan con sus letras
inciales E, B, y C respectivamente.
La direccin de la flecha del emisor indica si el transistor es del tipo NPN o del
tipo PNP.
La flecha est siempre en el emisor, En el transistor PNP, la flecha entra. 'En el
transistor NPN, la flecha sale.

Zonas de funcionamiento del transistor Bipolar

Los transistores primordialmente trabajan en tres tipos de zonas que son la zona
de saturacin, la zona de corte y la zona activa.

Fig. 2.3 Curva de funcionamiento

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- En la zona de saturacin, el transistor se comporta entre colector y emisor como

un interruptor cerrado. Se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en
la carga conectada en el colector.
- La zona de corte equivale a un interruptor abierto, se pude decir que la tensin
de la batera se encuentra entre el colector y el emisor.
- La zona activa el transistor funciona como amplificador, esta es una amplia zona
de regin comprendida entre corte y saturacin, tambin llamada zona de trabajo.
El transistor trabajado en dicha zona se suele utilizar para la electrnica de las
comunicaciones.
Corrientes en los transistores

Fig. 2.4 Corrientes de polarizacin del transistor

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Configuraciones del transistor

Amplificador base comn
Esta configuracin es la menos usada de las tres configuraciones bsicas de
amplificadores, proporciona alta ganancia de voltaje sin ganancia de corriente.
Debido a que cuenta con una baja resistencia de entrada este amplificador es el
tipo ms apropiado para ciertas aplicaciones de alta frecuencia en donde las
fuentes tienden a presentar muy bajas resistencias de salida.

Fig. 2.5 Configuracin Base Comn

Amplificacin base comn

Amplificador colector comn

Este amplificador tambin llamado colector comn, es muy til pues tiene una
impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja.
Nota: La impedancia de entrada alta es una caracterstica deseable en un
amplificador pues, el dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que entregarle
mucha corriente (y as cargarlo) cuando le pasa la seal que se desea amplificar.
Este tipo de circuito es muy utilizado como circuitos separadores y como
adaptadores de impedancia entre las fuentes de seal y las etapas amplificadoras

Fig. 2.6 Configuracin Colector Comn

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Amplificacin colector comn

Amplificador emisor comn

La configuracin ms utilizada, ya que permite amplificar debido a que la seal de
entrada ingresa por la base y sale amplificada por el colector.

Fig. 2.7 Configuracin Emisor Comn

Amplificacin emisor comn

Ganancia de voltaje

Ganancia de potencia

Fig. 2.8 Ejemplo de un circuito con diodos en modo Amplificador

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En la siguiente tabla se presenta un resumen de todas las configuraciones.

Circuitos de polarizacin del transistor en emisor comn

1) Polarizacin fija
El circuito estar formado por un transistor NPN, dos resistencias fijas: una en la
base RB (podra ser variable) y otra en el colector RC, y una batera o fuente de
alimentacin Vcc. Este circuito recibe el nombre de circuito de polarizacin fija y
determina el punto Q de reposo del transistor para unos valores dados de Vcc, RB
y RC. Es el circuito ms sencillo, pero tambin el ms inestable con las
variaciones de la temperatura.

Fig. 2.9 Polarizacion fija

Recta de carga
Del circuito de arriba es fcil obtener la relacin que existe entre la corriente de
colector Ic y la tensin colector-emisor VCE del transistor, aplicando la ley de
Kirchoff resulta:
Vcc =VCE + Ic x RC
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Esta expresin se conoce como ecuacin de la recta de carga. En ella Vcc y RC

son constantes, y VCE e Ic son las variables. La interseccin entre esta recta de
carga con la curva caracterstica de salida del transistor determina el punto de
reposo Q. Para trazar la recta en el plano IC = f (VCE) es suficiente con establecer
los puntos de corte con los ejes de coordenadas.
Cuando la corriente de colector es cero Ic = 0, la tensin colector-emisor es igual
al potencial del generador VCE = Vcc:
Ic = 0; VCE = Vcc
Por otro lado, cuando la tensin colector-emisor es igual a cero VCE = 0, la
corriente de colector vale el potencial del generador entre la resistencia de colector
Ic = Vcc/RC:

Fig. 2. 10 Obtencion del punto de trabajo mediante grafica

En la figura 2.10 se muestra el circuito de polarizacin y la recta de carga esttica
con el punto de reposo Q que representa la interseccin de esta recta con la curva
IB correspondiente. El valor de la corriente de base IB se puede calcular aplicando
la ley de Kirchoff al circuito de entrada o de base, as tenemos:
Vcc = VBE+ IB x RB
Sabemos que el transistor entre base-emisor se comporta como un diodo, as que
la tensin base-emisor para el silicio suele ser de 0,7 V, es decir:
VBE= 0,7 V
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Entonces para un dado valor constante de la fuente de alimentacin Vcc tenemos

que la corriente de base solo depende de RB y vale:
IB= (Vcc 0,7V)/ RB
Sabemos tambin que existe una relacin entre las tres corrientes del transistor:
IC= x IB
De la 2 ley de Kirchoff:
IE = IC+ IB = (+1) x IB
La ganancia de corriente del transistor para continua se conoce como o hFE, y
no tiene unidades ya que relaciona IC/IB.
Con todo esto, podemos realizar ya un clculo de polarizacin fija.
2) POLARIZACIN UNIVERSAL
En la figura se muestra un circuito con polarizacin universal capaz de
compensar los desequilibrios producidos por la ICB0 (corriente inversa de
saturacin o corriente de fugas. Se duplica cada vez que la temperatura del
transistor sube 10C), y VBE.

Fig. 2.11 Circuito polarizacion Universal

El circuito est constituido por un divisor de tensin, formado por R1 y R2,
conectado a la base del transistor, y por una resistencia de emisor RE. Las
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variaciones de ICB0, y VBE por efecto de la temperatura se traducen en

un aumento de la corriente de colector IC. Cuando IC tiende a aumentar la cada
de tensin en RE tambin aumenta, como la tensin en el divisor de tensin en el
punto A es casi constante, el aumento de voltaje en RE provoca que disminuya el
voltaje entre base-emisor y esto a su vez disminuye la IB lo que provoca una
reduccin de IC y esto compensa su subida, en consecuencia mantenindola
estable ante variaciones de la temperatura.
Al utilizar el sistema de polarizacin universal, la ecuacin de la recta de carga
viene dada por:
Vcc = VCE+ IC x (RC+RE)
El punto de corte con el eje de ordenadas IC, es decir cuando VCE= 0, tendr el
valor:
IC= Vcc /(RC+RE)
En la figura siguiente se muestra la recta de carga que corresponde a la ecuacin
anterior (en color verde) junto a la recta de carga de un circuito equivalente donde
la RE= 0 (en color azul).

Fig. 2.12 Obtencin de punto de trabajo para polarizacin Universal y

comparacin con punto trabajo para polarizacin fija
Si observamos el circuito, las resistencias R1 y R2 proporcionan en el punto A un
determinado nivel de tensin y que corresponde a la base del transistor. Para
hallar ese valor de tensin recurrimos a lo visto en el divisor de voltaje:
VA= Vcc x [R2/(R1+R2]
La resistencia equivalente que se observa desde la base del transistor es:

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RB= R1.R2/(R1+R2)
Por lo tanto el circuito queda de la siguiente forma:

Fig. 2.13 Circuito equivalente para polarizacin universal

De este circuito podemos obtener la siguiente ecuacin:
VA= IB x RB+ VBE+ IE x RE
En la cual, si
expresin:

IB x RB << VA e IE IC, podemos escribir la siguiente

IC= (VA - VBE)/RE

Esto nos indica que la corriente de colector IC es independiente de la ganancia de
corriente en continua del transistor, y por lo tanto la sustitucin de un transistor
por otro de la misma serie, con un valor de distinto no perturba el punto de
reposo Q.
Criterios para el diseo del circuito
La estabilidad del punto de funcionamiento en continua Q es mayor cuanto ms
grande sea la resistencia RE, pero un valor muy elevado de esta reducira
considerablemente la corriente de colector IC y en consecuencia la amplitud de
una posible seal de salida del amplificador; por esta razn es necesario encontrar
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un valor de compromiso para la resistencia de emisor RE. La RE suele ser menor

que la RC, siendo vlida la siguiente regla:
RE x RC
Se deduce que la resistencia de emisor debe tener un valor de aproximadamente
el 25% del valor de la de colector.
Conocido el valor de RE y de la corriente de colector, podemos calcular la cada
de tensin sobre RE:
VRE= IC x RE
Si despreciamos la cada de tensin en RB, es decir IB x RB, el valor de la tensin
en la base ser la misma que en el divisor de tensin, o sea que VA, por lo tanto
tendremos:
VA= VRE+ VBE= IC. RE+ VBE
La estabilidad del punto de reposo tambin depende de la relacin entre RB y RE,
siendo ms estable cuanto menor es dicha relacin. Para limitar el consumo de
energa de las resistencias del divisor de tensin R1y R2 se suele utilizar una RB
de valor comprendido entre 5 y 10 veces el valor de RE:
10 x RE> RB 5 x RE
Configuracin Darlington
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta
ganancia de corriente. Est compuesto internamente por dos transistores
bipolares que se conectan es cascada. Ver la figura.

Fig. 2.14 Circuito Darlington

El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor
T2.

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La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es: IE= x IB (Corriente de

colector es igual a beta por la corriente de base).
Entonces analizando el circuito:
- Ecuacin del primer transistor (T1) es: IE1 = 1 x IB1 (1),
- Ecuacin del segundo transistor (T2) es: IE2 = 2 x IB2 (2)
Tambien, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que la corriente de
base del transistor T2. Entonces IE1 = IB2 (3)
Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene: IE2 = 2 x IB2 =
2 x IE1
Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (1) se obtiene la ecuacin
final de ganancia del transistor Darlington.
IE2 = 2 x 1 x IB1
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la
de un transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores.
(Las ganancias se multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 ( = 100) conectados como un
transistor Darlington y se utilizara la frmula anterior, la ganancia sera, en teora:
2 x 1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la
realidad la ganancia es menor.
Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeas.
Muy importante: La cada de tensin entre la base y el emisor del transistor
Darlington es 1.4 voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a
emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo
transistor B2 y E2 (0.7 voltios).

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