Instituto Tecnolgico de Morelia

Jos Mara Morelos y Pavn

Comportamiento capacitivo de los diodos
SEMICONDUCTORES
H Docente.

Baldemar Maya Flores

Alumno:

Isa Espinoza Quintana

Joaqun Galvn de los Santos

Ingeniera Electrnica
5to semestre

GRUPO A

Instituto Tecnolgico de Morelia

Departamento de Ingeniera Electrnica
Fsica de Semiconductores
Practica No. 4
Comportamiento capacitivo de los diodos
Objetivo: Estimar la capacitancia de transicin de un diodo varactor y al
menos otro diodo diferente
Procedimiento:
-conseguir un diodo varactor, buscar la hojas de datos del fabricante.
-Mediante un simulador obtener la forma de onda de voltaje y corriente en
polarizacin inversa al menos a tres niveles de voltaje (2, 5 y 10V), usar una
seal cuadrada de 10 o 20 mV con una frecuencia de 1kHz sumada al voltaje
de polarizacin inversa para cada uno de los diodos, usar una resistencia en
serie de 10 kohms.
-Estimar la constante de tiempo del arreglo diodo resistencia, y calcular la
capacitancia del diodo, graficar para cada diodo 1/C 2 y 1/C3, obtener
conclusiones en base a estas grficas, en caso de que la grfica 1/C 2sea
lineal calcular la concentracin del lado menos contaminado, en caso de sea
lineal la curva 1/C3calcular la pendiente de la funcin de distribucin de
impurezas.
-Implementar los circuitos y comparar los resultados con los simulados
Reportar:
-Marco terico
-Clculos Hechos.
-Mediciones.
-Observaciones.

-Explicacin de las diferencias teora-practica.

-Conclusiones.

MARCO TEORICO
Los diodos varactores estn diseados para proporcionar una tensin controlada
a travs de la capacitancia en operacin bajo polarizacin inversa. Un diodo de
ruptura inversa se define por la tensin inversa mnima necesaria para hacer que
el comportamiento del diodo se de en sentido inverso. A medida que aumenta la
polarizacin inversa, la capacitancia disminuye; la tensin mxima que un diodo
varactor puede soportar est determinada por su nivel mximo de capacitancia.
La polarizacin inversa de los diodos varactores opera desde alrededor de unos
pocos voltios hasta unos 20 voltios, con algunas excepciones raras que operan
hasta 60 voltios. A medida que aumenta la tensin de un diodo varactor, los
suministros de energa especficos deben ser proporcionados por los circuitos de
conduccin del diodo.
Todos los diodos cuando estn polarizados en sentido opuesto tienen
una capacitancia que aparece entre sus terminales. Los diodos varactores o
varicap han sido diseados de manera que su funcionamiento sea similar al de
un capacitor y tengan una caracterstica capacitancia-tensin dentro de lmites
razonables.
En el grfico inferior se muestran las similitudes entre un diodo y un capacitor.
Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de
agotamiento se forma en la juntura. Esta zona de agotamiento acta como un
dielctrico (aislante), ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente.

Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga

(rea semiconductor). Se puede visualizar sin dificultad la formacin de un
capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un
aislante). La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar
incrementando la tensin inversa aplicada al diodo con una fuente externa. Esto
causa que se aumente la separacin (aislante) y separa ms las reas
semiconductoras. Este ltimo disminuye la capacitancia.
Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo.
Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye.
Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta.
Capacitancia
En la electrnica, la capacitancia es la razn de la carga impresa en un
conductor dado. Esta caracterstica determina la frecuencia de operacin de un
diodo. Cualquier condensador o capacitancia depende de diversos factores tales
como el rea de sus placas conductoras, la constante dielctrica del aislante
entre las placas y la distancia entre las dos placas. El ancho del la regin de
agotamiento de un diodo varactor disminuye a travs de modificar el nivel de
polarizacin inversa del diodo. En efecto, el cambio de este nivel altera la
distancia entre las placas del condensador. El rango de capacitancia de los
diodos varactores se controla ajustando el gradiente y la anchura de unin, los
cambios del rea de distribucin se aplican usando tensin inversa.
Comnmente, los diodos varactores operan en un rango de capacitancia de
cuatro a una.

En los diodos semiconductores, la variacin de la capacidad de la unin con el

voltaje de polarizacin encuentra numerosas aplicaciones en circuitos electrnicos,
tales como en circuitos de control de frecuencia para sintona, en circuitos de
amplificacin paramtrica, etc. La principal contribucin a la capacidad de un diodo
proviene de dos factores: i) la capacidad, Cs, debida a la carga espacial localizada
en la regin de agotamiento, y ii) la denominada capacidad de difusin, Cd, asociada
a los portadores minoritarios acumulados en las regiones neutras. La capacidad Cs
est determinada por el voltaje de polarizacin aplicado al diodo, mientras que la
capacidad Cd depende sobre todo de la corriente que pasa a travs de la unin. Por
esta razn, esta ltima contribucin es dominante sobre todo para voltajes de
polarizacin en directo, mientras que en polarizacin inversa la contribucin ms
importante es debida a la capacidad asociada a la carga espacial. As pues, es en la
regin de voltajes negativos (polarizacin inversa) donde los diodos pueden ser
utilizados como dispositivos de capacidad variable, controlada por el voltaje aplicado
al diodo. A estos dispositivos se les conoce con el nombre de varactores.

De acuerdo con la ecuacin:

La dependencia de la capacidad con el voltaje para una unin abrupta p+- n (es
decir, Na >> Nd) viene dada por una funcin del tipo Cs = V -1/2, siendo V el voltaje
aplicado en sentido inverso. A este tipo de unin-tambin se le denomina unilateral.
Muy a menudo interesa tener otro tipo de dependencia de la capacidad con el
voltaje.
As, por ejemplo, en una unin tambin unilateral, con una variacin lineal de la
concentraci

n de donadores con el espesor, unin gradual, se encuentra que la relacin entre la

capacidad y el voltaje inverso es del tipo Cs = V-1/3 Ambas dependencias obedecen a
una ley ms general que tiene la forma:

C x = V-n

con n = 1/2 para la unin abrupta y n = 1/3 para la unin gradual. Los diodos
varactores requieren en muchas aplicaciones una dependencia de la capacidad con
el voltaje lo ms fuerte posible. En estos casos se recurre a la denominada unin
hiperabrupta. En este tipo de unin la concentracin de impurezas es muy elevada
en la superficie de la unin y disminuye gradualmente a medida que aumenta la
distancia x hacia el interior. La dependencia de la capacidad con el voltaje es
entonces
muy
acusada,
con
n
=
2
en
la
ecuacin
anterior. Esta fuerte dependencia es explicable si se tiene en cuenta que la variacin
de la capacidad procede de la variacin del espesor de la regin de carga espacial
con el voltaje aplicado. Por las especiales caractersticas de la unin hiperabrupta, la
variacin del espesor produce cambios muy grandes en la carga contenida en la
regin de agotamiento.

Mediciones:
1N4007
V

2 0.164nF
5 0,148nF
10 0,124nF

3,72E+19
4,57E+19
6,50E+19

2,27E+29
3,08E+29
5,24E+29

GRFICA 1. Grfica para el diodo de propsito general 1N4007

representada para una ecuacin abrupta

GRFICA 2.

Se observa que la grfica del diodo de propsito general

es ms lineal que

por lo tanto para el diodo de propsito general tenemos una funcin abrupta.

Xd=

1/2

C=
C=
C2 =
Despreciando el valor de

porque al realizar con el valor de Va, si Va=10V el

valor de
no afectara notoriamente el valor de Va, tambin se despreciara la
concentracin mayor, en este caso suponiendo como concentracin mayor Nd,
se obtiene la siguiente formula:
C2 =
C2 =
C2 =
=
Tomando el modelo matemtico de la grfica
y = 4E+18x + 3E+19
4E+18 =

Despejando el valor de la concentracin se tiene:

Na =
= 3.02x1012

Na =

SIMULACIN DIODO DE PROPSITO GENERAL(1N4007)

VOLTAJE CAPACITANC
IA
2
1.32E+20
5
1.39E+20
10
1.66E+20

Grafica2.1 simulacion
VOLTAJE CAPACITANC
IA
2
1.51E+30
5
1.65E+30
10
2.13E+30

Grafica2.2 simulacin

Partiendo de la formula
Na=
Y tomando el coeficiente de x de la ecuacin del grafico
Na=

= 3.02x1012

se tiene:

Varicap
V

2
5
10

80pF
78pF
73,92pF

1,56E+20
1,64E+20
1,83E+20

1,95E+30
2,11E+30
2,47E+30

Nota: No se pudo obtener un datasheet del diodo varicap por lo

tanto no se pudieron obtener mediciones simuladas por la falta
de nmero de serie del elemento

Grafica 3.

Grafica 4.
Se observa que la grfica del diodo Varicap
es ms lineal que
tanto para el diodo Varicap tenemos una funcin abrupta.

por lo

Partiendo de la formula
Na=
Y tomando el coeficiente de x de la ecuacin del grafico
Na=

= 4.02x1012

se tiene:

Conclusin:
Joaquin: