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CAP I- INTRODUO

A produo e transformao de materiais em


bens acabados, constituem uma das mais
importantes atividades de uma economia moderna.
Um produto, para ser manufaturado, requer uma
etapa de planejamento de seu processo de produo.
Nesta etapa so selecionados diversos materiais, de
acordo com custos e, principalmente, com as
necessidades tcnicas exigidas. A elaborao dessa
etapa exige que o responsvel pela mesma tenha
noo das estruturas internas dos materiais, pois o
conhecimento
das
mesmas,
aos
nveis
submicroscpicos, permite prever o comportamento
do material em servio, bem como possibilita
programar e controlar suas propriedades e
caractersticas.
A produo e transformao de materiais em
bens acabados, constituem uma das mais
importantes atividades de uma economia moderna.
Um produto, para ser manufaturado, requer uma
etapa de planejamento de seu processo de produo.
Nesta etapa so selecionados diversos materiais, de
acordo com custos e, principalmente, com as
necessidades tcnicas exigidas. A elaborao dessa
etapa exige que o responsvel pela mesma tenha
noo das estruturas internas dos materiais, pois o
conhecimento
das
mesmas,
aos
nveis
submicroscpicos, permite prever o comportamento
do material em servio, bem como possibilita
programar e controlar suas propriedades e
caractersticas.
A cincia dos materiais est associada gerao
de conhecimento bsico sobre a estrutura interna,
propriedades e processamento de materiais. Ela tem
ainda como objetivo, compreender a natureza dos
materiais, estabelecendo conceitos e teorias que
permitam relacionar a estrutura dos materiais com
suas propriedades e comportamento. A cincia dos
materiais est associada gerao de conhecimento
bsico sobre a estrutura interna, propriedades e
processamento de materiais. Ela tem ainda como
objetivo, compreender a natureza dos materiais,
estabelecendo conceitos e teorias que permitam
relacionar a estrutura dos materiais com suas
propriedades e comportamento

1.1. CLASSIFICAO DOS MATERIAIS

Por convenincia, a maioria dos materiais de


engenharia classificada em trs classes principais,
quais sejam: materiais metlicos, materiais
polimricos (plsticos) e materiais cermicos.
Esta classificao baseada principalmente no tipo
de estrutura atmica.
Em adio a estes trs tipos, um estudo mais
abrangente deve incluir um outro tipo, que exibe,
atualmente, grande importncia tecnolgica: os
materiais
compsitos,
semicondutores
e
biomateriais.

Classificao dos Materiais

Metais
Cermicas
Polmeros

Compsitos
Semicondutores
Biomateriais (Mat. Biocompatveis)

Classificao Clssica

1.1.1. MATERIAIS METLICOS

Os materiais metlicos so substncias


inorgnicas compostas por um ou mais elementos
metlicos e podem, tambm, conter elementos nometlicos. Exemplos de materiais metlicos: ao,
cobre, alumnio, nquel e titnio. Elementos nometlicos como carbono, nitrognio e oxignio
podem estar contidos em materiais metlicos.
Os metais tm uma estrutura cristalina, na
qual os tomos esto arranjados de maneira
ordenada. Eles, em geral, so bons condutores
trmicos e eltricos. Quase todos os metais so
mecanicamente resistentes, dcteis e muitos
mantm esta resistncia mesmo em altas
temperaturas.

1.1.2. MATERIAIS POLIMRICOS (PLSTICOS)

A maioria dos materiais polimricos consiste


de cadeias moleculares orgnicas (carbono) de longa
extenso. Estruturalmente, a maioria destes materiais
no cristalina, porm alguns exibem uma mistura de
regies cristalinas e no-cristalinas. A resistncia
mecnica e ductilidade dos materiais polimricos
variam enormemente. Devido natureza da estrutura
interna, a maioria dos plsticos conduz eletricidade
e calor de maneira extremamente precria. Isto
permite que os mesmos sejam freqentemente
utilizados como isolantes, tendo grande importncia
na confeco de dispositivos e equipamentos
eletrnicos. Em geral, os materiais polimricos tm
baixo peso especfico e apresentam temperatura de
decomposio relativamente baixa.

1.1.3. MATERIAIS CERMICOS

1.2. Propriedades dos materiais- Conceitos de


bsicos.

1.2.1. Principais Propriedades Mecnicas:

- Dutibilidade: capacidade do material em


deformar plasticamente sem ruptura , quando
submetido a esforo de trao. expressa em
porcentagem.
- Maleabilidade: a capacidade do material em
deformar plasticamente sem ruptura , quando
submetido a esforo de compresso.
- Tenacidade: a medida da energia necessria
para fraturar um corpo de prova padro.
- Modulo de Elasticidade (YOUNG) : a relao
entre a tenso(s) aplicada e a deformao
elstica(e) que ela produz.
Est relacionado diretamente com as foras das
ligaes interatmicas (entre tomos).

Os cermicos so materiais inorgnicos


constitudos por elementos metlicos e no-metlicos
unidos por meio de ligaes qumicas. Estes materiais
podem ser cristalinos, no-cristalinos ou uma mistura
de ambos. A maioria dos cermicos apresenta alta
dureza e elevada resistncia mecnica, mesmo em
altas temperaturas. Entretanto, tais materiais so,
normalmente, bastante frgeis. Uma gama bastante
ampla de novos materiais cermicos est sendo
desenvolvida, tendo como objetivo diversas
aplicaes, como o caso de peas para motores de
combusto interna. Neste caso, este material tem a
vantagem do baixo peso, resistncia e dureza
elevadas, alto resistncia ao calor e propriedades
isolantes.
O fato de ser um bom isolante trmico, bem
como ser resistente ao calor, permite que os materiais
cermicos tenham importante papel na construo de
fornos usados na indstria metalrgica. Uma
aplicao recente, que retrata com fidelidade o
potencial dos materiais cermicos, o uso dos
mesmos na construo do nibus espacial
americano. A estrutura deste veculo de alumnio
revestida por milhares de pastilhas cermicas. Estas
pastilhas do proteo trmica ao nibus durante a
subida e por ocasio da reentrada do mesmo na
atmosfera.

Indica a rigidez do material.


- Limite de resistncia trao ou tenso de
deformao (se): representa a tenso a partir da
qual o material sofre deformao plstica. uma
das mais importantes propriedades de engenharia,
pois so utilizados em clculos de estruturais.
Limite de resistncia ruptura (sr): representa a
tenso a partir da qual o material sofre ruptura.
- Resilincia: Corresponde capacidade do
material de absorver energia quando este
deformado elasticamente. Materiais resilientes so
aqueles que tm alto limite de elasticidade e baixo
mdulo de elasticidade (como os materiais
utilizados para molas)
- Dureza:
- Materiais Frgeis: capacidade do material resistir
abraso superficial.
- Material no frgeis: a medida da resistncia
de um material deformao plstica
(permanente).
- Resistncia flexo: definida com a tenso
mxima que um corpo de prova suporta antes
de romper quando sujeito a um esforo de flexo.
Utilizado para avaliar a resistncia mecnica de
materiais
cermicos,
principalmente
para
revestimentos e telhas.

- Resistncia compresso: definida com a


tenso mxima antes da ruptura, que um corpo de
prova pode resistir quando submetido a esforos de
compresso. Este ensaio utilizado principalmente
para avaliar a resistncias de tijolos, blocos e
concreto.

Difusividade trmica (h)


h= K
Cp. r

K- condutividade trmica
Cp- capacidade trmica
r- densidade
h- Difusividade trmica

- Fluncia: limite de resistncia deformao em


temperaturas elevadas.
- Fadiga: limite de resistncia fratura de materiais
submetidos a carregamentos cclicos.

1.2.2. Propriedades Trmicas:

- Capacidade trmica: ela representa a quantidade


de energia necessria para aumentar a
temperatura.
C = dQ
dT

dQ- variao de calor (energia)

IRCT = h . S
a.E
h- Difusividade trmica
S- limite de resistncia
a- dilatao trmica
E- Modulo de elasticidade
IRCT- ndice de resistncia ao choque trmico

Propriedades Eltricas:

dT- variao de temperatura

As unidades de energia so calorias ou joule

- Dilatao ou expanso Trmica: representa a


variao dimensional de um material, quando este
submetido a um resfriamento ou aquecimento.
a=

Choque trmico

DL
Li . DT

a - coeficiente de dilatao- C

-1

Li - Comprimento inicial m, cm, mm

Condutividade eltrica (s): indica a facilidade com


que um material conduz corrente eltrica, o
inverso da resistividade (r). A unidade da
condutividade (Wm ) -1 .
s = 1
r

Rigidez dieltrica: indica em que grau o material


isolante, ela uma medida da tenso mxima que
um material pode suportar antes de perder suas
caractersticas de isolante.

Lf - Comprimento final m, cm, mm


DT - (Tf Ti)- Variao de temperatura C
DL - (Lf-Li)- Variao de comprimento
m, cm, mm
- Condutividade Trmica: o fenmeno pelo qual
calor transportado das regies de maior
temperatura para as regies de menor temperatura.
A propriedade que caracteriza a habilidade de um
material transferir calor a condutividade trmica
(k).
q = - k. dT
dx

Termoeletricidade: a propriedade que apresenta


um material em gerar uma corrente eltrica quando
submetido a gradientes de temperaturas. A tenso
produzida depende do tipo de material e da
diferena de temperatura.

Piezeletricidade: indica a capacidade de um


material produzir uma polarizao (energia eltrica)
quando aplicamos uma fora.

q fluxo de calor (J/m2 ou W/M2)


k condutividade trmica (W/m)
dt/dx- gradiente de temperatura no
meio condutor

CAP II- LIGAES ATMICAS

Eltrons de
valncia

2. INTRODUO
Os materiais slidos so formados por tomos que
so unidos por foras eltricas, formando o que
chamamos de ligaes qumicas. Estas interaes
eltricas podem ser obtidas de diversas formas,
formando diferentes tipos de ligaes.
O comportamento de um material pode ser
eficientemente previsto a partir da anlise do mesmo
aos nveis subatmico, atmico e microscpico.
Assim, torna-se necessrio examinar o mesmo, no
tocante aos tomos que constituem o material, bem
como o comportamento eletrnico dos mesmos. A
estrutura de qualquer material diretamente
dependente dos tipos de tomo envolvidos e das
ligaes atmicas que eles formam.
A base de qualquer unidade estrutural em cincia e
engenharia de materiais o tomo. O tomo
consiste
basicamente
de
trs
partculas
subatmicas: prtons, eltrons e nutrons. No
centro do tomo localiza-se o ncleo, que tem
dimetro prximo a 10-14 m. Este ncleo envolvido
por uma nuvem de eltrons de densidade varivel,
que resulta em um dimetro atmico final de 10-10m.
No ncleo, onde residem prtons e nutrons, est a
quase totalidade da massa atmica. A massa de um
prton igual a 1,673x10-24g e sua carga eltrica de
+1,602x10-19 Coulomb (C). O nutron pouco mais
pesado que o prton e tem massa igual a 1,675x1024
g, porm eletricamente neutro. O eltron tem
massa de 9,109x10-28g e carga igual a -1,602x10-19
Coulomb. Portanto, a quase totalidade do volume
atmico concentra-se na nuvem de eltrons, porm,
esta colabora com apenas uma pequena parte da
massa final do tomo. Os eltrons, particularmente
os mais externos, determinam a maioria das
caractersticas eltricas, mecnicas, qumicas e
trmicas dos tomos e assim, o conhecimento
bsico do mesmo necessrio no estudo dos
materiais.
A estrutura interna dos materiais resultado da
agregao de tomos obtida atravs de foras de
ligao interatmicas. Esta agregao, em funo
das caractersticas de tais ligaes, pode resultar
nos estados slidos, lquido e gasoso.

Energia de Ligao

Porque os tomos se unem:


Por que ao se unir os tomos diminuem a energia
interna.

Distancia inter atmica

Figura 2.2. Diagrama de energia em funo da


distancia inter atmicas.

Relao entre energia de ligao e algumas


propriedades:

Resistncia mecnica: aumenta com a fora


mxima e com a profundidade do poo da curva de
energia de ligao.
Pontos de fuso e de ebulio: aumentam com a
profundidade do poo da curva de energia de
ligao.

Coeficiente de expanso trmica: diminui com a


profundidade do poo da curva de energia de ligao.

Uma outra classe de ligaes, denominadas de


ligaes fracas, pode ser encontrada em algumas
substncias. Estas ligaes contribuem para a
atrao entre molculas e so classificadas como
foras de Van Der Walls (ligao secundaria). Estas
molculas so atradas, pois nelas podemos ter
polarizao induzida ou permanente. Quanto maior
esta polarizao mais forte fora de ligao entre
as molculas.

2.1. LIGAO INICA: envolve a transferncia de


eltrons de um tomo para outro
Figura 2.3. Diagrama de energia de ligao de dois
materiais.

Ligaes Qumicas
Basicamente, os tomos podem atingir uma
configurao denominada de estvel (menor energia)
a partir de trs maneiras, quais sejam: ganho de
eltrons, perda de eltrons ou compartilhamento de
eltrons. A facilidade em ganhar eltrons caracteriza
o tomo como elemento eletronegativo; a facilidade
em perder eltrons o caracteriza como sendo um
elemento eletropositivo. Existem tambm os tomos
que no apresentam facilidade em perder ou ganhar
eltrons. Estas caractersticas atmicas resultam na
existncia de trs tipos de ligaes atmicas,
denominadas como primrias ou fortes, que so :
ELEMENTO
ELETROPOSITIVO +

Figura 2.4- Formao da ligao inica.

Para o cloreto de sdio, tanto o ction Na+ quanto


o nion Cl- ficam com seus orbitais externos
completos.

LIGAO INICA - caractersticas:

Metal (esquerdo TP) + no-metal (direito


TP)

ELEMENTO
ELETRONEGATIVO

Envolve a transferncia de eltrons de um


tomo para outro

ELEMENTO
ELETROPOSITIVO +

Resulta da interao eletrosttica entre um


on positivo e um on negativo

A ligao no-direcional

a ligao predominante nos materiais


cermicos

Os materiais so duros e quebradios

Bons isolantes trmicos e eltricos nos


slidos, mas em solues aquosas e no
estado de fuso so bons condutores
eltricos.

ELEMENTO
ELETROPOSITIVO
ELEMENTO
ELETRONEGATIVO +
ELEMENTO
ELETRONEGATIVO

LIGAO INICA

LIGAO
METLICA

LIGAO
COVALENTE

PROPRIEDADES GERAIS DOS COMPOSTOS


COVALENTES

Compostos Covalentes que formam molculas


(Ex: Cl2, HCl)

Na molcula, existem foras covalentes que


mantm os tomos unidos;

No estado slido, as molculas so mantidas por


foras de Van der Waals fracas (mais fraca do que
a atrao eletrosttica dos ons);

Na
ligao
covalente
est
envolvido
o
compartilhamento de par(es) de eltron(s) entre os
tomos ligantes.

Em virtude disto, para fundir ou evaporar


compostos covalentes precisa-se de energia (DH)
suficiente apenas para romper as foras de Van der
Waals.

Covalente (normal): cada um dos tomos participa


da ligao com um eltron para a formao do par
eletrnico compartilhado;

Em virtude da fraca atrao intermolecular, os


compostos covalentes se apresentam como:

Covalente dativa: apenas um tomo estabelece a


ligao com o outro tomo compartilhando seus
eltrons de valncia para a formao do par
eletrnico.

Figura 2.5- Estrutura inica - Cloreto de sdio

2.2. LIGAO COVALENTE

Na formao das ligaes qumicas (covalente e


covalente dativa) entre os tomos de oxignio com
o enxofre (tomo central) todos os tomos adquirem
a estabilidade eletrnica, ou seja, ambos ficam com
a ltima camada eletrnica totalmente preenchida,
semelhante distribuio eletrnica de um gs
nobre.

Lquidos, com baixo ponto de ebulio, ou gases


temperatura ambiente;

Compostos slidos que possuem baixa dureza e


baixo ponto de fuso.

Isolantes: no conduzem corrente eltrica.

Compostos Covalentes formam estrutura (Ex:


SiC, C -Diamante)

Os tomos so mantidos unidos por ligaes


covalentes(fortes),
formando
estruturas
cristalinas.

Em virtude da alta energia da ligao covalente,


os compostos covalentes apresentam como:

Compostos slidos que possuem alta dureza e


alto ponto de fuso.

Isolantes: no conduzem corrente eltrica.

Figura 2.6. Estrutura de uma ligao covalente, gs


metano.

2.3. LIGAO METLICA

2.4. LIGAES SECUNDRIAS

Esse tipo de ligao normalmente encontrado em


metais e envolve a interao de elementos
eletropositivos. A ligao metlica resultado da ao
entre eltrons livres (nuvem eletrnica) e ons
positivos. Estes eltrons livres so originrios da
ltima camada de valncia, fracamente presos ao
tomo, e que esto livres dentro da estrutura
metlica. A figura abaixo mostra as ligaes metlicas
observadas em metais.

At agora, temos considerado apenas a ligao


primaria entre tomos, e vimos como ela depende da
interao entre os eltrons de valncia. A fora
motora para a ligao atmica primaria a
diminuio de energia que sofre os eltrons ligantes.
Contratando com as ligaes primarias, as ligaes
secundarias so relativamente fracas, com energias
de apenas cerca 4 a 40Kj/mol. A fora motora para
as ligaes secundrias a atrao entre dipolos
eltricos que existem nos tomos e molculas.
Em geral, h dois tipos principais de ligaes
secundrias entre tomos ou molculas, envolvendo
dipolos eltricos: dipolos flutuantes (ou induzidos) e
dipolos permanentes. costume designar
coletivamente estas ligaes secundrias dipolares
por ligaes de Van der Waals.

Dipolos Induzidos

Figura 2.7. Representao esquemtica da ligao


metlica.

Caractersticas e propriedades dos compostos


formados por ligaes metlicos:

Os tomos de um metal esto unidos atravs da


nuvem eletrnica, formando estrutura cristalina
compactas.

Em virtude de possuir eltrons livres as ligaes


metlicas possuem as seguintes propriedades:

So foras de ligao muito fracas entre elementos


de gs nobre, os quais possuem camadas completas
de eltrons de valncia. Estas ligaes surgem por
causa da forma assimtrica da distribuio de cargas
eletrnicas destes tomos, a qual origina dipolos
eltricos. Em qualquer instante, h uma elevada
possibilidade de existir maior carga eltrica de um
lado do tomo do que do outro. Por isso, num dado
tomo, a nuvem de carga eltrica sofrendo
alteraes no tempo, criando um dipolo flutuante. Os
dipolos formados nos tomos podem originar atrao
entre si, de que resultam fracas ligaes
interatmicas no direcionais.

Dipolos permanentes

Slidos cristalinos, de alto ponto de fuso e


ebulio;
So bons condutores de calor e energia;
Possuem elevada plasticidade e dutibilidade;
Formam estruturas opacas.

So foras de ligao mais fortes que as ligaes por


dipolos induzidos que se desenvolvem entre
molculas formadas por ligaes covalentes, quando
estas molculas formam dipolos permanentes.

Cl

CH4

tomo de hidrognio (eletronegatividade-2.1)


tomos de cloro (eletronegatividade-3.0)

CH3Cl

tomos de carbono

Momento dipolar nulo


Figura 2.8.
clorometano.

(eletronegatividade-2.5)

Figura 2.10. Representao


estrutura do PVC

esquemtica

da

Figura 2.8. Representao


estrutura do PVC

esquemtica

da

Momento dipolar

Estrutura molecular do metano e

+.
,
+

Atrao
entre plos
positivos e
negativos

Figura 2.9. Representao esquemtica da ligao


secundria.

Observando as duas estruturas, notamos que no


PVC existem tomos de hidrognio e cloro na
cadeia de carbono, isto provoca uma polarizao
da molcula, pois o cloro mais eletronegativo que
hidrognio. Esta polarizao provoca uma grande
fora de atrao entre as cadeias de carbono, o
produz um plstico duro.
Enquanto o polietileno apresenta apenas tomos
de hidrognio na cadeia,
no
formando
polarizao, por isto a fora de atrao entre as
molculas menor, produzindo um plstico mais
mole.

CAP III- ESTRUTURA CRISTALINA

3. INTRODUO
Dependendo da composio qumica ou do
processo de fabricao os tomos na solidificao
ou em tratamentos trmicos podem se arranjar de
maneira ordenada (estrutura cristalina) ou
desordenada (estrutura vtrea).

Estrutura cristalina

Estrutura vtrea

Figura 3.1. Estrutura cristalina e estrutura vtrea

tomos, ons ou molculas, que se repete nas trs


dimenses. Os arranjos atmicos em um slido
cristalino podem ser descritos usando, como
referncia, os pontos de interseco de uma rede
de linhas nas trs dimenses. Em um cristal ideal,
o arranjo destes pontos em torno de um ponto
particular deve ser igual ao arranjo em torno de
qualquer outro ponto da rede cristalina. Dessa
maneira, possvel descrever um conjunto de
pontos
ou
posies
atmicas
repetitivo,
denominado de clula unitria. Uma clula unitria
tambm definida como a menor poro do cristal
que ainda conserva as propriedades originais do
mesmo. Atravs da adoo de valores especficos,
como parmetros axiais e ngulos interaxiais,
pode-se obter clulas unitrias de diversas
naturezas. O estudo da estrutura interna dos
materiais necessita da utilizao de 7 arranjos
atmicos bsicos, que podem representar as
estruturas de todas as substncias cristalinas
conhecidas.
Tabela 3.1. Geometria dos sistemas cristalinos.

Estrutura cristalina: compostos por tomos,


molculas ou ons arranjados de uma forma
peridica em 3 dimenses.
As posies que so ocupadas seguem uma
ordenao que se repete ao longo de grandes
distncias
Distncia entre planos de tomos iguais.

Materiais Vtreos (amorfos): compostos por


tomos, molculas ou ons que no apresentam
uma ordenao de longo alcance.

SISTEMAS

EIXOS

NGULOS
AXIAIS

CBICO

a=b=c

Todos os
ngulos = 900

TETRAGONAL

a=bc

Todos os
ngulos = 900

ORTORRMBICO

abc

MONOCLNICO

abc

Todos os
ngulos = 900
2 ngulos = 900
e 1 ng. 900

TRICLNICO

abc

Todos ngulos
Z e nenhum
igual a 900

HEXAGONAL

a1=a2=

3 ngulos = 900
1 ngulo = 1200

Distncia entre planos atmicos diferentes


a3c

3.1. ESTRUTURA CRISTALINA


ROMBODRICO
A estrutura fsica dos materiais slidos depende
fundamentalmente do arranjo estrutural de seus
tomos, ons ou molculas. A grande maioria dos
materiais comumente utilizados em engenharia,
particularmente os metlicos, exibe um arranjo
geomtrico de seus tomos bem definido,
constituindo uma estrutura cristalina. Os materiais
cristalinos, independentes do tipo de ligao
encontrada no mesmo, caracterizam-se por
apresentar um agrupamento ordenado de seus

a=b=c

Todos os
ngulos iguais,
mas de 900

Estes 7 arranjos atmicos bsicos definem 7


sistemas cristalinos. Partindo desses sistemas, A.
J. Bravais derivou 14 clulas unitrias, que
permitem descrever qualquer estrutura cristalina
possvel.

3.1.1.1. Estrutura Cbica de Corpo CentradoCCC

Neste arranjo estrutural existe um tomo em


cada vrtice de um cubo e um outro tomo no
centro do mesmo, como mostra a figura 3.4.
Esta estrutura pode ser encontrada no
tungstnio, tntalo, brio, nibio, ltio, potssio,
vandio, cromo, etc.

Figura 3.2. Arranjos atmicos-clulas unitrias.

ESTRUTURA CRISTALINA DOS


MATERIAIS DOS MATERIAIS
Fatores que definem o arranjo mais estvel dos
tomos de um cristal:

Preservar a neutralidade eltrica;

Satisfazer o carter direcional das ligaes


covalentes;

Minimizar a repulso on-on;

Ajustar os tomos do modo mais compacto


possvel;

Relao entre tamanho de tomos;

3.1.1. Materiais Metlicos

Figura 3.3. Estrutura CCC

Figura 3.4. Modelo demonstrando a posio dos


tomos da Estrutura CCC

As Ligaes metlicas por no apresentarem


carter direcional, no impe restries a tomos
vizinhos e tambm por se formados por tomos
iguais ou semelhantes,
cristalizam-se em
estruturas simples e compactas. Os metais se
cristalizam nas seguintes estruturas: Hexagonal
Compacta, Cbica de Face Centrada e Cbica de
Corpo Centrado.

10

ouro, platina, chumbo, etc. Neste caso existe um


total de quatro tomos no interior da clula unitria.

Figura 3.5. Clula Unitria Estrutura CCC

Caractersticas da estrutura CCC

Relao entre raio e aresta da clula unitria:

a2 + a 2

)2

= (4R )2 a =

4R
3

Figura 3.6. Estrutura CFC

R- raio atmico
a- aresta da clula unitria

Numero de tomos por clula unitria: 2


tomos

Fator de empacotamento atmico (F.E.)= 0,68

F. E. =

N VA
VC

onde: N = Nmero de tomos que efetivamente

Figura 3.7. Modelo demonstrando a posio dos


tomos da Estrutura CFC

ocupam a clula;
VA = Volume do tomo (4/3.p.R3);
VC = Volume da clula unitria(a3).

3.1.1.2. Estrutura Cbica de Face CentradoCFC


Figura
Este arranjo caracteriza-se por exibir os mesmos
tomos nos vrtices encontrados nos outros dois
arranjos cbicos e mais 1 tomo em cada face do
cubo. A estrutura cbica de face centrada a
estrutura do alumnio, clcio, nquel, cobre, prata,

3.8. Clula unitria Estrutura CFC

11

Caractersticas da estrutura CFC

Relao entre raio e aresta da clula unitria:

2
a 2 + a 2 = (4R ) a = 2 2R

R- raio atmico
a- aresta da clula unitria

Numero de tomos por clula unitria: 4


tomos

Fator de empacotamento atmico (F.E.)= 0,74


ou 74%

Figura 3.10. Modelo demonstrando a posio dos


tomos da Estrutura HC

3.1.3. Estrutura Hexagonal Compacta


Caractersticas da estrutura CFC
A estrutura hexagonal compacta formada por
dois hexgonos sobrepostos e um plano
intermedirio de 3 tomos. Nos hexgonos,
novamente, existem 6 tomos nos vrtices e um
outro no centro.
A estrutura cristalina hexagonal compacta
pode ser observada na figura 3.10. Neste caso, o
parmetro "a" diferente do parmetro "c". Os
ngulos basais so novamente iguais a 1200 e os
verticais de 900. A estrutura HC pode ser
observada no berlio, berqulio, ltio, magnsio,
cdmio, cobalto, etc. O nmero de tomos que
efetivamente encontram-se dentro de uma clula
unitria HC igual a 6.

Numero de tomos por clula unitria: 6


tomos

Fator de empacotamento atmico (F.E.)=


0,74 ou 74%

Comparaes entre estruturas CCC, CFC e


HC
Tabela 3.2. Comparao entre estruturas
metlicas.
Estrutura

CFC

CCC

HC

Dutibilidade

Boa

Ruim

Ruim

FEA

0,74

0,68

0,74

Dureza

Baixa

Alta

Alta

Coef. Dilatao

maior

menor

maior

FEA Fator de empacotamento atmico

ALOTROPIA

Figura 3.9. Estrutura HC

Diversos elementos, bem como compostos


qumicos apresentam mais de uma forma
cristalina, dependendo de condies como
presso e temperatura envolvidas. Este fenmeno
denominado de alotropia ou polimorfismo. Metais
de grande importncia industrial como o ferro, o

12

titnio e o cobalto apresentam transformaes


alotrpicas em temperaturas elevadas. A tabela 3.3
mostra alguns metais que exibem variaes
alotrpicas e suas temperaturas de transformao.
A variao alotrpica encontrada em
cristais de ferro pode ser considerada como um
clssico exemplo de polimorfismo. Esta variao
alotrpica muito importante em processos
metalrgicos, pois permite a mudana de certas
propriedades do ao (Fe + C), atravs de
tratamentos trmicos.

encontrado como diamante, que o material mais


duro na natureza e na grafite, um material de
baixssima dureza, que pode ser usado como
lubrificante. O diamante duro porque todas as
suas ligaes so covalentes. Por outro lado, a
grafite tem ligaes covalentes apenas em alguns
planos. Estes planos so agregados a outros
planos atravs de foras secundrias e assim,
fcil provocar o deslizamento dos mesmos. A
figura III.10 apresenta as estruturas do diamante e
da grafite.

Tabela .3.3. Formas alotrpicas de alguns metais.


Metal

Estrutura
na temp.
ambiente

Em outras
temperaturas

Ca

CFC

CCC (>4470C)

Co

HC

CFC (>4270C)

Hf

HC

CFC (>17420C)

Fe

CCC

CFC (912-1394 C)
0
CCC (>1394 C)

Figura 3.11- Estrutura: a-diamante b- grafite

Li

CCC

HC (<-193 C)

Na

CCC

HC (<-2330C)

Tl

HC

CCC (>2340C)

Ti

HC

CCC (>8830C)

HC

CCC (>14810C)

Zr

HC

CCC (>8720C)

O ferro apresenta os arranjos CCC e CFC


na faixa de temperaturas que vai da temperatura
ambiente at a temperatura de fuso do mesmo
(15390C). O ferro a existe de -273 a 9120C e tem
estrutura cristalina CCC. Entre 768 e 9120C, o ferro
a deixa de ser magntico e, algumas vezes,
chamado de ferro b. O ferro g existe de 912 a
13940C e tem estrutura CFC. O ferro d existe de
1394 a 15390C, apresentando, novamente,
estrutura CCC. A diferena entre as estruturas
CCC do ferro a e do ferro d reside no valor do
parmetro de rede dos dois casos. Na faixa de
temperaturas mais baixa, o parmetro de rede
menor.
Um outro exemplo clssico de polimorfismo a
variao alotrpica do carbono. Este elemento

3.1.2. Estrutura
Cermicos

Cristalina

dos

Materiais

A estrutura dos materiais cermicos pode ser


extremamente complexa medida que um nmero
elevado de tomos, com diferentes funes, pode
formar a mesma. Tal estrutura, como de outros
materiais (metlicos e polimricos) determinada
pela natureza das ligaes atmicas presentes,
bem como das caractersticas dos elementos
envolvidos em tais ligaes. Na maioria dos
materiais cermicos, a estrutura resultado da
quantidade relativa de ligaes inicas e
covalentes presentes. As parcelas inica e
covalente
dependem
basicamente
da
eletronegatividade dos tomos envolvidos.
O carter inico ou covalente define, em parte, o
tipo de estrutura que o composto cermico exibe.
Como na maioria dos compostos cermicos o
carter inico predominante, a estrutura dos
mesmos determinada por dois fatores
fundamentais. No caso de compostos inicos
simples, do tipo AB, o arranjo dos ons definido
pelos seguintes fatores:
a. A relao entre os raios do ction e do
nion;

13

b. A necessidade de existir um balano de


cargas no slido inico.
Como os slidos inicos exibem tendncia a formar
estruturas altamente compactas, o limite de tal
compactao dado pela relao entre raios
inicos e pelo balano eletrosttico dos ons
envolvidos. Alm disso, para que a ligao inica
ocorra necessrio que os ctions e nions
estejam em contato.
Assim, para o caso de uma estrutura onde os
ons so iguais, fcil perceber que o nmero de
coordenao ser igual a 12 (estruturas CFC ou
HC). Se os ons so diferentes, o N.C. depender
da relao entre seus raios r/R, onde r o raio do
ction e R do nion. Existe uma relao (r/R)ideal,
onde o ajuste geomtrico perfeito, como mostra
a tabela 3.4. Quando as dimenses dos ons so
comparadas, observa-se que os nions so,
geralmente, maiores que os ctions. Este fato est
relacionado fora que o ncleo exerce em
relao a eletrosfera. Com a perda de eltrons
(gerando ctions), os eltrons restantes so
atrados em direo ao ncleo de maneira mais
forte, o que reduz o raio inico. O fenmeno
oposto, ou seja, o aumento do raio inico ocorre
com o ganho de eltrons e a formao de nions. A
tabela 3.5 exibe valores do raio inico de alguns
ctions e nions formadores de estruturas
cermicas simples.

Tabela 3.5. Raios inicos de alguns ctions e


nions.
Ction

Raio Inico
(nm)

nion

Raio Inico
(nm)

Cs+
K+
Na+

0,170
0,138
0,098

BrClF-

0,196
0,181
0,133

Ni2+
Mg2+
Mn2+

0,069
0,072
0,067

IS2O2-

0,220
0,184
0,140

Exemplos de Estrutura Cristalina dos


Materiais Cermicos

Materiais com ligaes inicas

Estrutura do NaCL

Tabela 3.4.Nmero de coordenao para as


relaes entre raios metlicos ou inicos.
Nmero de
Coordenao

Relao (r/R)ideal

0,155

0,225-0,414

0,414-0,732

0,732-1,00

12

1,00

Figura 3.12. Diagrama da ligao inica - Cloreto


de Sdio

r/R= 0,564
N.C = 6

Neste tipo de estrutura existe um nmero


equivalente de ctions e nions. O nmero de
coordenao, que obtido da relao r/R e
resulta no valor de 0,564 conforme dados obtidos
na tabela V.5, igual a 6. Como o nmero de
ctions igual ao de nions, o nmero de

14

coordenao 6 igual para ambos os ons. A


estrutura desse composto gerada a partir de um
arranjo CFC dos nions, tendo em seus
interstcios, os ctions, como mostra a figura 3.11.
Alm do NaCl, o MgO, o MnS e o LiF tambm
apresentam este tipo de arranjo estrutural.

Materiais com ligaes covalentes

3.1.3. Estrutura Cristalina dos Silicatos Os


silicatos
constituem a classe de maior importncia,
representando cerca de 25% dos minerais
conhecidos e quase 40% dos minerais comuns.
Os silicatos constituem cerca de 95% do volume
da crosta terrestre, dos quais cerca de 59,5%
so representados por feldspatos, 16,8% por
anfiblios e piroxnios, 12% por quartzo e 3,8%
pelas micas, os outros minerais (silicatos e no
silicatos)
perfazendo
o
volume
de
aproximadamente 7,9%. Dessa maneira, a
grande maioria das rochas formada por
silicatos, sendo raras as rochas magmticas,
metamrficas e sedimentares que no possuem
como minerais essenciais silicatos. Assim sendo,
impossvel classificar rochas sem possuir uma
boa base de mineralogia dos silicatos.Muitos
materiais cermicos tm estruturas do tipo
silicato. Muitos minerais que aparecem na
natureza tais como argila, feldspato, talco, micas
so silicatos.
3.1.3.1. Unidade estrutural bsica do Silicato

Figura 3.13a. Estrutura do diamante

As estruturas de silicatos restringem-se ao silcio


tetracoordenado, tetradrico, exceto em fases
estveis sob altas presses, bastante raras.
A unidade [SiO4] formada por um tomo de
silcio no centro e os tomos de oxignio nos
vrtices. Cada tomo de oxignio compartilhado
contribui com um eltron em cada ligao ao
silcio, portanto cada oxignio terminal, isto ,
no compartilhado, provoca o aparecimento de
uma carga negativa na unidade. Assim, o
4-

ortossilicato descrito como [SiO4] [1].

Figura 3.13b. Estrutura cristalina do SiO2

4-

Figura 3.14. Estrutura do ortossilicato [SiO4]

Os materiais cermicos formados estritamente


por ligaes covalentes apresentam altos pontos
de fuso e elevada dureza. Estas propriedades
so oriundas da alta fora de ligao e da
simetria da estrutura.

15

3.1.3.1. Principais estruturas dos silicatos

Estrutura Tridimensional SiO2 : Cada Silcio


est cercado por quatro oxignios e cada
oxignio est ligado por dois tetraedros.

Metassilicato ( Si2O7) -6 : Quando dois radicais


ortossilicato se ligam entre si, usando um
oxignio como ponte.
Exemplo: Ca2Mg Si2O7

Exemplo: Quartzo e Tridimita


Silcio
Oxignio

(a)

Cristobalita

(b) Tridimita

Figura 3.15. Estrutura cristalina da Cristobalita e


tridimita.
Ortossilicato (SiO4) -4 : um tomo de silcio se
liga a 4 tomos de oxignio

Figura 3.18. Estrutura do metassilicato


Piroxnios (SiO3) -2: Unidades de (SiO4) -4
unidas em cadeias
Exemplo:Mg SiO3 (enstetita)

Exemplo: Mg2SiO4 (fosterita)

Estrutura em Cadeias simples (piroxnios)

Figura 3.16. Estrutura do ortossilicato


Estrutura em cadeias duplas (anfiblios)

Figura 3.19. Estrutura dos silicatos em cadeia


simples e duplas.

16

Estrutura em Camada: Quando os trs tomos


do tetraedro (SiO4)-4 esto ligados a trs
tetraedros, formando uma
estrutura lamelar.
Exemplo: Argilominerais, talco

a- Grupo tetradrico silcio


b- Lmina tetradrica

Figura 3.20. Estrutura lamelar

3.3. Estruturas dos argilominerais

Argilominerais definio: aluminossilicatos


hidratados que podem ser dispersos em
partculas finas e desenvolvem plasticidade
quando misturados com gua.
Exemplos:
caulinita,
halloysita,
montmorillonita, mica, ilita, etc...

pirofilita,

As estruturas cristalinas dos argilominerais so


constitudas por camadas tetradricas de silcio
(tetracoordenado) e octadricas de alumnio
(hexacoordenado). Os vrtices dos grupos
tetradricos e octadricos so compostos por
tomos ou ons oxignio e por ons hidroxila, que
esto ao redor de pequenos ctions,
principalmente Si4+ e Al3+, ocasionalmente Fe3+ e
Fe2+, nos grupos tetradricos Al3+, Mg2+, Fe2+,
Fe3+, Ti4+, ocasionalmente Cr3+, Mn2+, Zn2+, Li+,
nos grupos octadricos, geralmente com um certo
grau
de
substituio
isomrfica.
Essas
substituies isomrficas so responsveis pelo
excesso de cargas eltricas negativas na
superfcie das plaquetas.

c- Grupo octadricos alumnio


d- Lmina octadricas

Figura 3.21. Modelo esquemtico da camada


estrutural bsica de uma argila

Modelo estrutural de um argilomineral tipo 1:1.

17

Tipo: Silicatos de alumnio anidros


Composio:
K2OAl2O36SiO2 (ortoclsio) K2OAl2O36SiO2
(albita), CaOAl2O32SiO2 (anortita)
Reaes:
800-1000C apresenta uma composio prxima
do euttico (ortoclsio, feldspato potssico)

Figura 3.22. Modelo estrutural de um


argilomineral tipo 1:2.

Propriedades e aplicao:
Fundentes, insolveis em gua, formadores de
fase vtrea em corpos cermicos e esmaltes

3.1.4. Estrutura dos principais argilominerais


Tabela 3.7. Formulas qumicas dos feldspatos
Caulinita

Tipo: Silicato de alumnio hidratado de estrutura


lamelar, argilomineral. Estrutura 1:1

Mineral

Frmula qumica
(estrutural ou em xidos)

Ortoclsio

K(AlSi3)O8 ou 1/2K2O1/2Al2O33SiO2

Albita

Na(AlSi3)O8 ou 1/2Na2O1/2Al2O33SiO2

Anortita

Ca(Al2Si2)O8 ou CaOAl2O32SiO2

Composio: Al 2(Si2O5)(OH)4
Reaes:
>500C se decompe em
metacaulinita, Al2O32SiO2
>900C forma mulita, 3Al2O32SiO2, e
alumina
>1150C forma cristobalita
Propriedades e aplicao:
Plasticidade na etapa de conformao

7,1

Figura 2.24. Estrutura da caulinita

18

3.2. CRISTALOGRAFIA E DETERMINAO DE


ESTRUTURAS CRISTALINAS

3.2.1. Posies, Direes e Planos em Cristais


Freqentemente, necessrio identificar posies,
direes e planos em um cristal. Isto
particularmente importante no caso de metais e
suas ligas, que apresentam propriedades que
variam com a orientao cristalogrfica. Por
exemplo, a existncia de determinados conjuntos
de planos e direes definidos como compactos,
desempenham importante papel durante a
deformao plstica de metais. A existncia de
propriedades
dependentes
da
orientao
cristalogrfica resulta na necessidade de se
determinar posies, direes e planos em um
cristal.

Posies em Cristais Cbicos


A localizao de posies atmicas em uma clula
unitria de um cristal cbico obtida pelo uso de
um sistema de eixos cartesiano. Em cristalografia,
o eixo x a direo perpendicular ao plano do
papel, o eixo y a direo direita do papel e o
eixo z a direo para cima, como mostra a figura
3.29. As direes negativas destes eixos so
opostas s direes mencionadas. As posies
atmicas em uma clula unitria so definidas pelo
uso de unidades de distncias ao longo dos eixos
x, y e z. Por exemplo, as coordenadas das
posies atmicas em uma clula CCC so
mostradas na figura 3.29. As posies dos tomos
nos oito vrtices do cubo tm as coordenadas:
(0,0,0), (1,0,0), (0,1,0), (0,0,1), (1,1,1), (1,1,0),
(1,0,1) e (0,1,1).

figura 3.29- Posies atmicas de uma clula


CCC
Direes em Cristais Cbicos
No sistema cbico, as direes cristalogrficas so
obtidas a partir das componentes da direo em
questo, tomadas nos trs eixos cartesianos. Para
indicar esquematicamente uma direo em uma
clula unitria, desenha-se um vetor que parte da
origem e atinge a posio definida pelas
coordenadas consideradas. Assim, para se obter
uma direo em um cristal, deve-se observar que:
a. Os eixos cristalinos so utilizados como
direes bsicas;
b. As coordenadas de um ponto so
medidas em relao ao parmetro de cada eixo e
assim, no representam valores reais de distncia;
c. A direo [222] idntica direo [111]
e dessa forma, a combinao dos menores
nmeros inteiros deve ser utilizada;
d. As direes negativas so indicadas
com um trao sobre o ndice;
e. Uma direo representada por ndices
entre colchetes.
Por exemplo, considerando a figura 3.30, as
coordenadas do vetor OR, que passa pela origem
so (1,0,0). Assim, a direo do mesmo passa a
ser [100]. As coordenadas do vetor OT so (1,1,1)
e sua direo dada por [111].

19

famlia de planos, como a dos que passam pelas


faces do cubo ou (100), (010), (001), etc,
representada pela notao {100}. Da mesma
forma, a famlia de planos que dividem o cubo em
duas partes iguais dada por {110}.

Planos em Cristais Cbicos


Figura 3.30 Direes em clulas unitrias cbicas
Planos em Cristais Cbicos
Em determinadas situaes necessrio definir
planos atmicos dentro de uma estrutura cristalina.
Para identificar planos cristalinos em cristais
cbicos, o sistema de notao dos ndices de Miller
deve ser utilizado. Os ndices de Miller de um plano
cristalino so definidos como sendo os inversos
das coordenadas de interceptao do plano com os
eixos x, y e z. O procedimento bsico para
determinar os ndices de Miller para um cristal
cbico so:
a. Escolha de um plano que no passe pela
origem (0,0,0);
b. Determinao
dos pontos de
interceptao do plano com os eixos x, y e z;
c.
Obteno
dos
inversos
das
interceptaes;
d. Obteno dos menores nmeros inteiros
para representar o plano;
e. Apresentao dos ndices obtidos entre
parnteses.
Genericamente, as letras h, k e l so
usadas para indicar os ndices de Miller de um
plano, o que resulta em (hkl). A figura 3.31 mostra
trs dos mais importantes planos das estruturas
cbicas. Considerando o plano indicado na figura
3.31..a, nota-se que o mesmo intercepta x em 1, y
em e z tambm em . Tomando os inversos
pode-se obter os ndices de Miller, que resulta em
(100). Como estes ndices no envolvem fraes,
os mesmos so usados para representar o referido
plano. Considerando o plano da figura 3.31.b.,
observa-se que o mesmo intercepta os eixos em 1,
1 e . Os inversos fornecem 1, 1 e 0, que resultam
em (110). Finalmente, o plano apresentado pela
figura 3.31.c intercepta os eixos em 1, 1 e 1, que
resulta nos ndices de Miller (111).
Quando necessrio representar um
conjunto de planos equivalentes dentro de um
cristal, so utilizadas as famlias de planos. Uma

Em determinadas situaes necessrio definir


planos atmicos dentro de uma estrutura cristalina.
Para identificar planos cristalinos em cristais
cbicos, o sistema de notao dos ndices de
Miller deve ser utilizado. Os ndices de Miller de
um plano cristalino so definidos como sendo os
inversos das coordenadas de interceptao do
plano com os eixos x, y e z. O procedimento
bsico para determinar os ndices de Miller para
um cristal cbico so:
a. Escolha de um plano que no passe
pela origem (0,0,0);
b. Determinao
dos pontos de
interceptao do plano com os eixos x, y e z;
c.
Obteno
dos
inversos
das
interceptaes;
d. Obteno dos menores nmeros inteiros
para representar o plano;
e. Apresentao dos ndices obtidos entre
parnteses.
Genericamente, as letras h, k e l so
usadas para indicar os ndices de Miller de um
plano, o que resulta em (hkl). A figura 3.31 mostra
trs dos mais importantes planos das estruturas
cbicas.

,1,
0, 1, 0
(010)

11,
1, 1, 0
(110)

1 ,1, 1
1, 1, 1
(111)

Figura 3.31.- Principais planos das estruturas


cbicas: (010), (110) e (111)

20

Densidade Atmica em Cristais


Dentre os planos e direes de um cristal, alguns
revelam ser mais compactos, ou seja, possuem
mais tomos por unidade de comprimento ou de
rea. Assim no sistema CS, as direes mais
compactas so as da famlia <100> e os planos
mais compactos so os da famlia {100}.
A definio de uma direo compacta envolve a
definio de densidade linear de tomos. Esta
densidade obtida determinando o nmero de
tomos que efetivamente esto contidos em um
determinado comprimento. Assim, a densidade
linear da famlia de direes <100>, no sistema CS
(figura 3.33) igual a:

Fi
gura 3.32. Plano e direo 100 da estrutura cbica

D linear

1
1
+
n o de atomos
1
2
2
=
=
=
comprimento
a
a
(III.9)

Da mesma forma, um plano compacto


determinado calculando-se o nmero de tomos
que efetivamente ocupam uma certa rea. Assim, a
densidade planar de tomos da famlia de planos
{100}, no sistema CS (figura 3.33 igual a:)

simples

Os planos e direes compactos so importantes


porque desempenham papel significativo no
estudo da deformao plstica de metais. Os
tomos de um cristal solicitado mecanicamente
escorregam ao longo de planos compactos,
seguindo direes compactas.

3.2.2. Anlise de Estruturas Cristalinas


Dplanar

1
1
1
1
+
+
+
n o de atomos
4
4
4
4 = 1
=
=
area
a2
a2

Grande parte do conhecimento adquirido sobre


estruturas cristalinas resultado da utilizao de
tcnicas de difrao de raios-X. Estas tcnicas
permitem obter informaes detalhadas sobre
dimenses, presena de defeitos e orientao da
rede cristalina. O uso do raios-X no estudo de
cristais deve-se ao fato de que esta radiao tem
comprimento de onda prximo aos valores de
distncias entre planos cristalinos.
A utilizao de raios-X iniciou-se logo em
seguida a sua descoberta em 1895, por
Roentgen. Apesar de, naquela poca, a natureza
desta radiao no ser conhecida em detalhes
(razo do nome "raios-X"), o raios-X foi ento,
aplicado em estudos da estrutura interna de
materiais opacos (radiografia) devido ao seu alto
poder de penetrao. Desde aquela poca, esta
radiao era conhecida por propagar-se em linha
reta, sensibilizar filmes fotogrficos e apresentar
velocidade de propagao definida. Os raios-X
empregados em tcnicas de difrao so ondas
eletromagnticas com comprimento de onda na
faixa de 0,05 a 0,25nm (0,5 a 2,5 ). Como

21

comparao, o comprimento de onda da luz


visvel da ordem de 600nm (6.000 ).

3.2.2.1. Obteno de Raios-X


A obteno de raios-X para difrao envolve a
aplicao de tenses da ordem de 35kV entre um
catodo e um anodo, dentro de um sistema
apresentando alto vcuo. A figura 3.33 mostra um
diagrama esquemtico de um equipamento de
raios-X.

Figura 3.33. Diagrama esquemtico de um


sistema de gerao de raios-X.
O funcionamento do mesmo bastante
simples: Ao ser aquecido, o filamento de
tungstnio (catodo) libera eltrons por emisso
termo-inico. Devido elevada diferena de
potencial (35kV), os eltrons liberados so
acelerados,
ganham
energia
cintica
e
movimentam-se
em
direo
ao
anodo
(molibdnio). Ao colidirem com o anodo, tais
eltrons provocam a emisso de raios-X.
Entretanto, em torno de 98% da energia cintica
dos eltrons transformada em calor, o que torna
necessrio o emprego de um sistema de
refrigerao do anodo.

3.2.2.2. Difrao de Raios-X


Em 1912, a partir da teoria eletromagntica da
luz, foi possvel prever que o raios-X podia ser
difratado por estruturas cristalinas. Este fato foi
inicialmente implementado experimentalmente na
investigao da estrutura cristalina do NaCl, KCl e
KBr. At aquela poca, a estrutura cristalina de
metais era desconhecida.

Se um feixe de raios-X monocromtico


(freqncia nica) incide sobre um tomo
isolado, eltrons do mesmo so excitados e
vibram com a mesma freqncia do feixe
incidente. Tais eltrons em vibrao emitiro
raios-X em todas direes com a mesma
freqncia do feixe incidente. Assim, o tomo
isolado espalha o feixe incidente em todas as
direes. Entretanto, quando o mesmo feixe
incide sobre um conjunto de tomos ordenados,
como o caso da estrutura cristalina e se este
feixe monocromtico tiver comprimento de onda
com valor semelhante aos espaamentos entre
tais tomos, ento ocorrer interferncia
construtiva em algumas direes e destrutiva em
outras. A figura 3.34 ilustra casos de interferncia
destrutiva (figura 3.34.a) e construtiva (figura
3.34.b).
Observando esta mesma ilustrao
(figura III.19.c), nota-se que a interferncia
construtiva de dois raios monocromticos (raio 1
e 2) ocorrer quando os mesmos permanecerem
em fase. Isto acontecer quando o raio 2
percorrer
uma
distncia
extra
MP+PN,
equivalente
a
um
nmero
inteiro
de
comprimentos de ondas (l). Ento:

nl = MP + PN
(IIII.11)
onde n=1,2,3,... e chamado ordem de difrao.
Como MP e PN so iguais a dhlksenq, onde dhlkl
a distncia entre dois planos com ndices (hkl), a
condio necessria para ocorrer interferncia
construtiva dever ser:

nl = 2 d hkl senq
(III.12)
Esta equao conhecida como lei de Bragg e
relaciona comprimento de onda (l) e ngulo do
feixe (q) de raios-X incidente e distncia
interplanar dhkl. Como na maioria dos casos a
ordem de difrao 1, a lei de Bragg torna-se
igual a:

l = 2 d hkl senq

(III.13)

A tabela 3.8 apresenta a relao entre


espaamento interplanar (dhkl), parmetros da
clula unitria (a, b, c), ngulos a (entre os eixos
y e z), b (entre os eixos x e z) e g (entre os

eixos x e y) e planos cristalinos (h k l).

22

Tabela 3.8 Relao entre parmetros de difrao


de raios-X e os de planos cristalinos.
RELAO

SISTEMA
CRISTALINO
CBICO

TETRAGONAL

1
d2

HEXAGONAL

2 +
k 2 + l 2 Um cruzeiro
= h
a2

1
d

2 +
2
2
= h 2 k + l 2 Dois cruzeiros
a
c

4 h 2 + hk + k 2
l2

+ 2 Trs
2
3

a
c

cruzeiros

a- raios refletidos no em fase, por isto no


haver reflexo, interferncia destrutiva.

b- raios refletidos em fase, por isto haver


reflexo, interferncia construtiva.

3.2.2.4. Anlise De Estruturas Cbicas


Um ensaio de raios-X executado com o
emprego de um dispositivo denominado de
gonimetro, conforme mostra a figura III.20.
Nesse equipamento, a amostra colocada no
ponto O e girada para que o ngulo de
incidncia do feixe de raios-X (T) seja variado.
O feixe de raios-X difratados medido atravs do
detector C. Em funo das caractersticas de um
gonimetro, em geral, o ngulo de difrao
medido como 2q. A figura 3.36 apresenta um
difratograma resultante de um ensaio de raios-X
do tungstnio. A intensidade de difrao maior
para os planos de alta densidade de tomos.
Como, geralmente, a distncia entre planos
compactos grande, a anlise da equao III.13,
permite concluir que os planos de maior
intensidade de difrao correspondem a baixos
ngulos.
Na anlise de estruturas cbicas, apenas
alguns planos podem provocar difrao. No caso
das estruturas CCC, a difrao possvel
quando a soma dos ndices de Miller resulta em
um nmero par. Para as estruturas CFC, a
difrao ocorre quando todos os ndices so
pares ou todos so impares. A tabela III.4 mostra
os planos de difrao nas estruturas cbicas.
Tabela 3.9. Famlia de planos em estruturas
cbicas que provocam difrao.
Planos
I. Miller (h2+k2+l2)
Planos de Difrao
{hkl}
CCC
CFC
{100}
1
{110}
2
1
{111}
3
1
{200}
4
2
2
{210}
5
{211}
6
3
{220}
8
4
3
{221}
9
{310}
10
5

Figura 3.34. Reflexo de raios-X de natureza


monocromtica por planos de um cristal.

23

Como l e a so constantes, ento:

h 1 2 + k 1 2 + l1 2
sen 2 q1
=
sen 2 q 2
h 2 2 + k 2 2 + l2 2

Amostra

(III.16)
Onde q1 e q2 esto associados aos
principais planos de difrao. A aplicao da
equao III.16 associada tabela III.4 permite
prever que os dois primeiros planos de uma
estrutura CCC resulta no valor sen2q1/sen2q2=0,5.
No caso das estruturas CFC, a relao
sen2q1/sen2q2=0,75.

Fonte

Detector

Exemplo de Exerccios:

Figura. 3.35. Gonimetro empregado em ensaios


de difrao de raios-X

A tcnica de difrao de raios-X pode ser


facilmente empregada para diferenciar estruturas
CCC e CFC. Analisando a tabela 3.9, observa-se
que para as estruturas cbicas vale a relao:

Um espectro de difrao de raios-x de um


elemento com estrutura cristalina apresentam os
seguintes picos de difrao para os seguintes
valores de ngulo:

1
h2 + k 2 + l2
=
d2
a2
(III.14)

Pico

ngulo de
difrao (2q)

1o

40,00

2o

58,00

3o

73,00

4o

86,8

Obs : Comprimento de onda l = 0,154056 nm

Intensidade do feixe

12000
10000
8000
6000
4000
2000

Figura 3.36.
tungstnio

Difratograma

de

raios-X

do

Combinando as equaes III.13 e III.14 e


elevando ambos os lados ao quadrado, pode-se
obter:

sen 2 q =

l2
h 2 + k 2 + l2
2
4a

(III.15)

0
0

20

40

60

80
100
120
Angulo de Difrao 2O

Com base nos dados acima determine:


1 - a estrutura cristalina
2 - a distancia interplanar entre do 1o Pico
3 - o parmetro de rede(aresta)
4- o raio do metal
5- o metal

24

1 Para determinar a estrutura devemos calcular a


relao entre o quadrado do seno do ngulo do 1
pico com o quadrado do 2.
2q

Pico

Comparando o raio calculado com uma tabela de


raio atmico, observamos que o metal o
tungstnio.
3.2.2.4. Identificao de minerais

40,00

58,00

20

Para identificar um mineral ou argilomineral

29

devemos comparar os picos do difratograma com


padres conhecidos. O difratograma uma

36

73,00

digital do material.
Os trs picos mais intensos so utilizados para

(sen 20)2 = 0,117


(sen29)2
0,235

= 0,498 = 0,5

iniciar o procedimento de identificao, na sua


ordem de intensidade, comparando-os com

A estrutura CCC pois o quociente 0,50.

dados dos arquivos PDF (powder difraction file


do ICDD, International Centre for Diffraction

2-Utilizando

esta

equao

l = 2 d hkl senq ,

podemos determinar a distncia interplanar

dhkl =

uma substncia, as posies e intensidades dos


demais picos so comparadas com as do
arquivo.

. l .
2.senq

d110=

Data, www.icdd.com). Se elas coincidirem com

0,154056 nm = 0,225 nm
2.sen 20

3- Para calcular o parmetro de rede(aresta)


devemos utilizar a formula:
1
h2 + k 2 + l 2
=
d2
a2

a = dhkl. (h2 + k2 +l2) 0,5


O valor de h , k e l, determinado na tabela 3.9 na

Figura 3.8. Difratograma de raios-x do BaSO4

pagina 23.
2

2 0,5

a = 0,225.(1 +1 +0 )

a= 0,225.(2) 0,5 = 0,3185nm


a= 4R/ 30,5
R= a. 30,5 = 0,318. 1,732 = 0,1377nm
4
4

25

Tabela 3.10- Distancia Interplanar dos picos de


identificao de alguns minerais e argilominerais.
distancias interplanares difratadas

Mineral
Caulim
Ilita 2m
Moscovita
Ilita 1m
Vermicosita
Albita
Ortoclase
Leocita
Nefekina
Corderita
Calcita
Mulita
Dolomita
Magnetita
Talco
Montimorilonita
Wolastonita
Arnotita
Quartzo
Cristobalita
Tridimita
Fosterita
Esteatita

d
7,13
2,56
10,1
4,43
14,2
3,18
3,31
3,27
3
4,13
3,04
3,39
2,89
2,74
9,35
13,6
2,98
2,85
3,34
4,05
4,27
2,46
2,87

int
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x

d
3,56
4,49
3,36
2,56
1,53
3,75
3,77
3,44
3,83
8,54
2,29
3,43
2,19
2,1
1,53
4,47
3,32
1,75
4,26
2,49
4,08
3,88
3,17

int
x
7
x
6
7
3
8
9
8
8
2
x
5
5
6
2
3
4
4
2
9
7
8

d
int
4,41 6
3,35 7
4,49 9
3,66 8
4,57 6
3,21 3
4,22 7
5,38 8
3,26 8
8,45 8
2,1 2
2,21 6
1,79 4
1,7 4
4,59 5
3,34 1
3,52 2
3,07 3
1,82 2
2,84 1
3,8 9
2,51 7
3,15 5

26

CAP IV - IMPERFEIES DA ESTRUTURA


CRISTALINA
4.1. INTRODUO
Durante a solidificao, os Materiais sofrem o
rearranjo de seus tomos que determina a
estrutura cristalina dos mesmos. Dependendo do
modo com que o lquido transforma-se em slido,
podem ocorrer defeitos no empilhamento e
organizao dos tomos,
resultando em
imperfeies estruturais. O tipo e a quantidade
destas imperfeies afetam decisivamente algumas
propriedades e o comportamento dos materiais
cristalinos.
Com exceo de alguns poucos produtos
conformados por sinterizao (metalurgia do p),
todos
os
produtos
metlicos
passam
necessariamente pelo processo de solidificao,
em algum estgio de sua fabricao. Em geral, o
processo de solidificao pode ser dividido em
duas etapas:
a. Formao de embries de cristais
estveis dentro do lquido ou etapa de nucleao,
como mostra figura 4.1;
b. Transformao dos ncleos em cristais,
ou etapa de crescimento.

crescimento no-controlados. O primeiro caso


envolve situaes onde existe a necessidade de
se produzir um slido, onde a caracterstica
principal do mesmo a qualidade do arranjo
cristalino. Esta situao geralmente encontrada
na obteno de insumos bsicos para
microeletrnica, onde a necessidade de
monocristais perfeitos de silcio, acineto de glio,
etc, fundamental.
4.2. Imperfeies Estruturais
As estruturas cristalinas analisadas at aqui
apresentam como caracterstica bsica, arranjos
cristalinos muito bem definidos. Entretanto, os
cristais observados na prtica nunca so
totalmente perfeitos, exibindo defeitos de
diversas naturezas. Tais imperfeies afetam
diretamente vrias caractersticas dos materiais,
como os parmetros envolvidos na deformao
plstica,
na
condutividade
eltrica
de
semicondutores, na corroso em metais e em
processos de difuso atmica.
As imperfeies presentes em estruturas
cristalinas podem ser de trs tipos bsicos, quais
sejam:
defeitos pontuais;
defeitos em linha;
defeitos de superfcie.
4.2.1. Defeitos Pontuais
Os cristais podem apresentar defeitos em pontos
isolados de sua estrutura, dando lugar s
imperfeies de ponto.
Dentre as imperfeies pontuais, as mais
importantes so:
vacncias ou vazios;
tomos intersticiais;
tomos substitucionais..

Figura 4.1 Nucleao


estruturas cristalinas.

crescimento

das

A transformao lquido/slido e a conseqente


formao da estrutura cristalina observada na
prtica em duas situaes diferentes, quais sejam:
solidificao com nucleao e crescimento
controlados e solidificao com nucleao e

O tipo de defeito mais simples a vacncia. As


vacncias so vazios pontuais causados pela
ausncia de tomos em algumas posies da
rede cristalina, como mostra a figura 4.2. Este
tipo de defeito pode ser produzido durante o
processo de solidificao, como resultado de
perturbaes locais no crescimento do cristal.
Uma outra causa destas imperfeies o
rearranjo atmico de um cristal j existente,
devido mobilidade de seus tomos. Nos metais,
a concentrao de vacncias raramente passa
de 1 para cada 104 tomos. As vacncias podem

27

ainda ser resultantes da deformao plstica, do


resfriamento rpido e do bombardeamento da
rede cristalina por partculas atmicas, como

nutro

Figura 2.1. Defeito pontual - Vacncia


Em cristais inicos, os defeitos pontuais exibem
carter mais complexo devido necessidade de
manter a neutralidade eltrica do sistema. Mesmo
assim, pode-se observar defeitos estruturais, como
o caso em que dois ons de cargas opostas
perdidos dentro da estrutura entram em contato,
criando uma vacncia dupla. Este tipo de defeito
conhecido como imperfeio de Schottky. Quando
um on positivo move-se para uma posio
intersticial do cristal inico, uma "vacncia ction"
criada, conhecida como imperfeio de Frenkel. Os
defeitos de Schottky e Frenkel so mostrados na
figura 4.3 A presena dos defeitos de Schottky e
Frenkel em cristais inicos aumenta a
condutividade eltrica dos mesmos.

Figura 4.4. Defeitos de Frenkel e Schottky.

Uma outra classe de defeitos so os tomos


substitucionais e intersticiais estranhos rede
cristalina.
Os
tomos
intersticiais
so
imperfeies causadas pela presena de tomos
estranhos nos interstcios da rede cristalina e os
tomos substitucionais so defeitos provocados

pela existncia de tomos estranhos nos prprios


vrtices da rede cristalina, em substituio aos
tomos que al deveriam estar se no existissem
vacncias. Defeitos dessa natureza podem
modificar
o
comportamento
de
certas
propriedades. Por exemplo, a presena de uma
quantidade muito pequena de tomos estranhos
rede cristalina do silcio pode afetar, de modo
significativo, a condutividade eltrica do mesmo.
Estes dois tipos de defeitos pontuais so
freqentemente observados durante a formao
das ligas metlicas, na forma de solues slidas.
Na maioria das aplicaes de engenharia,
a necessidade de propriedades especficas, faz
com que o uso de materiais metlicos nem sempre
esteja restrito aos metais puro. Na verdade,
apenas em um nmero bastante limitado de
aplicaes, os metais podem ser encontrados na
forma pura ou quase pura. Por exemplo, o cobre
de alta pureza (99,99%) usado na confeco de
fios eltricos devido a sua elevada condutividade
eltrica. O alumnio superpuro (99,99%) usado
na fabricao de objetos decorativos, pois o
mesmo permite obter uma superfcie melhor
acabada. Por outro lado, a maioria dos materiais
metlicos usados em engenharia, esto
combinados com outros metais ou no-metais.
Estas combinaes, denominadas de ligas
metlicas, tm o objetivo de aumentar a
resistncia mecnica, a resistncia corroso ou
melhorar outras propriedades.
Uma liga metlica, ou simplesmente uma
liga, a mistura de dois ou mais metais ou metais
e no-metais. Estas ligas podem ter estruturas
relativamente simples, como a de uma pea de
bronze. O bronze essencialmente uma liga
binria (dois metais), contendo 70% em peso de
Cu e 30% em peso de Zn. Por outro lado, certas
ligas podem ser extremamente complexas como
as superligas base de nquel, denominadas
comercialmente de Inconel 718 e usadas na
confeco de peas de motores a jato. Estas ligas
contm nominalmente em torno de 10 elementos.
Um outro exemplo de liga metlica pode ser
observado no ao, onde as estruturas CFC e CCC
do ferro abrigam tomos de carbono. Esta
combinao
permite
obter
um
material
extremamente verstil, com aplicaes bastante
diversificadas.
O tipo mais simples de liga metlica
aquele que forma uma soluo slida. Uma
soluo slida um slido que consiste de dois ou
mais elementos atomicamente dispersos em uma

28

estrutura monofsica. Em geral existem dois tipos


de solues slidas: substitucional e intersticial.
Nas solues slidas substitucionais
formadas por dois elementos, os tomos do soluto
podem ser substitutos dos tomos do solvente na
rede cristalina. Na figura 3.4 mostrado um plano
(111) de um cristal CFC contendo tomos do soluto
substituindo os tomos do solvente. Neste caso, a
estrutura do solvente no alterada, sendo comum
a distoro da rede cristalina, j que os tomos do
soluto nem sempre exibem o mesmo dimetro
atmico dos tomos do solvente.
A frao de tomos de um elemento que
pode ser dissolvida em outro, definida como
solubilidade. O termo solubilidade significa a
quantidade de um certo material A (soluto) que
pode ser dissolvido em outro B (solvente) e varia
de um valor muito pequeno, prximo de zero, at
100%. A solubilidade dada em "% peso" e "%
atmica".
Assim, uma liga cobre-zinco com 20% em
peso de zinco, possui, em 100 gramas da liga, 20
gramas de zinco e 80 gramas de cobre. Do mesmo
modo, uma liga com 20% em tomos de zinco
apresenta em cada 100 tomos de liga, 20 tomos
de zinco e 80 tomos de cobre. Como as
densidades dos materiais so diferentes,
evidente que 20% de zinco em peso no
correspondem a 20% de zinco em tomos.
Para o caso de formao de uma soluo slida
substitucional, a solubilidade de um elemento em
outro ser elevada, desde que as seguintes
condies sejam satisfeitas:
a. Os raios dos tomos dos dois elementos
no devem diferir em mais de 15%;
b. A estrutura cristalina dos dois elementos
deve ser a mesma;
c. No deve existir diferena significativa
entre a eletronegatividade dos dois elementos,
assim compostos no sero formados;
d. Os dois elementos devem ter a mesma
valncia.
Na tabela 4.1 observa-se que a facilidade
de um elemento dissolver-se em outro, maior se
o seu dimetro for prximo do dimetro do
solvente, no caso o cobre.

Tabela 4.1. Solubilidade de elementos CFC no


cobre, em funo de seus raios atmicos.
SOLUTO

SOLVENT
E

RELAO
DE RAIOS

SOLUBILIDAD
E
%
% AT
PESO

Ni (CFC)

Cu (CFC)

1,24 =0,98

100

100

19

1,27
Al (CFC)

Cu (CFC)

1,43=1,12
1,27

Ag (CFC)

Cu (CFC)

1,44=1,14
1,27

Pb (CFC)

Cu (CFC)

1,75=1,37
1,27

Figura 3.4. Plano (111) de um cristal CFC com o


soluto substituindo o solvente.

O soluto intersticial o que fica nos "vos" da


matriz. Estes vos ou vazios so chamados de
interstcios. As solues slidas intersticiais so
formadas quando um tomo muito maior que o
outro. Por exemplo, o ferro a 10000C apresenta
estrutura CFC com o maior vo de dimetro igual
a 1,0 . Assim estes "buracos" abrigam facilmente
o hidrognio (d=0,9 ), o boro (d=0,92 ) e com
certa dificuldade, o carbono (d=1,5 ). Entretanto,
apesar dessa diferena, um mximo de 2,08 % em
peso de carbono pode ser dissolvido
intersticialmente no ferro a 11480C. A figura 4.5
ilustra esquematicamente a distoro da rede
cristalina do ferro quando o carbono ocupa
posies intersticiais na mesma. Na figura 4.6 so
apresentadas as estruturas CFC e CCC do ferro,

29

com os interstcios tetradricos e octadricos.


Apesar da clula unitria CCC apresentar diversos
vos, a solubilidade de carbono no Fe maior em
clulas CFC, pois as mesmas concentram o
espao vazio da clula, nos vos octadricos.

Figura 3.5. Diagrama esquemtico de uma soluo


slida de carbono em ferro CFC, mostrando o
plano (100). Note a distoro da rede cristalina do
ferro.

4.3. Defeitos Lineares (Discordncias)


Os cristais podem apresentar defeitos alinhados e
contnuos em sua estrutura, dando origem s
imperfeies de linha. Os defeitos de linha,
tambm chamados de discordncias so defeitos
que causam a distoro da rede cristalina em torno
de uma linha e caracterizam-se por envolver um
plano extra de tomos. Estas imperfeies podem
ser produzidas durante a solidificao, na
deformao plstica de slidos cristalinos ou ainda
como resultado da concentrao de vacncias.
A presena deste defeito a responsvel pela
deformao, falha e rompimento dos materiais
A quantidade e o movimento das discordncias
podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos, podendo desta forma endurecer os
materiais metlicos.
Os trs principais tipos de defeitos em linha so
conhecidos como: discordncia em cunha,
discordncia em hlice e discordncia mista.
4.3.1. Discordncia em Cunha
Ocorre pela interrupo de um plano atmico
como mostra a figura 4.7.
A distncia de deslocamento dos tomos ao redor
da discordncia denominada de vetor de Burgers
(b) e neste caso esse vetor perpendicular linha
de discordncia.

Figura 4.6. Interstcios da estrutura do Fe CFC e


CCC. (+) octadrico e () tetradrico.

Figura 4.7. Ilustrao de uma discordncia em


cunha, que ocorre pela interrupo de um plano
atmico. A letra b corresponde ao vetor de
Burgers.

30

4.3.2. Discordncia em Hlice

discordncias apresentam uma nica linha de


discordncia.

Uma discordncia helicoidal quando o


empilhamento feito como se fosse uma mola.
Neste caso, o vetor de Burgers paralelo linha
de discordncia, conforme mostra a figura 4.8.

Figura 4.9. Discordncia mista, que produzida


durante a solidificao do material ou quando se
aplica uma tenso cisalhante sobre o mesmo. A
discordncia mista formada por uma
discordncia em cunha associada a uma
discordncia em hlice.

4.4. Defeitos de Superfcies

Figura 4.8. Discordncia em hlice. O vetor de


Burgers paralelo linha de discordncia.
4.3.3. Discordncia Mista (Cunha + Hlice)

Os cristais tambm apresentam defeitos que se


estendem ao longo de sua estrutura, formando
superfcies e denominados de imperfeies de
superfcie.
Esse tipo de imperfeio cristalina pode ser de trs
tipos:
superfcies livres;
contornos de gro;
maclas.

As discordncias so produzidas durante


solidificao do material ou quando aplicada uma
tenso cisalhante sobre o mesmo, como mostra a
figura 4.9. A discordncia mista formada por uma
discordncia em cunha associada a uma
discordncia em hlice. Neste caso, as duas

31

4.4.1. Superfcies Livres

Apesar de serem consideradas o trmino da


estrutura cristalina, as superfcies externas de um
cristal so consideradas defeitos cristalinos, j que
o nmero de vizinhos de um tomo superficial no
o mesmo de um tomo no interior do cristal
(figura 4.10). Os tomos superficiais possuem
vizinhos apenas de um lado, tem maior energia e
assim, esto ligados aos tomos internos mais
fragilmente.

Figura 4.10. Apesar de ser considerada o trmino


da estrutura cristalina, as superfcies externas de
um cristal so consideradas defeitos cristalinos, j
que o nmero de vizinhos de um tomo superficial
no o mesmo de um tomo no interior do cristal.

4.4.2. Contornos de Gro

Uma barra de cobre puro, embora contenha um


nico elemento, possui vrios gros, ou seja,
regies onde a estrutura cristalina tem a mesma
orientao. Durante a solidificao, vrios ncleos
slidos surgem no interior do lquido, como
apresentado na figura 4.11.
Numa fase seguinte, denominada de crescimento,
estes ncleos crescem e se juntam, formando
nestas "juntas", uma regio conhecida como
contorno de gro. Como os diversos gros no
apresentam necessariamente a mesma orientao
cristalogrfica, como pode ser visto na figura 4.12,
o encontro dos mesmos cria superfcies de contato
dentro do cristal.

Figura 4.11. Formao de um material


policristalino: (a) Etapa de nucleao; (b) Etapa de
crescimento; (c) Material policristalino.

Figura 4.12. Os gros de um material policristalino


no apresentam uma mesma orientao
cristalogrfica.

O tamanho de gro de um material policristalino


importante ser conhecido, j que o nmero de
gros tem papel significativo em muitas
propriedades dos materiais, especialmente na
resistncia mecnica. Em baixas temperaturas, at
metade da temperatura de fuso do material, os
contornos de gro aumentam a resistncia do
material atravs da limitao do movimento de
discordncias. Em altas temperaturas pode ocorrer
o escorregamento de contornos de gro ou seja o
mecanismo de deformao plstica nestas
temperaturas o de fratura intergranular. Este
mecanismo um dos responsveis pela queda da
resistncia mecnica do material em temperaturas
elevadas. Na produo de peas submetidas a
temperaturas mais prximas a de fuso do
material, como o caso de turbinas de avio, so
utilizados processos de fundio com crescimento
direcional e controlado. Isto permite obter um

32

slido com um nmero de gros pequeno e


indicado para temperaturas de trabalho elevadas. A
tabela 4.2 apresenta a padronizao do tamanho
de gro cristalino segundo a ASTM. Nesta tabela, o
nmero do tamanho de gro pode ser determinado
pela equao:

N = 2 n-1

(IV.1)

microscpio devido a menor capacidade de


reflexo de luz da mesma (figura 4.14).
Tabela 4.2. Tamanho de gro segundo a ASTM.
Nmero do
Tamanho de

onde n um nmero inteiro definido como o


nmero do tamanho de gro da ASTM (American
Society for Testing and Materials) e N o nmero
de gros por pol2, em um material polido, atacado
quimicamente e observado com o aumento de
100X. A figura 4.13 mostra micrografias de ao
baixo carbono, atacado com NITAL (H2NO3 e
lcool) e o respectivo tamanho de gro segundo a
ASTM.

Quantidade Mdia de
Gros

Gro (n)

Por mm2 X
1

Por pol2 X
100

15,5

1,0

31,0

2,0

124

8,0

496

32,0

10

7940

512

O contorno gro tem tomos fragilmente


interligados e assim, em tal local mais fcil
"arrancar" os tomos da estrutura cristalina em
comparao com o interior do gro.

Figura 3.13. Micrografias de ao baixo carbono,


atacado com Nital (H2NO3 + lcool) e o respectivo
tamanho de gro segundo a ASTM (X 100):

Figura 4.14. A regio do contorno de gro aparece


mais escura no microscpio devido menor
capacidade de reflexo de luz da mesma.
(a) material no atacado quimicamente
(b) material atacado quimicamente monofsico
(c) material atacado quimicamente difsico

Como os contornos de gro so regies onde os


tomos esto fragilmente ligados uns aos outros, a
ao de um ataque qumico permite revelar o
mesmo, pois nestes pontos mais fcil "arrancar"
os tomos, em comparao com regies no interior
do gro, como mostra a figura 4.13. A regio do
contorno de gro aparece mais escura no

33

4.4.3. Maclas
As maclas constituem um outro tipo de defeito de
superfcie e podem surgir a partir de tenses
trmicas ou mecnicas. Tal defeito de superfcie
ocorre quando parte da rede cristalina
deformada, de modo que a mesma forme uma
imagem especular da parte no deformada (figura
4.16).
O plano cristalogrfico de simetria entre as
regies deformadas e no deformada, chamado
de plano de maclao. A maclao, ocorre em
direes especficas chamadas de direes de
maclao.

4.5. Relao entre defeitos e propriedades


mecnicas

Discordncias
Interferem na deformao plstica dos
materiais.
Sua presena facilita a deformao

Figura 4.17- Distoro na estrutura causado


pela discordncia.

A quantidade e o movimento das discordncias


podem ser controlados pelo grau de
deformao (conformao mecnica) e/ou por
tratamentos trmicos (contorno de gros,
solues slidas etc..).
Os defeitos causados pelas solues slidas
(intersticiais e substitucionais), contorno de gro
e deformao mecnica causam deformao na
estrutura cristalina dificultando a movimentao
das discordncias aumentando a resistncia
deformao do material.

Figura 4.16. Diagrama esquemtico do defeito de


maclao

34

Resistncia deformao

Numa liga de cobre com prata se colocarmos


at 8% de prata formamos uma soluo slida,
se colocarmos mais que 8%(limite de
solubilidade da prata no cobre, conforme tabela
4.1) comeamos a formar uma segunda fase ou
seja comeamos a formar uma estrutura de
prata, que chamamos de precipitado.

precipitados
S. Solida intersticiais
S. Solidas Sub.
Ra#Rb
S. Solidas Sub.
Ra@ Rb

Figura 4.18 . Deformao da estrutura causada


pela presena de impurezas substitucionais.

Quando um tomo de uma impureza esta


presente, o movimento da discordncia fica
restringido, ou seja, deve-se fornecer energia
adicional
para
que
continue
havendo
escorregamento. Por isso solues slidas de
metais so sempre mais resistentes que seus
metais puros constituintes.
Quando a solubilidade da soluo slida
ultrapassada, comear a se formar dentro da
estrutura uma nova fase, esta causar uma
descontinuidade na estrutura dificultando a
movimentao das discordncias, aumentando
consideravelmente a resistncia deste material.

Precipitados de Ag no cobre
Figura 4.19-Precipitados de prata no cobre

% de elemento de liga

Figura 4.20. Comparativo entre resistncia a


deformao e tipo de defeito.

O contorno de gro interfere no movimento das


discordncias, ao alcanar um contorno h uma
mudana de direo dos cristais, e para esta
discordncia continuar se movimentando ela
dever mudar de direo.
Contorno
de gro

Figura 4.21. Movimentao de uma discordncia


em material policristalino.

35

CAP V- DIFUSO ATMICA


5.1. INTRODUO
A difuso atmica pode ser definida como um
mecanismo pelo qual a matria transportada
atravs da matria. Os tomos em gases, lquidos
e slidos esto em constante movimento. O
movimento atmico em gases relativamente
rpido. O movimento atmico em lquidos , em
geral, mais lento que em gases, como pode ser
observado durante o movimento de um corante
em gua. O movimento atmico em slidos
bastante restrito, j que as foras de ligao
atmicas so elevadas e tambm, devido
existncia de posies de equilbrio bem
definidas. Entretanto, vibraes atmicas de
origem trmica existentes em slidos permitem
movimentos atmicos limitados. A difuso
atmica em metais e ligas particularmente
importante, pois a maioria das reaes de estado
slido, que so fundamentais em metalurgia,
envolve movimentos atmicos. Exemplos de
reaes de estado slido so obtidos na
nucleao e crescimento de novas fases em
slidos cristalinos, no tratamento trmico de aos,
na produo de circuitos eletrnicos, etc.
5.2. Mecanismos do Movimento Atmico
Os tomos apenas esto em repouso absoluto
quando a temperatura igual a zero absoluto (2730C). Acima desta temperatura os tomos
comeam a vibrar e saem de suas posies
originais. medida que a temperatura aumenta,
esse movimento atmico torna-se mais intenso.
Existem dois mecanismos bsicos de difuso de
tomos em um slido cristalino, quais sejam:
mecanismo substitucional ou de vazios e
mecanismo intersticial. Alm desses dois, o
movimento atmico pode-se dar atravs do
mecanismo de anel, que de ocorrncia mais
difcil.
5.2.1. Mecanismo Substitucional ou de Vazios
Os tomos podem mover-se no interior de um
cristal, de uma posio atmica para outra se os
mesmos apresentam energia de vibrao

suficiente e se existem posies atmicas vazias


ou defeitos cristalinos na estrutura atmica. Esta
energia de vibrao resultante da energia
trmica dos tomos. Os vazios ou vacncias em
metais e ligas so defeitos de equilbrio e assim,
esto sempre presentes para permitir o
movimento
atmico
pelo
mecanismo
substitucional. Com o aumento da temperatura
em metais, mais vacncias podem ser
observadas e mais energia trmica estar
disponvel. Assim, a taxa de difuso atmica
aumentar com a temperatura.
Considere o
processo de difuso apresentado na figura 5.1.
Se um tomo prximo vacncia tem energia
suficiente, ele poder mover-se at a posio
vazia. As diferenas de tamanho atmico e
energias de ligao so fatores que afetam a
taxa de difuso atmica atravs de vazios.

Figura 5.1. Mecanismo de difuso atmica de


vazios ou substitucional
5.2.2. Mecanismo Intersticial

A difuso de tomos intersticiais em um slido


cristalino ocorre quando um tomo se move de
uma posio intersticial para outra posio
vizinha intersticial, sem que exista deslocamento
de tomos da matriz cristalina, como mostra a
figura 5.2. Para que o mecanismo de difuso
intersticial seja ativo, o tamanho do tomo em
difuso deve ser relativamente pequeno
quando comparado com os tomos da matriz.
Pequenos tomos como o hidrognio, oxignio,
nitrognio e carbono podem apresentar difuso
intersticial em alguns slidos cristalinos. Por
exemplo,
o
carbono
pode
difundir-se
intersticialmente no ferro a e no ferro g. Na
difuso intersticial de carbono em ferro, os

36

tomos de carbono so comprimidos entre a


matriz atmica do ferro.

Figura 5.2. Mecanismo de difuso atmica


intersticial
5.2.3. Mecanismo De Anel

Este mecanismo mais raro devido a suas


particularidades. A difuso atmica atravs deste
mecanismo envolve a rotao de trs ou quatro
tomos simultaneamente.
5.3. Distribuio De Energia Trmica
Os tomos dentro de um material, em uma
determinada temperatura, apresentam diferentes
nveis de energia, sendo esta uma distribuio
estatstica, como mostra a figura 5.3.

Figura 5.3. Distribuio de energia dos tomos de


um material.

outras palavras, mover-se na rede cristalina.


Porm, aumentando-se a temperatura do
sistema, a energia de cada tomo aumenta e
assim, alguns tomos que no podiam saltar
de suas posies, podem agora faz-lo. Isto
significa que a energia dos mesmos maior
que a energia de ativao, como mostra a
figura 5.4.
Fazendo uso de anlise estatstica possvel
determinar a parcela de tomos com energia
suficiente para apresentar movimento atmico.
Boltzmann estudou o efeito da temperatura na
energia das molculas em um gs. Usando os
fundamentos estatsticos empregados por
Boltzmann, pode-se calcular o nmero de
tomos com energia maior que a energia de
ativao:

EA
n = aN exp
kT

(V.1)

onde k=1,38x10-23 [Joule/tomo.K], n o nmero


de tomos com energia maior que a de ativao,
N o nmero total de tomos do slido, a uma
constante tpica do sistema, EA a energia de
ativao e T a temperatura absoluta.

Figura 5.4. Distribuio de energia dos tomos


de um material para duas temperaturas
diferentes.

Nesta distribuio, nota-se que poucos tomos


possuem energia de ativao suficiente para
"saltar" fora de sua posies originais, ou em

37

5.5. Primeira Lei de Fick

5.4. Coeficiente De Difuso


A anlise estatstica de Boltzmann aplicada ao
movimento atmico permite estabelecer a
intensidade de difuso atmica em materiais. A
difuso de um material A (soluto) dentro de um
outro material B (solvente) representada pelo
coeficiente de difuso (D), definido como:
Q

D = D 0 e- RT

(V.2)

onde D o coeficiente de difuso, D0 constante


do sistema soluto/solvente, Q a energia de
ativao e R a constante molar dos gases
(8,314 J/mol.K ou 1,987 cal/mol.K).
Pela equao V.2, observa-se que o coeficiente
de difuso depende da temperatura, aumentando
quando a mesma aumenta. Na tabela 5.1 so
apresentados os valores de Q e D0 para alguns
sistemas em difuso.
Soluto

Matriz

C
C
Fe
Fe
N
Zn
Cu
Ag

Fe CFC
Fe CCC
Fe CFC
Fe CCC
Fe CFC
Cobre
Cobre
Ag

D0
10-5
m2/s
2,0
22,0
2,2
20,0
7,7
3,4
2,0
4,0

Q
10-19
J/tomol
2,4
2,0
4,5
4,0
4,6
3,2
3,3
3,1

1,4

1,5

O fenmeno de difuso atmica pode ser


analisado considerando o movimento de tomos
entre duas regies em contato, como mostra a
figura 5.5. Assumindo que as concentraes de
tomos de soluto nas regies 1 e 2 no sofrem
alteraes com o tempo, o sistema pode ser
considerado como em regime permanente ou
estacionrio. A figura 5.6 mostra um processo de
difuso em regime permanente, provocado pelo
gradiente de concentrao (C2-C1)/(x2-x1). Um
caso semelhante observado quando um gs
difunde-se atravs de uma folha fina de metal,
como o caso do hidrognio difundindo-se por
uma folha fina de Paldio.
O movimento de tomos por difuso atmica
ocorre devido vibrao trmica do tomo. Tal
vibrao faz com que cada tomo permanea
"saltando" de uma posio a outra. O
equacionamento do fluxo atmico em regime
permanente, que dado pela 1 lei de Fick,
implementado pela definio das seguintes
variveis:
Dx - Espessura das regies 1 e 2;
A - rea de contato entre as regies 1 e 2;
f - Freqncia de saltos dos tomos (saltos/s),
iguais em todas as direes;
C1 - Concentrao de tomos de soluto na regio
1 (t./cm3);
C2 - Concentrao de tomos de soluto na regio
2 (t./cm3).
J - Fluxo de tomos entre as regies 1 e 2
(t./cm2.s)

(Cristal)

Ag

Ag
(Cont.Gro.)

Si
Si
320
6,8
P
Si
3,9
5,0
Bo
Si
140
5,9
Tabela 5.1. Coeficientes de difuso para diversos
sistemas solvente/soluto.

Figura 5.5. Diagrama esquemtico do fluxo de


tomos entre duas regies, em contato, de
concentraes diferente.

38

ou

J = K( C1 - C 2)

f
Dx
6

(V.5)

Desta equao possvel prever que se as


concentraes das regies 1 e 2 so iguais, o
fluxo de massa entre elas ser nulo. Por outro
lado, se existe um gradiente de concentrao de
tomos de soluto, o fluxo de tomos ser
diferente de zero. Uma relao entre as
concentraes C1 e C2 pode ser obtida se a
concentrao contnua ao longo da direo x
(paralelo ao fluxo de tomos), ou seja:

C
C 2 = C1 + Dx
x t
Figura 5.6. Difuso atmica em regime
estacionrio provocada pelo gradiente de
concentrao (C2-C1)/(x2-x1).
Considerando o movimento atmico espacial, um
tomo tem a possibilidade de saltar em seis
diferentes direes. Assim, entre as regies 1 e 2,
a freqncia de saltos pode ser dada por f/6 e
conseqentemente, em um intervalo de tempo Dt,
o nmero de tomos saltando da regio 1 para a
regio 2 proporcional aos valores de C1, de Dt,
de f, e do volume da regio 1, que pode ser
representado por sua espessura, Dx, pois a rea
de contato igual para as duas regies:

f
N12 = K C1 Dt Dx
6

(V.3)

onde K uma constante.

O fluxo de tomos entre as regies 1 e 2 dado


pela diferena entre os tomos que saltam da
regio 1 para a regio 2 e aqueles que fazem o
caminho inverso. Assim,

Substituindo o valor de C2, o fluxo de tomos


entre as regies 1 e 2 torna-se igual a:

f C
J = - K ( Dx ) 2
6 x t

(V.4)

(V.7)

Esta equao conhecida como a 1 lei de Fick


e o coeficiente de difuso atmica, D, dado por:

D = K ( Dx ) 2

f
6

(V.8)

Se no sistema em difuso considerado no


ocorrem reaes qumicas entre os tomos do
soluto e os do solvente, a diferena de
concentrao entre as regies 1 e 2 resultar em
um fluxo atmico que vai do ponto de maior para
o de menor concentrao. O fluxo de tomos
neste tipo de sistema pode ser representado pela
equao:

J = -D
f
f
JDt = N12 - N 21 = K C1 Dt Dx - K C 2 Dt Dx
6
6

(V.6)

C
x

(V.9)

onde J o fluxo de tomos, D o coeficiente de

39

difuso e C/x o gradiente de concentrao.


Tomando a direo x como referncia, o sinal
negativo mostra que o fluxo de massa tem
sentido contrrio ao aumento da concentrao e
usado porque o fluxo de tomos vai da maior para
a menor concentrao e o mesmo tende a anular
o gradiente de concentrao.
A equao V.9 denominada de 1 lei de Fick e
define que para condies estacionrias ou
permanentes (concentraes constantes com o
tempo), o fluxo de tomos por difuso atmica
igual difusividade D multiplicada pelo gradiente
de concentrao. No sistema SI, esta equao
dada por:

m2 C atomos 1
atomos
J
= -D
x

m
m2 .s
s x m3
(V.10)

A tabela 5.2 lista valores de difusividade atmica


para alguns sistemas. A difusividade atmica
depende de diversos fatores, sendo que os mais
importantes so:
a.
Tipo
de
mecanismo
de
difuso
(substitucional ou intersticial) - Dependendo dos
tamanhos atmicos envolvidos, o mecanismo de
difuso influencia a intensidade de difuso.
tomos de tamanhos prximos tem difuso
elevada quando o mecanismo substitucional.
Quando os tomos apresentam tamanhos muito
diferentes, o mecanismo apropriado o
intersticial, sendo que tomos de menor tamanho
tem mais facilidade de se difundir;
b. Temperatura na qual a difuso ocorre - A
temperatura aumenta a difuso;
c. Tipo de estrutura cristalina do solvente Estruturas compactas (CFC, HC) dificultam a
difuso atmica;
d. Tipo e quantidade de imperfeies presentes
na rede cristalina - Defeitos como discordncias e
vazios aumentam a intensidade de difuso.
e. Fora de ligao atmica do soluto
fora de ligao maior dificuldade de difuso

Tabela 5.2. Coeficientes de difuso atmica para


5000C e 10000C.* metaestvel.
Soluto
Solvente
Coeficiente de
Difuso (m2/s)
5000C
10000C
C
F CFC*
5x10-15
3x10-11
C
Fe CCC
10-12
2x10-9
-23
F
Fe CFC*
2x10
2x10-16
F
F CCC
10-20
3x10-14
N
Fe CFC*
10-23
2x10-16
Mn
F CFC*
3x10-24
10-16
Zn
Cu
4x10-18
5x10-13
-14
Cu
Al
4x10
10-10
Cu
Cu
10-18
2x10-11
Ag
Ag
10-17
10-12
(Cristal)
Ag
Ag
10-11
(Cont.Gro)

Ti

3x10-16

2x10-11

5.6. Segunda Lei de Fick

O
movimento
atmico
em
condies
estacionrias no comum em engenharia de
materiais. Na maioria dos casos, este movimento
ocorre em regime transitrio ou em situaes
onde as concentraes mudam com o tempo.
Por exemplo, se o carbono est sendo difundido
atravs da superfcie de uma engrenagem de
ao para cementar a mesma, a concentrao de
carbono no interior da pea ser alterada
medida que o tempo de processamento
aumenta, como mostra a figura V.8. Nestes
casos, onde o regime no permanente,
interessante determinar a evoluo da varivel
composio em funo do tempo de
processamento e da posio de um dado ponto a
ser estudado.
Considere uma barra de um material
qualquer de concentrao C, exibindo transporte
de massa do soluto por difuso, como mostra o
diagrama da figura 5.9. Considere tambm a
existncia de um elemento de volume de largura
Dx e rea da seco transversal A. Suponha que
em tal elemento est entrando fluxo de massa J1
e deixando o mesmo, o fluxo de massa J2. Aps

40

um intervalo de tempo, Dt, a variao na


concentrao de soluto em tal elemento dada
por:

J 1 A D t - J 2 A Dt = A D x D C

permite obter:

J
- DxADt = ADxDC
x t

(VIII.13)

(V.11)
Fazendo Dt tender a zero,

onde:
J - Fluxo de tomos do soluto (t/cm2.s)
2

A - rea (cm )

J
C
- =
x t
t x

(V.14)

Dx - largura (cm)
Dt - Intervalo de tempo (s)

O fluxo de tomos pode ser dado pela 1 lei de

DC - Variao na concentrao de soluto

Fick. Substituindo V.9 em V.14, obtm-se:

(t/cm )

C
J
- =
D
x
x x

(V.15)

ou

C
2 C
= D 2
t
x

(V.16)

Esta equao denominada de 2 lei de Fick e


aplicada a casos de difuso atmica em regime
transitrio. Em funo das condies de contorno
do problema tratado, esta equao apresenta
vrios tipos de soluo. Em termos prticos, dois
tipos de problema podem ser abordados atravs
da equao V.16: cementao de aos e
tratamento de homogeneizao de peas
fundidas.

Figura 5.7. Modelo para aplicao da segunda lei


de Fick.
Se o fluxo atmico contnuo ao longo de
x, pode-se escrever:

J
J 2 = J 1 + Dx
x

Figura 5.8. Diagrama do fluxo de tomos na


formulao da 2a lei de Fick
(V.12)

A substituio de J2 na equao V.11

41

5.7. Cementao de Aos


O tratamento da cementao de aos atravs das
equaes de difuso envolve o emprego da
"funo erro". A figura 5.9 exibe um diagrama
esquemtico de um processo de cementao.
Com a soluo da equao V.16 possvel
descrever o perfil de concentrao de carbono em
aos durante o processo. Esta soluo dada
por:

x
C(x, t) = CS - ( CS - C0) erf

2 Dt
(V.17)
na qual C(x,t) a concentrao de carbono num
determinado ponto "x", para um certo tempo "t" de
cementao (% em peso), C0 a concentrao
inicial de carbono (% em peso), CS a
concentrao de carbono na superfcie da pea,
D o coeficiente de difuso do carbono em ao
(m2/s), x a distncia a partir da superfcie (m) e t
o tempo de cementao (s). A funo erro, "erf",
uma funo matemtica com valores tabelados
da mesma forma que funes trigonomtricas.

Figura 5.9. Modelo de anlise do processo de


cementao de aos.777

42

CAP VI- PROPRIEDADES DOS MATERIAIS


6.1. INTRODUO
Todos os ramos da engenharia, principalmente os
relacionados com estruturas, mquinas, etc.,
esto intimamente ligados aos materiais
utilizados, ou seja, s suas propriedades. As
propriedades caractersticas de cada material so
de importncia fundamental para que se
estabelea um critrio de aceitao e
especificao. As propriedades que os materiais
devem possuir so determinadas atravs de
ensaios adequados.
Propriedades dos Materiais
Os Materiais podem ser classificados, segundo
suas propriedades, da seguinte maneira:
Propriedades fsicas em geral: dimenses,
forma,
densidade,
porosidade,
misturas
constituintes,
macro
e
micro
estrutura.
Propriedades qumicas e fsico-qumicas:
componentes qumicos, acidez e resistncia
corroso, etc.
Propriedades mecnicas: resistncia mecnica
(esttica e dinmica), elasticidade, plasticidade,
fragilidade (tenacidade), ductibilidade.

o material foi submetido, determina intensamente


a definio das propriedades do mesmo. Uma
das caractersticas mais importantes dos materiais
no estado slido a capacidade dos mesmos em
resistir ou transmitir tenses. A resposta desses
materiais sob tenso est intimamente relacionada
com a propriedade do material em se deformar
elasticamente ou plasticamente. Quando um
material submetido a esforos mecnicos, ele
deforma-se de duas maneiras: elasticamente e
plasticamente.
Considera-se
que
um
material exibe comportamento elstico, quando o
mesmo, ao ser submetido a esforos mecnicos,
apresenta deformaes no-permanentes, ou seja,
ao se remover tais tenses, o material retorna as
suas dimenses originais. Ao nvel atmico, a
deformao elstica observada quando as
clulas unitrias alteram suas dimenses,
alongando, se o esforo for de trao ou
comprimindo, se o esforo for de compresso,
como apresenta a figura 6.1. Quando os esforos
de trao ou compresso cessam, as clulas
cristalinas voltam s formas e dimenses originais.

Propriedades
eltricas:Condutividade,Rigidez
dieltrica, Termoeletricidade e Piezeletricidade.
Propriedades Trmicas: Calor especifico,
dilatao trmica, resistncia a termoclase e
condutividade trmica,.
Para se determinar qualquer uma dessas
propriedades faz-se necessrio realizar um
ensaio especfico.
6.2. Propriedades Mecnicas dos Materiais

Figura 6.1. Deformao elstica em cristais: (a)


Cristal sem deformao; (b) Cristal deformado
por trao; (c) Cristal deformado por compresso

O comportamento de um material sob


solicitao
mecnica

fundamental
na
identificao de propriedades de interesse em
engenharia mecnica. Tal comportamento
funo direta de trs fatores bsicos ligados s
caractersticas do material, ou seja: o tipo e a
intensidade das ligaes envolvendo tomos ou
molculas; a natureza do arranjo dos tomos ou
molculas e a natureza e quantidade de defeitos
no arranjo dos tomos ou molculas do material.
Alm desses trs fatores, o processamento a que

O comportamento plstico observado quando o


mesmo material submetido a tenses mais
elevadas e suas dimenses so alteradas
permanentemente, ou seja, cessados os esforos,
o material no retorna as suas dimenses
originais. Ao nvel atmico, a deformao plstica
principalmente observada quando planos
atmicos so deslizados uns sobre os outros, de
tal maneira que ao se remover os esforos
mecnicos, o material no exibe suas dimenses
originais.

43

6.3. Tipos de Esforos que Podem Deformar


ou Romper um Material
Representao esquemtica de alguns tipos de
esforos que afetam os materiais:

a. Elasticidade - Capacidade do material ser


deformado elasticamente, sem atingir o campo
plstico. A relao entre tenso e deformao
elstica (s/e) definida como mdulo de
elasticidade (E).
b. Ductilidade - Capacidade do material ser
deformado plasticamente, sem atingir a ruptura.
Pode ser obtida da anlise do alongamento e da
estrico.
c- Resilincia: Corresponde capacidade do
material de absorver energia quando este
deformado elasticamente. Materiais resilientes
so aqueles que tm alto limite de elasticidade e
baixo mdulo de elasticidade (como os materiais
utilizados para molas)
d. Fluncia - Capacidade do material se deformar
lentamente, quando submetido a tenses menores
que a de escoamento, sob temperaturas elevadas.
e. Tenacidade - Capacidade de um material em
armazenar energia sem se romper. Pode ser
quantificada atravs do clculo da rea sob a
curva tenso/deformao.
f. Dureza - Capacidade de um material em resistir
penetrao de sua superfcie, est intimamente
relacionada com a tenso de escoamento do
material.
g. Resistncia flexo: definida com a
tenso mxima que um corpo de prova suporta
antes de romper, quando sujeito a um esforo de
flexo. Utilizado para avaliar a resistncia
mecnica de materiais cermicos, principalmente
para revestimentos e telhas.

6.4. Principais Propriedades Mecnicas


Em funo do comportamento mecnico dos
materiais, as seguintes propriedades mecnicas
podem ser definidas:

h. Resistncia compresso: definida com a


tenso mxima antes da ruptura, que um corpo
de prova pode resistir quando submetido a
esforos de compresso. Este ensaio utilizado
principalmente para avaliar a resistncias de
tilojos, blocos e concreto.

44

6.5. Ensaios Mecnicos


Todos os ramos da engenharia, principalmente os
relacionados com estruturas, mquinas, etc.,
esto intimamente ligados aos materiais
utilizados, ou seja, s suas propriedades. As
propriedades caractersticas de cada material so
de importncia fundamental para que se
estabelea um critrio de aceitao e
especificao. As propriedades que os materiais
devem possuir so determinadas atravs de
ensaios, que na maioria das vezes imitam os
esforos que os materiais sofrem na pratica.
Os ensaios mecnicos tm as seguintes
finalidades:
1- Permitir a obteno de informaes rotineiras
da qualidade de um determinado produto
ensaio de controle.
2- Desenvolver novas e melhores informaes
sobre materiais conhecidos, ou ento desenvolver
novos materiais.
3- Obter medio precisa das propriedades ou
constantes fsicas.
5.5.1. Normalizao dos Ensaios
Evidentemente, os ensaios no traduzem valores
absolutos e imutveis. Os ensaios quando
realizados na prpria estrutura, tem significado
mais expressivo, porem so valores obtidos de
uma situao particular. Quando generalizamos o
resultado de um ensaio realizado em um corpo de
prova devemos tomar cuidados, utilizando um
fator de segurana para evitar surpresas
desagradveis, e mais, devemos normalizar o
ensaio, ou seja, especificar o mtodo empregado,
dimenses do corpo de prova, mtodo de
fabricao do mesmo, etc.
A normalizao dos materiais leva a inmeras
vantagens entre as quais pode-se mencionar:
1- Reduz o desentendimento entre o produtor e o
consumidor;
2- Torna a qualidade da produo mais uniforme;
3- Reduz os tipos similares de peas e materiais;
4- Diminui o custo unitrio de produo;
5- Orienta o projetista na escolha do material
existente;

6- Permite a comparao de resultados obtidos


em diferentes laboratrios, pela adoo
do mesmo mtodo.
6.6. Tipos De Ensaios Mecnicos

Ensaio de Trao
Ensaio de dureza
Ensaio de Impacto
Ensaio de Flexo
Ensaio de compresso
Ensaio de Fluncia
Ensaio de Fadiga

6.6.1. Ensaio de Trao


A caracterizao do comportamento mecnico de
um material pode ser implementada pelo emprego
do ensaio de trao do mesmo (figura 6.2). A
aplicao de uma fora em um material provoca
tenses e deformaes (permanentes ou no) no
mesmo, como mostra a figura 6.3.

A tenso, s, definida como fora por unidade de


rea, ou:

s =

F
A
(X.1)

onde:
s = Tenso (Pa = N/m2);
F = Fora Aplicada (N);
A = rea do Plano (m2).
A deformao (e) definida como o efeito
da tenso em um material, relaciona-se
alterao nas dimenses originais do material e
expressa como variao do comprimento inicial,
ou:

e =

DL
L0

(X.2)
onde:
e = Deformao (%);
DL = (L - L0) = Variao de comprimento
(m);
L0 = Comprimento inicial (m);

45

L = Comprimento final (m).

(c) Material dctil sem ponto de escoamento


definido (ex.: alumnio).

O ensaio de trao revela duas fases distintas: a


elstica e a plstica. Na fase elstica um dos
principais parmetros que o ensaio de trao
permite revelar o mdulo de elasticidade do
material.

Deformao Elstica
Se um material apresenta comportamento elstico,
o mesmo segue a lei de Hook, que estabelece
que sua deformao varia linearmente com a
tenso aplicada. A relao entre tenso aplicada
e deformao resultante constante e
denominada de Mdulo de Elasticidade (E), ou:

E =

s
e
(X.3)

Figura 6.2. Diagrama esquemtico de um ensaio


de trao: (a) Sem deformao; (b) Com
deformao.

O mdulo de elasticidade de um material a


medida de rigidez do mesmo. Se um material
exibe valor elevado desse parmetro, isso significa
que uma tenso mecnica elevada ser
necessria para deform-lo. Como visto no estudo
das foras interatmicas, o mdulo de elasticidade
est diretamente relacionado com a variao de
FTotal (equao 6.3), em relao distncias
interatmicas ou,

( Z e)( Z2 e)
nb
d 1
+ n+1
2
4p e 0 a
d FTotal
a
= -
da
da
(X.4)

(a)

(b)

(c)

Figura 6.3. Curvas tenso-deformao relativa: (a)


Material no-dctil sem deformao plstica (ex.:
ferro fundido); (b) Material dctil com ponto de
escoamento definido (ex.: ao de baixo carbono);

A temperatura influencia intensamente o mdulo


de elasticidade, e quanto mais elevada for a
mesma, menor ser o mdulo de elasticidade.
Como o mdulo de elasticidade varia com a
direo em um cristal (depende da densidade
linear de tomos), a anisotropia dos cristais
permite que o mesmo varie intensamente com a
orientao do cristal. Como exemplo, o ferro tem
um mdulo de elasticidade mdio de cerca de 205
MPa. Porm, o mdulo real de um cristal de ferro
varia de 208 MPa na direo [111], para apenas
125 GPa na direo [100]. A tabela 6.1 apresenta
valores de mdulo de elasticidade de diversos
materiais.

46

Tabela 6.1. Valores do mdulo de elasticidade de


diversos materiais.
Material
Mdulo de
elasticidade (GPa)
0,004 - 0,075

Nylon

2,8

Borracha Vulcanizada

3,5

Chumbo

14

Magnsio

45

Ligas de Alumnio

72,4

Cobre

110

Ao de Baixo Carbono

200

Ao Inoxidvel

193

Titnio

117

Quartzo (SiO2)

310

Alumina (Al2O3)

350

Tungstnio

400

Deformao Plstica
Na fase plstica do material, ocorrem as
deformaes permanentes no mesmo. Neste caso,
planos atmicos do material so deslocados
permanentemente de suas posies originais.
Existem dois mecanismos de deformao plstica,
quais sejam: o deslizamento de planos cristalinos e
a maclao. Em ambos os casos, a deformao
ocorre devido s componentes de cisalhamento
das tenses aplicadas. A deformao permanente
de um material submetido a ensaio de trao pode
ser tratada como o alongamento, que a
quantidade de deformao permanente observada
antes da ruptura ou estrico, que a reduo da
rea da seco transversal, observada antes da
ruptura.

Figura 6.4. Diagrama tensox deformao,


ilustrando a rea onde ocorre a deformao
elstica (reversvel) e a deformao plstica
(permanente).

6.6.1.1. Propriedades mecnicas obtidas do


ensaio de trao (tensoxdeformao)
6.6.1.1.1. Limite(Tenso) de escoamento: a
tenso mnima necessria para deformar
permanentemente o material, este valor
utilizado no dimenciomamento de equipamentos.
o limite entre a deformao elstica e plstica
do material.
Este limite caracterizado pelo final da tendncia
linear do grfico.
Interseco da reta com o grfico
determina a tenso escoamento
que igual a 106MPa
140
120

Tenso( MPa)

Borracha Sinttica

100
80
60
40

Origem da
reta 0,2%

20
0
0

10

deformao (%)

Figura 6.5. Diagrama tensox deformao,


indicando a tenso de escoamento.
Para se determinar este valor, como regra geral
se traar uma reta que tem como origem uma

47

deformao de 0,2%(0,002m/m) e seja paralela


ao segmento linear do grfico, a interseco
desta reta com a curva, determina a tenso de
escoamento (tenso deformao, limite de
resistncia ao escoamento).
6.6.1.1.2. Tenso mxima de resistncia (smr):
determinada atravs to ponto mais alto do
grfico.
Ex: Na figura 6.6 a smr=130 MPa

Ex: No exemplo da figura 6.5 uma tenso de


100MPa deforma 2% o material, ento o modulo
:
2% = 2/100= 0,02

E = s = 100 MPa = 5.000MPa


e
0,02

6.6.1.1.3. Tenso de ruptura (sr) :


determinado pelo final do grfico.
Ex: Na figura 6.6 a sr=110 MPa

2/100

Ponto de
ruptura

6.6.1.1.5. Ductibilidade:
Capacidade
do
material
ser
deformado
plasticamente, sem atingir a ruptura. Pode ser
obtida da anlise do alongamento e da estrico
do corpo de prova.
No diagrama se determina atravs da interseo
do eixo X(deformao) com uma reta que tem
origem no ponto onde houve a ruptura e seja
paralela a parte linear do grfico.
Ex: Na figura 6.6 a ductibilidade 6%

140

smr

120

sr

100

Tenso( MPa)

s - Tenso necessria para causar a deformao


elstica.

80
60

No ensaio se determina medindo o corpo de prova


antes do ensaio e aps a ruptura.

40
20
0
0

10

deformao (%)
Figura 6.6. Diagrama tensox deformao,
indicando a tenso mxima de ruptura (smr) e
tenso de ruptura(sr) e ductibilidade.

Ductibilidade(%) = (L-Lo)x100
Li
L0 = Comprimento inicial (m);
L = Comprimento final (m).

6.6.1.1.4. Modulo de elasticidade


a relao entre tenso aplicada e deformao
elstica sofrida .

E =

s
e

E Modulo de elasticidade
e - Deformao

Figura 6.7. (a) Corpo de prova antes do ensaio;


(b) corpo de prova depois de romper.

48

Ex: Na figura 6.7 o Lo= 50mm e L= 75mm, ento


a ductibilidade :
Duc.(%) = (L-Lo)x100 = (75-50).100= 50%
Li
50
Resilincia(Ur): Corresponde capacidade do
material de absorver energia quando este
deformado elasticamente. Materiais resilientes
so aqueles que tm alto limite de elasticidade e
baixo mdulo de elasticidade (como os materiais
utilizados para molas)

Figura6.9. Diagrama tensoxdeformao,


indicando a tenacidade do material.

Ur = se2 =
2E

a propriedade que melhor expressa a resistncia


mecnica do material.

se. e
2

Ur- Modulo de resilincia


se Tenso de escoamento
E- Modulo de elasticidade
e - deformao

6.6.2. Dureza
a medida da resistncia de um material
deformao permanente ( deformao plstica)
Nos Materiais Cermicos a dureza avalia:

Resilincia

Resistncia ao risco

Resistncia ao desgaste

Teste de dureza:
Figura 6.8- Diagrama tensoxdeformao,
indicando a resilincia do material.
. Tenacidade - Capacidade de um material em
armazenar energia sem se romper. Pode ser
quantificada atravs do clculo da rea sob a curva
tenso/deformao.

So amplamente utilizados para especificao de


materiais.
Engenharia - controle de qualidade
Pesquisa - testar materiais

Relao de dureza - Curva de trao


A presso aplicada na impresso
1/3 produz deformao plstica - 1/3 P ~ se

49

6.2.1. Tipos de ensaio de dureza:

Escala mohs- mat. cermicos

Dureza Brinell

Dureza Vickers

Microdureza Knoop

Dureza Rockwell

Mat metlicos
Observaes: o dimetro do identador e a
intensidade da carga aplicada dependem do tipo
de material que vai ser analisado. O dimetro da
impresso dever sempre ficar entre 2,5 a
6,0mm.
6.2.4. Ensaio de Dureza- Vicker

6.2.2. Dureza Mohs


Compara-se a dureza do material a ser ensaiado
com a dureza de uma escala de minerais com
diversas durezas. baseada na capacidade de
um material riscar o outro. utilizada somente
para avaliar dureza de materiais cermicos.

Introduzida para medir materiais duros que no


podiam ser medidos pela dureza Brinell.
Apresenta uma nica escala contnua para testar
todos os materiais.
Identador: pirmide de diamante
formando 136 entre as faces opostas

6.2.3. Ensaio de Dureza- Brinell


Consiste em comprimir uma esfera de ao, de
dimetro D, sobre uma superfcie plana por meio
de uma aplicao de carga Q.

Figura 6.10. Ilustrao esquemtica do identador


e da impresso produzida na amostra no ensaio
Vicker.

impresso

Figura 6.9. Ilustrao esquemtica do identador e


da impresso produzida na escala Brinell.

As cargas geralmente usadas so: 50 N, 100 N,


300 N, 500 N.

50

6.6.5. Ensaio de Dureza- Rockwell


Este ensaio utiliza a profundidade de penetrao,
sob ao de uma carga constante,
como medida de dureza.
A medida da dureza direto no painel.
Indentador:
Esferico-esfera de ao
Conico-cone de diamante
A desvantagem desta tipo de ensaios que
dependendo do material se usa uma determinada
escala.

D - Aos com camadas endurecidas


intermedirias, Fofo malevel perltico
E - Fofo, Al, Mg, aos para rolamento
F - Cobre recozido, chapas de metal macio
G - Ligas de bronze-fsforo, Cu-Be, Ferro
malevel
H - Al, Zn, Pb
K,L,M,P R,S,V - Metais muito macios. Usar a
menor esfera e mais alta carga para evitar
escorregamento.

6.6.6. Ensaio de Dureza- Shore


um tipo de ensaio dinmico por choque que
produz uma impresso na pea ou corpo de prova
por meio de um penetrador. Esse choque pode ser
produzido por meio de um pndulo (j
abandonado) ou pela queda livre de um mbolo,
tendo na ponta um penetrador.
Em 1907, Shore props uma medida de dureza
por choque que mede a altura do ressalto de um
peso que cai livremente at bater na superfcie lisa
e plana de um corpo de
prova. Esta altura de ressalto mede a perda de
energia cintica do peso, absorvida pelo corpo de
prova.
Utilizado
principalmente
polimricos.

para

materiais

6.6.3. Ensaios De Impacto

Figura 6.11. Ilustrao esquemtica do identador


e da impresso produzida na amostra no ensaio
Rockwell

Escala Aplicaes:
A - Aos tratados superficialmente
B - Al, Cu, Aos recozidos, Fofo malevel
C - Aos com dureza acima de 100 HRb, aos
com
camadas espessas, Ti, etc.

Um fator muito importante que contribui para o


aparecimento de fraturas do tipo frgil em peas
a alta velocidade de aplicao da carga, isto ,
carga aplicada por impacto.
Faz-se necessrio padronizar um tipo de Ensaio
para determinar a resistncia ao Impacto (ou
choque), ou melhor, a energia absorvida pelo
corpo de prova por ao de impacto, expressos
em Nm.
Como a energia do impacto medida depende das
condies do ensaio (forma e dimenso do corpo
de prova, maneira de aplicao da carga) h
necessidade da padronizao dos tipos de
ensaios para permitir, posteriormente, a
comparao entre os valores obtidos para o
mesmo ou diferentes materiais.

51

Existem, portanto, diversos mtodos de ensaios,


mas os principais so:
Mtodo de impacto com trao;
Mtodo Charpy;
Mtodo Izod.

A Resistncia flexo definida com a tenso


mxima que um corpo de prova suporta antes de
romper quando sujeito a um esforo de flexo
P

Mtodo CHARPY
d

Consiste em se percutir um corpo de prova, de


dimenses
padronizadas,
convenientemente
apoiado, com um martelo de dimenso tambm
padronizado, e medir a energia desprendida na
ruptura. Os resultados dos ensaios indicam se o
material tem um comportamento dctil, isto se
absorve muita energia de deformao, ou ento,
se o comportamento frgil isto , se absorve
pouca energia de deformao.
APLICAO:
Depois de processos de tratamento trmico.
Para comprovar o envelhecimento do material.

b
L

Figura 6.13. Diagrama esquemtico do ensaio de


flexo.

MOR = 3. P. L
2.b.d2
MOR Modulo de ruptura (kgf/cm2)
P - Carga para romper (kgf)
L - Distancias entre os apoios (cm)
d - espessura do corpo de prova (cm)
b- largura do corpo de prova(cm)

6.6.5. Ensaio de Resistncia Compresso

Figura 3.12. Mquina de ensaio de Impacto


A energia necessria para fraturar o corpo de
prova (fig.6.12) dada por:
E= G (h1 - h2) Nm
Onde
E = energia em Nm
G = peso do martelo em N
h1 = posio inicial do pndulo
h2 = posio final do pndulo
6.6.4. Ensaio de Resistncia Flexo
Para os materiais frgeis, como os materiais
cermicos, a determinao das propriedades
mecnicas feita atravs dos ensaios de
resistncia flexo e compresso.

definida com a tenso mxima que um corpo


de prova pode resistir quando submetido a
esforos de compresso. Este ensaio utilizado
principalmente para avaliar a resistncias de
tijolos, blocos e concreto.

Corpo de
prova

Figura 6.13. Diagrama esquemtico do ensaio de


compresso.

52

RC = P
A
RC- Resistncia a compresso (MPa)
P- Carga mxima de ruptura (N)
A- rea da seo transversal(m2)
Resistncia compresso lquida

RCL = Carga de ruptura


rea liquida do bloco
Resistncia compresso bruta

RCB = Carga de ruptura


rea bruta do bloco

53

7. PROPRIEDADES
ELTRICAS E TRMICAS

7.1.2. Condutividade Eltrica nos Metais

Os eltrons de valncia no esto ligados a


nenhum tomo especfico (esto livres). H
atrao entre os eltrons livres (de valncia)
e os ons positivos (ncleo mais eltrons de
valncia)

Os metais tm elevada condutividade eltrica,


devido os eltrons estar livres para moveremse (alta mobilidade).

7.1. Propriedades Eltricas


Condutividade Eltrica (s):

o
movimento de cargas eltricas (eltrons ou ons)
de uma posio para outra.
s = 1/r= n.q.m
s= condutividade eltrica (ohm-1.cm-1)
r= resistividade eltrica (ohm.cm)
n= n de portadores de carga por cm3
q= carga carregada pelo portador (Coulomb) [q
do =1,6x10-19 C]
m= mobilidade dos portadores de carga (cm2/V.s)

7.1.3. Resistividade Eltrica nos Metais


A resistividade eltrica dos metais depende de
um componente trmica (rT) resultante das
vibraes dos eltrons e um componente
residual (rR) que devido a defeitos estruturais.

R = r . l/A

r = rT + rR
Efeito da temperatura na
metais:

condutividade dos

A agitao trmica reduz o livre percurso mdio


dos eltrons, a mobilidade dos mesmos e como
conseqncia a condutividade.
Figura 7.1. Representao esquemtica de um
sistema para medir a resistividade eltrica.
A condutividade eltrica de um material depende:

Tipo de transportador de carga (q-carga)


Numero de condutor por unidades
volume(n).
Mobilidade do condutor(m).

de
ESTRUTURA PERFEITA A
BAIXA TEMPERATURA

s = n.q.m

MOVIMENTO DOS ELTRONS A MAIS


ALTA TEMPERATURA

Figura 7.2 Movimentao dos eltrons num


metal: (a) baixa temperatura,(b) alta temperatura

54

7.1.4. Efeito dos defeitos na condutividade dos


metais

7.1.5. Condutividade eltrica nos materiais


inicos

Os Defeitos nas estruturas cristalinas


dificultam a mobilidade dos eltrons,
diminuindo assim a condutividade eltrica.
A presena de tomos de soluto (intersticiais
e
substitucionais),
ir
aumentar
a
possibilidade de colises entre os eltrons e
os tomos de soluto.

A conduo eltrica nos slidos inicos


resultado da soma de duas contribuies: a
contribuio eletrnica e a contribuio
inica(mais importante).
As difuses dos ons dependem da
existncia
de
defeitos
puntiformes,
principalmente lacunas catinicas e aninicas
na rede cristalina
ri = Ne2D
kT

A condutividade eltrica nos compostos inicos


aumenta com o aumento da temperatura. Ao se
fundir um composto inico aumenta bruscamente
condutividade eltrica, devido a criaes de ons.

MOVIMENTO DOS ELTRONS


EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS

Figura 7.3 Movimentao dos eltrons numa liga


com presena de tomos intersticiais.

A presena de defeitos na estrutura


(discordncias, contorno de gros etc) reduz a
condutividade pois aumentam o risco de
colises dos eltrons com o ncleo dos
tomos.
60

materiais

Nos compostos covalentes os eltrons esto


fortemente ligados aos tomos em cuja ligao
covalente intervm, e no esto livres para que
possam conduzir eletricidade. Para liberar um
eltron capaz de conduzir necessria uma
grande energia.
Os defeitos cristalinos e a temperatura
aumentam a condutividades eltrica dos
polmeros.
7.1.7. Materiais semicondutores

50
Resistividade Eletrica

7.1.6. Condutividade eltrica nos


covalentes

Tem resistividade entre metais e isolantes

40
30

10-6-10-4 W.cm

20
10
0
0

10

20

30

40

50

60

Composio da Liga de CuNi (%Ni)

Figura 7.4. Resistividade eltrica de uma liga de


cobre e nquel em funo da composio
qumica.

1010-1020 W.cm

EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
Silcio, Germnio (Grupo IV da Tabela
Peridica)
GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da
Tabela Peridica)
PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela
Peridica)
95% dos dispositivos eletrnicos so
fabricados com Silcio
65% dos dispositivos de semicondutores do
grupo III-V so para uso militar

55

7.2. Propriedades Trmicas

Dilatao
Condutividade
Difusibilidade Trmica
Resistncia ao Choque Trmico

a -Coef.de dilatao linear (oC-1)


DL- Dilatao linear ( m,mm )
Lo Comprimento inicial
DT Variao de Temp. (oC)

7.2.1. Dilatao Trmica

0,008
A dilatao que a maioria dos materiais sofre por
ao do calor uma conseqncia do aumento
de sua energia interna, que implica em uma maior
amplitude das vibraes moleculares e, portanto,
um maior distanciamento entre seus constituintes
estruturais.

dL/Lo

0,006
0,004
0,002
0

T1

a =0 tg q200

Lo

400

600

800

1000

1200

TEMPERATURA
T2
DL

Figura 7.5. Curva de dilatao linear de um


material cermico contendo quartzo livre.

DL = Lo.a . (T2-T1)
L = Lo + DL
7.2.1.1 Dilatao Linear
Este aumento dimensional caracterstico de
cada material e expresso por um fator que
depende da temperatura, denominado coeficiente
de dilatao. Esse coeficiente pode referir-se ao
volume (coeficiente de dilatao volumtrico),
superfcie (coeficiente de dilatao superficial), ou
a uma dimenso (coeficiente de dilatao linear).

A variao dimensional de um material em


funo da temperatura praticamente linear
desde que no ocorram mudanas estruturais.
Entretanto, se durante seu aquecimento ocorrem
algumas
transformao
(modificaes
polimorficas, cristalizao ou devitrificao,
pontos de transio, etc.), estas aparecem na
curva dilatomtrica como uma mudana de
inclinao, sendo esta tanto mais pronunciada
quanto mais intensa for a transformao

O Coeficiente de Dilatao Linear depende:

Da fora de ligao atmica


Da compactao da Estruturas

7.2.1.2. Coeficiente de Dilatao Linear


uma relao que expressa qual a variao
dimensional que um material sofre quando
aquecido ou resfriado.
a =

DL
Lo.DT

7.2.1.3. Relao entre fora de ligao atmica


X coeficiente de dilatao trmica:
Existe uma correlao entre o coeficiente de
dilatao e a energia de ligao (temperatura de
fuso), materiais com alta energia de ligao
apresentam coeficientes de ligaes trmicas
baixos.
Fora de ligao
P. fuso

56

Tabela 7.1. Dilatao trmica e Ponto de fuso de


alguns metais
Coefiente
Temperatura
-1
Material
de dilatao(C ) de fuso (C)
Magnesio
26 x 10-6
650
Aluminio
23 x 10-6
660
-6
Prata
19 x 10
961
Ferro
13 x 10-6
1536
Platina
9 x 10-6
1769
-6
Molibidenio
7 x 10
2610
Carbeto de W
5 x 10-6
2850

7.2.1.4. Relao entre fator de empacotamento


X coeficiente de ligao

dl/lo ( 10-3 )

Quanto maior o fator de empacotamento atmico,


maior o coeficiente de dilatao, pois os tomos
esto mais prximos e conseqentemente a
repulso atmica maior.

q = - k. dT
dx

q fluxo de calor (J/m2 ou W/M2)


k condutividade trmica (W/m)
dt/dx- gradiente de temperatura
condutor

no

Meio

7.2.2.1. Mecanismo de transporte de calor


Nos slidos o calor pode ser transportado de
duas maneiras:

Pela movimentao de eltrons livres

Por vibraes quantizadas da rede (fnons)

k = kf

+ ke

A condutividade total de um material a soma da


condutividade eletrnica mais a condutividade
pelas vibraes.

45
40
35

7.2.2.2. Conduo trmica nos metais

30

Nos metais a conduo de calor realizada


principalmente por eltrons livres.

25
20

ke >>> kf

15
10

Como na conduo eltrica os defeitos de


estrutura diminuem o livre caminho mdio dos
eltrons diminuindo assim a condutividade
trmica.

5
0

300

600

900

1200 1500 1800


Temperatura (C)

kao comum > k ao inox

Figura 7.6. Curva de dilatao linear de uma liga


de ferro.
7.2.2.3. Conduo trmica nos cermicos
7.2.2. Condutividade Trmica

o fenmeno pelo qual calor transportado das


regies de maior temperatura para as regies de
menor temperatura.
A propriedade que caracteriza a habilidade de
um material transferir calor a condutividade
trmica ( k ).

Nos
materiais
cermicos
por
no
apresentarem
eltrons
livres
os
fnons(vibraes no reticulo) so os
principais meios de conduo trmica

57

Irregularidades no reticulo cristalina afetam a


condutividade trmica, pois os defeitos difratam
os fnons (ondas).

kfonons >>> keletrons

kcristal > kvidro


Exemplo: A alumina que um matria cermico
altamente cristalino tem uma condutividade
trmica em torno de 40W/m-K, enquanto o vidro
um material amorfo tem condutividade abaixo de
2,0W/m-K. O diamante material extremamente
cristalino possui uma condutividade superior a
1400W/m-K.
7.2.2.4. Outros fatores que afetam a conduo
trmica
Temperatura

Normalmente a condutividade decresce com


temperatura, com exceo nos materiais
amorfos.

Nos materiais metlicos a temperatura tem


pouca influencia na conduo.

7.2.4. Choque
termoclasse)

trmico

(Resistncia

Quando um corpo slido aquecido ou resfriado,


o gradiente interno de temperatura ir depender
do seu tamanho, da taxa de variao de
temperatura da difusibilidade trmica. Os
gradientes de temperatura ao longo de um corpo,
causado
pelo
rpido
aquecimento
ou
resfriamento
causaro
tenses
internas
provocadas por diferenas de retrao ou
expanso trmica. A capacidade de resistir a
estas variaes bruscas de temperatura
conhecido por choque trmico.

RCT = h . S
a.E
RCT- resistncia ao choque trmico
h- Difusividade trmica
S- limite de resistncia
a- dilatao trmica
E- Modulo de elasticidade

Poros
A presena de poros reduz a condutividade
trmica dos materiais.

7.2.3. Difusividade trmica (h)


A difusibilidade trmica a propriedade que o
material possui em difundir calor no seu interior,
ela depende da: condutividade trmica,
capacidade calorfica e da densidade.
h= K
Cp. r

K- condutividade trmica
Cp- capacidade trmica
r- densidade
h- Difusividade trmica

58