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Tiristores

En la seccin de transistores hicimos el exeperimento de colocar dos diodos enfrentados


entre si, de una forma que quedara equivalente con cristales unidos NPN o PNP.
Realizamos varias pruebas y vimos sus virtudes y la forma de comportarse a la corriente
elctrica.
Vamos a ver que ocurre si unimos dos transistores de diferente polaridad, pero uniendo sus
cristales de igual constitucin entre s del modo que vemos en la imagen. Nos queda como
un transistor al que se le ha aadido un cristal ms de igual polaridad al de la base. Pero
tambin podriamos interpretar este elemento como dos diodos, colocados uno a
continuacin del otro; sin embargo, la presencia de una conexin de base en el cristal P
dara unas cualidades muy particulares a esta nueva unin de materiales semiconductores.
Vamos a llamar nodo (A) al lugar que corresponde a la entrada de la corriente; ctodo (K)
al lugar de salida y electrodo de gobierno o puerta (G) a la entrada de esta corriente de base
que proporciona especiales caractersticas a nuestro nuevo elemento.
Desde el punto de vista electrnico vemos que este elemento se comporta como un diodo
rectificador pero con especiales condiciones. Por ejemplo, si le aplicamos una pequea
tensin de nodo a ctodo, la corriente no circula ni siquiera como normalmente lo hara un
diodo; si le invertimos la polaridad se bloquea tambin y la corriente no pasa. Pero si
aumentamos la tensin por medio, por ejemplo, de una resistencia variable potenciomtrica,
al alcanzar una determinada tensin este elemento se hace conductor en su sentido de paso,
y se convierte en no conductor de nuevo si la tensin baja de determinados y muy precisos
lmites. Esta caracterstica hace que pueda interpretarse como un interruptor que se conecta
a si mismo cuando la tensin aplicada en sentido de paso alcanza cierto valor. Esta
caracterstica va a ser muy importante y va a dar a este elemento muchas posibilidades de
utilizacin en electrnica.
A este tipo de unin, se le da el nombre de diodo rectificador controlado de silicio, y se
presenta a veces en los esquemas con las letras SCR
(silicon controlled rectifier), pero resulta ms
corriente denominarle tiristor.

Funcionamiento del
Tiristor
Siguiendo la primera imagen se supone que entre nodo y ctodo no existe tensin alguna
as como entre el el electrodo de gobierno, o puerta y el ctodo por lo que existen ciertas
zonas desprovistas de cargas, bien definidas, en cada una de las uniones PN, y sealadas
como J1, J2, J3. Si se aplica una tensin entre nodo y ctodo siendo el nodo positivo con
respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 se polarizan en sentido directo y se hacen ms
estrechas, mientras que la unin J2 se polariza en sentido inverso, y su zona de agotamiento
se hace ms ancha, tal como se puede ver en la segunda imagen. En estas condiciones no

pasa prcticamente corriente (salvo la consabida e insignificante corriente de fuga).


As pues, aqu tenemos la misma sorpresa: Si este nuevo elemento que acabamos de montar
se comportara como los diodos colocados en serie, es evidente que el paso de la corriente se
debera producir, pues equivaldra al paso de uno y otro diodo sucesivamente; pero al
encontrarse el material semiconductor unido entre si en sus diferentes clases, ocurre que
esta previsin no se cumple y se crea, como deciamos, una zona de resistencia en J2 que
hace que este elemento se encuentre bloqueado en sentido directo.
Hemos dicho que en realidad lo que se ha hecho no es juntar dos diodos, uno despus del
otro, sino ms bien juntar dos transistores de modo que el esquema de este elemento sera
algo as como lo que se ve en la tercera imagen, en donde cada transistor conserva de algn
modo sus caractersticas y, evidentemente, nos queda un cristal al que le sale un electrodo
al que hemos al que hemos llamado antes puerta (G). Pues bien: veamos que ocurre si
manteniendo la misma fuente de tensin entre nodo y ctodo que vimos en la primera
imagen, le aplicamos un impulso positivo en el mismo electrodo de puerta, tal como se ve
en la cuarta imagen. Ahora vemos que la corriente pasa a travs de la unin J3 polarizada
en sentido directo, del ctodo hacia la puerta o electrodo de gobierno, tal como ocurrira en
un transistor NPN. Las tres regiones inferiores compuestas por los cristales N2, P2 y N1 se
pueden considerar como un transistor NPN en el cual P2 contituye la base; N1 el colector, y
N2, el emisor. La corriente electrodo de gobierno-ctodo equivale a la corriente emisorbase de un transistor, y por el efecto transistor parte de la corriente de emisor atraviesa la
unin J2 y pasa al colector. El flujo de electrones a travs de la unin J2 es causa de la
regin de agotamiento se estreche y que, por lo tanto, su resistencia se redusca.
Como consecuencia de todo lo expuesto la proporcin de la tensin nodo-ctodo que
aparece en la unin J2 disminuye, lo cual permite que aumente la tensin de las uniones J1 t
J3. La polrizacin directa de J1 aumenta y un cierto nmero de huecos atraviesa la unin, lo
cual se ve representado mediante la flecha blanca en la quinta imagen.
Las regiones P1, N1 y P2 pueden a su vez ser consideradas como un transistor PNP, por lo
que , debido al efecto del transistor normal, algunos de los huecos del emisor P1 fluyen
hacia el coletor P2 a travs de la base N1 (flecha blanca en la sexta imagen). Este ltimo
flujo de huecos a travs de la unin J2 hace que su anchura se redusca an ms y, por
consiguient, aumenta el flujo de electrones en el transistor formado por las regiones N2, P2
y N1.
Este efecto acumulativo, iniciado por el impulso positivo aplicado entre electrodo de
gobierno y ctodo, contina rpidamente hasta que la unin J2 desaparece del todo, con lo
cual la resistencia efectiva nodo-ctodo del tiristor se hace muy pequea y puede ciircular
a travs de l una corriente directa de gran intensidad.
El tiristor permanece en estado de conduccin incluso despus de desaparecer el impulso
positivo entre electrodo de gobierno-ctodo que lo hizo pasar al estado de conduccin. En
la prctica, un pequeo impulso positivo aplicado al electrodo de gobierno, depocos voltios
de amplitud, es suficiente para desbloquear el tiristor. Sin embargo, la duracin del impulso
ha de ser lo suficientemente larga para lograr con ello que la coriente andica alcance un
determinado valor mnimo de mantenimiento antes de que desaparezca el impulso.
El bloqueo del tiristor slo puede conseguirse reduciendo la tensin nodo-ctodo por
debajo de su nivel de mantenimiento, lo cual se consigue normalmente reduciendo la
tensin nodo-ctodo a cero.
Variedad de Tiristores

Los tiristores se pueden dividir en tiristores


de mando y tiristores de potencia al igual que
ocurre con los transistores.
Tambin se puede distinguir por su
estructura, pues pueden estar fabricados del
tipo PNPN o tambin NPNP. En el caso de su
estructura conviene aclarar que tanto en el caso
PNPN como NPNP el nodo siempre est fijado a
un cristal P y el ctodo al cristal N, pero el
electrodo de gobierno es positivo en el primer caso y negativo en el segundo. Los tiristores
con el electrodo de gobierno en P, tal como son los que hemos estudiado hasta ahora, son
los ms corrientes; pero los que llevan el electrodo de gobierno en N reciben el nombre de
complementarios, en las dos varientes ms corrientemente utilizadas.

Curvas caractersticas del Tiristor


Para comprender mejor la explicacin dada hasta este momento sobre el funcionamiento
del tiristor, ser conveniente que veamos la curva caracterstica de este componente, al
igual que hicimos en la seccin del diodo con dicho semiconductor, ya que esta curva nos
va a aclarar posibles dudas sobre el modo de comportarse el tiristor.
Esta curva la podemos ver en el grfico como un tiristor imaginario, que podemos
comparar, para la mejor comprensin, con la curva caracterstica del diodo. Ahora, vemos
representadas en primer lugar las caractersticas que presenta el tiristor en estado de paso de
corriente directa. Hay inicialmente, una caracterstica de bloqueo en el momento del paso
de la corriente en sentido directo, que viene representado por toda la linea A. Aqu crece la
tensin directa sin que el tiristor permita el paso de la corriente. Pero cuado esta alcanza un
determinado punto conocido con el nombre de tensin de operacin, el tiristor permite el
paso de la corriente en sentido directo, lo que se representa por la linea ascendente B. Ahora
la corriente de paso directo es elevada.
Cuando la corriente directa desciende de valor se mantiene hasta la llamada corriente de
retencin o corriente de mantenimieto (C), por debajo de la cual se interrumpe el paso de la
corriente en sentido directo.
En el sentido inverso , el tiristor se comporta como un diodo normal, es decir, impidieno el
paso de la corriente, aunque opsee, al igual que el diodo Zener, un acodamiento en la curva
caracterstica a la cual, no obsante y en servicio normal, no suele llegarse.
De acuerdo con lo dicho, vemos que el tiristor de u modo parecido a un diodo normal si no
fuera por la 'falla' que se produce en su curva caracterstica los puntos O-C-D, como se ve
en el segundo grfico en donde la corriente debe sufrir como un disparo para conseguir el
paso en el sentido directo. En realidad, cuando la tensin entre nodo y ctodo crece apartir
de cero (ahora nos referimos a una tensin nula entre electrodo de gobierno y ctodo) el
punto representativo se desplaza porla curva O-C hasta obtener el valor V2 de la tensin
con un valor de intensidad muy dbil. En el momento de llegar a V2 la conduccin en
sentido directo aparece brucamente, de modo instantaneo, entre C-D de forma que aqu se
mantiene la misma intensidad, pero para una tensin muy inferior. Si la tensin aumenta el

paso de la corrente aumenta tambin pero muy rpidamente a travs de la curva D-B, con
fuertes intensidades para tensiones muy pequeas.
Para un mejor conocimiento final del tiristor
vamos a hacer un resumen de su maner de actuar.
para ello
vamos a

considerar las tres posibilidades que se le


presentan y que son:
a) sin tensin en el electrodo de gobierno.
b) con tensin alterna entre nodo y ctodo.
c) con tensin positiva aplicada al electrodo de gobierno.
a) El funcionamiento es el explicado anteriormente y corresponde al trazo gruezo de la
curva del ltimo grfico. En resumen podemos decir:
Si el valor de la tensin se mantiene a la izquierda del punto V1 existe una avalancha tipo
Zener en sentido inverso; pero si la tensin se mantiene entre V1 y O solamente puede
existir una ligera corriente de fuga en sentido inverso de valor despreciable.
Entre O y V2 no hay corriente de paso directo (salvo una despreciable corriente de fuga).
En el punto V2 se produce el cebado y el tiristor permite el paso de grandes corrientes por
D-B. Para que el aso de la corriente se interrumpa se precisa que la intensidad baje por
debajo de los valores de la corriente de mantenimiento (I1) que corresponde a los puntos DC. En este momento el tiristor se bloquea instantneamente.
b) El tiristor es ante todo es un diodo rectificaador de modo que se utiliza tambin
formando parte de puentes de diodosrectificadores en los altenadores. Dadas las
caractersticas expuestas hasta ahora cabe preguntarse: Cmo acta este elemento frente a
una corriente alterna que aplica, por consiguiente una tensin alterna entre nodo y ctodo
en donde las tensiones estn comprendidas entre V1 y V2? La respuesta es sencilla. Se
comporta omo un diodo normal porque al llegar la tensin a V2 cierra el circuito y se hace
pasante.
c) Si la tensin positiva se aplica al electrodo de electrodo el circuito O-C-D queda
sustituido por O-C1-D1, de modo que se modifica suscaracersticas de isparo a la corriente
directa. Pero segn el valor de las tensiones sobre el electrodo de disparo se tendran

valores como O-C2-D2 o bien O-C3-D3, etc. De ello se deduce que el cebado producido
para el paso de la corriente directa es permitido o facilitado por la existencia de una tensin
e el electrodo de gobierno. Esta nueva faceta del tiristor ser tambin de gran inters ara
muchas de sus aplicaciones.
Cdigo de designacin de los diodos semiconductores controlados (Tiristores)

Para finalizar veamos el cdigo que se utiliza para distinguir las caractersticas de los
diodos controlado. De manera parecida a como ocurre con otros semicoductores que hemos
estudiado en otras secciones, su interpretacin es como sigue:
La primera letra siempre es una B, que indica que se trata de un semicondutor realizado con
silicio.
La segunda letra puede ser una R o una T. La R indicar que se trata de un dispositivo de
control y conmutacin disparado electrnicamente, con una caracterstica de ruptura y una
resistencia trmica entre la unin y la base de montaje mayor de 15 por W. Si la segunda
letra es una T, indica que se trata de un dispositivo de potencia para control y conmutacin
disparado electricamente, que tiene una caracterstica de ruptura y una resistencia trmica
entre la unin y la base de montaje igual o menor de 15 por W.
El nmero de serie est formado por tres cifras para los dispositivos semiconductores
diseados para aplicacin en aparatos de uso domstico, o por una letra y dos cifras para los
dispositivos semiconductores diseados para equipos profesionales.
Finalmente, el cdigo se complementa con un sufijo, separado del cdigo principal por un
guin, y que est compuesto por unas cifras indicativas de la tensin inversa mxima de
cresta.
En el caso de dispositivos semiconductores controlados en los que el nodo est conectado
a la cpsula (polaridad inversa), se aade detrs del cdigo complementario la letra R.

ELECTRONICA DE POTENCIA: TIRISTORES

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que
se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrnicos de
bajo consumo de potencia.
La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel reflejo de la
funcin que efecta este componente: una puerta que permite o impide el paso de la
corriente a travs de ella. As como los transistores pueden operar en cualquier punto entre
corte y saturacin, los tiristores en cambio slo conmutan entre dos estados: corte y
conduccin.
Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los tipos ms significativos:
Diodo Shockley, SCR (Silicon Controlled Rectifier), GCS (Gate Controlled Switch), SCS
(Silicon Controlled Switch), Diac y Triac.
1 EL DIODO SHOCKLEY

El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo. Est constituido por
cuatro capas semiconductoras que forman una estructura pnpn. Acta como un interruptor:
est abierto hasta que la tensin directa aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra
y permite la conduccin. La conduccin contina hasta que la corriente se reduce por
debajo de un valor especfico (IH).

Figura 1: Construccin bsica y smbolo del diodo Shockley


1.1 CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD

Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una corriente
muy pequea hasta que se alcance la tensin de ruptura (VRB).

Figura 2: Caracterstica I-V del diodo Shockley


En polarizacin positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza un valor de
tensin VB0. Una vez alcanzado este punto, el diodo entra en conduccin, su tensin
disminuye hasta menos de un voltio y la corriente que pasa es limitada, en la prctica, por
los componentes externos. La conduccin continuar hasta que de algn modo la corriente
se reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento IH.
La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarizacin directa tiene un lmite
impuesto por el propio componente (IMAX), que si se supera llevar a la destruccin del
mismo. Por esta razn, ser necesario disear el circuito en el que se instale este
componente de tal modo que no se supere este valor de corriente. Otro parmetro que al
superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es VRB, ya que provocara un fenmeno
de avalancha similar al de un diodo convencional.
1.2 EJEMPLO DE APLICACION: DETECTOR DE SOBRETENSION

En esta aplicacin, se ha seleccionado un diodo Shockley con una tensin de conduccin de


10 V. Por tanto, si la tensin de la fuente es correcta, es decir, de 9 V, el diodo est abierto,
no circula corriente por l y la lmpara estar apagada. Pero si la tensin de la fuente
supera, por una falla en su funcionamiento una tensin de 10 V, el diodo entra en saturacin
y la lmpara se enciende. Permanecer encendida (y el diodo cerrado) aunque la tensin

vuelva a 9V, mostrando de esta manera que ha habido una falla. La nica forma de apagar
la lmpara sera desconectar la alimentacin.

Figura 3: Detector de sobretensin


2 SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la diferencia
de poseer tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley,
presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.

Figura 4: Construccin bsica y smbolo del SCR


2.1 CARACTERISTICA TENSION INTENSIDAD

Tal y como se aprecia en la Figura 5, la parte de polarizacin inversa de la curva es anloga


a la del diodo Shockley.

Figura 5: Caracterstica del SCR


En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce hasta que se recibe un
pulso de tensin en el terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la tensin entre nodo y
ctodo cae hasta ser menor que un voltio y la corriente aumenta rpidamente, quedando
limitada en la prctica por componentes externos.
Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarn la destruccin
del SCR si se superan: VRB e IMAX. VRB (Reverse Breakdown Voltage) es, al igual que en el
diodo Shockley, la tensin a partir de la cual se produce el fenmeno de avalancha. IMAX es
la corriente mxima que puede soportar el SCR sin sufrir dao. Los otros dos valores
importantes son la tensin de cebado VBO (Forward Breakover Voltage) y la corriente de
mantenimiento IH, magnitudes anlogas a las explicadas para el diodo Shockley.
2.2 METODOS DE CONMUTACION

Para que el dispositivo interrumpa la conduccin de la corriente que circula a travs del
mismo, sta debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de mantenimiento). Hay dos
mtodos bsicos para provocar la apertura el dispositivo: interrupcin de corriente andica
y conmutacin forzada. Ambos mtodos se presentan en las figuras Figura 6 y Figura 7.

Figura 6: Apertura del SCR mediante interrupcin de la corriente andica


En la Figura 6 se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante un
interruptor bien en serie (figura izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El
interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de
conducir. El interruptor en paralelo desva parte de la corriente del SCR, reducindola a un
valor menor que IH.
En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece en la Figura 7, se introduce una
corriente opuesta a la conduccin en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que
conecta una batera en paralelo al circuito.

Figura 7: Desconexin del SCR mediante conmutacin forzada

2.3 APLICACIONES DEL SCR

Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en


reguladores (dimmer) de lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos.
En la Figura 8 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia
variable. Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia de
la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una lmpara). R1 es una
resistencia limitadora de la corriente y R2 es un potencimetro que ajusta el nivel de disparo
para el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del
ciclo positivo de la onda en alterna entre 0 y 180, como se aprecia en la Figura 8.

Figura 8: (a) Conduccin durante 180 (b) Conduccin durante 90


Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0), como en la
Figura 8 (a), conduce durante aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la
carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura 8 (b), el
SCR conduce durante aproximadamente 90 y se transmite menos potencia a la carga.
Mediante el ajuste de RX, el disparo puede retardarse, transmitiendo as una cantidad
variable de potencia a la carga.
Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el
siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo
como se ilustra en la Figura 9. El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en AC
sea aplicado a la gate del SCR.

Figura 9: Disparos cclicos para control de potencia


3 GCS (GATE CONTROLLED SWITCH)

Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia de que el GCS puede interrumpir el
paso de corriente con una seal en el terminal de gate.
Igual que el SCR, no permitir el paso de corriente hasta que un pulso positivo se reciba en
el terminal de puerta. La diferencia se encuentra en que el GCS puede pasar al estado de
corte mediante un pulso negativo 10 20 veces mayor que el pulso positivo aplicado para
entrar en conduccin.

Figura 10: Smbolo del GCS


Los GCS estn diseados para cargas relativamente pequeas y pueden soportar slo unas
pocas decenas de amperios.
4 SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH)

Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales
de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS se suele utilizar en
rangos de potencia menores que el SCR.

Figura 11: Smbolo del SCS


El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder
abrirse ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el
inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra ms limitado en cuanto a
valores de tensin y corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores
y circuitos temporizadores.
5 EL DIAC

Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos
terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos
opuestos.

Figura 12: Construccin bsica y smbolo del diac


La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona
como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa.
Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que
hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes
izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser
simtricas.

Figura 13: Caracterstica V-I del diac


6 EL TRIAC

Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta (gate). Se puede
disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje VBO como
el diac.

Figura 14: Construccin bsica y smbolo del TRIAC.


En la curva caracterstica se indica que para diferentes disparos, es decir, para distintas
corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de polarizacin positiva,
la curva de ms a la izquierda es la que presenta un valor de VBO ms bajo, y es la que
mayor corriente de gate precisa en el disparo. Para que este dispositivo deje de conducir,
como en el resto de los casos, hay que hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.

Figura 15: Caracterstica V-I del triac


Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El
triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la carga
durante un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR es que se puede
disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera que la corriente
en la carga puede circular en los dos sentidos.

Figura 16 Control bsico de potencia con un Triac


7 RESUMEN

Como resumen final del tema se reflejan en una tabla las caractersticas ms importantes de
los tiristores que se han presentado.
1
2
0
UNIDIRECCION BIDIRECCION
ON/OF
TIRISTOR
GAT GAT GAT
AL
AL
F
E
E
E
SHOCKLE
Y

SCR

GCS

SCS

X
X

DIAC

TRIAC

X
X

EL TRANSISTOR BIPOLAR
1 INTRODUCCION

La Figura 1 muestra el smbolo de un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction


Transistor), con la nomenclatura habitual de sus terminales.

Figura 1: Smbolo y tipos de transistor BJT

Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, segn la configuracin mostrada


en la Figura 2.

Figura 2: Estructura interna del transistor bipolar


Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al sentido de la
corriente en polarizacin directa del diodo BE. En principio, parece una estructura
simtrica, en la que es imposible distinguir el emisor del colector. Sin embargo la funcin
que cumple cada uno es completamente distinta, y en consecuencia, se fabrican con
diferentes caractersticas. Por lo tanto no es un componente simtrico.
Un transistor tiene dos formas principales de operacin: como un interruptor o como una
resistencia variable.
1.1 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo


mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia est en que mientras
en el primero es necesario que haya algn tipo de control mecnico, en el BJT la seal de
control es electrnica. En la Figura 3 se muestra la aplicacin al encendido de una
bombilla.

Figura 3: El transistor bipolar como interruptor de corriente

En el primer caso, bajo la seal de control adecuada, que es introducida a travs de la base,
el transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el colector, no existe
corriente y la bombilla estar apagada. En el segundo caso, cambiando la seal de control,
se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla, que se enciende.
Este funcionamiento entre los estados de corte y conduccin se denomina operacin en
conmutacin. Las aplicaciones tpicas de este modo de operacin son la electrnica de
potencia y la electrnica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensin
fijos equivalentes al

lgicos.

1.2 TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE

En la Figura 4 se presenta la comparacin entre un potencimetro y un transistor colocados


en un circuito.

Figura 4: Transistor bipolar operando como resistencia variable


Si el valor de la resistencia del potencimetro se fija en 5 kW, la tensin de salida VOUT ser
de 5 V. Al aumentar esta resistencia, la salida tambin aumentar de valor. Por ejemplo, con
20 kW VOUT resulta ser 8 V. Modificando el valor del potencimetro se puede obtener
cualquier valor en la salida comprendido entre 0 V y 10 V, ya que:

Al igual que en el potencimetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia entre


colector y emisor, con la diferencia de que la seal de mando no es mecnica, sino elctrica
a travs de la base. Como se ver ms adelante, con una pequea seal aplicada en la base
puede gobernarse el BJT, con lo que aparece un concepto nuevo: la amplificacin de
seales. Esta funcin es la base de la electrnica analgica, aquella en la que se procesan
seales de tensin respetando su forma de onda temporal.

2 PRINCIPIO DE OPERACION

En este apartado se va a trabajar exclusivamente con el transistor NPN. No obstante, cabe


sealar que los razonamientos necesarios para entender el transistor PNP son
completamente anlogos, por lo que se deja al lector la tarea de deducir los modelos
caractersticos de su funcionamiento.
En la Figura 2 pueden verse las dos uniones PN del transistor: la unin Base-Emisor (BE),
y la unin Base-Colector (BC). Cada una por separado constituye un diodo, pero la
conjuncin de ambas provoca un efecto nuevo, denominado efecto transistor. Obviamente,
el estado global del transistor depende de la polarizacin, directa (PD) o inversa (PI), de las
dos uniones.
Los casos posibles se adjuntan en la tabla siguiente:
Estado

Unin

Unin

PI

PI

Corte

PD

PD

Saturacin

PD

PI

RAN

PI

PD

RAI

Los dos ltimos casos, la Regin Activa Normal (RAN) y la Regin Activa Inversa (RAI)
son conceptualmente similares. Si el transistor fuera simtrico, estaramos ante la misma
regin de funcionamiento, solo que con los terminales intercambiados. Sin embargo el
colector y el emisor se fabrican de forma diferente, precisamente para adaptar su
funcionamiento a la RAN. Por ello no se suele trabajar en la RAI. Una vez aclarado este
punto se va a analizar el funcionamiento en cada regin de operacin.
2.1 REGION DE CORTE

Como elemento bsico para la discusin en este apartado se va a emplear el circuito de la


Figura 5.

Figura 5: Transistor BJT polarizado en la regin de corte


En el circuito de la Figura 5:

En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de
depleccin en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga
mviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los
portadores minoritarios s pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan
lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos
prcticos, a un circuito abierto.
A partir de esta definicin, se pueden deducir fcilmente los modelos matemtico y circuital
simplificados para este estado. El transistor BJT en la regin de corte se resume en la
Figura

Figura Modelo del

en corte para seales de continua

Obviamente, en estos modelos no se tiene en cuenta el efecto de las corrientes de fuga de


las dos uniones, y slo son vlidos para realizar una primera aproximacin al
comportamiento de un circuito.
EJEMPLO 1: Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE del
circuito de la figura 7, cuando EB = 0 V.

Figura 7: Circuito del ejemplo 1


SOLUCIN: La base del transistor est conectada a la fuente a travs de una resistencia
RB. Puesto que la diferencia de potencial entre los extremos del generador es nula, no puede
polarizarse la unin BE en directa, por lo que el transistor est en corte, es decir:

VBC = VBE - VCE = 0 - 10 = - 10 V


Pueden obtenerse los mismos resultados si se sustituye el transistor en el circuito por su
modelo equivalente:

2.2 REGION ACTIVA NORMAL

Para facilitar el estudio y comprensin de los fenmenos que suceden cuando se polariza el
transistor en RAN, se va a analizar en primer lugar el comportamiento del transistor en las
situaciones descritas en la Figura 8 a) y b).

Figura 8: Transistor NPN.


En la Figura 8 a), como la tensin EC est aplicada al colector, la unin base-colector estar
polarizada en inversa. A ambos lados de la unin se crear la zona de depleccin, que
impide la corriente de portadores mayoritarios. No existir corriente de colector
significativa, y el transistor se encontrar operando en la regin de corte.

En el caso de la Figura 8 b), la fuente EB polariza la unin base-emisor en directa, que se


comporta como un diodo normal, es decir, la zona P inyecta huecos en la zona N, y esta
electrones en aquella. Si el dopado de la base es muy inferior al del emisor, la inyeccin de
huecos ser muy inferior a la de electrones, y se puede describir el proceso as: el emisor
inyecta electrones en la base. Estos se recombinan con los huecos que provienen de la
fuente de alimentacin y se crea una corriente IB. En este caso el colector no entra en juego.
La operacin en RAN se da cuando la unin BE se polariza en directa y la BC en inversa.
Los tres puntos caractersticos de esta regin de operacin son:
1. Corriente de colector no nula: conduccin a travs de la unin BC pese a
que est polarizada en inversa.
2. La corriente de base es muy inferior a la de colector.
3. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base.

Figura 9: Transistor NPN en RAN.


Conduccin a travs de la unin BC

En el circuito de la Figura 9 la unin BE se polariza en directa, mientras que si EC es mayor


que EB, la unin BC estar en inversa, luego no debera circular corriente a travs de esta
ltima. Lo que sucede es que el emisor (tipo N) inyecta electrones en la base (tipo P), en la
que los portadores mayoritarios son los huecos, y los minoritarios son los electrones. Como
se explic anteriormente, una unin PN en inversa bloquea el paso de mayoritarios, pero no
de minoritarios (que constituyen la corriente de fuga en inversa). Por lo tanto, los electrones
inyectados desde el emisor a la base, atrados por el potencial positivo aplicado al colector,
pueden atravesar la unin BC, y dar origen a la corriente de colector IC. Mediante el emisor,
se inunda la base de electrones, aumenta drsticamente el nmero de portadores
minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta tambin.

As que la primera contradiccin queda resuelta. El diodo BC no conduce realmente en


inversa, sino que sus corrientes de fuga se equiparan con la corriente normal gracias al
aporte de electrones que provienen del emisor.
La corriente de base es muy inferior a la de colector

En este punto de la explicacin surge una pregunta: y por qu los electrones llegan hasta la
unin BC y no se recombinan como en la Figura 8.b)?. La Figura 10 muestra la distribucin
de corrientes.

Figura 10: Distribucin de corrientes en un transistor NPN en RAN.


Si la base es estrecha y est poco dopada, es relativamente probable que un electrn la
atraviese sin encontrarse con un hueco. Tpicamente, los BJT se construyen para que se
recombine el 1% de los electrones. En este caso se obtiene una ganancia de corriente de
100, es decir, la corriente de base es 100 veces inferior a la del colector. Como la corriente
de emisor es la suma de estas dos, es obvio que su valor es cercano al de la corriente de
colector, con lo que en la prctica se consideran iguales (slo operando en RAN).

La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base procedentes del


emisor. All donde haba un hueco pasa a haber, tras la recombinacin, un ion negativo
inmvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga
negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se
impedira la circulacin de corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga
huecos para que haya corriente de colector.
Por tanto, por cada electrn recombinado hay que introducir un hueco nuevo que neutralice
la carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente IB pequea), la capacidad de
inyectar electrones ser baja, debido a la repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la
propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional denominado ganancia directa de corriente, o bien


ganancia esttica de corriente.
Resumiendo.

El transistor bipolar operando en la RAN se comporta como un amplificador de corriente.


La corriente dbil

se reproduce amplificada en un factor

en

Los modelos y condicin de existencia se presentan en la Figura 11. De nuevo hay que
resear que se trata de un modelo muy simplificado, que slo da cuenta de los fenmenos
bsicos sealados anteriormente.

Figura 11: Modelo del BJT en RAN para seales de continua.

La condicin de corriente de base mayor que cero se refiere a corriente entrante en el


dispositivo, es decir, la corriente debe entrar por la base para que el
est en RAN. Para
los valores habituales de IB, la tensin VBE se sita en torno a los 0,7 V. Por ello, en muchas
ocasiones se toma este valor para realizar un anlisis aproximado de los circuitos.
EJEMPLO 2: En el circuito de la Figura 7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes
IB, IC e IE cuando EB = 5 V y cuando EB = 7 V. La ganancia de corriente del transistor es F =
100.
SOLUCIN: Al aplicar una diferencia de potencial positiva (> 0,7) a la base se polariza la
unin BE en directa. Adems, si EB, es inferior a la de la fuente conectada al colector, la
tensin de colector ser superior a la de la base, con lo que la unin BC estar polarizada en
inversa. Se dan, por lo tanto, las condiciones necesarias para la operacin en RAN, con lo
que se verifica aproximadamente que:
;
Estas dos ecuaciones pueden introducirse en el circuito empleando el modelo equivalente:

Figura : Anlisis del transistor en RAN


El anlisis del circuito permite aadir dos ecuaciones nuevas para el clculo de IB, IC y VCE:

De la primera expresin se obtiene

Teniendo en cuenta que

Finalmente:

En la tabla siguiente se adjuntan los resultados numricos de los dos casos requeridos en el
enunciado:
IB

IC

IE

VBE

VCE

VBC

EB = 5 V

43 A

4,3 mA

4,343 mA

0,7 V

5,7 V

-5 V

EB = 7 V

63 A

6,3 mA

6,363 mA

0,7 V

3,7 V

-3 V

Los resultados obtenidos en el ejemplo 2 sugieren los siguientes comentarios:

La tensin VBC obtenida en ambos casos es negativa, lo que significa que


la polarizacin de la unin BC es inversa. Como adems la corriente de la
base es positiva queda comprobado que el transistor est operando en
RAN.

La corriente IE tiene un valor muy cercano al de IC. En la prctica, sera


difcil de detectar la diferencia entre ambas mediante aparatos de
medida convencionales. Por ello, en ocasiones se realiza la aproximacin
IC = IE.

Una variacin de corriente en la base de tan slo 20 A provoca una


variacin en la tensin VCE de 2 V. Este es el principio de la amplificacin
analgica de seales.

Centremos ahora la atencin en la evolucin de VCE. Cuando el transistor est en corte VCE
= 0 V. En la RAN, a medida que aumenta EB disminuye VCE. Este resultado es lgico,
puesto que IC es directamente proporcional a EB. Como VCE = EC - RCIC, al aumentar el

trmino negativo disminuye el valor de la resta. Grficamente puede representarse este


hecho como sigue (Figura 13):

Figura 13: Evolucin de las tensiones y corrientes en el ejemplo 2


Si RC fuera una bombilla, en el caso A estara apagada, mientras que en los casos B y C
proporcionara luz. Evidentemente, en el caso C la intensidad de la luz ser mayor que en el
B, puesto que la tensin aplicada es mayor. Aqu se pone de manifiesto claramente el
funcionamiento del transistor como resistencia variable, ya que el comportamiento entre C
y E es similar al de un potencimetro: modificando la seal de control convenientemente
podemos variar la tensin de alimentacin de la bombilla entre 0 y 10 V.
2.3 REGION DE SATURACION

Supongamos que tenemos un transistor polarizado en la RAN segn el circuito de la Figura


7). En la tabla de resultados del ejemplo 2 queda claro que segn aumenta la tensin EB (o
bien la corriente IB) el valor absoluto de la tensin VBC disminuye. Llegar un momento en
el que, si IB crece lo suficiente VBC cambiar de signo y pasar a ser positiva. En ese
instante, la unin BC dejar de estar polarizada en inversa, y entrar en polarizacin
directa. La consecuencia es que el colector pierde su capacidad de recolectar electrones, y
la corriente IC resulta ser inferior al valor IB.

Figura 14: Transistor BJT polarizado en la regin de saturacin


Por otra parte, segn se muestra en la Figura 14, al estar las dos uniones polarizadas en
directa, la tensin entre el colector y el emisor en saturacin ser:
VCE SAT = VBE ON - VBC ON
Si los diodos BE y BC fueran idnticos, la tensin de conduccin de ambos sera
prcticamente igual, y entonces la tensin VCE SAT sera nula. Sin embargo, tal y como se ha
comentado anteriormente, el colector y el emisor se fabrican con distintas caractersticas.
Normalmente la tensin VBE ON es aproximadamente igual a 0,7 V, mientras que VBC ON se
sita en torno a los 0,5 V. Ello conlleva una tensin cercana a 0,2 V. Dado que la tensin de
codo de los diodos permanece prcticamente constante para las corrientes de operacin
habituales, la tensin VCE SAT es tambin independiente de las corrientes IB IC. Con ello el
transistor pierde su capacidad de gobierno sobre la corriente de colector, que ser
controlada nicamente por el circuito externo.
Anlogamente al resto de regiones de funcionamiento, tambin puede hallarse un modelo
simplificado para realizar clculos con un transistor polarizado en la regin de saturacin:

Figura 15. Modelo simplificado del BJT en saturacin.


Como puede observarse, en este modelo se toma la tensin VCE SAT nula, pero podra
considerarse cualquier valor sin ms que incluir una fuente de tensin independiente del
valor deseado entre el colector y el emisor.
EJEMPLO 3: En el circuito de la Figura 7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes
IB, IC e IE cuando EB = 15 y 20 V. La ganancia de corriente del transistor es F = 100.

SOLUCIN: En este caso la tensin aplicada a la base con respecto al emisor es


claramente superior a la aplicada al colector. Por lo tanto el transistor est operando en la
regin de saturacin. Sustituyendo el modelo correspondiente en el circuito original se tiene
que:

En la tabla siguiente se presentan los resultados numricos para los casos indicados en el
enunciado del problema:
IB

IC

IE

VBE

VCE

VBC

EB = 5 V

143 A

10 mA

10,14 mA

0,7 V

0,7 V

EB = 7 V

193 A

10 mA

10,19 mA

0,7 V

0,7 V

La corriente IC se mantiene constante en 10 mA, pese a las variaciones de IB, puesto que la
tensin VCE es ahora constante. Ntese adems que en ambos casos se cumple que IC es
menor que el producto FIB.
Retomando de nuevo el caso en el que RC sea una bombilla, los resultados obtenidos
muestran que ahora la intensidad luminosa ser ahora constante, luego se ha perdido la
capacidad de regular, y el dispositivo se comporta ahora como un interruptor cerrado.

A modo de recapitulacin, la siguiente figura muestra la evolucin global de IC con respecto


a EB, donde se puede apreciar el paso del transistor por las tres regiones de operacin.

Figura 16: Grfica

frente a

3 CURVAS CARACTERISTICAS. PUNTO DE OPERACION

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para
determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las
leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y


bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de estos cuatro
parmetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se
denomina punto de operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan VBE con IB y
VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.
3.1 CARACTERISTICA VBE-IB

La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse todo lo
dicho cuando se estudi aqul.

Figura 17: Caracterstica IB-VBE.


La curva representada en la Figura 17 sigue la expresin:

3.2 CARACTERISTICA VCE-IC

Segn lo explicado hasta ahora, la caracterstica VCE - IC debera ser la siguiente:

Figura 18: Caracterstica VCE -IC ideal.


Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a
travs de la relacin
. Por lo tanto, en el plano
- , la representacin
estar formada por rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de
IB (en este caso se ha representado el ejemplo para

). Evidentemente, no se

dibujan ms que unos valores de IB para no emborronar el grfico. Para


, la
corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de corte est representada por el eje

de abscisas. Por contra, para


el transistor entra en saturacin, luego esta regin
queda representada por el eje de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un
poco ms compleja (Figura 19):

Figura 19: Caracterstica

real.

Las diferencias son claras:

En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de la


tensin colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra
importancia la resistencia interna del transistor.

La regin de saturacin no aparece bruscamente para


, sino que
hay una transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin
de saturacin comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.

3.3 PRINCIPALES PARAMETROS COMERCIALES

De entre los numerosos datos que suministran los fabricantes de componentes electrnicos,
con respecto a los transistores

cabe destacar los siguientes:

Tensin mxima en entre colector y emisor, colector-base y emisor-base


(VCEO, VCBO y VEBO): son las tensiones mximas a las que se puede someter
a los terminales del transistor. Tensiones mayores pueden provocar una
ruptura en inversa y la destruccin del transistor.

Corriente continua mxima de colector,


: es la corriente mxima
que puede circular por el colector sin que el transistor sufra ningn dao.

Ganancia de corriente en DC (DC Current Gain): se suele especificar la


ganancia para varios puntos de operacin, incluso pueden ser
suministradas las grficas de la ganancia en funcin de la corriente de
colector. La fluctuacin de su valor es debida a los efectos de segundo
orden.

Tensiones de saturacin VCE(sat), VBE(sat): son las tensiones que aparecen


entre los terminales en la regin de saturacin.

Potencia mxima disipable (Total Device Dissipation):


es la potencia mxima que puede disipar el
transistor sin sufrir ningn dao.

Adems es habitual facilitar la influencia de la temperatura en el funcionamiento del


transistor.
4 MODELOS DELTRANSISTOR BIPOLAR

Existen dos tipos principales de seales aplicadas al transistor BJT:

Seales de continua

Seales de alterna de pequea amplitud que oscilan respecto a un punto


de operacin en RAN

En este apartado se presentan modelos del transistor BJT vlidos para el anlisis de ambas
situaciones. En primer lugar se presenta el modelo de Ebers-Moll, con el que puede
realizarse el clculo de las corrientes y tensiones de polarizacin de un transistor sea cual
fuere su regin de operacin. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo, se
deducen posteriormente las expresiones necesarias para el anlisis de seales de alterna de
pequea amplitud, a travs del modelo de parmetros hbridos.
4.1 MODELO DE EBERS-MOLL

En el apartado 2 se han presentado los modelos parciales para cada una de las regiones de
funcionamiento (corte, saturacin, RAN) del transistor bipolar. Sin embargo, existe un
modelo esttico general vlido para las tres regiones: el modelo de Ebers-Moll.
El modelo est basado en el hecho de que un transistor BJT se compone de dos uniones PN,
la unin base-emisor y la unin base-colector. Por lo tanto se puede expresar las corrientes
del transistor como la superposicin de las corrientes en las dos uniones PN. En la Figura
20 se muestra la notacin empleada durante este apartado.

Figura 20: Notaciones empleadas en este apartado


Considerando el modelo ideal para los diodos BE y BC se tiene que:

donde ICS, IES son las corrientes de saturacin de ambos diodos.


Sin embargo, el comportamiento del transistor es ms complejo que el de dos diodos
conectados en serie. Se debe tener el cuenta el efecto transistor descrito en el captulo 2:
debido a que las uniones se encuentran muy prximas entre s se produce una interaccin
electrnica entre ellas.
En la Figura 7.21 se muestra el modelo de Ebers-Moll para un transistor NPN. Este se
compone de dos diodos de unin PN y dos fuentes de intensidad dependientes.

Figura 7.21: Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN.

El efecto transistor viene caracterizado por las fuentes de corriente dependientes. Como se
ha explicado, parte de la corriente IDBE, que circula por la unin base-emisor es atrapada por
la unin base-colector. Este hecho se modela mediante la fuente de corriente aFIDBE. aF es un
parmetro caracterstico de cada transistor que toma valores prximos a la unidad.
De igual manera, parte de la corriente IDBC atraviesa la regin de base para alcanzar el
emisor. Esto se modela con la fuente de corriente aRIDBC. Debido a que la estructura de un
transistor no es simtrica, sino que est optimizada para obtener valores altos de aF, aR es
generalmente pequea (desde 0.02 a 0.5).
Adems, aplicando las leyes de la fsica de semiconductores se obtiene la condicin de
reciprocidad, que se concreta en la siguiente expresin:

IS toma valores entre 10-14 y 10-15A para transistores de baja potencia.


Si se aplica la ley de los nudos en el emisor, el colector y la base

Se puede sustituir en esta ecuacin las corrientes de los diodos IDBE y IDBC. Adems, si se
definen las constantes bF y bR de manera que

las ecuaciones anteriores, resultan

que son las ecuaciones de las intensidades en los tres terminales del transistor NPN segn el
modelo de Ebers-Moll. Estas ecuaciones son vlidas para cualquier regin de
funcionamiento.
An siendo un modelo complejo del transistor, el modelo de Ebers-Moll no describe todos
los efectos que tienen lugar en el dispositivo. Los llamados efectos de segundo orden como
la tensin de ruptura en inversa de las uniones PN, o la dependencia de IC con VCE no estn
incluidos en este modelo.
4.2 APLICACION DEL MODELO DE EBERS-MOLL A LA REGION ACTIVA
NORMAL

En este apartado se van a simplificar las ecuaciones de Ebers-Moll, deducidas en el


apartado anterior para el caso de que el transistor se encuentre funcionando en la RAN.
Como ya se ha comentado, el funcionamiento en la RAN de un transistor se caracteriza por
tener la unin PN polarizada en directa (con VBE 0.7V) y la unin base colector polarizada en inversa (VBC < 0).
Obsrvese que bajo estas condiciones las expresiones exponenciales de las ecuaciones de
Ebers_Moll se pueden simplificar

y las ecuaciones quedan reducidas a:

Como el segundo sumando de estas ecuaciones suele ser despreciable frente al valor de IB,
IC e IE, a partir de las ecuaciones B. y C., se puede obtener la relacin

que concuerda con la deducida en el apartado 2.2.

4.3 MODELO HIBRIDO PARA PEQUENTILDE;AS SENTILDE;ALES DE


ALTERNA

En este subapartado se presenta el modelo hbrido del transistor BJT, uno de los ms
ampliamente utilizados para el anlisis de las pequeas seales de alterna. Para la
deduccin del mismo se consideran las siguientes hiptesis:

Transistor polarizado en RAN

Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia

4.3.1 Expresiones generales

Segn se ha indicado en el apartado 3, el punto de operacin de un transistor bipolar viene


indicado por cuatro variables elctricas. De entre las diversas opciones posibles, para la
deduccin del modelo hbrido se escogen como variables independientes la corriente IB y la
tensin VCE, mientras que las dependientes son VBE e IC. De este modo, las ecuaciones
caractersticas del transistor vendrn dadas por dos funciones f1 y f2 tales que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarizacin concreto vendrn dadas por las
expresiones anteriores:

Supongamos que sobre este punto de operacin Q se aade una componente alterna,
caracterizada por un IB y por un VCE. Para calcular el VBE y el IC pueden sustituirse las
funciones f1 y f2 en las cercanas del punto Q por las tangentes respectivas en dicho punto.
Como se trata de funciones de dos variables independientes, las expresiones sern las
siguientes:

A partir de este momento, para simplificar la notacin se escribirn con letra minscula los
incrementos de las variables. La expresin anterior admite una representacin matricial:

en donde los coeficientes hij se llaman parmetros hbridos, puesto que tienen diferentes
unidades entre s.

hie : Impedancia de entrada ()

hre: Ganancia inversa de tensin

hfe : Ganancia directa de corriente, o ganancia dinmica

hoe : Admitancia de salida (-1)

4.3.2 Clculo de los parmetros hbridos

Para el clculo de los parmetros hij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo
de Ebers-Moll para la RAN.

Funcin f1 =>

Funcin f2 =>

Tal y como puede observarse, los coeficientes hre y hoe son nulos segn estos clculos. Este
resultado refleja las limitaciones del modelo de Ebers-Moll propuesto, ya que en realidad
hre 5 x 10-5 y hoe 6 x 10-6 -1. Sin embargo, su valor es tan pequeo que en muchos casos son
aceptables las expresiones obtenidas anteriormente.
4.3.3 Representacin grfica

El modelo hbrido , con las simplificaciones mostradas en el subapartado anterior, admite la


siguiente representacin grfica:

Figura 22: Modelo hbrido para pequeas seales de alterna


5 EJEMPLO DE APLICACION: EL AMPLIFICADOR DE SEALES ALTERNAS

El mundo est lleno de pequeas seales que necesitan amplificarse para procesar la
informacin que contienen. Por ejemplo: una guitarra elctrica. El movimiento de una
cuerda metlica en el interior de un campo magntico (creado por los captadores o pastillas)
provoca una pequea variacin de tensin entre dos terminales de una bobina. Para que esa
dbil seal pueda llegar a los odos de todo un auditorio, es evidente que se necesita una
amplificacin. La seal producida por la pastilla de la guitarra viaja por un par de
terminales hasta el amplificador. Aqu se produce la transformacin de la pequea seal,
que es capaz ahora de excitar la membrana de un altavoz con la potencia que se desee.
Para que se pueda or lo que se toca realmente, la amplificacin debe cumplir ciertas
condiciones:
1. Debe respetar la forma de onda de la tensin de entrada. Si no lo hace
as, se produce una distorsin, una prdida de la informacin que
aporta.
2. La energa absorbida de la fuente que emite la onda que se desea
amplificar ha de ser mnima. El circuito amplificador necesita una fuente
de alimentacin propia.
5.1 EL TRANSISTOR BIPOLAR

El esquema ms sencillo de amplificador de seales es el propio transistor bipolar.

Figura 23: Circuito con un transistor bipolar.


Si el transistor se encuentra en la RAN, hay una relacin lineal entre

Como es reflejo de la entrada e lo es de la salida, este esquema proporciona una


ganancia en corriente. Sin embargo presenta dos limitaciones muy importantes:
1. Slo amplifica la parte positiva de la seal: Cuando
V Q pasa al estado de corte, con lo que

es menor que 0,7

2. Requiere seales de tensin grandes, por lo menos mayores que 0,7 V,


ya que la seal de entrada ha de polarizar en directa la unin BE y llevar
el transistor a la RAN.

Con este dispositivo slo se puede trabajar con seales positivas mayores de 0,7 V. Por lo
tanto no es capaz de amplificar seales de alterna. La figura siguiente representa
aproximadamente la respuesta que se obtendra al tratar seales de alterna:

Figura 24: Corrientes en el circuito de la Figura 23.


5.2 POLARIZACION DEL TRANSISTOR Q A TRAVES DE LA BASE

Figura 25: Transistor polarizado a travs de la base.


Este esquema presenta la novedad de la resistencia RB. Gracias a ella, la base se polariza
mediante la fuente de alimentacin EC y no mediante
proviene de dos fuentes:

. La corriente que llega a la base

: Es la seal que queremos amplificar, por lo tanto, ser variable en el


tiempo.

: Esta corriente es la suministrada por E C, que es una fuente de


continua, para la polarizacin del transistor.

La intensidad de colector ser, si Q est en la RAN:

Finalmente, puede calcularse la tensin de salida

La siguiente figura ayuda a comprender mejor estos conceptos.

Figura 26: Tensiones y corrientes en el circuito de la Figura 25.


La onda de salida es, efectivamente, proporcional a la entrada, pero est desplazada en el
eje de las "Y", es decir, tiene una componente de continua que ha sido introducida por la
fuente de polarizacin del transistor.
LOGROS DEL ESQUEMA:
1. El transistor es tambin capaz de amplificar la parte negativa de la
seal.
2. La tensin de entrada puede ser pequea, ya que ahora el transistor se
polariza a travs de una fuente de alimentacin ajena a la entrada.
3. En la salida se dispone de una seal de tensin, gracias a R C, que cumple
dos misiones:

Transforma

en una tensin

Junto con RB lleva el transistor a la RAN.

INCONVENIENTES:
1. Al conectar directamente el generador de seal a la entrada, I B ira a
tierra a travs de l. Esto podra daar el generador (en el ejemplo de la
introduccin, las pastillas o captadores de la guitarra elctrica)
2. Al conectar directamente la salida a la carga (altavoz), I C ira a tierra a
travs de ella, dandola.

Los inconvenientes de este esquema estn introducidos por la corriente continua de


polarizacin. Estas corrientes deben quedar limitadas al interior del dispositivo
amplificador.
5.3 EL CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO

El condensador es un componente que se comporta como un circuito abierto para la


corriente continua. Por medio de l, se asla tanto la entrada como la salida de las
componentes de continua. Si elegimos correctamente el valor de la capacidad de acuerdo
con la frecuencia a la que se espera que trabaje el dispositivo, se logra adems que estos
condensadores se comporten como un cortocircuito para las seales de alterna que se
quieren amplificar. En cualquier caso, la respuesta frecuencial del amplificador queda
limitada por los valores de C1 y C2.

Figura 27: Esquema amplificador con condensadores de acoplamiento.


Una vez visto el esquema bsico de un amplificador, se enuncian los parmetros ms
importantes de ste:

: Seal de entrada (pequea seal AC).


: Corriente de entrada, que se absorbe del generador de seal de
entrada (AC).
: Seal de salida (AC).

: Corrientes de polarizacin del transistor (DC).

: Carga sobre la que se aplica la tensin de salida.

: Asla la entrada del circuito de la polarizacin en continua.

: Asla la salida del circuito de la polarizacin continua.

: Resistencias de polarizacin.

5.4 GANANCIA Y RESISTENCIA DE ENTRADA DE UN AMPLIFICADOR

El esquema presentado es slo una de las posibles soluciones vlidas para la amplificacin
de seales. Para comparar las caractersticas de todos ellos, se definen dos parmetros de
AC: la ganancia en tensin y la resistencia de entrada:
Ganancia en tensin:

Es el cociente entre la seal de salida y la aplicada al dispositivo. Normalmente, la ganancia


depende de la carga que se conecte (

).

Ntese que en este parmetro se relacionan las amplitudes de las seales alternas entrada y
de salida y no los valores instantneos. Se da por supuesto que el circuito va a mantener en
gran medida la similitud de las formas de onda, y de lo que se trata es de cuantificar la
magnitud de la amplificacin. (El grado de distorsin de la seal de salida con respecto a la
de entrada se valora mediante otros parmetros).
Resistencia de entrada:

La resistencia de entrada da una idea de la cantidad de corriente que absorbe la fuente de


seal que se desea amplificar (no hay que confundir la con la fuente de alimentacin del
amplificador). Dado que interesa absorber poca energa de la fuente, el amplificador ser
tanto mejor cuanto mayor sea su resistencia de entrada.

Puesto que la seal de entrada es alterna, estamos de nuevo ante un parmetro que relaciona
las amplitudes de las oscilaciones de las magnitudes elctricas implicadas
5.5 METODO DE CALCULO

Cuando todos los componentes de un circuito responden a ecuaciones lineales, se puede


aplicar el principio de superposicin. En este caso, los transistores no son componentes
lineales. Sin embargo, teniendo en cuenta que las seales aplicadas son de baja amplitud, el
transistor opera soportando pequeas oscilaciones con respecto a unas magnitudes
continuas, luego s que es posible aplicar la superposicin teniendo en cuenta el punto de
operacin:
1. Clculo del punto de operacin DC: Se sustituyen los condensadores
por circuito abierto. A continuacin se introduce el modelo DC del
transistor en RAN y se calculan los valores de las corrientes y tensiones
de polarizacin.
2. Determinacin del modelo AC del transistor: Ha de emplearse el
modelo de pequeas seales, particularizando para en los resultados del
punto 1.
3. Estudio del circuito en AC. En este estudio las componentes de
continua no afectan a la relacin de las amplitudes de las ondas AC. Por
consiguiente pueden cortocircuitarse las fuentes de tensin continua. Si
el diseo del circuito es correcto, los condensadores pasan a
comportarse como cortocircuitos.
5.6 EJEMPLO DE CALCULO

A continuacin se aplica este procedimiento al clculo de


presentado, en su funcionamiento en vaco.
1) Punto de operacin DC

en el ltimo esquema

Figura 28: Esquema equivalente DC del circuito Figura 27.


Segn el circuito equivalente DC:

2) Parmetros del modelo equivalente AC

Los parmetros del modelo AC son la resistencia de entrada


corriente

y la ganancia dinmica de

. Ambos han sido definidos en el subapartado 4.3.2 de este captulo.

;
3) Estudio AC

La figura 24 muestra el esquema equivalente del circuito para las seales de alterna.

Figura 29: Circuito equivalente AC


La resistencia RB est conectada por un terminal a la fuente de seales y a la base, y por el
otro a la fuente de alimentacin EC. Idealmente, esta fuente no ofrece ningn obstculo para
las seales de alterna (si su resistencia interna es nula), se comporta como un cortocircuito
que conecta RB con tierra. En el lado derecho del esquema, RC se une por una parte con el
colector del transistor, y por la otra con tierra a travs de la fuente de alimentacin.
Es de vital importancia que se tenga en cuenta que en este esquema slo se relacionan las
amplitudes de las ondas, y no sus valores instantneos.
Los valores de rIN y AV pueden obtenerse a partir del esquema de la figura 24.

Como

Ntese que para el clculo de los parmetros rIN y AV no es necesario definir el valor de vIN,
ya que en ambos casos se calcular variaciones de una magnitud con respecto a esa tensin
de entrada.

ETAPAS DE AMPLIFICACION ESTABILIZADAS

El esquema de la Figura 27 presenta un claro problema de inestabilidad: La tensin de la


base depende directamente de la corriente de base. Cualquier pequea variacin debido a la
influencia de la temperatura sobre la resistencia RB modificar el punto de operacin, y con
l la ganancia. El esquema de la Figura 30 incluye dos mejoras con respecto al anterior:

Polarizacin de la base a travs de un divisor de tensin.

Estabilizacin mediante resistencia de emisor.

Figura 30: Circuito amplificador estabilizado.


Las funciones de estos subcircuitos son:

Divisor de tensiones: Mediante una correcta seleccin de las resistencias


y
puede conseguirse que la corriente
sea muy superior a
.
Entonces, la tensin de la base quedar fijada nicamente por el valor
de las resistencias del divisor.

Resistencia de emisor (
): Un aumento de la corriente de colector
provocar una elevacin de la tensin de emisor. Con ello, como la
tensin de base es fija, la tensin base emisor disminuir, la corriente de
base tambin y finalmente, la corriente de colector volver a su valor de
diseo. El condensador se encarga de cortocircuitar esta resistencia en
alterna.

1 Un transistor est polarizado en RAN como se indica en la figura. Tiene una corriente de
base de 8 mA y una corriente en el colector de 1.2 mA. Cul es valor de la corriente en el
emisor?. Cul es la ganancia (b) del transistor?.

2 Un transistor se conecta como se muestra en la figura del problema anterior. La corriente


del emisor es de 2.42 mA y la del colector es de 2.4 mA. Cunto vale la corriente en la
base?. Y el valor de b?
3 Un transistor est conectado como se indica en la figura del problema 1. Tiene una
corriente de base de 16 mA y una ganancia de 80. Cunto vale la corriente en el colector?.
Y en el emisor?
4 En el circuito de la figura b =80, IB = 10 mA, R1 = 50 KW, R2 = 6 KW y V2=10V.

Qu valor tomarn los medidores IE, IC y VCE, si se admite la hiptesis de


que el transistor est polarizado en la RAN?.

A la vista de los resultados del apartado 1, comprobar la validez de la


hiptesis.

5 Si la corriente de base es 30 A y la corriente de emisor es 4mA, Cul es el valor de ?


6 Encontrar la tensin en el colector cuando el transistor de la figura del problema 8 se
encuentra en saturacin.

7 Encontrar la tensin del colector del transistor de la figura del problema 8 cuando se
encuentra en corte.
8 Si la b del transistor de la figura es 50, Qu tensin es necesaria a la entrada para saturar
el transistor?

9 Si la tensin de mnima en la entrada es de 3.7 V, Cul es el valor lmite de la resistencia


R1 de la figura del problema 8 antes de entrar en saturacin para un valor de b de 50?
10 Cuando la entrada en la figura del problema 8 es de 5V, Qu b se requiere para saturar
el transistor?
11 En el circuito de la figura del problema 8 suponer que la corriente del colector es de 4
mA cuando la corriente de entrada es de 0.5 mA. En estas condiciones, Cul ser la
corriente del emisor?
12 En el circuito de la figura del problema 8 suponer que la corriente del colector es de 4
mA cuando la corriente de entrada es de 0.5mA. Si la corriente de entrada se aumenta a 1.0
mA, Qu le suceder a la corriente del colector?
13 Considerando el circuito y el grfico de la figura:

Calcular y dibujar la lnea de carga del circuito entre C y E.

Localizar el punto de operacin Q en la grfica cuando I C = 1,25 mA.

Determinar la tensin de VCE en el punto Q.

Calcular el valor de IB en el punto Q.

14 Sabiendo que VCC =12 V y dada la grfica de la figura, calcular el valor de RC y RB


necesario para que el transistor dado en la figura opere en el punto Q dado.

15 Calcular las tensiones y corrientes de polarizacin en DC para el circuito de la figura ( =


80).

16 Que resistencia RB se requiere para que el transistor opere en el punto medio de la recta
de carga si ECC es 20 V, RC es 5 KW y b es 125?
17 En el circuito amplificador de la figura:

Calcular el punto de operacin DC del transistor.

Determinar el modelo AC para pequeas seales

Calcular la ganancia y la resistencia de entrada del dispositivo

18 En el circuito de la figura:

Hallar el punto de operacin DC del transistor.

Determinar el modelo AC de pequeas seales equivalente para ese


punto de operacin

Hallar el valor de la impedancia de entrada y la ganancia en tensin.

Tensin de salida del circuito si la entrada es una onda sinusoidal de 20


mV de tensin entre pico y pico.

19 En el esquema amplificador de la figura:

Calcular RB y RC para que VCEQ = 5 V, e ICQ = 1 mA.

Determinar y dibujar el circuito equivalente para las seales de alterna.

20 Se tiene un amplificador como el de la figura, con un potencimetro en la entrada que


puede variar entre 0 y 1 KW.

Ganancia cuando RP = 0 KW.

Ganancia cuando RP = 1 KW.

21 Para el amplificador de la figura calcular:

Punto de operacin DC

Circuito equivalente AC

Ganancia y resistencia de entrada

1.

22 En el circuito de la figura calcular:

La ganancia de tensin.

La resistencia de entrada que opone al generador de seal.

Las tensiones y corrientes de polarizacin.

23 Para el circuito de la figura:

Encontrar la tensin en el colector cuando el transistor se encuentra en


saturacin.

Encontrar la tensin del colector del transistor cuando se encuentra en


corte.

Calcular la potencia consumida por el transistor en ambos casos.

24 Qu resistencia Rb se requiere para que el transistor opere en el punto medio de la recta


si Ecc es 20V, Rc es 4K y es 100?
25 Para el circuito de la figura, determinar:

Las tensiones y las corrientes de polarizacin del transistor.

Representar en la grfica Ic/Vce la recta de carga y el punto de operacin


Q.

Calcular la resistencia de entrada.

Si manteniendo constantes los restantes valores dados en la figura,


variamos Rb, para qu valores de Rb el transistor se encontrara en
saturacin?. Para esos valores de Rb, determinar Vce, Vbe, Ic.

26 El transistor de la figura esta en configuracin de colector comn, tambin llamada


seguidor de tensin y adaptador de impedancias. En este sencillo circuito se pide:

1.- Hallar la relacin entre Vin y Vout (Vout=f(Vin))

2.- Particularizar la expresin del apartado anterior para V in1=0.3V y


Vin2=4V. Calcular las intensidades de base para ambos casos.

3.- Calcular la resistencia de entrada Rin (Rin=Vin/Iin) entre la puerta de


entrada y tierra.

4.- Calcular la resistencia de salida R out entre la puerta de salida y tierra.

5.- Cual crees que es la tensin mxima que se puede aplicar a la base
del circuito de manera que el circuito siga comportndose como un
seguidor?Por qu?

27 El esquema de la figura representa un circuito seguidor de tensin para pequeas


seales. Se pide calcular:

El circuito equivalente en DC.

El punto de operacin del transistor (VCEQ,ICQ).

El circuito equivalente en AC con sus parmetros.

Ganancia de tensin y resistencia de entrada.

28 En el sistema electrnico de la figura se pide el valor de VIN para que Q1 se sature


suponiendo que Q2 no se satura.

Datos: Vcc=15V; Vee=-15V; Rc=10KW; Re=1KW; VBE1(on)= VBE2(on)= 0.7V; b1=b2=100


29 El LED de la figura tiene una tensin de conduccin en directa Vf=1.5V y requiere al
menos de 1mA de corriente para conseguir un nivel apropiado de iluminacin. El LED
puede disipar como mximo 15mW. El valor de VCC es de 5V y el valor de la entrada Vin es
producida por una fuente digital con una tensin de salida de 5V. Calcular:

La mxima corriente admisible en el diodo.

Los valores mximos y mnimos de las resistencias RB y RC para que el


diodo LED ilumine correctamente.

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO


En el tutorial de transistores bipolares, hemos visto que una pequea corriente de base
controla una corriente de colector muy superior. Los transistores de efecto de campo son
dispositivos triterminales en los que la corriente principal se controla mediante una tensin.
Las caractersticas principales son:

La potencia de control es nula, es decir, no se absorbe corriente por el


terminal de control.
Una seal muy dbil puede controlar el dispositivo.
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico.

Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que
el concepto bsico de los FET se conoca ya en 1930, estos dispositivos slo empezaron a
fabricarse comercialmente a partir de la dcada de los 60. Y a partir de los 80 los
transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los
BJT, los transistores MOS ocupan menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado
puede incorporase un numero mayor. Adems su proceso de fabricacin es tambin ms
simple. Adems, existe un gran nmero de funciones lgicas que pueden ser implementadas
nicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor
MOS el componente estrella de la electrnica digital.
En este tutorial se explica el principio de funcionamiento de ambos tipos de dispositivos,
as como sus modelos circuitales elementales.
1 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET)

Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una regin de tipo P en un canal de tipo N, tal y
como se muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los terminales de
fuente (S, Source) y drenaje (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate).

Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N


Los smbolos de este tipo de dispositivos son:

Figura 2: Smbolos de los transistores JFET


Las explicaciones incluidas en este captulo se refieren fundamentalmente al transistor
NJFET, teniendo en cuenta que el principio de operacin del PJFET es anlogo.
1.1 PRINCIPIO DE OPERACION DEL NJFET

A continuacin se explica cmo se controla la corriente en un JFET. Al igual que sucede


con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operacin:

Regin de corte

Regin lineal

Regin de saturacin

Es preciso hacer notar que en este caso, la saturacin alude a un fenmeno completamente
distinto al de los transistores BJT.
1.1.1 Regin de corte

Centremos nuestra atencin en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta forma


un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordar, cuando se forma una unin PN
aparecen en los bordes de la misma una zona de depleccin en la que no hay portadores de
carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarizacin aplicada. Si esta es
inversa, la zona se hace ms ancha, proporcionalmente a la tensin aplicada. Aplicando
una tensin VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de depleccin, con lo que
disminuye la anchura del canal N de conduccin.
Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la regin de agotamiento se
extender completamente a travs del canal, con lo que la resistencia del mismo se har
infinita y se impedir el paso de ID (Figura 3). El potencial al que sucede este fenmeno se
denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).

Figura 3: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensin de bloqueo
Por lo tanto, para valores ms negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado
en la regin de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.
1.1.2 Regin lineal

Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer una
corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que llamaremos ID. El
valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En
este caso pueden distinguirse dos situaciones segn sea VDS grande o pequea en
comparacin con VGS.
1.1.2.1 Valores pequeos del voltaje drenaje-fuente

La Figura 4 presenta la situacin que se obtiene cuando se polariza la unin GS con una
tensin negativa, mientras que se aplica una tensin entre D y S menor.

Figura 4:Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS < 0
Por el terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que en
una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente ID presenta una
doble dependencia:

La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS

La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. Como


ID est limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP,
mayor ser la anchura del canal, y mayor la corriente obtenida.

Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin:

Por lo tanto, en la regin lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y
a VDS.
1.1.2.2 Valores altos del voltaje drenaje-fuente

Para valores de VDS comparables y superiores a VGS la situacin cambia con respecto al caso
anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFET pierde su
comportamiento hmico. Veamos por qu sucede esto.
Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se distribuye a lo
largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D la tensin ser de 5 V, pero a
medio camino la corriente circulante habr reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el
terminal S el potencial ser nulo. Por otra parte, si VGS es negativa (- 2 V, por ejemplo), la
tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona P, al no existir ninguna corriente
(Figura 5). (NOTA: se desprecia la cada de tensin en las zonas situadas por debajo de los
contactos).

Figura 5: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5 V
Sigamos adelante. En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es de 2 V,
que se corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta
tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V. La polarizacin
inversa aplicada al canal no es constante, con lo que la anchura de la zona de
depleccin tampoco lo ser (Figura 6). Cuando VDS es pequea, esta diferencia de
anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la variacin de la
seccin de conduccin hace que la corriente de drenaje sea una funcin no lineal de VDS, y
que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto.

Figura 6: Esquema del transistor JFET de canal N en la regin de conduccin no lineal

1.1.3 Regin de saturacin

Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del canal en el extremo del
drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente
de VDS, puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor estrechamiento del canal,
con lo que la resistencia global aumenta (Figura 7).

Figura 7: Esquema del transistor JFET de canal N en la regin de corriente constante


La regin de saturacin se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que sucede
cuando la tesin puerta-drenaje es ms negativa que VP, es decir:
VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP
Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 3 y Figura En el caso del bloqueo,
todo el canal resulta afectado por la zona de depleccin, que es constante porque la tensin
VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unin. En cambio, en la regin de corriente
constante slo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por VDS, que vara a lo largo
del mismo), y es lo que permite la circulacin de la corriente.
1.2 CURVAS CARACTERISTICAS

Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En
primer lugar, en la representacin de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia
claramente el paso de la regin de corte a la de saturacin (Figura 8). En la prctica slo se
opera en el segundo cuadrante de la grfica, puesto que el primero la VGS positiva hace
crecer rpidamente IG.

Figura 8: Caracterstica VGS - ID del transistor NJFET


En la caracterstica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones
lineal y de saturacin (Figura 9). En la regin lineal, para una determinada VGS, la corriente
crece proporcionalmente a la tensin VDS. Sin embargo, este crecimiento se atena hasta
llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturacin, en donde ID slo depende de VGS.

Figura 9: Caracterstica VDS - ID del transistor NJFET


Ntese que, segn esta grfica, la regin de saturacin del JFET se identifica con la regin
activa normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector
slo depende de la de base, aqu la magnitud de control es la tensin VGS. Por el contrario, si
la resistencia del JFET en la regin lineal es muy pequea puede encontrarse un cierto
paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturacin del BJT.

1.3 PARAMETROS COMERCIALES

Se presenta a continuacin algunas de las caractersticas de los transistores JFET que


ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:

IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en


configuracin de fuente comn y se cortocircuita la puerta y la fuente
(VGS=0). En la prctica marca la mxima intensidad que puede circular
por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET
presentan amplias dispersiones en este valor.

VP (Pinch-Off Voltage): es la tensin de estrangulamiento del canal. Al


igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor.

RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal.


Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la
tensin de estrangulamiento.

BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura entre


fuente y drenaje. Tensiones ms altas que BVDS provocan un fuerte
incremento de ID.

BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura de la


unin entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en
inversa. Valores mayores de BVGS provocan una conduccin por
avalancha de la unin.

1.4 MODELOS DEL TRANSISTOR NJFET

Anlogamente a lo efectuado con el transistor bipolar se van a presentar dos modelos para
el JFET: uno para analizar el funcionamiento del transistor JFET con seales continuas y
otro para las seales alternas aplicadas sobre un punto de operacin de la regin de
saturacin.
En primer lugar se presentan los modelos para las diferentes regiones de operacin, a saber,
corte, saturacin y zona lineal. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo, se
deducen posteriormente las expresiones necesarias para el anlisis de seales de alterna de
pequea amplitud.
1.4.1 Modelo esttico ideal

Para el transistor NJFET, el modelo viene representado en la Figura 10. El valor de ID


depende de la regin de funcionamiento del transistor.

Figura 10: Esquema circuital del modelo del transistor JFET


1. Regin de corte: la condicin de la regin de corte es que el canal est
completamente estrangulado en las proximidades de la fuente, lo que
sucede cuando la tensin puerta-fuente alcance la tensin de
estrangulamiento (VGS<VP). En este caso ID=0.
2. Regin lineal: es la regin en que se produce un incremento de la
intensidad ID al aumentar VDS. Este incremento es lineal para bajos
valores de VDS aunque la linealidad se pierde cuando VDS se acerca a -VP.
Para trabajar en la regin lineal se deben dar dos condiciones:
o

VGS > VP

VGD > VP VGS > VP + VDS

Estas condiciones equivalen a admitir que el canal de conduccin no se estrangula por la


zona de depleccin en inversa tanto en el extremo de drenaje como en la fuente. El valor
que toma la corriente ID es

1. Regin de saturacin: la regin de saturacin tiene lugar cuando la


tensin entre drenador y puerta alcanza la tensin de estrangulamiento.
Para que ello ocurra, el canal N, tiene que estar estrangulado en el
extremo cercano al drenaje, pero no en el extremo del canal cercano a la
fuente. Entonces, al igual que en el caso anterior, deben ocurrir dos
condiciones:
o

VGS > VP

VGD < VP VGS < VP + VDS

En este caso la intensidad ID ya no depende de VDS, siendo su expresin

Por lo general, en los transistores NJFET tanto VP como VGS toman valores negativos,
mientras que VDS e IDSS son positivos, tomando la direccin ID tal y como aparece en el
modelo.
1.4.2 Modelo para seales alternas

Para la deduccin del mismo se consideran las siguientes hiptesis:

Transistor polarizado en la regin de saturacin

Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia

1.4.2.1 Expresiones generales

De entre las diversas opciones posibles, para la deduccin del modelo se escogen como
variables independientes las tensiones VGS y VDS, mientras que las dependientes son las
corrientes IG e ID. De este modo, las ecuaciones caractersticas del transistor vendrn dadas
por dos funciones f1 y f2 tales que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarizacin concreto vendrn dadas por las
expresiones anteriores:

Supongamos que sobre este punto de operacin Q se aade una componente alterna,
caracterizada por un VGS y por un VDS. Las oscilaciones de las corrientes pueden calcularse
como:

A partir de este momento, para simplificar la notacin se escribirn con letra minscula los
incrementos de las variables. La expresin anterior admite una representacin matricial:

en donde los coeficientes yij se llaman parmetros admitancia.

yis : Admitancia de entrada (-1)

yrs: Admitancia de transferencia inversa (-1)

yfs : Transconductancia (-1). Se suele nombrar como gm

yos : Admitancia de salida (-1)

1.4.2.2 Clculo de los parmetros admitancia

Para el clculo de los parmetros yij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo
esttico para la regin de saturacin.

Funcin f1 =>

Funcin f2 =>

La representacin circuital de este modelo simplificado responde al mismo esquema


presentado en la Figura 10.
2 TRANSISTOR MOSFET

Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio
de operacin y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos de transistores
MOS:

Enriquecimiento de canal N

Enriquecimiento de canal P

Empobrecimiento de canal N

Empobrecimiento de canal P

Los smbolos son:

Figura 11: Transistores MOSFET


La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal
de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido
es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los
JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia.
2.1 PRINCIPIO DE OPERACION

De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el principio de


funcionamiento de dos de ellos: los NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento.

2.1.1 NMOS de enriquecimiento

En la Figura 12 se presenta el esquema de un MOS de canal N de enriquecimiento.

Figura 12: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento


Supongamos que se aplica una tensin VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en
cero. Al aplicar una tensin positiva a la zona N del drenaje, el diodo que forma ste con el
sustrato P se polarizar en inversa, con lo que no se permitir el paso de corriente: el MOS
estar en corte.
Sigamos suponiendo, y pensemos ahora que aplicamos un potencial VGS positivo, mientras
mantenemos la VDS positiva tambin. La capa de aislante de la puerta es muy delgada, tanto
que permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los electrones del
material P. A mayor potencial aplicado, mayor nmero de electrones ser atrado, y mayor
nmero de huecos repelido. La consecuencia de este movimiento de cargas es que debajo
del terminal G se crea un canal negativo, de tipo N, que pone en contacto el drenaje con la
fuente. Por este canal puede circular una corriente. Recapitulando, por encima de un valor
positivo VGS = VTH se posibilita la circulacin de corriente ID (Figura 13). Nos encontramos
ante una regin de conduccin lineal.

Figura 13: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conduccin


Si el valor de VDS aumenta, la tensin efectiva sobre el canal en las proximidades del
drenaje (VGS - VDS) va disminuyendo, con lo que el canal se estrecha en dicha zona, y se
pierde la linealidad en la relacin ID - VDS. Finalmente se llega a una situacin de saturacin
similar a la que se obtiene en el caso del JFET.
2.1.2 NMOS de empobrecimiento

En la Figura 14 se presenta el esquema de un MOS de canal N de empobrecimiento.

Figura 14: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento


En este caso el canal ya est creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensin VDS
aparecer una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al estado de corte ser
necesario aplicar una tensin VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.

Figura 15: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento en corte


Tambin en este caso, la aplicacin de una VDS mucho mayor que VGS provoca una situacin
de corriente independendiente de VDS.
2.2 CURVAS CARACTERISTICAS

Con los transistores MOS se manejan dos tipos de grficas: la caracterstica VGS - ID, con
VDS constante, y la VDS - ID con VGS constante.
2.2.1 Transistor NMOS de enriquecimiento

Figura 16: Caracterstica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento


En la Figura 16 se pone de manifiesto cmo la intensidad ID aumenta bruscamente cuando
se supera la tensin umbral VTH (Threshold Voltage) y se crea el canal. Es un componente
idneo para conmutacin, puesto que pasa de un estado de corte a uno de conduccin a

partir de un valor de la seal de control. En los dispositivos con el terminal de puerta de


aluminio y el aislante de xido de silicio, la tensin umbral est en torno a los cinco voltios.

Figura 17: Caracterstica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento


La caracterstica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento es muy similar a la del
JFET, pero los valores de VGS cambian: en este caso la conduccin se da para voltajes
positivos por encima del umbral.
2.2.2 Transistor NMOS de empobrecimiento

Figura 18: Caracterstica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento


El NMOS de empobrecimiento puede funcionar tambin como transistor de
enriquecimiento. Si la tensin VGS se hace positiva se atraern electrones al canal. Adems,
a diferencia de los JFET, la impedancia de entrada continua siendo muy elevada.

Figura 19: Caracterstica VDS - ID del transistor NMOS de empobrecimiento


2.3 PARAMETROS COMERCIALES

Los parmetros comerciales ms importantes del transistor MOS son anlogos a los de los
JFET presentados en el apartado 1.3.
2.4 MODELOS CIRCUITALES

Tal y como se ha visto, las curvas de funcionamiento de los transistores MOS son similares
a las de los JFET. Por ello, todos admiten una representacin circuital anloga.
2.4.1 Modelo esttico de Schichman-Hodges

El modelo esttico del transistor MOSFET se denomina modelo de Schichman-Hodges. Es


un modelo muy parecido al modelo de los transistores JFET, descrito anteriormente. El
circuito equivalente se compone de un interruptor abierto y una fuente de intensidad
(Figura 20) cuyo valor ID depende de la regin de funcionamiento del transistor.

Figura 20: Modelo de Schichman-Hodges para el transistor FETMOS


Para el transistor NMOS de enriquecimiento las regiones de funcionamiento son:

1. Regin de corte
o

Condicin VGS<VTH

Intensidad ID=0

1. Regin lineal.
o

Condiciones: VGS>VTH

VGD < VTH VGS < VTH+VDS

Intensidad:

Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del transistor

me es la movilidad de los electrones, que depende del material y la


temperatura

W, L son la anchura y la longitud del canal. Factores geomtricos que


dependen del diseo del transistor.

C'OX es la capacidad por unidad de superficie del condensador que


forman el metal de la puerta con el canal. Depende fuertemente del
espesor del xido de puerta.

1. Regin de saturacin
o

Condiciones VGS > VTH

VGD > VTH VGS > VTH+VDS

Intensidad:

2.4.2 Modelo para seales alternas

Para el caso en el que el transistor soporte seales alternas de pequea amplitud y baja
frecuencia sobre un punto de polarizacin en regin de saturacin, puede demostrarse de
forma anloga a como se ha realizado para el transistor JFET que la transconductancia gm se
calcula a travs de la siguiente expresin

3 APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Las aplicaciones generales de todos los FET son:


3.1 ELECTRONICA ANALOGICA

Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes
y soportar elevadas tensiones en estado de corte.

Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la


anchura del canal).

Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de


seales de muy baja potencia.

Control de potencia elctrica entregada a una carga.

En el caso de la amplificacin los circuitos se disean para que el punto de operacin DC


del MOS se encuentre en la regin de saturacin. De este modo se logra una corriente de
drenaje dependiente slo de la tensin VGS.
3.2 ELECTRONICA DIGITAL

Los MOS se emplean a menudo en electrnica digital, debido a la capacidad de trabajar


entre dos estados diferenciados (corte y conduccin) y a su bajo consumo de potencia de
control. Para esta aplicacin se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo que
idealmente pueda considerarse que:

La cada de tensin en conduccin es muy pequea.

La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.

1. En un transistor NJFET con IDSS=10mA y VP = - 5 V se mide una intensidad


de drenaje ID = 1mA. Hallar cunto vale la tensin VGS si se admite que
trabaja en la regin de saturacin. Hallar la tensin de alimentacin E
mnima para que el transistor trabaje en saturacin.

1. En el circuito de la figura, se pide:

1.- La tensin VGS si se admite que el transistor est en saturacin.


2.- Si VIN = 5V, calcular cuanto vale VDS.
Datos del transistor: IDSS = 5mA; VP= - 3V

1. Sea el circuito de la figura formado por un transistor NJFET y una


resistencia. Se pide:

1.- Indicar la regin de funcionamiento del transistor.


2.- Calcular el punto de operacin del transistor.
3.- Si se cambia la resistencia por otra de valor 1k, hallar el nuevo punto de operacin del
transistor.
Datos del transistor: IDSS = 2mA; VP= - 3V

1. El transistor NJFET de la figura tiene una IDSS=12mA y VP=-4V. Determinar


el valor mnimo de E para que el transitor trabaje en la regin de
saturacin.

1. Calcular los valores de VDS y VGS del transistor de la figura si se admite


que ID=5mA.

1. Determinar el punto de operacin del transistor FET de la figura


suponiendo que se encuentra en zona de saturacin.

Datos: IDSS=5mA VP=-4V

1. Hallar el punto de operacin del transistor de la figura. Datos:


IDSS=15mA; VP=-10V

1. En el circuito de la figura, calcular la resistencia de entrada R IN y la


tensin de salida VOUT. Si se conecta una resistencia de 4.7k a la salida
del circuito, calcular la tensin de salida. Datos del transistor: I DSS=8mA,
VP=-10V

1. En el circuito de la figura se ha utilizado un transistor 2N5460. Calcular


la ganancia de tensin del circuito. Nota: Utilizar para ello los valores
medios de los parmetros del transistor.

1. Determinar la ganancia de tensin del circuito de la figura. Datos del


transistor: gm=3.8 mmhos

1. El sencillo circuito de la figura es una fuente de corriente que alimenta


una carga RL.

a) Calclese el valor de la corriente I que circula por esa carga si el transistor se encuentra
en la regin de saturacin.
b) Hallar la resistencia RL mxima que se puede alimentar con la intensidad hallada
mediante el circuito anterior
Si el transistor JFET de la figura es un transistor comercial 2N5486, calcular entre qu
valores se puede esperar que vare la intensidad I cuando el transistor trabaja en la regin de
saturacin. Datos: Idss=10mA; VP=-5V.

1. Con el transistor 2N5457 y otros componentes que crea necesarios,


disee una fuente de corriente constante de 0.2mA. Cul ser la carga
mxima que puede alimentar la fuente de corriente?
1. En el circuito de la figura, calcular la tensin de salida si la tensin de
entrada es 3V. Considerar que el transistor trabaja en la regin de
saturacin. Datos adicionales: R=100K; E=15V

1. La tensin de entrada Vin es una tensin que vara muy lentamente con
el tiempo de manera que, se puede resolver el circuito mediante un
anlisis en continua. Si E=10V e I D=1mA, calcular la relacin entre Vout y
Vin. Qu intensidad ID se debe establecer en la fuente si se quiere que
Vout=Vin? Datos del transistor: IDSS=3mA VP=-5V

1. En el circuito de la figura, si ambos transistores son idnticos y se


encuentran trmicamente acoplados. Hallar la relacin entre V OUT y VIN.

1. Determinar el valor de las salidas V01 y V02 cuando VIN valga cero y diez
voltios. Datos: VTH = 5 V. ECC = 20 V.

1. Para el diseo de una puerta lgica inversora, se realiza un esquema


como el que se representa a continuacin.

a) Calcular aproximadamente la potencia generada en la fuente de 8 Voltios en los estados


lgicos '1' y '0' de la entrada (10 V. y 0 V. Respectivamente).
b) Qu misin tiene la resistencia de 15 k?.
1. El siguiente circuito lgico est diseado segn la tcnica CMOS
(Complementary-MOS).

Se denomina as por que emplea en el mismo circuito transistores NMOS y PMOS.

a) Explicar su funcionamiento y determinar qu tipo de puerta lgica es.


b) Comparar este circuito con el del anterior. Qu ventajas presenta en cuanto a consumo
de potencia?.
1. Seleccionar el transistor ms apropiado para el circuito lgico siguiente
(0 < VIN < 10V) (Calcular los parmetros comerciales del transistor):

1. Determinar a qu tipo de puerta lgica corresponden los dispositivos de


la figura (Entradas: V1 y V2; Salida: VO)

Qu consumo de potencia hay en los estados lgico '1' y '0' de ambos circuitos?
1. El circuito de la figura representa a un transistor actuando como un
interruptor. Cuando se polariza la puerta con una tensin de 15V, el
transistor deja pasar una corriente para alimentar la resistencia de
carga. Al polarizar con 0V la puerta, el transistor permanece en corte. Se
pide:

a) Elegir un transistor MOS adecuado para realizar esta funcin.

b) Calcular aproximadamente la prdida de potencia en el transistor si la seal de entrada


est comprendida entre 0 y 5V.

1. Un transistor NMOS de depleccin tiene un V P=-2V y K=2mA/V2. Calcular


la VDS mnima para operar en la regin de saturacin si V GS=1V.
2. El transistor MOSFET de depleccin de la figura tiene una K=4mA/V 2 y
VP=-2V. Calcular la tensin de la fuente

1. Calcular los parmetros que toman las resistencias R D y RS del circuito de


la figura para que el transistor opere con una I D=0.4mA y VD=1.Datos:
VTH=2V; K=0.4mA/V2

1. Se desea disear un circuito de alarma para un coche de manera que al


salir del coche con las luces encendidas, suene un zumbador. Para
detectar la apertura de la puerta se dispone de un sensor magntico

entre la puerta y el coche que se cierra con la puerta y da una seal de


0V. Al abrir la puerta, el sensor da una seal de 5V. Por otro lado, se
tiene un dispositivo que detecta el paso de corriente en el circuito de
iluminacin. Se obtiene una seal de 5V con las luces encendidas y de
0V con las luces apagadas. El zumbador tiene que estar alimentado
entre 1 y 16V y recibir una corriente de 30mA. Disee el circuito con los
transistores MOSFET necesarios.