INDICE

I.

OBJETIVOS3
I.1. OBJETIVOS GENERALES..3
I.2. OBJETIVOS ESPECIFICOS3
II.
MARCO TEORICO4
II.1. DIODOS..4
II.1.1. DIODO IDEAL4
II.1.2. DIODO DE UNION PN.4
II.1.2.1.
FORMACIN DE LA UNIN PN..5
II.1.2.2.
Polarizacin directa.6
II.1.2.3.
Polarizacin inversa6
II.1.3. TIPOS DIODO DE UNION PN.7
II.2. TRANSISTORES8
II.2.1. CONCEPTO8
II.2.2. CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR.8
II.2.3. TIPOS DE TRANSISTOR.9
A. Transistor bipolar..9
B. Transistor unipolar9
III.

II.3. AMPLIFICADORES9
APLICACIN PRACTICA..12
III.1. ESQUEMA
.12
III.2. MATERIALES
12
III.3. FUNCION DE LOS

IV.
V.
VI.
VII.

COMPONENTES..13
CONCLUSION.14
RECOMENDACIONES15
REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS.15
ANEXOS.16

INTRODUCCION
En los ltimos tiempos se hizo clara la influencia y uso indispensable de las
tecnologas electrnicas, destacando principalmente los circuitos elctricos
conformados por diversos componentes para su adecuado funcionamiento, es ah
donde entre dichos componentes podemos destacar la importancia de los DIODOS Y
TRANSISTORES y su funcin dentro del circuito.
El diodo es un dispositivo no lineal por que la grfica de corriente en funcin de la
tencin no es una lnea recta. Cuando la tensin es menor a la barrera potencial la
corriente del diodo es pequea si la tencin supera esta barrera la corriente se
incrementa rpidamente.
En los transistores hay dos formas: polarizacin de base y la polarizacin de emisor.
La polarizacin de la base produce un valor constante de la corriente de base mientras
que la polarizacin de emisor produce un valor constante. ste componente es de vital
importancia porque cumple diversas funciones como de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador.
Ambos componentes son importantes dentro de un circuito complejo ya que permiten
tener un mejor control de la corriente, carga y voltaje por el cual el circuito es
sometido. Si bien en ocasiones no es necesaria la implementacin de estos, en la
mayora de circuitos ms complejos como aparatos o artefactos es muy importante ya
que trabajan con corriente y rangos ms variables.

I.

OBJETIVOS
I.1. OBJETIVOS GENERALES

Mostrar el uso y aplicacin de DIODOS Y TRANSISTORES

dentro de un circuito ms complejo y el cmo se relaciona con
otros componentes dentro del mismo.

I.2. OBJETIVOS ESPECIFICOS

Amplificar sonido buscando una distorsin menor y un audio de

calidad.
Activar o desactivar la funcin de los LEDs (vmetro)
dependiente de un sensor de luz (Foto-receptor).
Mostrar la variacin del sonido en un vmetro, de acuerdo al
encendido o apagado de LEDs.
Controlar la corriente dentro del circuito mediante los
componentes.

II.

MARCO TEORICO
II.1.
DIODOS
II.1.1. DIODO IDEAL
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de
corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que
la bloquea en el sentido contrario.
En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensinintensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para
la corriente es de A a K.

Figura 1: Smbolo y curva caracterstica tensin-corriente del diodo

ideal.
El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta
resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y
resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del
smbolo circuital, representada en la figura 1, indica el sentido permitido
de la corriente.

presenta resistencia nula.

presenta resistencia infinita.

II.1.2. DIODO DE UNION PN
El diodo de unin PN es el dispositivo electrnico semiconductor ms
sencillo y se puede encontrar, prcticamente en cualquier circuito
electrnico. Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms
utilizada) y de germanio.
4

Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P,

separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin
es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios
aproximadamente en el diodo de silicio.

Figura 2:
Grfico
simblico y
de un diodo
unin PN.

real
con

II.1.2.1.

FORMACIN DE LA UNIN PN

Figura 3: Partes de un diodo unin PN.

El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y
el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de
electrones)
Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado
N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones
fluyen a travs del material P ms all de los lmites del semiconductor.
De igual manera los huecos en el material P son empujados con una
tensin negativa al lado del material N y los huecos fluyen a travs del
material N.
En el caso opuesto, cuando una tensin positiva se aplica al lado N y
una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al
lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso
los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no
hay corriente.
5

Figura 4: Paso de los electrones del semiconductor del tipo N al P

El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:

II.1.2.2.

Polarizacin directa

Si el nodo est conectado a la parte positiva de la fuente y el ctodo a

la parte negativa se dice que el diodo esta polarizado directamente
permitiendo el paso de la corriente siempre y cuando se cumpla la
condicin de que el voltaje de barrera sea menor al voltaje suministrado
y trayendo como consecuencia la disminucin de la zona de depleccion.

Figura 5: Polarizacin directa.

II.1.2.3.

Polarizacin inversa

En este caso el nodo est conectado a la parte negativa

impidindose el paso de la corriente comportndose como un circuito
abierto y trayendo como consecuencia un aumento en la zona de
deplecin

Figura 6:
6 Polarizacin inversa.

II.1.2.4.

Caracterstica tensin-corriente

La Figura 7 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de

un diodo real.

Figura 7: Caracterstica V-I de un diodo de unin PN.

En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones
de funcionamiento explicadas anteriormente:

Regin de conduccin en polarizacin directa (PD).

o

Regin de corte en polarizacin inversa (PI).

Regin de conduccin en polarizacin inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta

que no se alcanza la tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a
corte no es instantneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el
componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta
quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P y N. La
intensidad que circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de
los diodos de silicio, VON se sita en torno a 0,7 V.
Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es
mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin
que en directa, hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta.
II.1.3. TIPOS DIODO DE UNION PN

Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y,

alineados, constituyen detectores multicanal que permiten
obtener espectros en milisegundos.. Es un semiconductor de
tipo p (con huecos) en contacto con un semiconductor de tipo n
7

(electrones). La radiacin comunica la energa para liberar los

electrones que se desplazan hacia los huecos, estableciendo
una corriente elctrica proporcional a la potencia radiante.

II.2.

Diodo emisor de luz o LED (Light-Emitting Diode): Es un diodo

formado por un semiconductor con huecos en su banda de
energa, tal como arseniuro de galio, los portadores de carga
que cruzan la unin emiten fotones cuando se recombinan con
los portadores mayoritarios en el otro lado. Los ledes tambin
pueden usarse como fotodiodos de baja eficiencia en
aplicaciones de seales. Un led puede usarse con un fotodiodo o
fototransistor para formar un optoacoplador.

Fotodiodos: Todos los semiconductores estn sujetos a

portadores de carga pticos. Los fotodiodos tienen la funcin de
ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que estn empacados en
materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general
PIN (tipo de diodo ms sensible a la luz). Varios fotodiodos
pueden empacarse en un dispositivo como un arreglo lineal o
como un arreglo de dos dimensiones. Estos arreglos no deben
confundirse con los dispositivos de carga acoplada.

TRANSISTORES

II.2.1. CONCEPTO
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para
entregar una seal de salida en respuesta a una seal de entrada.
Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
La palabra TRANSISTOR es la resultante de dos palabras en ingls de
TRANSFER RESISTOR que traducido al espaol significa RESISTOR
DE TRANSFERENCIA. Actualmente se encuentran prcticamente en
todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras,
lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc. Y consta
de tres terminales:

EMISOR (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga.

COLECTOR (C): Se encarga de recoger portadores de carga.
BASE (B): Controla el paso de corriente a travs del transistor.
Es el cristal de en medio.

II.2.2. CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR

Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:

Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA

seal de mando.
8

Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de seales.

II.2.3. TIPOS DE TRANSISTOR

Hay dos tipos bsicos de transistor:
A. Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)
Consta
de
tres
cristales
semiconductores (usualmente de
silicio) unidos entre s. Segn como
se coloquen los cristales hay dos
tipos
bsicos
de
transistores
bipolares.

Transistor NPN: en este caso un

cristal P est situado entre dos cristales N. Son los ms comunes.

Transistor PNP: en este caso un cristal N est situado entre dos

cristales P

La capa de en medio es mucho ms estrecha que las otras dos.

B. Transistor de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor) o
unipolar

El transistor unipolar est formado

por una sola capa de semiconductor
de tipo n sobre un substrato de tipo
p. Se distingue el canal cuyo
dopado es n y las conexiones al
exterior, drenador y surtidor, que son
material dopado de tipo n+. Encima
del canal, que conecta drenador y
surtidor, se ha difundido una capa
adicional de tipo p. Las zonas
dopadas tipo p se conectan
conjuntamente y se llaman puerta. El drenador del JFET es equivalente
al colector del BJT, el emisor al surtidor y la puerta a la base.
II.3.

AMPLIFICADORES
La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad constante
en la mayora de los sistemas electrnicos. En este proceso los
transistores desarrollan un papel fundamental, pues bajo ciertas
9

condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de

seal mayor a la que absorben.
La funcin amplificadora consiste en elevar el nivel de una seal
elctrica que contiene una determinada informacin.

Esta seal en forma de una tensin y una corriente es aplicada a la

entrada del elemento amplificador, originndose una seal de salida
conteniendo la misma informacin, pero con un nivel de tensin y
corriente ms elevado.
El transistor sea PNP o NPN es capaz de amplificar corriente, es decir,
que una determina intensidad amplificada en uno de sus terminales de
entrega (emisor o base generalmente) responde con una corriente
mayor en la de salida (colector). A travs de esta forma de trabajo se
puede tener ms amplificaciones como son las de tensin y potencia.

Sistema ms elemental de alimentar a un transistor para obtener la

funcin amplificadora.

Depende de la polarizacin con los elementos resistivos en tres

terminales EMISOR, BASE, COLECTOR para obtener diferentes
valores a la salida producindose por lo tanto una amplificacin en
10

corriente y tensin. El valor de esta amplificacin se conoce con el

nombre de ganancia.
Todo lo expuesto es vlido tanto para los transistores NPN como PNP,
aunque para este ltimo ser necesario emplear tenciones de
alimentacin de signo opuesto a las explicadas.

Dos aspectos funcionales que intervienen en la etapa amplificadora del

transistor: PUNTO DE FUNCIONAMIENTO, GANACIA DE SEAL.
PUNTO DE FUNCIONAMINETO:
1. Situacin creada por el transistor por las corrientes continuas
2. Depende de los valores de Rb1, Rb2 y Rc.
3. Si la base circula mayor o menor corriente, circulara tambin una
mayor o menor corriente de salida por el colector.
4. Produciendo sobre Rc una diferencia de potencial diferentes
dependiendo de ella y as fijado la tensin continua de salida Vc.
GANACIA DE SEAL:
1. El valor de la amplificacin se le conoce con el nombre de
ganancia, determinado por el factor beta en continua del
transistor
2. Solo tiene en cuenta el comportamiento del circuito ante
tensiones alternas (seales), produciendo nicamente el punto
de funcionamiento bien elegido.
3. Si ello, es correcto, hay que definir un adecuado punto de
funcionamiento puesto que de el depende todo el
comportamiento de la etapa amplificadora.

11

III.

APLICACIN PRACTICA
III.1. ESQUEMA

III.2.

MATERIALES

RESISTENCIAS

5.6 K
2.2 K
75
22 K
1 K
4.7 K
390

(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(11)
(10)

TRANSISTORES

2N3904 (NPN)
BC549 (NPN)
TIC36C (PNP)
BC558 (PNP)

(1)
(10)
(1)
(2)

COMPUERTA

Or ED4071

CAPACITORES

0,1F - 25V
1F 25V

(2)
(1)
12

DIMMER

100 K
50 K

(1)
(1)

RESISTENCIA DEPENDIENTE

LDR

(1)

DIODOS

1N4004 (10)
Leds

(50)

OTROS

III.3.

PROTOBOARDS
(2)
PARLANTES
(2)
BATERIA
(1)
CABLES
PLACA (10cmx10cm) (1)
DESCRIPCIN

Este trabajo consiste en tres circuitos:

Amplificador de Audio
Sensor de Luz
Vmetro

AMPLIFICADOR DE AUDIO
Circuito que recibe una seal mnima de audio (telfono celular)
en la primera etapa est el filtro pasa al transistor (2n3904) que
pre amplifica y finalmente al transistor de mayor potencia para
tener una ganancia optima
SENSOR DE LUZ
Este circuito est compuesto por un LDR (resistencia dependiente
de luz) que junto con la compuerta lgica OR transforma la seal
de luz analgica en una seal digital.
VMETRO
El vmetro es un dispositivo indicador en equipos de audio para
mostrar el nivel de seal en unidades de volumen, tambin es
llamado indicador del volumen
A continuacin explicaremos el papel de cada componente en los
circuitos mencionados
III.4. FUNCION DE LOS COMPONENTES
A. FILTRO
Amplificador
Resistencia de 5.6K y capacitor
de 0.1uF
13

Vmetro

Dimer controlar sensibilidad de seal y capacitor de 1uF

B. AMPLIFICADOR
Amplicador De Audio
Transistor tic36cPNP
Transistor 2n3904NPN

Vmetro

Transistor bc558
C. EMISION DE SEAL y CONTROLADOR
Sensor de luz
LDR vara su resistencia con la intensidad de luz y controla el
vmetro
D. SATURACIN
Sensor de luz
Transistor BC558
E. CAIDA DE TENSION
Amplificador Y Vmetro
DIODOS 1N914
F. LIMITADOR DE CORRIENTE
Resistencias
IV.

CONCLUSION
1. Como pudimos notar el uso de DIODOS Y TRANSISTORES dentro de un
circuito es importante debido a las funciones que tienen (Saturacin, corte y
amplificacin)
2. Este proyecto tiene fines didcticos para entender el comportamiento de los
diodos y transistores ya que hoy en da ya viene integrado todo en un solo
chip.
3. El circuito est adaptado para seales analgicas.
4. El dimmer (resistencia variable) nos ayud a calibrar la sensibilidad de la
seal.

14

V.

RECOMENDACIONES

VI.

Se recomienda utilizar un disipador de calor para los transistores de

potencia para evitar el sobrecalentamiento, evitar daos internos y el mal
funcionamiento del mismo.
La fuente con la que trabajamos es de 12 v si se cambia por otro de mayor
voltaje y las ondas se recorta y hace que la emisin del sonido mediante
el parlante sea distorsionado.
Averiguar bien de los transistores la orientacin (terminales), tipo (NPN,
PNP) Y la capacidad de corriente que pueden soportar ya que pasado ese
lmite permitido los transistores se quemaran.
Si no sabes si tu transistor est bien probar en un pequeo circuito de
conmutador con un multmetro fuente de 5V a 12V es el adecuado
conjuntamente con un LED y una resistencia para proteger el LED.
Se deben de utilizar los capacitores correctos para que estos no afecten la
salida del audio, y no produzcan ruido.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
[1] Unicrom.com, Electrnica Unicrom, [fecha de acceso 02 de diciembre de
2015]. Disponible en: http://www.unicrom.com/tut_diodo.asp
[2] Fundacin Wikimedia Inc, Wikipedia, contenido libre, [Fecha actualizada 06
de diciembre del 2015, acceso 07 de diciembre del 2015] Disponible en:
https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
[3] asifuciona.com, ASI FUNCIONA, Que es un Diodo, [fecha acceso 04 de
diciembre del 2015], Disponible en:
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_diodo/ke_diodo_2.htm
[4] Diresctoras, tutorial_general, Transistores, [fecha acceso 01 diciembre del
2015], Disponible en:
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/eltransistorcomoamplific
ador.html
[5] Linkedin Corporation, SlideShare, El transistor como amplificador, [fecha
actualizacin 11 de junio del 2012, acceso 01 de diciembre del 2015],
Disponible en: http://es.slideshare.net/Jomicast/el-transistor-como-amplificador13275662

15

VII.

ANEXOS
Anexo n01
Se muestra el conjunto de
transistores utilizados en el
circuito con sus respectivos
cdigos.

Anexo n02

Resistencias utilizadas en el circuito.

Anexo n03

Fotorresistencia (fotocelda)
Anexo n04

Dimmer.

16

Anexo n05

Capacitores

Anexo n06

Se muestra la soldadura de los leds

en la placa.
Anexo n07

Compuerta Or CMOS
4001
Anexo n08

17

Leds
Anexo n09

Estao

18