1.

Para el circuito amplificador que se muestra en la figura con

V p=3 V

I DSS=6 mA

=150 ,

Determinar
a)

b)

I C , V CE , V GS , I D

Av =

Vo
Vi

16 V

R3

R9

61k

1M

R10
1.6k

C3
Vo
Q2

C2

2N3685

R?
61k

220n

220n

C1

Q2

Vi

2N3685
220n

R?

R?

R6

28k

100k

1k

R8
100k

220n

Anlisis en DC
Para el transistor bipolar:
Considerando que

=150

entonces

I B=0 mA

Planteando la ecuacin en el transistor bipolar

16=3.3i 1+ Vce+0.1i E
i 1=i 2+i C

C4

Pero

i C =i E

16=3.3i 1+ 6i2 +0.7+ 0.1i E

89i2 =V CE +0.1i E
Resolviendo el sistema de cuatro ecuaciones con cuatro incgnitas
Se obtiene que:
V CE =0.118 V
i C =4.73 mA
Para el transistor JFET:
V GS >V P
Se sabe que:
I D =I DSS .(1

V GS 2
)
VP

Reemplazando los valores:

I D =6.(1+

Hallando el voltaje Thevenin equivalente

V TH =

16100
100+1000

V TH =1.45 V
16=1.6i D +V DS +i S
1.45=90.9i G +V GS +i S

V GS 2
)
3

i S=i D +i G
i G=0
Resolviendo las ecuaciones se obtiene:
i D =2.51 mA
V DS =9.47 V

Anlisis para seal

R12
61k

+
I2

Vo

150*ib1

Ii

R13
hie

Ib

R14

R15

28 k

0.1 k

R16

R17

3.3 k

90.9 k

Vgs
R18
1.6 k

gm=

2I DSS
VP

gm=4 m

hie=

15025
=792.81 k
4.73 m

Vi=792.81kib+ 0.1 k151 ib=807.91ib

Vgs=150. ib3.18 k

V 0=1.6 k4150ib3.18

Av =

Vo
=3.778
Vi

2. En el circuito amplificador que se muestra en la figura se tiene los

siguientes datos:
V CC
V
=V
=
CE
E
Vcc=24V, Ic=2mA ,
3 ,

=50 , V BE=0.7 V

24 V

R1

RC

Q5

0.5k

Vce

V1
1V

Analizando en DC
Tenemos como datos que:
=50

I C =2 mA

R2

RE

R
5k

V CE =V E =

V B =24

V CC
3

R2
=V BE +V E
R1 + R2

V E =I ER E
Reemplazando los valores:
R E=

8
=3.92 k
2.04 m
24 V

R1

RC

Q1

Vce

R2

RE

24=RC . I C +V CE + R E . I E
RC . I C =2488=8

Entonces

RC =4 k

Por efectos de diseo

R E=

10. R B

RB =

. R E R1 . R2
=
10
R1 + R2

503.92 R 18.7
=
10
24
R1=54 k
R2=30.77 k

Anlisis para seal

VO
2.22k

I1
50*ib

R4

R5

19.6k

0.625k

R7
3.92k

hie=

. V T 50.25
=
=0.625 k
10
2

V O=50( ib )2.22 k=111.11ib

V B =i R19.6 k=ib0.625 k +3.92 k51 ib
i R =10.23ib
Entonces aplicando la primera ley de Kirchhoff
i i=10.23ib+ib=11.23ib
Vi=0.5 ki i +i R19.6 k =206.129 kib
V 0=2.2250ib
V 0 entre V i

Dividiendo
V0
=0.53
Vi
3. Disee

un

I CQ =1.98 mA

circuito

amplificador

mostrado

y para

V CEQ =4.54 V

=50

en

la

figura

para

15 V
R2

RC

Vo
Q3
2N3053

Vi
R1

Anlisis para DC

15 V
R2

RC

Q4
2N3053

R1

RD

15=R CI C +V CE + R EI E

Aplicando Thevenin

RE

15 V

RC

RB

VB

Q6
2N3053

RD

15R 1
=RBI B +0.7+ R EI E
R 1+ R 2
15R B
=RBI B +0.7+ R EI E
R2

Como

R E=

=50<100

10. R B R B
=
50
5

15R B
=0.7+0.4434R B
R2
4. Del circuito mostrado en la figura calcular la I B, IC, VCE, de cada transistor.
1=2=100.

Solucin:
Como es muy grande (100): IB1 = IB2 = 0, VBE =0.7v

IC1 = IE1 = I1, IC2 = IE2 = I2

28I = VBE1 + (I1+I2)0.1
28I = 0.7 + (I1 + I2)0.1..... (1)
16 = 3.3 (I+I1)+89I..... (2)
VEB2 = 3.3 (I+I1)..... (3)

De (1), (2) y (3)

Resulta:
I=0.17mA
I1= IC1 = 0.04mA
I2= IC2 = 41.09mA
A dems tambin tenemos que:
16 = 3.3 (I+I1) + VCE1 + (I1 + I2)0.1
16 = 3.3 (0.21) + VCE1 + (41.13)0.1
VCE1 = 11.194v
Y
16 = - VCE2 + I2 (1.2) + (I1 + I2)0.1 = - VCE2 + 41.09(1.2) + (41.13)0.1
VCE2 = 37.421v
5. Para el circuito amplificador que se muestra en la figura con = 150, V P
= -3v, IDSS = 6mA. Determinar:
a) IC, VCE, VGS, ID.(4puntos)
ID
b) Ai= Ii (4 puntos).

Solucin:
Anlisis DC

Dado que es grande. IC=IE y IB=0

28IA = 0.7 + 0.1IC
16 = 3.3(IA + IC) + 89 IA
Resolviendo: IA =0.04mA, IC = 3.77mA
Tambin: 16 = 3.3(IA + IC) + VCE + 0.1IE = 3.3(3.81) + VCE + 0.1(3.77)
VCE = 3.05v

VG =

16(1000)
(1000+100)

16
11

= VGS + ID(1) VGS =

16
11

- ID ID =

16
11

- VGS
Vgs 2
Pero ID = 6mA (1 3 )

16
11

- VGS

Resolviendo resulta VGS = -6.44 o VGS = -1.06, Tomamos este valor porque
es mayor al VP
ID =

16
11

+ 1.06 ID = 2.51mA

Anlisis AC

150 (2510 )
3.77

Hie =

= 1k, gm =

26 mA 2.51
3
6

=2.58m

ID = gm*Vgs = 2.58m*(-1.06) = -2.7348mA

V1 = (151(0.1) + 1)ib = 16.1 ib
16.1 ib = 61(150ib +
3

2.34* 10

Vgs
3.18 ) + Vgs, como Vgs = -1.06, desarrollando: ib =

mA

16.12.34103
28 im = 16.1 ib im =
28

Ii = im + 151 ib +

1.06
3.18

Ai =

Vgs
3.18

3
3
= 2.34* 10 mA + 151*1.35* 10 mA +

= 0.0213mA
ID
Ii

2.7348
0.0213

3
= 1.35* 10 mA

Ai = -128.39

6.

a)

V=

V0
V 1V 2
V 1=hiei bhie 2i b 2
V 1V 2=

V2

hiei bhie 2i b 2=hie(i b i b 2)

........ ()

1=Rc(i b +i)
2=Rc(i b 2i)
12 =Rc(i bi b 2 +2i)

Adems:
0
=i
hieR L

0=hieiR L
(2)

De (1) y (2) despejando

0=

... (1)

Rc R L
(i i )
R L 2R C b b 2 . ()

De () y ():

L2R
(
C )hie
V0
R R
V=
= c L

V 1V 2

..

(Respuesta)

b) Teniendo en cuenta los valores dados son:

V=

V0
V 1V 2 =

4 k23 k
3 k4 k100
1 k = -600

7.

Datos: IDSS=4mA; Vp=-1v

a)

I D =4 mA (1

V gs
)
1

12 10*(

. (1)
I D + I 80I =0

0+30I V gs =

|V p|>|V gs|

(2)

0 .... (3)

.. (4)

De (1), (2) y (3)

2
1210( 4( 1+ 30I ) + I ) 80I =0
Resolviendo EC cuadrtica:
I1 = -0.0141 mA Si es posible cumple (4)
I2 = -0.05503 mA No es posible
Entonces:
Remplazando I1=I en (2) y (3)
Se obtiene:
I D =1.3317 mA
V gs=0.423 v
Adems
gm=

b)

A=

gm

2 I DI DSS
Vp

3
= 2 1.3317410 =0.004615

Vo
Vi

Malla A:
V i=i o0.5+50I i + I6
Malla (fuente Vi -> S):

... (1)

V ii o0.5V gs =0

....

(2)
Malla B:
V ii o30.5+ 30I 1=0

.. (3)

Malla Vo -> GND

V 0i o5=0
(4)
Nodo D:
3

I 110 =I10 +0.001952

.... (5)

Resolviendo: (1), (2), (3), (4) y (5)

I = -1.735mA
Io = 0.2307 mA
I1 = 0.2166 mA
Vo = -10.411 mA
V1 = 0.5383 mA
Entonces:
V 10.411
A= o =
=19.34
V i 0.5383
8.

c)

V=

V0
V 1V 2
V 1=hiei bhie 2i b 2
V 1V 2=

V2

hiei bhie 2i b 2=hie(i b i b 2)

........ ()

 1=Rc(i b +i)
2=Rc(i b 2i)
12 =Rc(i bi b 2 +2i)

Adems:
0
=i
hieR L

0=hieiR L
(2)

De (1) y (2) despejando

0=

... (1)

Rc R L
(i i )
R L 2R C b b 2 . ()

De () y ():
R
( L2RC )hie
V0
R R
V=
= c L

V 1V 2

..

(Respuesta)

d) Teniendo en cuenta los valores dados son:

V=

9.

V0
V 1V 2 =

4 k23 k
3 k4 k100
1 k = -600

Datos: IDSS=4mA; Vp=-1v

c)

V gs 2
I D =4 mA (1
)
1
12 10*(

. (1)
I D + I 80I =0

0+30I V gs =

|V p|>|V gs|

(2)

0 .... (3)

.. (4)

De (1), (2) y (3)

1210( 4( 1+ 30I )2+ I ) 80I =0
Resolviendo EC cuadrtica:
I1 = -0.0141 mA Si es posible cumple (4)
I2 = -0.05503 mA No es posible
Entonces:
Remplazando I1=I en (2) y (3)
Se obtiene:
I D =1.3317 mA
V gs=0.423 v
Adems
gm=

gm

2 I DI DSS
Vp

3
= 2 1.3317410 =0.004615

d)

Vo
Vi

A=

Malla A:
V i=i o0.5+50I i + I6
Malla (fuente Vi -> S):
V ii o0.5V gs =0

... (1)
....

(2)
Malla B:
V ii o30.5+ 30I 1=0

.. (3)

Malla Vo -> GND

V 0i o5=0
(4)
Nodo D:
I 1103=I103 +0.001952

.... (5)

Resolviendo: (1), (2), (3), (4) y (5)

I = -1.735mA
Io = 0.2307 mA
I1 = 0.2166 mA
Vo = -10.411 mA
V1 = 0.5383 mA
Entonces:
V 10.411
A= o =
=19.34
V i 0.5383
10.
Datos:

V E=

1
V cc
10

RBB =

1
R E
;
10

=50

Utilizando los datos:

V E=

1
12=1.2 v
10

; ;

RBB =

1
50R E
10

Malla B:
12-Rc*4-6=1.2
Rc

= 1.2K y tomando el primer dato:

R E=294.11

Adems:

RBB =

1
50294.11=1.47 k
10

Malla A:
VBB-0.08*1.47-0.7=1.2
VBB = 2.017v
Entonces por formula:
R 1=

RBV cc
=
V BB

1.47 k12
2.017

= 8.74k

R E4.08 mA=1.2

R 2=

R BV cc
V ccV BB

1.47 k12
122.017

= 1.76k

11. Para amplificador con JFET de la figura, considerando el modelo

simplificado y los parmetros IDSS=10mA, Vp=-4V, Rt=100.5k,
IDQ=0.6mA, VGSQ=-3V y VDS=6V; se pide:
a) Disear los valores de RD, Rs y RG.
b) Av=Vo/Vs

RD(2)

RD
5k

Q
0.5k

RG

VS

100k

RS
5k

Anlisis en DC

RO
5k

ID
IG

12V

RG
100k

RS
5k

VO
10k

IG=0

ID=0.6 mA
En la malla (ID), por la 2LK:
12V =6 V +0.6 mA( RD + RS)

RD+ RS=10 k
Considerando para el diseo
RD=RS=5 k

Anlisis con pequea seal:

Usando el modelo simplificado

RD
5k

Is
GM*VGS
+G
0.5k

VS

RG
100k

Io

-S
+

RS
5k

gm=

210 mA
3
(1
)=1.25 mMhos
4
4

Vs=Is( 0.5+ RG )

VO
10k
-

Vs
=0.5+ RG=100.5
Is
RG=100 k

gmvgs=Io
k =Vo
( 510
5+10 )

Io

Vo=vgs4.1666

V s=5 kIo
Vg=100 kIs

vgs=100 kIs+5 kIo

vgs=100 kIs+5 k(gmvgs)

vgs (1+5 k1.25 m )=100 kIs

vgs
=13.7931k
Is
Reemplazando:
Vo
1
4.1666
=13.7931 k
Vs
100.5 k

Av =

Vo
=0.5718
Vs

12. En el circuito amplificador que se muestra en la figura se tiene los

siguientes datos: Vcc=24V, Ic=2mA, VCE=VE=Vcc/3, =50, VBE=0.7V.
Considerando el modelo simplificado del transistor, se pide:

a) Disear los valores de RC, RE, R1 y R2

b) El valor de Ri
c) Determinar Vo/Vi
Anlisis en DC:
Vcc

RC
4k
I

Ic

RG

R1

4k

7.65k

R1

Q
24V

7.65k

IB

5k

R2
4.35k

VS
-

IB=0
De la malla (Io):
=RC =

8V
=4 k
2 mA

En la malla (I):
I( R 1+ R 2 ) =24 V

VO

0.5k

24V

R2

RE
4.35k
4k

RE
4k

IR 2=Ic+VBE=8.7 V
IR 1=15.3 V
Considerando para el diseo I=2mA, entonces:
R 1=7.65 k

R 2=4.35 k
Anlisis con pequea seal:

RG
4k

R1
7.65k

VO

0.5k

HIE

50IB

VS
-

R2
4.35k

RE
4k

5k
-

Io
Is

REQ

VO

0.4236k

HIE

50IB

0.65k
+

0.8472*VS
-

RE
4k

Simplificando el circuito por Thevenin:

IS=IB

HIE=

5026 mV
=650
2 mA

Io
=50
IB
Vo
=2.2222 k
Io
Por la 2LK en la malla (Is)
0.8472Vs=( 0.4236 k + 0.65 k )Ib+51Ib4 k
Vs
=242.0604 k =Ri
Ib

2.2222k
-

Vo
Io
Io
Ib
Vo
Ib
Av = =
Vs
Vs

Av =2.2222

k501
242.0604 k

Av =0.459
13. Disee

un

circuito

amplificador

mostrado

y para

V CEQ =4.54 V

I CQ =1.98 mA

=50

15 V
R2

RC

Vo
Q3
2N3053

Vi
R1

Anlisis para DC

15 V
R2

RC

Q4
2N3053

R1

RD

RE

en

la

figura

para

15=R CI C +V CE + R EI E

Aplicando Thevenin
15 V

RC

RB

VB

Q6
2N3053

RD

15R 1
=RBI B +0.7+ R EI E
R 1+ R 2
15R B
=RBI B +0.7+ R EI E
R2

Como

R E=

=50<100

10. R B R B
=
50
5

15R B
=0.7+0.4434R B
R2

15=R CI C +V CE + R EI E

Sabemos que:

V CE =4.54 V

V CC
Por concepto de diseo: V E = 10
V E =1.5 V
RCI C =8.96V

RC =

8.96
=4.52 k
1.98

15R B
=0.7+0.44R B ( )
R2

R E=

1.5
=0.74 k
2.01

RB =5. R E =3.71 k

Reemplazando en
55.65
=0.7+1.63
R2
R2=23.88
Por lo tanto:
R1=4.39

( )

14. Del circuito mostrado en la figura calcular.

a) El punto de operacin de cada transistor.
b) Av=Vo/vi.
1= 2= 3=100
Datos:

Solucin:

Anlisis en DC:

I 1 +101 i b1
ib 2

i b 3=101i b 2
I 1 +i b 1

101i b 1
i e3=10201 i b 2
24=4 ( I 1 +101 ib 1 ) +5 ( I 1+ ib 1 ) +8 I 1

8 I 1 =0.7+ ( 0.5 ) 101i b 1

24=17 I 1 +409 i b 1
0.7=8 I 1 + ( 0.5 ) 101i b 1

I 1=0.36 mA , i b 1=0.0436 mA i c1 =4.36 mA

24=4 ( I 1 +101 ib 1 ) +V CE 1+ ( 0.5 ) 101 i b 1
V CE 1=2.7438 V

24=160 ib 2 +0.7+ 0.7+2(10201)i b 2

i b 2=0.0011 mA i c2 =0.11 mA
i b 3=0.111 mA i c 3=11.1 mA

24=V CE2 +0.7+ 2(10201)i b 2

V CE2 =0.8578V
24=V CE3 +2(10201)i b 2
V CE3 =1.5578V

Q1

i c1 =4.36 mA
V CE1 =2.7438V

Q2

Q3

i c2=0.11 mA
V CE 2=0.8578 V

i c3 =11.1 mA
V CE 3=1.5578 V

Anlisis en AC:

iv

ii

hie 1=

ib 1

Vm

ib 2

ib 3

0.025 V
0.025V
0.025V
=0.57 k ,h ie 2=
=22.52k ,hie 3=
=0.22k
ib 1
ib 2
ib 3

Req1 =4 k/ 160 k=3.9 k , R eq2=2 k / 4 k=1.33 k

V 0=101 i b 3 ( 1.33 )=134.6i b 3=13601.3 i b 2 (1)
V m=22.52 i b 2+ 0.22 ( 101 i b 2 ) +13601.3i b 2
V m=13646.07 i b 2 ,i Req 1=3499 ib 2
i v =101i b 1 +3500 i b 2
V i=0.57 i b 1 +0.5 ( 101i b 1 ) =51.07i b 1 (2)

100 ib 3

V i=5 i v +V m=500 i b 1+ 17500i b 2 +13646.07 i b 2 ( 3)

De (1) y (2) en (3):
AV =

V0
=3.84
Vi

15. Para el rectificador de onda completa mostrada en la figura donde

r d =1.5

Rs=2,
V =1 V

PDC =50W

a) Disear C y

, con un factor de rizado de 8%.

RL .

b) La variacin de la tensin DC con filtro y sin filtro.

Solucin:

a)

FR=0.08=

1
2( 4 f R L C1)

4 f RL C=9.84

Del transformador se deduce:

440 11
=
Vi
1

V DC =V m

V i=40

Vm
I ( RS + 2r D ) 2V
4 f R L C DC

V DC =40 2

40 2 ( 2+ 2 ( 1.5 ) )50

2
9.84
V DC

V 2DC 48.82V DC +250=0

V D C =43 V o V DC =5.813 V

50=

43 2
R =36.98
RL L

9.84=4 ( 50 )( 36.98 )C C=1330.45 F

b)
V DC (con filtro)=43 V

V m=40 2

V DC (sinfiltro )=

80 2 5V DC

37

V DC ( sinfiltro )=29.96 V

V =V DC (con filtro)V DC (sin filtro )=13.04 V

16. Analcese el circuito amplificador como se muestra en la figura para las

siguientes

condiciones:

R L=20 k

V DD =10 V

i
A i= 0 =9.64 , y el punto de operacin para el transistor
ii
,

i D =0.5 mA

gm=4 mS

Z i=200 k

V GS=1.5 V

. Disear:

a.-

RS 1

(1 punto)

b.-

RS 2

(2 puntos)

c.-

RG

(3 puntos)

SOLUCION:
a.- Realizando el anlisis en DC considerando que

V gs +i D . RS =0
1

i G 0

 RS =
1

V gs 1.5V
=
iD
0.5 mA

RS =3 k
1

b.- Planteamos el circuito equivalente en AC con las variables

especificadas en el mismo para la resolucin del problema:

Es importante mencionar que la fuente de voltaje independiente

VGS

(Voltaje puerta-surtidor), es representativa e indica el voltaje entre los bornes

en los que ha sido colocada. Consideramos la primera malla, que comprende la
rama de

20 k :

V i=V gs+20 k.i 0

Dividimos la expresin entre

problema:
V i V gs
i
=
+20 k. 0
ii
ii
ii

ii

y utilizamos las relaciones dadas por el

200 k=

V gs
+20 k .9 .64
ii

V gs
=7.2k
ii

Consideramos luego la segunda malla:

V i=V gs+3 k. ( g m . V gs i0 ) + R S .(i i+ g m . V gs i0 )
2

ii

Dividimos la expresin entre

, para utilizar las relaciones como el caso

anterior:
V i V gs
g .V i
i + g . V i
=
+3 k. m gs 0 + RS . i m gs 0
ii
ii
ii
ii

200 k=7.2 k+3 k .

) (
2

4 mS. V gsi 0
ii + 4 mS .V gs i 0
+ R S .(
)
ii
ii

200 k=7.2 k+3 k. ( 4 mS .7 .2 k9.64 ) + R S .(1+ 4 mS .7 .2 k9.64)

2

Calculamos la nica variable a despejar:

R S =6.7123 k
2

c.- Utilizamos la tercera malla para hallar la ltima resistencia del diseo:
V i=RG . i i+ ( ii + gm . V gsi 0 ) . RS

Vi
i + g . V i
=RG + i m gs 0 . RS
ii
ii

200 k=R G +(1+ 4 mS .7 .2 k9.64)x 6.7123 k

R G=64.68 k

17. Del circuito mostrado en la figura calcular:

a.- El punto de operacin de cada transistor

b.- La ganancia de tensin

DATOS:

1= 2=100

SOLUCION:

AV =

V0
Vi

(3 puntos)

(4 puntos)

a.- Resolvemos de acuerdo al circuito equivalente en estado DC para

hallar los puntos de operacin de cada transistor:

1= 2=100 i B =i B 0

Considerando que

y utilizando el divisor de

corriente para la malla correspondiente:

10 x 15
=V BE +2 k .i C
10+53
2

Consideramos que los transistores estn compuestos por silicio y dada la

condicin anterior entendemos que:
i C =i E
2

i C =i E

V BE =V BE =0.7 V
2

Operamos en la expresin:

x 15
V )
( 1010+53
=i
BE 2

2k

C2

i C =i C =0.8405 mA
1

Operamos en la malla correspondiente:

39 x 15
=V BE +V CE + 2k . i C
39+83
1

V CE =2.4141V
2

Tambin encontramos la relacin:

V CE +V CE +7 k .i C =15 V
1

V CE =6.7025V
1

b.- Analizamos el circuito equivalente en AC para hallar la proporcin

AV

entre el voltaje de entrada y el de salida:

Calculamos primero las variables AC del circuito:

hi =
1

1 . V T 100.25 mV
=
=2.97 k
iC
0.8405 mA
1

hi =hi =2.97 k
1

h f =h f =100
1

Del circuito encontramos la relacin:

h f . i b =( hf +1 ) . i b
2

ib =
2

101. i b
100

Hallamos los voltajes de entrada y salida en funcin de las corrientes

correspondientes y despejamos la relacin entre los mismos:
V i=i b .2 .97 k
2

V 0=100. i b .5 k
1

AV =

100. i b .5 k
V 0 100.i b .5 k
=
=
V i i b .2 .97 k 101. i b .2 .97 k
1

AV =

V0
=166.43
Vi

18. Para el circuito amplificador que se muestra en la figura determinar:

a.- El punto de operacin de

Q1

b.- La ganancia de corriente

A I=

I0
Ii

Q2

c.- Las resistencias de entrada

DATOS:

Zi

=200 , material de silicio,

Z0
V P =4 V

i DSS =10 mA

SOLUCION
a.- Analizamos el circuito equivalente en DC para resolver el sistema:

Considerando la primera malla hallamos la corriente que pasa por el

drenador del transistor JFET:

0.7 k i D =0.7
i D =0.1 mA
Utilizamos la relacin caracterstica para el transistor JFET del circuito para las
variables de corriente en el drenador y el voltaje entre la puerta y el surtidor en
base a la corriente de saturacin en el drenador y el voltaje umbra del
transistor:

i D =i DSS . 1

V gs
VP

V
0.1 x 10 =10 x 10 . 1+ gs
4
3

Despejamos entonces el voltaje entre puerta y surtidor:

V gs =4 x (1 0.01 )
Consideramos:
V gs =3.6 V
1

V gs =4.4 V

La condicin natural del transistor es

V gs >V P

V gs =3.6 V

Analizamos ahora la segunda malla considerando que

0.7 k i D +V gs +3 k i C =15 V
Despejamos la nica variable de la ecuacin:
i C =5.967 mA

i G 0

Finalmente, para este inciso, hallamos el voltaje colector-emisor del

transistor BJT dada por la relacin en la ltima malla:
3 k i C + V CE =15
V CE =2.9V
b.- Para hallar tanto la ganancia de corriente como las impedancias de
entrada y salida, determinamos el circuito equivalente AC:

Es importante mencionar que la fuente de voltaje independiente

VGS

(Voltaje puerta-surtidor), es representativa e indica el voltaje entre los bornes

en los que ha sido colocada, sin conducir corriente elctrica. Para el caso
presentamos el circuito simplificado, habiendo colocado la resistencia
equivalente de

0.75 k

a las ramas en paralelo de

1 k

3 k

del

circuito original. Realizamos algunos clculos previos para la admitancia del

transistor JFET y la resistencia de entrada y la ganancia inversa de corriente
del transistor BJT:

hi =

.V T 200 x 25 x 103
=
=0.838 k
i cQ
5.96 x 103
hi=0.838 k

gm =

2
2
3
3
. i DSS . i D =
0.1 x 10 x 10 x 10

VT
4
gm=0.5 x 103

Obtenemos primero la relacin entre el voltaje de puerta-surtidor y la corriente

de base dad en circuito segn:
V gs +0.7 k ( g m V gs i b )=V gs +i b x 0.838 k
V gs =4.394 kx i b

Luego determinamos la relacin entre la corriente de entrada

ii

asignada y

de base utilizando la relacin anterior:

100 Mxi i +0.75 k ( i i200 i b )=V gs + 0.7 k ( gm V gs ib )
100 Mxi i +0.75 k ( i i200 i b )=4.394 kx i b +0.7 k ( gm V gs i b )
i b=644.205 x i i

Dada esta relacin y conociendo que la corriente de entrada

i i200 ib

para la rama equivalente, mostrada a continuacin, hallamos la relacin entre

la corriente de entrada y salida segn el divisor de corriente para la resistencia
de

1 k :
--i i200 ib =128840 x ii
Segn el divisor de corriente:
3
i 0= (128840 x ii ) =96630i i
4

 A I=

I0
=96630
Ii

c.- Utilizamos la siguiente ecuacin y la dividimos entre

ii

para hallar la

impedancia de entrada utilizando la relacin previamente determinada

ib
ii :

V i=100 Mxi i +0.75 k ( i i200 i b )

Z i=

Vi
i i200 i b
=100 M + 0.75 k
ii
ii

Z i=3370 k
La impedancia de salida esta especificada en el mismo circuito:
Z0=

19. Del

V0
=1 k
i0

circuito

amplificador

I DSS =4 mA , V P =1 V

I D , V GS , g m

AV =

V0
Vi

que

se

. Determinar:

muestra

en

la

figura

con

Anlisis en DC

I G =0
En la malla:
12V =10 ( i d + I ) +(50+30) I
V GS +30 I =0
Considerando para el diseo

I D =4 (1

V GS
)
1

12=40 ( 130 I )2 +90 I

2

36000 I 2310 I +28=0

I 1 =0.048 V GS=1.44 X
I 2 =0.01622 V GS=0.4866
i d=1.05432

gm=2 I DSS

V GS
1
1
=4.1072 m
VP
1

( )(

Anlisis con pequea seal:

Usando el modelo simplificado

I1
ii

R1 eq =10 k / 15 k=6 k

I1 =

V0
+ gm .V GS
6

i i=

V GS V 0
+ + g m . V GS
30 6

V i=0.5 i i+ V GS

V i=

V GS V 0 gm . V GS
+ +
+V G S
60 12
2

V GS=50 I 1+V 0

V GS=

25V 0
+50gm .V GS+ V 0
3

V GS=0.04567 V 0
Reemplazando:
V i=0.057 V 0

AV =

V0
=17.58
Vi

20. En el circuito amplificador que se muestra en la figura, con 1= 2=100

Calcular:
a) El punto de operacin
b) Av = Vo/Vi

SOLUCIN
=100

IB1=IB2=0

IC1=IE1

IC2=IE2

Anlisis DC

VB2 = 10(I1-IC1)=0.7 (1)

12 = 61.7I1 - 57IC1

..(2)

De (1) y (2)
I1 = 1.70 mA
IC1 = 1.63 mA
12 = 4.7 I1 + VCE1
VCE1 = 4.01 V
Aplicamos Thevenin para las dos resistencias de 20k en el transistor 2:
Rth = 10K

Vth = 6V

12 = 4I2 + 3(I2 - IC2) + 5 I3

12 = 4I2 - 3 IC2 + 5I3 (1)
VB = 20(I2 - IC2 - I3) + 6 = 5 I3
20I2 - 20IC2 - 25I3 = -6 (2)
5I3 = 0.7 + 0.2IC2 ..(3)
De (1), (2) y (3)

I2 = 2.68 mA
I3 = 0.25 mA
IC2 = 2.68 mA
12 = 4I2 + VCE2 + 0.2 IC2
VCE2 = 0.744 V

Anlisis AC
hie1 =

25 mVx 100
1.63 mA

= 1.53K

hie2 =

25 mVx 100
2.68 mA

= 0.93K

hf1 = hf2 =100

V0 =3.33i1 V0 =-146.7ib2
VB2 = 3(i1 +100ib2) + 3.33i1 = 0.93ib2 + 101ib2 (0.2)
6.33 i1 = -278.87 ib2

i1 = -44.055 ib2

VC1 = 2.42 i2 = 0.93 ib2 + (0.2)101 ib2

i2 = 8.73 ib2

VC1 = 65.7 ib2 + 2.42(8.73 ib2) = 1.53 ib1 47(100 ib1 + 65.7 ib2)
-O.676 ib2
1.53 ib1 = Vi +10(2.545 ib2)
Vi = -26.484 ib2

AV =

V0
Vi

146.7 i b 2
= 26.484 i b 2

= 5.539

ib1 =