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|UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL

FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES

ESCUELA
FISICA

PRACTICA N2
RELEVAMIENTO DE LA CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO UNION
CARACTESITICA DIRECTA

CURSO
ELECTRONICA ANALOGICA

ALUMNOS
APOLINARIO INFANTE CARLOS
SANCHEZ DINEGRO JEAN LUC
ZAPATA REQUENA MARILYN

DOCENTE
RUBEN BRUNA

LIMA - PER

2016

OBJETIVO
Obtener la curva caracterstica tensin-corriente real de un diodo comn de
juntura y compararla con la terica, explicando las posibles diferencias.
Familiarizarse con el manejo de componentes semiconductores y con el
armado de circuitos experimentales.

LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO


La figura 1 muestra el circuito sobre el que se realizarn las mediciones de
este apartado.

MATERIALES
P: Potencimetro lineal de 5 K.
R: Resistencia limitadora de 1 K ; watt.
Vcc: Fuente de alimentacin de 10 Volt.
D: Diodo de silicio tipo 1N4148.
VD1: Multmetro digital conectado para medir la cada de tensin en R, que
ser proporcional a la corriente del diodo.
VD2: Multmetro digital conectado para medir la tensin en el diodo.

DESARROLLO EXPERIMENTAL
Comenzar la experiencia con el eje del potencimetro totalmente girado
hacia un extremo, de forma tal que la tensin en el punto medio o cursor del
mismo sea nula (masa).
Variar la posicin del eje del potencimetro de forma de ir obteniendo
distintos valores de tensin en el cursor del potencimetro.
Medir para cada posicin del potencimetro las tensiones en la resistencia R
(proporcional a la corriente) (VD2) y en el diodo (VD1). Tomar nota de estos
valores en una tabla. Realizar como mnimo 10 mediciones.
Realizar un grfico de VD versus ID en papel cuadriculado, utilizando las
escalas adecuadas e indicando las mismas en el grfico.

ANALISIS DE RESULTADOS

RESULTADOS EXPERIMENTALES

Los resultados experimentales al tomar la diferencia de potencial de la resistencia y del


diodo fueron:

Voltaje de la resistencia
9.27 v
8.27v
7.35v
6.43v
5.37v
4.57v
3.37v
2.39v
1.57v
0v

Voltaje del diodo


0.73v
0.72v
0.72v
0.71v
0.70v
0.69v
0.67v
0.65v
0.63v
0v

La resistencia del diodo tomada experimentalmente:


Rd=610 ohmios

Luego mediante la ley de ohm hallaremos la intensidad de la corriente que circula por el
diodo.

Ley de Ohm:

Vd=Id.Rd

La intensidad del diodo est dada para los voltajes:

Voltaje del diodo


0.73v
0.72v
0.72v
0.71v
0.70v
0.69v
0.67v
0.65v
0.63v
0v

Intensidad del diodo


1.20mA
1.18mA
1.18mA
1.16mA
1.15mA
1.13mA
1.10mA
1.07mA
1.03mA
0mA

Con estos resultados obtenemos la siguiente grfica:

Grafico n1
Grfico de VD versus ID

RESULTADOS TEORICOS

Los resultados tericos los obtuvimos mediante el programa NI Multisim 12.0 y al


tomar la diferencia de potencial de la resistencia y del diodo nos dieron lo siguiente:

Voltaje de la resistencia
9.332 v
8.321v
7.500v
6.248v
5.335v
4.639v
3.449v
2.335v
1.541v
0.098mv

Voltaje del diodo


0.668v
0.664v
0.660v
0.653v
0.647v
0.643v
0.633v
0.621v
0.609v
0.976mv

La resistencia del diodo tericamente es de:


Rd=610 ohmios

Luego mediante la ley de ohm hallaremos la intensidad de la corriente que circula por el
diodo.
Ley de Ohm:
Vd=Id.Rd

La intensidad del diodo est dada para los voltajes:

Voltaje del diodo


0.668v
0.664v
0.660v
0.653v
0.647v
0.643v
0.633v
0.621v
0.609v

Intensidad del diodo


1.09mA
1.088mA
1.081mA
1.07mA
1.06mA
1.054mA
1.037mA
1.018mA
0.99836mA

0.976mv

0.0016mA

Con estos resultados obtenemos la siguiente grfica:

SIMULACION

La simulacin fue realizada mediante el programa en NI Multisim 12.0.


De ah obtuvimos los datos tericos de nuestro circuito propuesto.

Grafico N3

CONCLUSIONES
Vemos como las curvas en el grafico N1 y N2 son

BIBLIOGRAFIA

Electrnica teora de circuitos y dispositivos electrnicos 10 Edicin Robert


L.Boylestad.
Principios de Electronica 6Edicion -Malvino.

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