Tesis Uch WVR

Universidad de Chile
Facultad de Ciencias Fsicas y Matemticas

Departamento de Ingeniera Elctrica
OPTIMIZACIN DE LA RAZN SEAL A RUIDO DE UN RECEPTOR A 115 GHZ

PARA FINES RADIOASTRONMICOS.
MEMORIA PARA OPTAR AL TTULO DE INGENIERO CIVIL ELECTRICISTA
CRISTIN CLAUDIO VSQUEZ DROUILLY
PROFESOR GUA:
JORGE MAY
MIEMBROS DE LA COMISIN:
HELMUTH THIEMER
LEONARDO BRONFMAN
FERNANDO PAVEZ
SANTIAGO DE CHILE
ENERO 2007
RESUMEN DE LA MEMORIA
PARA OPTAR AL TTULO DE
INGERIERO CIVIL ELECTRICISTA
POR: CRISTIN VSQUEZ DROUILLY
FECHA: 06 / MARZO / 2007
PROF. GUA: Sr. JORGE MAY
OPTIMIZACIN DE LA RAZN SEAL A RUIDO DE UN RECEPTOR A 115 GHZ PARA
FINES RADIOASTRONMICOS.
Esta memoria se enmarca en una iniciativa del Departamento de Astronoma de la
Universidad de Chile, la cual tiene por principal finalidad modernizar el receptor de alta
frecuencia del radiotelescopio que opera en colaboracin con la Universidad de Harvard.
El receptor en cuestin es el 1.2m Southern Millimeter-Wave Telescope (SMWT), el cual
ha operado desde 1983 y est ubicado en Cerro Tololo Interamerican Observatory (CTIO), al
interior de La Serena, Chile.
Este receptor ha sido objeto de dos modificaciones y el objetivo de la presente memoria es
estudiar una eventual tercera modificacin.
1. La primera modificacin fue la incorporacin de un nuevo oscilador del tipo Gunn, en
reemplazo del oscilador local original del tipo Klystron.
2. La segunda modificacin fue la incorporacin de un amplificador HEMT en la primera
etapa de recepcin.
Y la tercera modificacin, que es la que concita el mayor inters dentro de la presente
memoria, ser estudiar las tcnicas para la eliminacin de la banda imagen de la seal recibida por
el receptor. Todas estas modernizaciones buscan alcanzar menores niveles de ruido, ampliar el
rango de operacin del receptor y mejorar su sensibilidad.
Por otro lado, el conocimiento terico y prctico que se obtiene sobre los amplificadores
HEMT, los osciladores Gunn, las tecnologas de alta frecuencia y las alternativas existentes para
solucionar el problema de la banda imagen sern de gran utilidad en futuros proyectos.
Esta memoria logr mltiples objetivos, entre los que destacan:
La caracterizacin del funcionamiento del receptor del SMWT, tanto con su configuracin
original como con sus ltimas modernizaciones.
Se caracteriz y estudi el receptor del SMWT para la eventual incorporacin de un

mtodo capaz de solucionar el problema de la banda imagen, recomendndose un supresor de
banda lateral o SSB fuera del termo.
Adems, se recomienda incorporar un nuevo amplificador HEMT dentro del termo,

aprovechando la experiencia lograda en la modernizacin previamente realizada en el receptor.
Esta memoria espera ser un aporte para vincular la ingeniera y la astronoma de nuestro
pas y as enfrentar los desafos que se presentarn en un futuro prximo con la instalacin en
Chile de los nuevos grandes proyectos radioastronmicos, los cuales nos obligarn a ser no slo
espectadores o anfitriones de los mismos, sino tambin ser capaces de aportar en su desarrollo e
implementacin.
Para mi abuelito Lucho, me hubiese gustado que estuviese aqu
Agradecimientos
Pido disculpas, pues de seguro quedar mas de alguien fuera de esta pgina, son tantas las
personas a las que le debo en cierta medida haber terminado mi memoria, que espero que de no
aparecer aqu, no crean que me importan menos que las que si aparecen.
Quiero agradecer a mi familia, sin los cuales jams podra haber alcanzado esta meta,
tambin a Blgica, sin quien no habra perseverado en los momentos difciles.
Agradezco de igual manera a mis amigos, talo, Francisco, Rodrigo, Priscila, Khalil,
Nicols, Daniel, Sebastin y Felipe, los cuales siempre estuvieron dndome nimo en los das de
duro estudio.
Tambin quiero agradecer a los profesores que formaron parte en la comisin
examinadora de esta memoria, a don Jorge May, por brindarme la oportunidad de hacer esta
memoria, por sus siempre enriquecedores comentarios y su confianza en m. A don Leonardo
Bronfman, por su siempre buena disposicin y confianza. A don Fernando Pavez, por su gran
voluntad y paciencia al momento de aclarar mis inquietudes intelectuales y por su amistad.
Otras personas a las cuales no puedo dejar de mencionar y que me prestaron cooperacin
al momento de entender conceptos que me presentaron dificultad son, Nicols Reyes, Mario
Vielma, Walter Max-Moerbeck, don Guillermo Cifuentes y don Fernando Olmos, gracias por su
tiempo y ayuda.
Quiero realizar una mencin especial a gente que no participo directamente en la
confeccin de esta memoria, pero que sin sus consejos y palabras jams hubiese llegado a esta
instancia, a don Nelson Zamorano, a don Humberto Fuenzalida, a don Nstor Becerra, don
Roberto Aviles, don Ricardo Silva, Felipe Torres, a la seora Susana Garay, a la seora Lily Leal,
a Jimmy, a la Sonia y a Johanna, muchas gracias por todo.
Tengan todos por seguro que pens en ustedes en algn momento de la confeccin de esta
memoria.
ndice general
1. Introduccin.....
1.1. Motivacin..
1.2. Objetivos.
1.2.1. Objetivos generales
1.2.2 .Objetivos especficos.
1.3. Estructura del presente informe..
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2. Las seales provenientes desde el espacio . 4

2.1. Mecanismos de radiacin electromagntica.... 5
2.2. Deteccin de seales dbiles en la banda de microondas .. 8
3. Descripcin general de un radiotelescopio....
3.1. Introduccin....
3.2. Receptor superheterodino...
3.3. Ruido en recepcin.
3.3.1. Mecanismos de ruido.
3.3.2. Ruido del sistema...
3.3.3. Figuras de mrito del ruido....
3.3.4. Rango dinmico.
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4. Tecnologas de recepcin modernas en la banda milimtrica..

4.1. Receptores a baja temperatura
4.2. Diodo Schottky..
4.2.1. Principios de funcionamiento
4.2.2. Caractersticas elctricas
4.2.3. Caractersticas constructivas..
4.2.4. Ventajas y desventajas de los diodos Schottky..
4.3. High Electron Mobility Transistor: HEMT
4.3.2. Comportamiento
4.3.3. Circuito equivalente..
4.3.4. Diseos actuales
4.3.5. Eleccin del dispositivo
4.3.6. Ventajas y desventajas de los HEMT....
4.4. Superconductor Insulator Superconductor: SIS.
4.4.1. Principio de funcionamiento..
4.4.3. Caractersticas de ruido..
4.4.4. Ventajas y desventajas de los mezcladores SIS.
4.5. Hot Electron Bolometer: HEB
4.5.1. Principio de funcionamiento..
4.5.3. Ventajas y desventajas de los HEB
4.6. Tecnologas segn banda de frecuencia..
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5. Receptor del 1.2m Southern Millimeter-Wave Telescope SMWT

Columbia-U. De Chile..................................
5.1. Descripcin general del radiotelescopio.
5.2. Sistema receptor..
5.2.1. Primera etapa o (front end)
5.2.2. Primera etapa de frecuencia intermedia.
5.2.3. Segunda etapa de frecuencia intermedia y espectrmetro.
5.3. Oscilador Local...
5.3.1. Oscilador local original..
5.3.1.1. Principio de funcionamiento.
5.3.1.2. Caractersticas del Klystron usado en el oscilador
5.3.2. Modernizacin del Oscilador original del receptor por uno del tipo Gunn...
5.3.2.1. Principios de operacin del oscilador Gunn.
5.3.2.2. Caractersticas del oscilador Gunn
5.3.3. Comparacin con el Klystron
5.3.4. Principios de funcionamiento y especificaciones de los componentes del
oscilador local...........................................................................................................
5.3.5. Aspectos bsicos sobre el Phase Lock Loop..
5.4. Amplificadores
5.4.1. Incorporacin del amplificador HEMT..
5.4.2. Nuevo diseo del front-end del receptor del SMWT.....
5.5. Harmonic mixer..................................................................................................................
5.6. Diplexor..............................................................................................................................
5.7. Atenuadores........................................................................................................................
5.8 Aislador...............................................................................................................................
5.9. Acoplador direccional.
5.10. Conectores y guas de onda...
5.11. Otros instrumentos en la misma banda de frecuencias.
6. Estudio realizado para solucionar el problema de la banda imagen..
6.1. Explicacin del problema
6.2. Tecnologas disponibles..
6.2.1. Mediante uso de Filtros..
6.2.1.2. Ventajas y desventajas..
6.2.1.3. Posibilidades de implementacin..
6.2.1.4. Rediseo del receptor incluyendo un filtro...
6.2.2. Mediante tcnicas de digitalizacin...
6.2.3. Mediante mezcladores separadores o elimina banda.
6.2.3.3. Posibilidades de implementacin..
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6.3. Eleccin de la tecnologa a usar en el receptor del 1.2m

Southern Millimeter-Wave Telescope (SMWT) Columbia-U. De Chile................
6.3.1. Rediseo del receptor incluyendo un SSB.
6.3.2. Diagrama preliminar del SSB que necesita el receptor del SMWT...
6.3.3. Anlisis terico del ruido del receptor del SMWT operando DSB y SSB
6.3.4. Partes del SSB
6.3.5. Adquisicin de las componentes del SSB..
6.3.6. Diseo de hbridos.
6.3.7. Problemas de diseo..
6.3.8. Ideario de una eventual incorporacin de un SSB.
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7. Conclusiones.
7.1. Conclusiones de los objetivos generales
7.2. Conclusiones de los objetivos particulares
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Bibliografa.......
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Anexo.........
A.1 Transiciones rotacionales...
B.1
ngulo slido.
C.1
Barrera de Potencial...
D.1 Tipos de HEB.
D.2 Acopladores direccionales e Hbridos
D.3 Microstrip...
E.1
Otros radiotelescopios en la banda entre los 85 [GHz] a los 115 [GHz]...
F.1
Diseo del SSB..
G.1 Hoja de datos H315
G.2 Hot cold test o Y mtodo
H.1
Pruebas realizadas al receptor........................
H.2
Anlisis del ruido del receptor del SMWT
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ndice de figuras
2.1: Radiacin recibida desde la fuente M82.
2.2: Transmisin atmosfrica en la banda submilimtrica,
donde cada color representa un nivel de humedad.
2.3: Simulacin del interfermetro ALMA
3.1: Detalle de la heterodinacin entre seales de frecuencia f1 y f2.........................................
3.2: Receptor Superheterodino..
3.3: Estructura tpica de un sistema receptor superheterodino
sin etapa de preamplificacin..
3.4: Atenuacin debido a componentes gaseosos, niebla y precipitaciones
para las transmisiones a travs de la atmsfera...
3.5: Rango dinmico para un elemento tal como un receptor, mezclador o amplificador.
4.1: Corte transversal de un diodo Shottky tpico..
4.2. Izquierda: Diagrama de bandas de energa de un HEMT genrico
Derecha: Estructura de un HEMT AlGaN / GaN
4.3: Circuito equivalente simplificado de un HEMT.
4.4: Medidas de ruido para un HEMT AlInAs / GaInAs / InP de ltima
generacin en funcin de la frecuencia...
4.5: Izquierda: bandas de energa de un SIS
Derecha: curva I-V donde se aprecia la fuerte no linealidad de estos dispositivos
4.6: Izquierda: Bloque mezclador con la cubierta removida
Derecha: esquema de un mezclador SIS.
4.7. Detalle de una juntura para un dispositivo HEB.
4.8. Comparacin de diferentes tecnologas de recepcin en cuanto a ruido y frecuencia
5.1: Izquierda: El telescopio en su ubicacin en el CTIO
Derecha: El receptor en el Laboratorio de Cerro Caln,
donde se encuentra actualmente..
5.2: Primera etapa o front end
5.3: Primera etapa de frecuencia intermedia..
5.4: Segunda etapa de frecuencia intermedia y espectrmetro..
5.5: Diagrama completo del receptor del SMWT..
5.6: Espectro tpico del CO obtenido usando el radiotelescopio SMWT..
5.7: Estructura que tena el receptor del SMWT
con el antiguo oscilador local tipo Klystron.......................................................................
5.8: Esquema bsico de un Klystron..
5.9: Caracterstica corriente-voltaje de un dispositivo Gunn.
5.10: Dispositivo Gunn en modo de tiempo de trnsito.
5.11: Dispositivo Gunn en modo de carga espacial limitada.
5.12: Ejemplo de configuracin de oscilador Gunn...
5.13: Otro ejemplo de configuracin de oscilador Gunn...
5.14: Oscilador Gunn de J. E. Carlstrom Co..............................................................................
5.15: Potencia de salida versus frecuencia para el oscilador Gunn de J. E. Carlstrom Co.
(Datos reportados por el fabricante)..
5.16: Configuracin bsica de un Phase Lock Loop..
5.17: Phase Lock Loop para oscilador Gunn de XL Microwave...............................................
5.18: Estructura que tiene el receptor del SMWT con el nuevo oscilador local tipo Gunn...
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5.19: Curvas de ganancia y figura de ruido (ambas en dB)

en funcin de la corriente de bias (en mA)...
5.20: Amplificadores HEMT adquiridos gracias a la colaboracin entre la
Universidad de Chile y CALTECH..
5.21: Estructura que tiene el receptor del SMWT luego de la incorporacin
del amplificador HEMT y el aislador...
5.22: Harmonic mixer para banda W de Pacific Millimeter Products..
5.23: Atenuador giratorio...
5.24: Atenuador para banda W..
5.25: Funcionamiento del aislador (rotacin de Faraday).
5.26: Esquema de funcionamiento del acoplador direccional
5.27: Conectores de radiofrecuencia usados. De izquierda a derecha, BNC, N y SMA
6.1: Diagrama de bloques de un receptor similar al del SMWT donde se observa
el problema de la banda imagen.
6.2: Problema de la banda imagen.
6.3: Primer caso del problema de la banda imagen
6.4: Segundo caso del problema de la banda imagen.
6.5: Tercer caso del problema de la banda imagen
6.6: Filtro de Millitech que opera a 100 [GHz] (arriba) y su caracterstica
de ancho de banda (abajo)
6.7: Diagrama de bloques simplificado del receptor SAO.
6.8: Diagrama de bloques de la implementacin de un filtro en el receptor del SMWT..
6.9: Diagrama de bloques de un SSB.
6.10: Separacin real de la banda lateral en dB.....
6.11: Diagrama de bloques de la implementacin de un SSB en el receptor del SMWT.
6.12: Diagrama preliminar del receptor con el mezclador de rechazo de imagen incluido...
6.13: Diagrama del SSB que se implementara en el SMWT
6.14: Diagrama del receptor actual
6.15: Diagrama del receptor con el SSB incluido..
6.16: SSB dentro del termo con hbrido de RF..
6.17: Hbrido RF de Millitech
6.18: Mezclador de Millitech.
6.19: Tees Millitech
6.20: Hbrido IF..
6.21: Terminacin RF
6.22: Diagrama del receptor con el SSB dentro del termo.
6.23: Mezclador de Millitech.
6.24: Diagrama del receptor con el SSB fuera del termo...
6.25: SSB fuera del termo sin hbrido de RF.
6.26: Desfasadores modelos VPS-10-R0000 (izquierda) y
DRP-10-R0000 (derecha), ambos de Millitech.
6.27: Diagrama del receptor con el SSB fuera del termo...
6.28: Hbrido branchline con seis ramas...
6.29: Empalmes en forma de T del E-plano, interconectados por las guas de onda.
6.30: Circuito equivalente de un empalme en T del E-plano, dado por Marcuvitz...
6.31: Hbrido WR-10.
6.32: Valores medidos (MS) y simulados (QWB).
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A.1.1: Configuracin de una molcula diatmica.

A.1.2: Distintos niveles de energa rotacional..
A.1.3: Modelo ms realista de una molcula diatmica,
donde la conexin entre tomos es como un resorte..
A.1.4: Diferentes estados vibracionales.
B.1.1: Representacin de un ngulo slido
C.1.1: Barrera cuntica con anchura W en la direccin z..
D.1.1: Curva resistencia-temperatura de un dispositivo HEB real
D.1.2.: Estructura del micropuente en un HEB del tipo diffusion-cooled.
Se ven claramente los electrodos de oro y el micropuente de Nb.
El tamao de este dispositivo es 150 [nm] de largo por 75 [nm] de ancho...
D.2.1: Acoplador direccional en dos lneas de transmisin
acopladas implementado en un microstrip..
D.2.2: Hbrido de Wilkson.
D.2.3: Hbrido de Lange
D.2.4: Hbrido cuadrado
D.2.5: Hbrido de anillo.
D.2.6: Diseo de hbrido de anillo que aumenta el ancho de banda..
D.3.1: Lnea de Microstrip.
E.1.1: Arreglo de los preamplificadores del receptor SEQUOIA..
E.1.2: Diagrama de bloques del oscilador local del receptor SEQUOIA..
E.1.3: Grfico del ruido de un MMIC preamplificador versus la frecuencia (izquierda) y
un MMIC preamplificador (derecha) del receptor SEQUOIA...
E.1.4: Grfico de las perdidas del aislador versus la frecuencia (izquierda) y
un aislador (derecha) del receptor SEQUOIA
E.1.5: Grfico de la ganancia de conversin versus la frecuencia (izquierda) y
un diagrama del interior del mezclador (derecha) del receptor SEQUOIA...
E.1.6: Instalaciones del receptor IRAM.
E.1.7: Simulacin de las instalaciones del proyecto ALMA.
E.1.8: Fotografa de las instalaciones de ATCA
E.1.9: Radiotelescopio de MOPRA, ubicado en Australia
E.1.10: Radiotelescopio de NANTEN, ubicado en Pampa la Bola, Atacama Chile.
E.1.11: Temperatura de ruido y prdidas del receptor gemelo a temperatura ambiente
E.1.12: Diagrama del receptor gemelo con el front-end modificado con dispositivos SIS
y HEMT. La seccin delimitada por lneas punteadas se encuentra
enfriada a 4.2 [K]..
E.1.13: Radiotelescopio de Metshovi..
G.2.1: Esquema del hot cold test o Y mtodo
H.1: Diagrama de conexin del receptor operando con el oscilador Klystron......
H.2: Diagrama de conexiones para prueba de oscilador Gunn en el laboratorio...
H.3: Diagrama de bloques del receptor actual con su temperatura de ruido..........
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ndice de Tablas
2.1: Principales lneas espectrales en la banda entre 85 [GHz] y 115 [GHz]
segn la International Astronomical Union
5.1: Datos bsicos oscilador Gunn de J. E. Carlstrom Co.
5.2: Otros receptores que operan en la banda 85 [GHz] -115 [GHz].
6.1: Temperaturas de ruido y ganancia de cada uno de los dispositivos actuales del receptor,
en particular desde el FET hasta el horn o bocina..
E.1: Cuadro de caractersticas de los receptores ubicados en las instalaciones del IRAM
E.2: Datos tcnicos del proyecto ALMA...
E.3: Caractersticas de los receptores SEST..
E.4: Caractersticas de los espectrmetros de los receptores SEST...
F.1: Caractersticas elctricas del hbrido escogido...
F.2: Caractersticas mecnicas del hbrido escogido.
F.3: Caractersticas elctricas del mezclador escogido..
F.4: Caractersticas mecnicas del mezclador escogido
F.5: Caractersticas Tees Aeronave............................................................................................
F.6: Caractersticas Tees Millitech.............................................................................................
F.7: Caractersticas Hbrido IF...................................................................................................
F.8: Caractersticas elctricas de la terminacin RF escogida...
F.9: Caractersticas mecnicas de la terminacin RF escogida.
F.10: Caractersticas elctricas del mezclador escogido
F.11: Caractersticas mecnicas del mezclador escogido..
F.12: Caractersticas elctricas del desfasador VPS escogido...
F.13: Caractersticas mecnicas del desfasador VPS escogido.
F.14: Caractersticas elctricas del desfasador DRP escogido..
F.15: Caractersticas mecnicas del desfasador DRP escogido.
G.1: Hoja de datos H315............................................................................................................
H.1: Parmetros iniciales del receptor (sin usar el HEMT).......................................................
H.2: Parmetros del receptor utilizando el HEMT (variando Vg).
H.3: Situacin del receptor antes de la incorporacin del amplificador HEMT
H.4: Situacin del receptor despus de la incorporacin del amplificador HEMT...
H.5: Situacin del receptor ante la eventual incorporacin de un SSB
mas el amplificador HEMT actual.
H.6: Situacin del receptor ante la eventual incorporacin de un SSB
mas dos amplificador HEMT.
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Glosario de siglas
2SB
ALMA
AOS
ATCA
CCIR
CfA
CNC
CO
CTIO
DAS
DSB
FCRAO
FET
FI o IF
H2
HEB
HEMT
LNA
LSB
LSA
LSR
MDS
MMIC
MPIfR
OL o LO
PLL
RD
RF
S
o SNR
N
SAO
SIS
SMWT
SOFIA
SSB
UIT-R
USB
VCO
Sideband Separation Receiver

Atacama Large Millimeter Array
Acousto-Optical Spectrometer
Australia Telescope Compact Array
International Radio Consultative Committee
Center of Astrophysics
Control Numrico Computarizado
Monxido de carbono
Cerro Tololo Interamerican Observatory
Departamento de Astronoma
Double Sideband Receiver
Five College Radio Astronomical Observatory
Field Effect Transistors
Frecuencia Intermedia
Molcula de hidrgeno
Hot Electron Bolometer
High Electron Mobility Transistor
Low Noise Amplifier
Low Side Band
Limited space-charge
Local Standard of Rest
Minima Seal Detectable
Circuito Integrado Monoltico de Microondas
Max-Planck-Intitut fr Radioastronomie
Oscilador Local
Phase Lock Loop
Rango Dinmico
Radio Frecuencia
Razn seal a ruido
Smithsonian Astrophysical Observatory

Superconductor Insulator Superconductor
Southern Millimeter-Wave Telescope
Stratospheric Observatory for Infrared Astronomy
Single Sideband Receiver
Unin Internacional de Telecomunicaciones
(Sector de Normalizacin de las Radiocomunicaciones)
Up Side Band
Voltage Controlled Oscillator
1. Introduccin
1.1. Motivacin
El Departamento de Astronoma de la Universidad de Chile (DAS), en colaboracin con la
Universidad de Harvard, ha operado desde 1984 un radiotelescopio para la banda milimtrica 1, el
cual esta ubicado en Cerro Tololo Interamerican Observatory (CTIO), ubicado al interior de La
Serena, Chile. Este radiotelescopio fue diseado para observar a la frecuencia de 115.3 [GHz]
permitiendo el estudio de la distribucin del hidrgeno molecular H2, por medio de la deteccin
de la lnea de emisin 2 de la transicin 3 J = 1 0 de la molcula de monxido de carbono CO,
que es un trazador 4 del H2. Este radiotelescopio ha dado origen a importantes publicaciones
cientficas relacionadas con la estructura de la Va Lctea ([1], [2], [3], entre otras).
Actualmente el radiotelescopio se encuentra fuera de servicio, pues se han estado
realizando una serie de modificaciones que mejorarn su desempeo, permitiendo que
nuevamente sea capaz de generar datos de inters cientfico y realizar labores de apoyo a la
docencia en astronoma e instrumentacin radioastronmica.
En efecto, el receptor del radiotelescopio 1.2m Southern Millimeter-Wave Telescope o
Southern Mini, Columbia-U. de Chile que a lo largo de la memoria recibir el nombre de SMWT 5
y cuyo estudio es uno de los objetivos de esta memoria, ha sido objeto de dos modificaciones y se
quiere estudiar una eventual tercera modificacin.
La primera modificacin fue la incorporacin de un nuevo oscilador 6 del tipo Gunn en
reemplazo del oscilador local original del tipo Klystron. La segunda modificacin fue la
incorporacin de un amplificador 7 HEMT en la primera etapa de recepcin. Y la tercera
modificacin, que es la que concita el mayor inters dentro de la presente memoria, ser estudiar
las tcnicas para la eliminacin de la banda imagen de la seal recibida por el receptor 8. Todas
estas modernizaciones buscan alcanzar menores niveles de ruido, ampliar el rango de operacin
del receptor y mejorar su sensibilidad.
Por otro lado, el conocimiento terico y prctico que se pueda obtener sobre los
amplificadores HEMT, los osciladores Gunn, las tecnologas de alta frecuencia y las alternativas
existentes para solucionar el problema de la banda imagen sern de gran utilidad en futuros
proyectos, ya que son estas tecnologas las que estn siendo ocupadas actualmente en los
receptores ms modernos del mundo.
Seales cuya longitud de onda () son del orden del milmetro (mm), en particular desde los 2 [mm] hasta 3 [mm].
Banda brillante a una longitud de onda determinada del espectro, emitida directamente por la fuente, y que indica
por su longitud de onda un constituyente qumico de la misma.
3
Se recomienda revisar el anexo A.1 para entender el concepto de transicin rotacional.
4
Trazador o indicador, la molcula de CO guarda una relacin emprica con la molcula de H2, por lo que la
presencia de CO implica una presencia proporcional de H2.
5
SMWT por su nombre en ingls Southern Millimeter-Wave Telescope.
6
Revisar parte 5.3. de la presente memoria para entender detalles de la funcin de un oscilador.
7
Revisar parte 5.4. de la presente memoria para entender detalles de la funcin de un amplificador.
8
Revisar punto 6.1. de esta memoria para entender en que consiste el problema de la banda imagen.
2
1.2. Objetivos
En este trabajo se pretenden alcanzar mltiples objetivos, tanto tericos como prcticos,
para ello se han dividido los objetivos en generales y especficos, los cuales se detallan a
continuacin.
1.2.1. Objetivos generales
Servir de marco de referencia y ser un real aporte para futuros ingenieros y cientficos que
necesiten entender el funcionamiento de un radiotelescopio tpico y en particular del receptor del
radiotelescopio de onda milimtrica SMWT.
Caracterizar el funcionamiento del receptor del SMWT con su configuracin original, o

sea con el antiguo oscilador local del tipo Klystron.
Caracterizar el funcionamiento del receptor del SMWT con la configuracin alcanzada

luego de la primera modernizacin realizada en el DAS, o sea con el nuevo oscilador local del
tipo del tipo Gunn.
Caracterizar el funcionamiento del receptor del SMWT con la configuracin alcanzada

luego de la segunda modernizacin realizada en el DAS, o sea con la incorporacin del
amplificador HEMT.
1.2.2 .Objetivos especficos
Realizar un estudio comparativo de las tecnologas modernas utilizadas en la primera

etapa de recepcin en radiotelescopios, tales como los Superconductor Insulator Superconductor
(SIS), High Electron Mobility Transistor (HEMT) y los Hot Electron Bolometer (HEB).
Se caracterizar y estudiar el receptor del SMWT para la eventual incorporacin de un

mtodo capaz de solucionar el problema de la banda imagen, luego de haber escogido una de las
tecnologas estudiadas.
Se har un diseo para la incorporacin de la alternativa escogida para solucionar el

problema de la banda imagen.
Finalmente se propondr un ideario para la incorporacin de este mecanismo eliminador

de banda imagen tomando en consideracin las restricciones fsicas, elctricas y econmicas del
receptor del SMWT.
1.3. Estructura del presente informe

El primer captulo busca ser una introduccin general al tema, explica las motivaciones y
alcances que busca cubrir la presente memoria, adems define los objetivos tanto generales como
especficos de la misma.
El segundo captulo es una introduccin a los principales objetivos que persigue la
radioastronoma.
El tercer captulo entrega una descripcin de un receptor superheterodino 9, adems hace
referencia a los mecanismos de ruido involucrados al momento de analizar una seal
radioastronmica.
En el cuarto captulo se estudiarn las tecnologas de recepcin en la banda milimtrica, en
particular de los diodos Schottky, amplificadores High Electron Mobility Transistor (HEMT),
Superconductor Insulator Superconductor (SIS), Hot Electron Bolometer (HEB), finalmente se
realizar un cuadro resumen de todas las tecnologas abordadas en la presente memoria segn su
banda de frecuencia.
En el quinto captulo se realizar una descripcin detallada del receptor del SMWT,
mostrando tanto su configuracin original, como la resultante de sus modernizaciones, lo mismo
en lo que respecta a sus componentes. Tambin se revisarn instrumentos en la misma banda de
frecuencias, entre los que destaca un radiotelescopio gemelo que tiene este receptor.
En el sexto capitulo se revisar el estudio realizado para solucionar el problema de la
banda imagen, en este captulo se explicar en que consiste este problema, las distintas
tecnologas disponibles, sus ventajas y desventajas y se recomendar una de las tecnologas para
su implementacin en el SMWT, esta recomendacin incluir un rediseo del receptor incluyendo
la tecnologa escogida y un ideario para efectuar dicha incorporacin.
En el sptimo capitulo se describen las conclusiones de esta memoria, para ello se
abordan cada uno de los puntos descritos en los objetivos.
A continuacin se incluye la bibliografa utilizada en la presente memoria.
Finalmente se encuentra el anexo, aqu se abordarn en mayor detalle distintos aspectos
que se consideran tiles de explicar para la mejor comprensin de la presente memoria. Destaca
en particular el anexo H.1, en el cual se describe una serie de pruebas que se le pueden hacer al
receptor, esto con la finalidad de que futuros operarios del mismo cuenten con una planificacin
detallada para realizarlas.
En el transcurso de esta memoria se har uso indistinto de los conceptos receptor heterodino y superheterodino,
dado que ambos conceptos difieren solo del nivel de frecuencia en que trabajan los equipos y no de la idea que se
quiere desarrollar.
2. Las seales provenientes desde el espacio

Un sistema receptor en cualquier mbito de las telecomunicaciones esta formado por un
conjunto de elementos que procesan una seal electromagntica recibida a travs de una antena,
con el fin de rescatar informacin transportada por ella o simplemente para detectar su presencia,
procurando agregarle la mnima distorsin posible.
En radioastronoma se busca alcanzar el mismo objetivo, salvo que las seales que se
busca procesar son generalmente muy dbiles, dado que son seales de origen remoto, las cuales
llegan con muy baja intensidad, a diferencia de seales de telecomunicaciones terrestres que por
S
lo general poseen una alta razn de seal a ruido ( ) 10.
N
Fue as que en el mbito de las telecomunicaciones comerciales en el ao 1931 Karl
Jansky, un ingeniero en telecomunicaciones, descubri una extraa fuente de ruido que interfera
las comunicaciones de radio transocenicas. En ese momento el origen de ese ruido pareci
provenir desde el espacio exterior, pero solo fue al cabo de algunos aos que se logr determinar
el origen de dicho ruido, el cual provena desde el centro de nuestra galaxia.
Este descubrimiento dio pie para el advenimiento de nuevas tcnicas de observacin
astronmica, la cual utiliza la informacin proveniente de nuevas bandas de frecuencia que hasta
ese momento no haban sido estudiadas, esta nueva tcnica se bautiz como radioastronoma.
La importancia de contar con este tipo de informacin proveniente desde estas bandas de
frecuencias es que muchos objetos son visibles solamente en ciertas longitudes de onda, por
ejemplo el centro de nuestra galaxia es invisible en la banda ptica, sin embargo es visible en la
banda RF.
El presente trabajo se concentrar en las tcnicas de observacin para la banda RF, en
particular en la banda que comprende desde los 85 [GHz] hasta los 115 [GHz].
Dentro de la radioastronoma son dos los tipos de seales que se desean detectar, una la del
tipo emisin continua y la otra del tipo lnea espectral 11.
El receptor del SMWT fue construido para observar lneas espectrales y como se
mencion anteriormente, est siendo modificado para observar la banda comprendida entre los 85
[GHz] hasta los 115 [GHz]. En esta banda de frecuencias las principales lneas espectrales a
observar se listan en la Tabla 2.1.
C
C S
, sin embargo, dado que los conceptos
,
o SNR guardan una intima relacin
N
N N
C S
,
o SNR para referirse a la razn seal a ruido, teniendo en cuenta que se
se usar indistintamente la notacin
N N
10
En realidad debera decir
refiere a conceptos diferentes. Se recomienda mirar el punto 3.3.3 de la presente memoria para entender mejor este
concepto.
11
Se recomienda mirar el anexo A.1 para mayor comprensin del tipo de seales que se desean detectar.
Sustancia
Frecuencia central
Ancho de banda recomendado
[GHz]
[GHz]
Silicon monoxide (SiO)
86.243
Desde 86.16 hasta 86.33
Formylium (H13CO+)
86.754
Silicon monoxide (SiO)
86.847
Ethynyl radical (C2H)
87.300
Hydrogen cyanide (HCN)
88.632
Formylium (HCO+)
89.189
Hydrogen isocyanide (HNC)
90.664
Diazenylium (N2H)
93.174
Carbon monosulphide (CS)
97.981
18
Carbon monoxide (C O)
109.782
Carbon monoxide (13CO)
110.201
17
Carbon monoxide (C O)
112.359
Carbon monoxide (CO)
115.271
Tabla 2.1: Principales lneas espectrales en la banda entre 85 [GHz] y 115 [GHz] segn la
International Astronomical Union.
2.1. Mecanismos de radiacin electromagntica

Segn la teora cuntica los tomos y molculas poseen ciertos niveles definidos de
energa. Es por ese motivo que un compuesto slo puede absorber y/o emitir fotones con una
energa determinada o cuantizada, dada por la diferencia de energa entre dos estados
permitidos 12. Como la energa de un fotn se relaciona con la frecuencia de ste por medio de la
h
frmula E = , donde =
, con h la constante de Planck 13 y es la frecuencia asociada al
2
fotn. Es as que se dice que en esa frecuencia se produce una lnea espectral de ese compuesto.
Por otro lado, debido a la agitacin trmica de las molculas de un cuerpo, dado a que este
no se encuentra a 0 [K], y al hecho de que los distintos elementos que componen este cuerpo
pueden emitir en frecuencias determinadas, se tiene que un cuerpo negro emitir una cantidad de
radiacin en un intervalo que depende de la temperatura a travs de la Ecuacin (2.1).
2h 3
I ( ) =
h
KT
2
c e 1
(2.1)
En dicha ecuacin c 14 representa la velocidad de la luz, h la constante de Planck, I ( )

corresponde a la potencia radiada por unidad de ngulo slido 15 y la frecuencia en Hertz.
12
Se recomienda mirar el anexo A.1 para mayor comprensin de este punto.
13
Cuyo valor es h = 6.63 10
14
Cuyo valor es
15
Se recomienda mirar el anexo B.1 para entender en que consiste un ngulo slido.
34
[J S ] .
m
c = 299.792.458 .
s
5
Estos conceptos fueron rpidamente aplicados en la astronoma ptica, permitiendo

analizar la composicin qumica y la temperatura de numerosas fuentes hasta entonces no
estudiadas, ms tarde fueron utilizados en otras bandas de frecuencia, en particular en la banda
milimtrica y submilimtrica 16.
Es as que cuando un cuerpo se encuentra en movimiento emite un fotn de frecuencia 0 ,
este fotn es recibido con una nueva frecuencia , por un observador que se encuentra en reposo
respecto al cuerpo emisor. Este efecto se conoce como efecto Doppler. La relacin entre la
frecuencia recibida y la frecuencia original corresponde a la Ecuacin (2.2).
1
v = 0
2
c2
(2.2)
Se observa que estas frecuencias estn relacionadas por medio de la velocidad radial v a la
que se desplaza el cuerpo emisor respecto al observador. Utilizando este efecto es posible
encontrar la velocidad radial con que se aleja o acerca una fuente hacia el observador en reposo,
pues se producir un corrimiento de las lneas espectrales que se observen, debido al cambio
aparente de la frecuencia 17.
En la banda de las microondas se realizan observaciones de lneas espectrales de distintas
molculas. En general se trata de transiciones rotacionales 18, pues las transiciones de otro tipo
tienen mayor o menor energa y por tanto se producen en otras bandas.
Son de particular importancia las lneas del H2, pues este es el elemento ms abundante del
universo y el cual da origen al nacimiento de estrellas. Lamentablemente, las lneas espectrales de
este elemento no son fciles de observar 19, afortunadamente, se pueden utilizar las lneas
espectrales del CO, pues este elemento es un trazador del H2. En esta banda tambin se realizan
observaciones de cuerpos que poseen bajas temperaturas, menores a 10 [K], pues el mximo de la
emisin de cuerpo negro de estos objetos ocurre dentro de la banda de las microondas. Este es el
caso de los estudios que se realizan sobre el fondo de radiacin csmica, que emite con una
temperatura de 2,7 [K].
Aparte de los mecanismos de emisin descritos anteriormente, que consisten en procesos
de absorcin, emisin, o radiacin de cuerpo negro, existen otros mecanismos, llamados
mecanismos no trmicos. Dentro de ellos destaca la radiacin sincrotrnica 20. Este tipo de
radiacin cae en el rango inferior del espectro electromagntico, tpicamente en la banda RF.
En la Figura 2.1 se muestra la radiacin recibida desde la fuente M82 21 en el rango de
frecuencias RF, milimtrico, submilimtrico e infrarrojo lejano. En dicha figura se pueden
apreciar los aportes realizados por los distintos mecanismos de emisin.
16
Seales cuya longitud de onda () es del orden del micrmetro (m).

Se recomienda mirar el anexo A.1 para mayor comprensin de este corrimiento de las lneas espectrales.
18
Se recomienda mirar el anexo A.1 para mayor comprensin del significado de una transicin rotacional.
19
Ya sea porque tienen baja probabilidad de ocurrir, por que no se polarizan frente a la accin de un campo
electromagntico externo o bien porque caen en zonas del espectro donde no existen ventanas de observacin.
20
Radiacin electromagntica emitida por una partcula con carga elctrica movindose en rbitas circulares a
velocidades relativistas o cercanas a la luz en un campo magntico.
21
Galaxia irregular, alargada y estrecha, ubicada en la constelacin de la Osa Mayor. Se encuentra a unos 12 millones
de aos luz de la Tierra.
17
Figura 2.1: Radiacin recibida desde la fuente M82.

En primer lugar se observa la forma de la curva principal, la que corresponde a una
emisin de cuerpo negro de alrededor de 100 [K]. En la banda RF se observa radiacin debida a
procesos no trmicos. En la banda milimtrica se encuentran las lneas espectrales de diversas
molculas, mientras que en el infrarrojo lejano se ubican las lneas espectrales de algunos tomos.
En el rango de las microondas existen dos tipos de receptores que son utilizados
usualmente en radioastronoma. Por un lado estn los bolmetros y por otro lado los receptores
coherentes o heterodinos.
Los receptores del tipo bolmetros miden la cantidad de radiacin incidente utilizando un
sensor trmico, el que aumenta su temperatura en funcin de la potencia detectada. Esta forma de
operar les confiere un gran ancho de banda, sin embargo no poseen resolucin en frecuencia, por
ello, se pueden utilizar para medir la temperatura de una fuente, pero no pueden ser utilizados
para estudios de lneas espectrales.
En cambio, los receptores coherentes poseen un ancho de banda ms angosto, pero tienen
una buena resolucin de frecuencia. Esto los hace idneos para realizar observaciones de lneas
espectrales. Otra caracterstica de los receptores coherentes es que conservan la informacin de
fase de la onda incidente, pudiendo ser utilizados en interferometra.
El receptor que opera la Universidad de Chile en conjunto con la Universidad de Harvard
pertenece a esta segunda especie (receptor coherente). Es por ello que el presente trabajo se
concentrar en este tipo de receptores, dejando de lado los de tipo bolmetro.
2.2. Deteccin de seales dbiles en la banda de microondas
Las seales provenientes de fuentes ubicadas en el espacio deben recorrer considerables

distancias antes de llegar hasta la Tierra, luego deben atravesar la atmsfera, para finalmente
llegar hasta la superficie terrestre. Este trayecto tiene como consecuencia que la potencia de estas
ondas sea extremadamente baja, debido a ello se hace necesario contar con tecnologas de
recepcin capaces de detectar estos bajos niveles de potencia. No obstante, algunas longitudes de
onda son completamente absorbidas por los gases atmosfricos, especialmente por el vapor de
agua que se encuentra en este, siendo imposible realizar observaciones en esas frecuencias.
Afortunadamente, existen una serie de ventanas atmosfricas que permiten observar en la
banda de las microondas. En la Figura 2.2 se muestra la transparencia de la atmsfera, para
distintos niveles de humedad ambiental, estas transparencias se notan en que su valor de
transmisin es distinto de cero para dicha frecuencia en particular.
Figura 2.2: Transmisin atmosfrica en la banda submilimtrica, donde cada color representa un
nivel de humedad.
Otro problema que se presenta en la deteccin de las seales es que no basta con detectar
los fotones provenientes desde el espacio, sino que se desea saber exactamente desde dnde
provienen. Es por ello que se debe realizar un cuidadoso diseo de la antena receptora, de tal
forma que sta tenga una alta directividad, logrando as una buena resolucin angular. De todas
formas, la mxima resolucin angular que se puede lograr viene dada por el tamao de la antena
parablica, debido a los efectos de la difraccin de las ondas electromagnticas. Este lmite para la
resolucin angular viene dado por =
, donde D es el dimetro de la antena y es la
longitud de onda que se est observando.
Entonces, para lograr una mejor resolucin angular se debe aumentar el tamao de la
antena parablica, aumentando tambin el costo de la misma y la potencia de la seal recibida.
Otra solucin consiste en utilizar arreglos de antenas, conocidos como interfermetros, en
donde la resolucin angular viene dada por =
, pero esta vez D corresponde a la distancia

D
entre las antenas, un ejemplo de interfermetro puede ser observado en la Figura 2.3.
Figura 2.3: Simulacin del interfermetro ALMA 22.

Este trabajo no se concentrar en los problemas de diseo de una antena, sino que en la
resolucin del problema de detectar las seales en cuestin. Este problema tiene dos aristas
principales.
1. Los bajos niveles de potencias que se deben detectar.
2. Las altas frecuencias de estas seales.
Estos son resueltos por medio de un cuidadoso diseo del receptor y utilizando
dispositivos electrnicos de ltima generacin, especialmente diseados para este tipo de
problemticas.
22
ALMA por sus siglas en ingls, Atacama Large Millimeter Array.
3. Descripcin general de un radiotelescopio

3.1. Introduccin
Un radiotelescopio consiste bsicamente en una antena que recoge las seales provenientes
de radiofuentes extraterrestres, un receptor que amplifica en una cierta banda dada y un calibrador
que genera seales de referencia.
Cuando una seal es recibida por un radiotelescopio que opera en la banda milimtrica,
esta no suele ser analizada directamente, ya que por una parte no existen dispositivos digitales que
alcancen velocidades de procesamiento tan elevadas 23 y por otra parte las seales de inters son
tan dbiles que no generan niveles de voltaje detectables para su digitalizacin. En el caso de esta
memoria el receptor en el cual se trabajar opera en la banda comprendida desde los 85 [GHz] a
los 115 [GHz]. Por este motivo, las seales deben ser bajadas en frecuencia antes de ser
analizadas.
El mtodo comnmente utilizado es la heterodinacin, que consiste fundamentalmente en
mezclar la seal de alta frecuencia proveniente del espacio con otra proveniente de un oscilador
local a una frecuencia cercana, la seal resultante es la suma o diferencia entre ambas seales,
esto se puede ver esquematizado en la Figura 3.1.
Figura 3.1: Detalle de la heterodinacin entre seales de frecuencia f1 y f2.

Con este mtodo se conserva su informacin de amplitud y fase pero con una portadora a
una frecuencia menor, llamada frecuencia intermedia (FI o IF), que en el caso del receptor del
SMWT corresponde a f1-f2, siendo f1 la seal RF y f2 la seal proveniente del oscilador local OL o
LO.
Los receptores superheterodinos construidos para observar lneas espectrales aprovechan
esta propiedad para bajar sucesivamente la frecuencia de la seal recibida, y por medio de filtros,
lograr un ancho de banda adecuado para observar desplazamientos en frecuencia de lneas
espectrales.
23
Segn el teorema del muestreo si una seal continua, S(t), tiene una banda de frecuencia tal que fm sea la mayor
frecuencia comprendida dentro de dicha banda, dicha seal podr reconstruirse sin distorsin a partir de muestras de
la seal tomadas a una frecuencia fs, siendo fs > 2 fm.
10
Por otro lado, los receptores superheterodinos tienen otras ventajas, tales como:
Las seales de alta frecuencia pueden ser reducidas a frecuencias en las que operan
dispositivos disponibles comercialmente, con la consiguiente reduccin de costos.
Las seales pueden ser transportadas a una frecuencia intermedia fija (IF), con lo cual los
dispositivos que vayan a continuacin del mezclador pueden ser de banda fija, facilitando su
operacin y disminuyendo costos.
Se mejora la selectividad aritmtica 24 del receptor.
3.2. Receptor superheterodino
Un receptor superheterodino tiene mltiples representaciones, las cuales dependen

principalmente de la aplicacin, otra representacin alternativa a la presentada en la Figura 3.1 es
la que se observa en la Figura 3.2.
Figura 3.2: Receptor Superheterodino 25.

En este esquema, la seal proveniente del espacio es preamplificada por un amplificador
de bajo ruido (LNA) antes de ser filtrada por un filtro de alta frecuencia, el cual purifica la seal
antes de ingresar al diplexor, lugar donde la seal de RF se junta con la seal proveniente del
oscilador local.
Posteriormente las dos seales entran juntas al mezclador o mixer donde la seal es llevada
a una frecuencia menor, esto mediante el proceso heterodino. La seal de IF que sale del
mezclador resulta de esta manera ms fcil de detectar y posteriormente procesar con mtodos
digitales tradicionales.
24
Selectividad aritmtica se refiere a la capacidad de seleccionar una determinada banda de frecuencia medida en
porcentaje de la frecuencia de operacin. Por ejemplo, si se tiene un filtro con un ancho de banda del 2%, la
capacidad de filtrado ser mayor para una frecuencia de 1 [GHz] (o sea un filtro con ancho de banda de 20 [MHz])
que para una frecuencia de 100 [GHz] (en cuyo caso tendra un filtro con ancho de banda de 2 [GHz]).
25
Donde f S representa la frecuencia de la seal de entrada,

,
f S la frecuencia filtrada, f OL la frecuencia generada
por el oscilador local (la que se mezclar con f S ), f IF la frecuencia intermedia y f m la frecuencia muestreada.
11
Entre los mltiples esquemas de un radiotelescopio, las mayores diferencias se presentan

en la primera etapa, donde el filtro RF puede estar delante del LNA o incluso puede prescindirse
de ambos dispositivos, dejando como primer elemento del receptor a un mezclador de muy alta
sensibilidad, esto para disminuir las prdidas que cada dispositivo introduce. En la Figura 3.3 se
puede apreciar la estructura tpica de un sistema receptor de esta clase.
Figura 3.3: Estructura tpica de un sistema receptor superheterodino sin etapa de preamplificacin.
En este caso la seal proveniente desde el espacio es confinada a una gua de onda por
medio del Horn o bocina, el cual generalmente se ubica en el foco de la antena. Como se
mencion anteriormente el proceso de conversin de frecuencia es realizado por el mezclador, el
cual es un dispositivo no lineal que opera sobre la seal RF proveniente desde el espacio, y sobre
la seal proveniente desde el oscilador local (LO o OL).
Como salida se obtiene la heterodinacin entre ambas seales, seleccionndose, por medio
de un filtro pasa banda, una seal cuya frecuencia corresponde a la resta entre ambas, llamada
frecuencia intermedia IF o FI.
Esta seal intermedia (IF), tpicamente de algunos GHz es amplificada nuevamente, para
posteriormente ser procesada en la siguiente etapa. Por ltimo, la seal es procesada por medio de
un espectrgrafo o un detector de ley cuadrtica, dependiendo de los propsitos del receptor.
En algunos casos se realiza un nuevo proceso de heterodinacin antes de realizar el
anlisis final de la seal. El objetivo de este ltimo proceso es medir la cantidad de potencia
recibida por unidad de frecuencia. De esa forma es posible identificar lneas espectrales y el
corrimiento que stas presentan.
12
3.3. Ruido en recepcin
En dispositivos electrnicos, el movimiento aleatorio de los portadores de carga generan

corrientes y voltajes que varan aleatoriamente en el tiempo. Aunque su caracterstica aleatoria
hace que sea imposible predecir su magnitud en un determinado momento, su comportamiento
puede ser modelado como ruido blanco, ya que se presenta en todo el espectro de frecuencia.
Hay varios mecanismos por los cuales se genera ruido, sin embargo, hay tres que son los
ms importantes: shot noise, ruido trmico y flicker noise (llamado tambin ruido 1/f).
3.3.1. Mecanismos de ruido.
Shot Noise:
Es un tipo de ruido que ocurre cuando un nmero finito de partculas que llevan energa,
tal como electrones en un circuito o fotones en un dispositivo ptico, dan lugar a fluctuaciones
estadsticas perceptibles en una medida. La intensidad de este ruido aumenta con la magnitud
media de la corriente o la intensidad de la luz.
Tambin se puede interpretar como el ruido provocado por las fluctuaciones en el nmero
de electrones que pasan a travs de una barrera de potencial 26. Esto provoca corrientes que
fluctan en torno a una corriente promedio I. Luego, el cuadrado de la corriente que provoca el
shot noise se calcula con la Ecuacin 3.1, donde e 27 es la carga del electrn y B el ancho de
banda:
2
i Sh
(3.1)
= 2eIB
Ruido Trmico:
El ruido trmico (o ruido de Johnson) es importante en telecomunicaciones y otros
sistemas electrnicos, este corresponde al ruido producido por el movimiento de los electrones en
los elementos integrantes de los circuitos, tales como conductores, semiconductores, tubos de
vaco, etc. Se trata de un ruido blanco, es decir, uniformemente distribuido en el espectro de
frecuencias.
Este ruido es producto del movimiento de los portadores dentro de un dispositivo
electrnico. La potencia de ruido trmico (nT ) , es usualmente expresada en dBm como (N T ) y es
el producto entre la constante de Boltzman 28 (k), la temperatura del sistema en grados Kelvin (T)
y el ancho de banda del ruido del sistema en Hertz (bn). El ancho de banda de ruido del sistema
(bn) es ligeramente distinto al ancho de banda del sistema (B). De esta forma:
nT = kTbn
(3.2)
26
Ver anexo C.1 para entender mejor el concepto de barrera de potencial.
27
Cuyo valor es e = 1.602 10
28
El valor de la constante de Boltzman es k = 1.38 10
19
[C ].
- 23
J
K .
13
bn (Hz ) =
n not ave (W )
W
n pk ave
Hz
(3.3)
Donde nnot ave (W ) es la potencia promedio del ruido trmico del sistema sobre todo el
W
espectro, n pk ave
es la potencia promedio peak del ruido trmico sobre 1 [Hz] de ancho de
Hz
banda y k es la constante de Boltzman.
Flicker Noise o 1/f Noise:

El Flicker Noise o 1/f Noise, es una seal con un espectro de frecuencia, tal que la
densidad espectral de la energa es proporcional al recproco de la frecuencia. Ocurre en muchos
campos del estudio y toma su nombre de encontrarse entre el ruido blanco y el ruido rojo o
trmico.
Es el ruido producido por un conjunto de fenmenos fsicos tales como:
Fluctuaciones en la movilidad de electrones.

Radiacin electromagntica y ruido cuntico.
La caracterstica de este ruido es que decrece en forma proporcional a la frecuencia, por

1
eso su segundo nombre . En receptores de banda milimtrica este ruido es despreciable en
f
comparacin al ruido trmico.
14
3.3.2. Ruido del sistema
En el sistema receptor existen mltiples orgenes para el ruido, es as que al ruido

generado por las mltiples etapas del receptor se le llama (Te ) , tambin existe el ruido
proveniente de la antena, el cual est en trminos de la temperatura de la antena (T A ) , luego se
tiene que la temperatura del sistema antena-receptor (TS ) es:
TS = T A + Te
(3.4)
La temperatura de antena 29 (T A ) proviene de distintas fuentes y es captada en la antena por

el lbulo 30 principal. La magnitud de este ruido est relacionado directamente con las
caractersticas propias de la antena, siendo la directividad uno de los factores ms relevantes. Por
otra parte la temperatura de antena depender de la direccin en la que se apunte el
radiotelescopio.
En observaciones de banda milimtrica, las fuentes de ruido ms importantes son:
1. El ruido generado por la atmsfera (ver Figura 3.4).
2. El ruido debido a la temperatura de la Tierra.
3. El ruido de radiofuentes de gran intensidad en el espacio, tales como el Sol, la Luna, los
planetas, etc.
4. El ruido generado por el hombre debido principalmente a seales de telecomunicaciones con
frecuencias cercanas a las que se desea detectar.
5. Ruido generado por el receptor, en particular en su primera etapa (front end).
29
Una antena se comporta como una resistencia, es as que la potencia recibida en la antena es directamente
proporcional a la temperatura de la regin a la que apunta el haz de la antena, para mayores detalles ver [37].
30
Lbulo de mayor importancia que resulta al momento de confeccionar un diagrama de radiacin de la antena.
15
Figura 3.4: Atenuacin debido a componentes gaseosos, niebla y precipitaciones para las
transmisiones a travs de la atmsfera 31.
La temperatura de antena de un radiotelescopio apuntando al cielo depender de la
frecuencia en que se est trabajando, ya que la atmsfera ser ms o menos ruidosa.
En la banda milimtrica la atmsfera tendr una temperatura de ruido que puede variar
entre 250 [K] y 600 [K] dependiendo de la elevacin en que se apunte con la antena, esto si se
tienen buenas condiciones atmosfricas. Con esto, la temperatura de antena vendr dada por:
La temperatura debido a la atmsfera.

La temperatura de fondo csmico.
El ruido que ingresa por los lbulos laterales y trasero.
Y la temperatura dada por la fuente en cuestin, la cual aporta la fraccin ms pequea.
Para observaciones radioastronmicas, en las cuales las fuentes observadas son muy
S
de la
dbiles, cualquier ruido externo a la seal que ingrese perjudicar fuertemente la razn
N
seal captada.
31
Figura 4 del informe 719 del (CCIR) UIT-R.
16
3.3.3. Figuras de mrito del ruido
Es importante tomar en cuenta que el ruido, como cualquier otra seal, ser atenuado o
amplificado. Adems, todos los componentes en el receptor aadirn ruido.
Como se ver mas adelante la magnitud de la contribucin de ruido por cada componente
del receptor ser ms alta mientras ms cercana a la antena se encuentre, de esta forma, se hace
imprescindible tener niveles de ruido lo ms bajo posible en las primeras etapas de recepcin.
La calidad de una seal con respecto al ruido que trae se mide en trminos de la razn
S
seal a ruido SNR o la cual tiene la siguiente expresin:

N
SNR =
Potencia de la seal deseada

Potencia del ruido no deseado
(3.5)
La calidad de una seal se ve degradada mientras mayor sea la potencia del ruido no
deseado en relacin a la seal que se desea detectar.
En radioastronoma, el ruido tiende a enmascarar las dbiles seales del espacio, limitando
la sensibilidad del sistema receptor.
El factor de ruido ( fn ) es la razn entre la relacin seal a ruido a la entrada y a la salida
de un dispositivo, mientras que la figura de ruido ( NF ) es el factor de ruido pero en decibeles. La
temperatura de ruido (Tn ) es la conversin del factor de ruido a una temperatura de entrada
equivalente 32, que de existir producira cierta potencia de ruido de salida, esta temperatura de
ruido se calcula a partir del factor de ruido ( fn ) y la temperatura ambiente 33 (T0 ) la cual se
expresa en Kelvin. Para disminuir la temperatura ambiente se suele criogenizar el receptor 34, es
decir enfriado. El factor de ruido se calcula generalmente para un ancho de banda de 1 [Hz] para
luego ser ajustado al ancho de banda del filtro.
fn =
SNRentrada
SNR salida
Si
N
n
= i = 0
S0
gni
N0
NF = 10 log( fn )
Tn = T0 ( fn 1)
32
34
(3.7 )
(3.8)
Las ecuaciones que relacionan la temperatura de entrada equivalente (Tn ) con el factor de ruido
fn = 1+
33
(3.6)
( fn )
Tn
, luego NF = 10 log( f n )[dB ] , con T0 la temperatura ambiente expresada en grados Kelvin.
T0
Cuyo valor es T0 = 290 [K].

Tanto en Nitrgeno como con Helio, ambos en estado lquido.
17
son:
Donde n0 es el ruido a la salida de un dispositivo, ni es el ruido de entrada del mismo y g

es la ganancia de este dispositivo. Por convencin se usar temperatura de ruido cuando se habla
de antenas y figura de ruido cuando se habla de receptores y toda su electrnica asociada.
Cuando se trabaja en receptores con sus elementos dispuestos en cascada, como es el caso
de los receptores heterodinos, el factor de ruido total del sistema ( f T ) (3.9) se calcula tomando
los factores de ruido ( f n ) y ganancia (g n ) de cada elemento individual.
De esta forma, el clculo se hace tomando los factores de ruido en cada etapa y se dividen
por la ganancia total que los precede. De igual manera, de la Ecuacin 3.8 se desprende una
relacin anloga para la temperatura de ruido (3.10) en sistemas en cascada. Estas relaciones son
las siguientes:
f 1
f 1 f3 1
(3.9)
+
+ ...... + n
f T = f1 + 2
g1
g1 g 2
gn
TT = T1 +
T3
T2
+
+ ...... +
g1 g1 g 2
Tn
gn
(3.10)
De (3.9) y (3.10), es claro que la ganancia y figura de ruido son crticas en la primera etapa
del receptor, o sea la etapa cercana a la antena y de esto depender un buen comportamiento de
todo el sistema receptor.
Si la tecnologa lo permite, el uso de amplificadores de bajo ruido (LNA) y alta ganancia
en la primera etapa del receptor puede ser muy ventajosa para enmascarar el ruido provocado por
las etapas siguientes. Ahora, lo que interesa es encontrar el nivel de ruido que se tiene a la salida
del receptor.
Tomando el equivalente en decibeles del factor de ruido se obtiene una expresin para el
ruido de salida (N 0 ) , donde el ruido de entrada (N i ) est en dBm y la figura de ruido ( NF ) y la
ganancia (G) estn en dB. Esto implica que el ruido de entrada es amplificado por la figura de
ruido y la ganancia. Aqu el ruido de entrada (N i ) se calcula a partir de la temperatura de ruido de
la antena (T A ) , el ancho de banda (B) y la constante de Boltzman (k).
N 0 = NF + G + N i (3.11)
N i = kT A B (3.12)
Luego, para encontrar el ruido generado en una etapa particular n slo basta hacer el
siguiente clculo:
N n = N 0 GN i
18
(3.13)
3.3.4. Rango dinmico
Se define el rango dinmico (RD 35) como el rango deseable de niveles de potencia de la
seal en el cual un dispositivo tal como un receptor, amplificador o mezclador operar
correctamente. El RD ser funcin de la potencia de entrada y la potencia de salida, los cuales
definen un backoff de entrada y otro de salida, el RD estar limitado inferiormente por el ruido y
superiormente por el lmite de saturacin del dispositivo. Para potencias de entrada sobre este
rango, la seal de salida comenzar a saturarse 36, y para niveles de seal de entrada menores a
este rango la seal se volver indetectable debido a que la seal se confundir con el ruido.
En la Figura 3.5 se muestra el rango dinmico de un dispositivo real, cabe la pena destacar
que en el caso de un amplificador, el RD se calcula para la seal RF de entrada, en cambio para el
sistema receptor y para el mezclador la curva se calcula para la seal FI. En la misma figura se ve
el noise floor o ruido de piso (N i ) dado por el ruido trmico de entrada, la mnima seal
detectable (MDS ) que depender de las caractersticas del sistema y el punto de compresin 37.
Con esto en cuenta, se puede definir el rango dinmico (RD) de un receptor en funcin de
un punto de compresin de 1 [dB] en funcin de la potencia de entrada (3.14) o la potencia de
salida (3.15). Aqu G y L son ganancia y prdidas, respectivamente.
RD = Pin , 1[dB ] MDS
(3.14)
RD = Pout ,1[dB ] G + L MDS
35
(3.15)
Desde ahora en adelante se usar esta nomenclatura para referirse al rango dinmico.
O sea la respuesta del dispositivo dejar de ser lineal.
37
El punto de compresin de seal de 1 [dB] es aquel punto de la Figura 3.5 en el cual las perdidas de conversin se
incrementan en 1 [dB] de la caracterstica ideal, tambin se define como el punto mximo aceptable donde la seal
sigue siendo relativamente lineal.
36
19
Figura 3.5: Rango dinmico para un elemento tal como un receptor, mezclador o amplificador.
20
4. Tecnologas de recepcin modernas en la banda

milimtrica
4.1. Receptores a baja temperatura
En los sistemas de recepcin y radioastronoma se debe contar con una alta sensibilidad
capaz de detectar las muy pequeas variaciones en la temperatura de antena, ya que la
temperatura aportada por una fuente observada puede ser slo una pequea fraccin de la seal
total recolectada. La diferencia mnima de temperatura38 Tmin que puede ser captada est
relacionada directamente con la temperatura del sistema. De las Ecuaciones 3.9 y 3.10 se
desprende la importancia de tener bajos niveles de ruido en la primera etapa de recepcin. La
antena capta una temperatura que consiste en la suma de ruido atmosfrico, fondo csmico y la
seal de inters en cuestin. Por este motivo, las tecnologas han evolucionado en los ltimos aos
para crear dispositivos que reduzcan las influencias de ruido trmico generado por los elementos
del receptor 39.
Entre los dispositivos que cumplen las caractersticas de bajo ruido previamente
mencionadas destacan los mezcladores de diodo Schottky 40, mezcladores superconductorinsulator superconductor 41 (SIS), los hot electron bolometers 42 (HEB's), transistores de efecto de
campo (FET's), heteroestructuras FET (HFET's, HEMT's 43), etc. De ellos, tanto los SIS's como
los HEB's funcionan nicamente a temperaturas criognicas (por lo que deben ser enfriados con
helio lquido para lograr su temperatura de operacin). Los dems, son enfriados para mejorar el
transporte de electrones y reducir la influencia del ruido trmico generado por los elementos
parsitos en estos dispositivos.
Para lograr bajas temperaturas en el receptor se utilizan termos con elementos refrigerantes
tales como nitrgeno lquido (77 [K]) y helio lquido (4.2 [K]), con el objetivo de mantener a baja
temperatura los dispositivos que se introducen en l. Estos termos son llamados cristatos. Los
elementos refrigerantes se localizan en cmaras selladas al vaco que mediante un mecanismo de
conduccin trmica enfra la base sobre la cual son montados los dispositivos que se requiere
enfriar.
38
Tmin =
Tsys
f HF t LF
Donde Tsys es la temperatura del sistema, f HF el ancho de banda en la
regin de alta frecuencia y t LF es el tiempo de integracin en baja frecuencia, justo antes de ingresar al
detector.
Ver pie de pgina 32 para entender la relacin entre ruido y temperatura.
40
Mirar punto 4.2. de esta memoria para una descripcin de este dispositivo.
41
42
43
39
21
4.2. Diodo Schottky
Los diodos Schottky son ampliamente usados en radioastronoma como mezcladores,

multiplicadores y detectores en el rango milimtrico y submilimtrico.
Este tipo de diodo se destaca por su alta velocidad de conmutacin, cualidad que los
mantuvo durante aos como la tecnologa ms usada en mezcladores de alta frecuencia.
Sin embargo, debido a sus altos requerimientos de potencia (del orden de los mW) y sus
niveles de ruido, han sido reemplazados progresivamente por los mezcladores SIS (dispositivos
que alcanzan velocidades de conmutacin del orden del THz) y por mezcladores HEB (a
frecuencias aun superiores), ambos diseados con materiales superconductores.
El mezclador utilizado en el receptor del SMWT tiene un diodo del tipo Schottky.
Este diodo est formado por la unin de un metal con un material semiconductor. Este tipo
de unin, con un pequeo almacenamiento de carga, le proporciona caractersticas apropiadas
para aplicaciones de alta frecuencia.
Su funcionamiento se basa en la diferencia de las bandas de energa del metal y del
semiconductor. Un metal como el platino (Pt) u oro (Au), acta como material aceptador de
electrones, cuando est unido al semiconductor, el cual puede ser Si n+ GaAs n+. De esta
forma, cuando el metal est conectado al semiconductor de tipo n, los electrones del
semiconductor se difunden inicialmente al metal. Luego, el silicio estar empobrecido de
electrones cerca de la unin y adquirir un potencial positivo.
Posteriormente, este mismo potencial impedir la difusin de electrones. Ahora, si se
aplica una tensin positiva suficientemente grande entre el metal y el semiconductor, aparecer
una circulacin neta de electrones entre sus terminales.
4.2.2. Caractersticas elctricas
El diodo Shottky puede ser modelado como una resistencia hmica en paralelo a una
capacitancia no lineal. Para fines prcticos, la curva caracterstica corriente-voltaje (I-V) puede
ser descrita por:
I j (V j ) = I s e
qV j
kT
(4.1)
Donde: I j y V j son la corriente y voltaje de juntura respectivamente, I s es la corriente de

saturacin inversa, q es la carga de un electrn, k es la constante de Boltzman, T es la temperatura
absoluta en Kelvin y es un factor relacionado con lo ideal que sea el diodo. Siendo =1 para un
diodo ideal y =1.05 para un buen diodo real.
En cuanto a su velocidad de operacin, los diodos Schottky estn limitados por su
frecuencia de corte dada por la siguiente ecuacin:
fc =
1
2Rs C j 0
22
(4.2)
En este caso, la mxima frecuencia de operacin est relacionada con Cj0, que es la
capacidad de la juntura a voltaje cero y Rs es una resistencia shunt 44, ambos parmetros son
intrnsicos a la construccin de la juntura.
Cabe mencionar que, aunque la frecuencia de corte de un diodo Shottky puede llegar
tericamente a 2 [THz] para diodos comunes y 4 [THz] para diodos de alta velocidad, esto no
garantiza que un dispositivo, tal como un mezclador, que utilice estos diodos operar a tales
frecuencias. En un mezclador, su frecuencia de corte viene dado por el circuito completo, por lo
que no es recomendable tomar la frecuencia de corte del diodo como parmetro para caracterizar
la velocidad que puede alcanzar el mezclador.
4.2.3. Caractersticas constructivas
Los diodos Schottky se construyen depositando delgados substratos entre el nodo y el

ctodo del dispositivo. Los substratos se componen de materiales semiconductores, tales como Si
y GaAs, los cuales son dopados en la etapa de fabricacin. El nodo y ctodo en tanto se
construyen de metal, siendo el oro (Au) el material ms empleado.
Estos dispositivos se construyen con tcnicas litogrficas que han ido mejorando durante
los ltimos aos, principalmente para lograr la mejor calidad posible en los contactos hmicos.
Un esquema de un diodo Schottky cortado transversalmente muestra las distintas capas que
separan el nodo y ctodo y da una idea de las dimensiones de las capas que lo componen.
Figura 4.1: Corte transversal de un diodo Shottky tpico.

44
Corresponde a una carga resistiva a travs de la cual se deriva una corriente elctrica. Generalmente la resistencia
de un shunt es conocida con precisin y es utilizada para determinar la intensidad de corriente elctrica que fluye a
travs de esta carga mediante la medicin de la diferencia de tensin (voltaje) a travs de ella, valindose de ello por
medio de la ley de Ohm.
23
4.2.4. Ventajas y desventajas de los diodos Schottky
Una de las principales ventajas que tienen estos dispositivos en aplicaciones de RF, frente
a todos sus competidores, es que han sido ampliamente usados y testeados en la industria de
microondas durante aos. Por esta razn, se pueden encontrar diodos integrados en una gran
variedad de empaquetamientos y adaptados a casi todas las aplicaciones.
Los diodos Schottky se pueden encontrar en mezcladores, detectores, multiplicadores y en
una amplia gama de circuitos electrnicos.
Adems, debido a que se fabrican en gran nmero, tienen un costo mucho menor a las
tecnologas alternativas, principalmente las basadas en superconductores, lo que los vuelve
competitivos a la hora de escoger la mejor alternativa.
Otra ventaja muy importante es que no necesitan ser criogenizados a temperaturas
extremadamente bajas para que funcionen correctamente, aunque la criogenizacin puede ser til
para mejorar sus caractersticas de ruido.
Para aplicaciones radioastronmicas, hay 2 razones principales que podran no favorecer la
eleccin de dispositivos del tipo Shottky, estas son:
Dado que tienen temperatura de ruido alta, que si bien es cierto puede ser mejorada
mediante criogenizacin, distan mucho de sus competidores superconductores tales como el SIS y
el HEB.
2.
La segunda razn es su requerimiento de potencia de oscilador local. Los mezcladores de
diodo Schottky necesitan potencias de oscilador local del orden del mW, potencia que a
frecuencias cercanas al THz son difciles de lograr.
1.
24
4.3. High Electron Mobility Transistor: HEMT
Los transistores utilizados en recepcin son principalmente del tipo FET (Field Effect
Transistors), de ellos el que presenta las mejores caractersticas de velocidad y ruido es el HEMT
(High Electron Mobility Transistors) que pertenece a la familia de los dispositivos de efecto de
campo 45.
La principal diferencia entre los FET comunes y los HEMT es que los primeros tienen una
capa de conduccin dopada por donde fluyen los electrones, esto provoca gran cantidad de
scattering 46. En los HEMT en cambio, se tiene una heterojuntura 47 creada por un pozo de
potencial entre dos capas de semiconductores con distinta conduccin de sus bandas de energa
(que suelen ser AlGaN / GaN AlGaAs / GaAs), en donde se confina una delgada capa
bidimensional de electrones 2DEG 48 (2 Dimensional Electron Gas) con muy bajo scattering,
logrando un movimiento de electrones casi libre a lo largo y ancho de esta capa.
As, los electrones quedan atrapados en las dos dimensiones de este gas ya que debido a
limitaciones cunticas y a la forma del pozo de potencial formado por las capas semiconductoras
superior e inferior, los electrones no pueden subir ni bajar a las otras capas. En la Figura 4.2 se
muestra a la derecha las distintas capas semiconductoras que permiten formar una zona con un
pozo de potencial que confina los electrones a una capa bidimensional. A la izquierda se aprecia
que este pozo de potencial se forma en la regin donde hay una mayor diferencia en las bandas de
energa de los semiconductores dopados.
Figura 4.2. Izquierda: Diagrama de bandas de energa de un HEMT genrico.

Derecha: Estructura de un HEMT AlGaN/GaN.
45
Ver anexo D.1 para entender el principio de un dispositivo de efecto de campo.

O choques entre electrones que limita la velocidad de desplazamiento y aumentan la temperatura debido a la
friccin entre ellos.
47
La caracterstica central de una heterojuntura es que los gaps de los semiconductores que participan son
generalmente diferentes. As, la energa de los portadores de por lo menos uno de los bordes de la banda debe
cambiar cuando esos portadores pasan por la heterojuntura.
48
Desde ahora en adelante se usar esta nomenclatura para referirse a este arreglo bidimensional.
46
25
4.3.2. Comportamiento
Se debe tener en cuenta, que en los HEMT, la concentracin de electrones es modulado

por el voltaje de compuerta Vg, controlando as el flujo de corriente de drenaje Id. As se obtiene
una conductancia de salida muy alta gm, lo que le confiere gran velocidad, pero con muy bajos
niveles de potencia de salida.
Cuando estos dispositivos son enfriados a temperaturas criognicas, presentan
excepcionales caractersticas de bajo ruido (reduccin de ruido trmico generado por resistencias
parsitas) y mayor velocidad de desplazamiento de electrones. Esta ltima caracterstica, en la
primera generacin de HEMT, se vio degradada en el tiempo (horas o das) debido a que estos
dispositivos presentaban memoria a temperaturas criognicas, efecto llamado colapso I-V, el cual
ha sido explicado porque algunos electrones quedan atrapados en la capa de AlGaAs reduciendo
as el nmero de portadores.
Experimentos demostraron que los HEMT son sensibles a la luz. Este comportamiento fue
aprovechado para liberar electrones atrapados mediante iluminacin del HEMT con luz de
distintos colores. En los ltimos aos, la utilizacin de AlInAs / GaInAs / InP para crear la
heterojuntura, ha solucionado en parte este problema, hacindolos casi sin memoria y mucho
menos sensibles a la luz.
4.3.3. Circuito equivalente
En un anlisis ms profundo se puede caracterizar el HEMT con su circuito equivalente, el

cual ayuda a un mejor entendimiento de los parmetros que afectan su performance. En la Figura
4.3, se modelan las resistencias equivalentes que se pueden encontrar en un HEMT, donde rs, rg y
rd son funcin de la temperatura fsica del dispositivo Ta, que puede estar a temperatura ambiente
o enfriado criognicamente, con rt = rs + rg + rgs.
Por otro lado, la conductancia drenaje-fuente gds y la resistencia compuerta-fuente rgs
dependen de las temperaturas equivalentes de compuerta Td y drenaje Tg, respectivamente.
En la prctica se usa que Tg =Ta. Con este modelo, se determina la temperatura mnima de
ruido (4.3) que puede alcanzar el HEMT en funcin de la frecuencia f, la frecuencia de corte fT, la
temperatura, la conductancia y las resistencias parsitas. Para calcular la frecuencia mxima de
operacin que se puede alcanzar, se recurre a la Ecuacin 4.4.
Tmin 2
f
fT
f max f T
rt Tg g ds Td
1
4 g ds rgs
(4.3)
(4.4)
Se ve que la frecuencia depende de parmetros fsicos del dispositivo, mientras que el

ruido mnimo generado por el HEMT Tmin es funcin de los parmetros constructivos, frecuencia
de operacin y temperatura de operacin.
26
Figura 4.3: Circuito equivalente simplificado de un HEMT
4.3.4. Diseos actuales
Hoy en da los diseos alcanzan los siguientes objetivos:

1. Altas frecuencias de operacin.
2. Bajos niveles de ruido.
Para tener frecuencias mximas de operacin (4.4) es necesario lograr frecuencias de corte
intrnsecas fT lo ms alto posible. Esta frecuencia fT, como se muestra en la Ecuacin 4.5, es
proporcional a la transconductancia gm (4.6), la cual est en funcin de la mxima velocidad de
desplazamiento de los electrones vsat, la permitividad de la capa conductora e, el ancho de
compuerta (gate) Wg y de la distancia d desde la compuerta a la capa 2DEG. Para lograr esto, tres
generaciones de HEMTs han sido creadas con heterojunturas cada vez ms complejas (AlGaAs /
GaAs, AlGaAs / Ingaes / GaAs y AlInAs / GaInAs / InP) acompaadas por modernas tcnicas
litogrficas de haz de electrones para lograr longitudes submicromtricas de compuerta.
fT =
gm =
gm
2C gs
(ev
sat
Wg )
(4.5)
(4.6)
Para el segundo punto, los niveles de ruido pueden reducirse disminuyendo la magnitud de
las resistencias parsitas de compuerta y fuente, rg y rs, respectivamente. Estas han sido
minimizadas mejorando la tecnologa de contactos hmicos, incorporando mejoras en los
procesos de fabricacin, tales como crear compuertas en forma de Ty reduciendo la separacin
entre fuente y drenaje.
27
4.3.5. Eleccin del dispositivo
Para escoger un HEMT en particular, primero se debe definir la banda de frecuencias en

que operar, luego se debe fijar la aplicacin que se le dar.
En radioastronoma, el factor ms importante es que tenga bajo ruido, ya que cualquier
ruido generado por este dispositivo (ubicado generalmente en las primeras etapas de recepcin)
podra enmascarar las dbiles seales provenientes del espacio.
Otra caracterstica crtica en radioastronoma es que el dispositivo mantenga una ganancia
estable en el tiempo en condiciones de temperatura que pueden ser levemente variables. Por
ejemplo, para un receptor con temperatura Tsis=200 [K], una variacin del 1% en la ganancia,
provocara un T=2 [K] lo que sera dos ordenes de magnitud mayor que una seal tpica en
radioastronoma (0.02 [K]).
Adems, es importante que el dispositivo tenga bajas prdidas de retorno a la entrada, ya
que las seales vienen con muy poca potencia y hay que aprovecharlas al mximo.
Para saber qu HEMT presenta las mejores caractersticas de ruido, no basta con hacerle
pruebas a temperatura ambiente, ya que el ruido provocado por las resistencias parsitas puede
estar enmascarado por la temperatura ambiente.
Por este motivo, siempre las pruebas deben realizarse a la temperatura en la cual se
pretende operar. Las caractersticas de ruido de dispositivos HEMT a diferentes temperaturas de
operacin se muestran en la Figura 4.4.
La ganancia tambin es un factor a tomar en cuenta, sin embargo, una ganancia requerida
se puede lograr mediante arreglos de amplificadores en serie.
Otro factor a ser tomado en cuenta es lo que los fabricantes llaman reliability, que se
define como la probabilidad que un dispositivo mantenga sus caractersticas de funcionamiento
durante un cierto perodo de tiempo en condiciones normales de operacin. Esto viene dado por
las caractersticas de diseo y por la calidad del material usado.
28
4.3.6. Ventajas y desventajas de los HEMT
Las principales ventajas son:

Los HEMT tienen la ventaja de poder cubrir amplias bandas de frecuencia, lo que permite
1.
usar un nico dispositivo para cubrir una ventana atmosfrica de inters.
Tienen bajos requerimientos de enfriamiento, por lo que basta enfriarlos utilizando
2.
nitrgeno lquido (77 [K], esto es importante si se piensa que en la banda milimtrica los HEMT
compiten con los mezcladores SIS que deben ser enfriados a temperatura de helio lquido 4,2
[K]).
Los HEMT presentan poca degradacin en ruido, bajo temperaturas ms elevadas (Figura
3.
4.4) lo que les permite incluso operar a temperatura ambiente, cosa que no ocurre con los SIS que
slo funcionan a temperatura criognica.
Figura 4.4: Medidas de ruido para un HEMT AlInAs / GaInAs / InP de ltima generacin en
funcin de la frecuencia.
29
4.4. Superconductor Insulator Superconductor: SIS
Los mezcladores SIS 49 (Superconductor-Insulator-Superconductor) han desplazado en el

ltimo tiempo a los mezcladores de tipo Schottky, debido a sus buenas caractersticas de ruido
que se acercan al lmite cuntico 50. Estos mezcladores son ampliamente usados en
radioastronoma en la banda milimtrica y submilimtrica abarcando un rango de frecuencias que
va desde los 100 [GHz] hasta 1.2 [THz].
A frecuencias cercanas a los 100 [GHz] compiten fuertemente con los amplificadores
HEMT como primer elemento en la cadena de recepcin. A frecuencias mayores, entre 200 [GHz]
y 1 [THz] son los lderes indiscutidos, gracias a su incomparable caracterstica de ruido y la baja
potencia de oscilador local que necesita para operar, alrededor del microwatt (W).
Sobre 1 [THz], se ve parcialmente limitado por un lmite cuntico dado por el material
superconductor del que est fabricado y su caracterstica de ruido se va degradando. A estas
frecuencias compite con los HEB. Los mezcladores SIS, as como todos los dispositivos en base a
materiales superconductores deben ser enfriados a temperaturas criognicas cercanas a los 4.2 [K]
(helio lquido), de lo contrario estos dispositivos simplemente no operarn.
4.4.1. Principio de funcionamiento
Los mezcladores SIS se basan en la alta no-linealidad de su curva caracterstica de

Corriente-Voltaje, la cual permite el paso de electrones de un superconductor a otro por efecto
cuntico atravesando el material aislador que los separa. El paso de electrones es posible cuando
se igualan los niveles de energa de los dos superconductores, que en la prctica se logra
aplicando un voltaje de bias 51 continuo entre ellos. La Figura 4.5 muestra los niveles de energa
del SIS y su curva I-V, en donde la mayor no-linealidad de la curva I-V se produce a un voltaje
DC igual a 2 .
e
49
O Superconductor-Insulator-Superconductor, en ingles, desde ahora en adelante se usar esta nomenclatura para

referirse a este dispositivo.
50
Aunque la velocidad de la luz en el vaco es independiente del foco que la genera, la luz tiene un origen
reconocible, o sea somos capaces de identificar su procedencia y la consideramos como smbolo representativo del
mismo objeto que la emite. En la vida diaria siempre se supone esta asociacin, aunque a veces la asociacin est
errada. As funcionan muchas tcnicas cientficas: telecomunicaciones, espectroscopia, teledeteccin,
radioastronoma. Sin embargo, a nivel cuntico por principio no se puede distinguir un fotn de otro. Esta partcula no
tiene la identidad individual que se ha supuesto para las seales luminosas. La deteccin de la seal luminosa supone
la deteccin de fotones; por tanto debe ser posible asociar fotones individuales a seales (ondas) luminosas para que
el principio de constancia de la velocidad de la luz tenga sentido fsico. La dualidad dice que fotones y seales
luminosas no son independientes, a esto se refiere el lmite cuntico.
51
En electrnica, el voltaje bias (llamado a veces simplemente bias) es un voltaje de estado estacionario, se utiliza
para hacer funcionar parcialmente un dispositivo tal como un transistor, un tubo de vaco, etc. sta es una manera de
operar el dispositivo en un estado donde eventualmente es ms til.
30
Figura 4.5: (a): bandas de energa de un SIS. (b): curva I-V donde se aprecia la fuerte no
linealidad de estos dispositivos.
2
hv
. Luego, al ingresar una seal de
menor que
e
e
frecuencia v, se alcanza la parte ms no-lineal de la curva, logrando as eficiencias de conversin
muy altas.
Si bien es cierto que la curva I-V presenta otras zonas no-lineales en donde se pueden
provocar saltos de electrones a otras frecuencias, esto puede ser minimizado con un apropiado
voltaje de bias y usando filtros pasa banda a la frecuencia deseada.
El voltaje bias se hace a un nivel
Los mezcladores SIS se construyen con tcnicas litogrficas depositando una capa
superconductora, que suele ser Niobio (Nb), una delgada capa aislante (AlOx AlN) y otra capa
superconductora (Nb NbTiN en los dispositivos ms modernos) con dimensiones del orden del
m.
Los dispositivos construidos en base a Nb presentan un lmite terico de frecuencia de
corte de 700 [GHz], dado por el gap 2 del Nb. A frecuencias mayores, las prdidas por
absorcin aumentan entre un 50% a un 65% por largo de onda, caracterstica que los hace
inaplicables en radioastronoma.
El uso de metales normales, tales como oro (Au) o aluminio (Al) enfriados a 4 [K] en
reemplazo de Nb ha demostrado que a frecuencias mayores a 800 [GHz] tienen menores prdidas
(alrededor de un 40% por largo de onda), sin embargo, por su mayor gap de energa, los
superconductores siguen siendo preferidos ya que son ms no-lineales.
En los ltimos aos, el desarrollo de nuevas aleaciones tales como NbTiN han permitido
alcanzar frecuencias cercanas a 1.2 [THz], con bajas prdidas, en receptores cuasi-pticos. Sin
embargo, a frecuencias superiores a 1 [THz], las prdidas comienzan a ser cada vez mayores en el
film superconductor, degradando con ello la performance del mezclador en funcin del aumento
de frecuencia.
31
Figura 4.6: Izquierda: Bloque mezclador con la cubierta removida. Derecha: esquema de un
mezclador SIS.
4.4.3. Caractersticas de ruido
La temperatura de ruido en estos dispositivos es tericamente dada slo por el principio de

incertidumbre de Heisenberg 52, cuya expresin es:
TM =
hv
k ln (2 )
(4.7 )
Donde h es la constante de Planck, v la frecuencia de operacin y k la constante de

Boltzman.
Los dispositivos superconductores reales, sin embargo, presentan ruido provocado por el
efecto Josephson 53. Para suprimir este efecto y mejorar sus caractersticas de ruido, se aade al
bloque mezclador un solenoide para crear un campo magntico que suprima las corrientes creadas
por este efecto y as acercarse al lmite cuntico.
De todas formas, el ruido es muy bajo, lo cual los convierte en los dispositivos con
mejores caractersticas de ruido en la banda milimtrica y submilimtrica.
Considerando slo el lmite cuntico en un dispositivo ideal, para una frecuencia de
operacin de 700 [GHz], la temperatura de ruido que alcanzara sera slo de 49 [K].
En los dispositivos reales, el ruido es unas cinco veces el del lmite cuntico.
52
En mecnica cuntica el principio de indeterminacin de Heisenberg afirma que no se puede determinar,

simultneamente y con precisin arbitraria, ciertos pares de variables fsicas, como son, por ejemplo, la posicin y la
cantidad de movimiento de un objeto dado. En palabras sencillas, cuanta mayor certeza se busca en determinar la
posicin de una partcula, menos se conoce su cantidad de movimiento lineal.
53
Es una propiedad interesante de los superconductores, est basado en otro fenmeno que recibe el nombre de efecto
tnel. Se produce en la unin formada por una delgada barrera de xido colocada entre dos superconductores, dado
que ah se puede producir efecto tnel. Las caras externas de los dos superconductores se unen entre s y se mide la
corriente que pasa a travs de la unin. Cuando la unin se expone a campos magnticos o radiacin, el flujo de
corriente debido a que algunos electrones atraviesan la barrera de xido (efecto tnel). Este efecto suele emplearse
para detectar campos magnticos muy dbiles.
32
Los mezcladores SIS son altamente sensibles a variaciones de temperatura, sus

caractersticas de ganancia y ruido se degradan fuertemente a ligeros cambios en la temperatura,
llegando al extremo de no operar. Una variacin de 1% en la temperatura de criogenizacin (20 50 [mK]) provocara un cambio de un 0.5% en la ganancia. Es por ello que muchos mezcladores
SIS tienen sofisticados mecanismos de estabilizacin.
La Ecuacin 4.8 describe la variacin de ganancia en funcin de la variacin de
temperatura, en donde B es el ancho de banda FI y t el tiempo de integracin.
T = Tsys
1
G
B t G
(4.8)
4.4.4. Ventajas y desventajas de los mezcladores SIS
Los mezcladores SIS tienen muchas ventajas en la regin milimtrica y submilimtrica

con respecto a sus competidores, algunas de ellas son:
1.
Caracterstica de corriente-voltaje (I-V) extremadamente no-lineal, lo cual le brinda una
excelente eficiencia de conversin.
2.
Alta frecuencia de operacin (hasta cerca los 1.2 [THz]).
3.
Sensibilidad cercana al lmite cuntico.
4.
Relativamente bajas potencias requeridas de oscilador local (del orden de los W).
5.
La mejor caracterstica de ruido de los dispositivos actuales.
6.
Bajas prdidas, disipacin y dispersin de la seal.
Entre las desventajas que presentan los SIS frente a sus competidores se encuentran:
1.
Es necesario enfriarlos por criogenizacin para que puedan funcionar, lo cual significa
mayores costos y tamao de los dispositivos. Los HEMT y Schottky en cambio, deben ser
enfriados para mejorar sus caractersticas de velocidad y ruido, pero no como condicin necesaria
para operar.
2.
Alta posibilidad de verse afectado por vibraciones provocadas por el mecanismo
criognico.
3.
Son inestables ante cambios leves de temperatura.
4.
Debido a sus bajos niveles de saturacin, el dispositivo podra verse afectado por
variaciones de la potencia entrante tanto de la seal RF como del OL, o bien por interferencias
electromagnticas externas.
5.
Su alto costo no siempre es justificable si se tienen otras tecnologas que hacen lo mismo a
un precio mucho menor.
33
4.5. Hot Electron Bolometer: HEB
Hasta frecuencias cercanas a 700 [GHz], son los receptores con mezcladores SIS la
principal tecnologa de receptores heterodinos de bajo ruido. Sobre esta frecuencia, la energa del
fotn sobrepasa el gap de energa del Nb y los mezcladores SIS basados en Nb comienzan a tener
muchas prdidas degradando fuertemente sus caractersticas de ruido.
Avances en nuevos materiales superconductores han logrado aleaciones como NbN y
NbTiN que logran que dispositivos SIS operen hasta frecuencias cercanas a 1 [THz] con buen
desempeo sin mayor degradacin de la seal. A frecuencias mayores, los mezcladores SIS pasan
a tener invariablemente muchas prdidas dadas las caractersticas intrnsecas de los materiales con
los que son construidos. Por este motivo se hace indispensable tener mezcladores que operen a
frecuencias mayores conservando sus caractersticas de ruido y que adems tengan bajos
requerimientos de potencia de OL, ya que a mayor frecuencia la potencia se hace cada vez ms
escasa debido a las etapas de multiplicacin que debe pasar para alcanzar la frecuencia de
operacin requerida.
Los dispositivos HEB, sin embargo, no responden a la frecuencia de la seal RF sino que a
la potencia de la seal, esta caracterstica hace que la frecuencia de operacin no dependa de las
caractersticas intrnseca de los materiales que lo componen.
Es por ello que en la ltima dcada los mezcladores y detectores HEB han cobrado gran
importancia en aplicaciones radioastronmicas siendo pieza clave en las nuevas generaciones de
radiotelescopios, tales como SOFIA (Stratospheric Observatory for Infrared Astronomy) y el
Observatorio Herschel de la Agencia Espacial Europea, entre otros.
4.5.1. Principio de funcionamiento
Bsicamente los HEB son dispositivos que responden por efecto fotoelctrico a la energa
incidente de una seal. Este efecto mueve electrones en un material que generalmente es un
superconductor para lograr caractersticas de voltaje-corriente altamente no lineales que los
vuelve aptos para su uso como mezcladores.
En un comienzo, los HEB fueron construidos situando una delgada pelcula de un
semiconductor normal entre dos electrodos metlicos. Con esta configuracin se lograron
mezcladores con muy buenas caractersticas de ruido y muy sensibles, sin embargo, sus altos
tiempos de respuesta trmica les confera un reducido ancho de banda FI, del orden de los MHz,
que los haca inapropiados para observaciones prcticas de lneas espectrales.
A principios de los 90s se obtuvieron los primeros HEB con nuevos materiales
superconductores con tiempos de respuesta trmica mucho menores en reemplazo de los
semiconductores normales. Actualmente, los HEB son construidos con un delgado puente
superconductor que une dos electrodos metlicos, este superconductor a su vez va sobre un
substrato. Los superconductores usados pueden ser Nb, NbN, NbTiN AlTiN. En cuanto a los
electrodos, se usa normalmente oro (Au) y el substrato es SiOx.
Hay dos tipos de HEB que pueden operar a frecuencias de los THz, estos son:
1.
2.
54
55
Phononcooled HEBs (p-HEBs) 54, basados en la interaccin electrn-phonon.

Difusion-cooled HEBs (d-HEBs) 55, basados en la interaccin electrn-electrn.
Ver anexo D.1 para mayor detalle de este tipo de dispositivos.

Ver anexo D.1 para mayor detalle de este tipo de dispositivos.
34
Como a mayor frecuencia, la longitud de onda es menor, todos los elementos constructivos
deben tener menor tamao. Es por ello que elementos tales como cables y soldaduras pasan a
tener gran importancia en trminos de ruido dado por sus dimensiones relativas. Por ello la
construccin de dispositivos que operen a frecuencia de los THz debe hacerse tomando
precauciones tales como:
Cualquier imprecisin en tamao y disposicin de los elementos podra causar resonancias

indeseadas.
Los materiales usados son muy frgiles y delgados, por lo que se les debe proveer de una
montura apropiada, que sea simple, fcil de armar y desarmar.
Figura 4.7: Detalle de una juntura para un dispositivo HEB.
4.5.3. Ventajas y desventajas de los HEB
La principal desventaja es que las caractersticas de ruido de los HEB son de unas 20 veces
el lmite cuntico, lo cual los hace ms ruidosos que los SIS a frecuencias hasta 1.2 [THz]. Sin
embargo, a frecuencias mayores poseen ventajas que los hacen preferibles respecto a los
mezcladores SIS y Shottky.
Sin embargo las ventajas son mltiples, entre estas destacan:
Los HEB poseen gran cobertura en frecuencia, ya que no se ven limitados por el material
de construccin como sucede con los SIS. Por ello, la frecuencia de operacin de los HEBs llega
hasta frecuencias cercanas al infrarrojo, lo que los vuelve apropiados en observaciones en la
banda submilimtrica y observaciones cuasi-pticas.
2.
Requieren potencias de operacin del orden de los nW, potencia que es muy pequea, pero
se vuelve difcil de obtener a frecuencias del orden del THz y mucho ms difcil a medida que la
frecuencia aumenta. Esto es importante si pensamos que los SIS requieren potencias de OL del
orden del W y los Shottky del orden de los mW.
3.
La impedancia de los HEB es puramente resistiva, o sea, independiente de la frecuencia.
4.
Su baja respuesta trmica le confiere adems una casi despreciable produccin de
armnicos lo que evita tener filtros adicionales en la montura del HEB.
1.
35
4.6. Tecnologas segn banda de frecuencia
En los sistemas de recepcin usados actualmente, los amplificadores HEMT son los
lderes indiscutidos hasta frecuencias cercanas a los 50 [GHz], esto les permite estar presente
como amplificadores de frecuencia intermedia en casi todos los receptores ms modernos. Para
frecuencias mayores a 200 [GHz] son los mezcladores SIS los mayormente usados gracias a sus
incomparables caractersticas de bajo ruido lo que les ha permitido estar como primer elemento de
recepcin en casi todos los radiotelescopios construidos actualmente que operen en el rango de
300 [GHz] a 1 [THz]. Para frecuencias mayores a 1.2 [THz] son los HEB's los que presentan las
mejores caractersticas de ruido superando largamente en cuanto a ruido a los mezcladores
Schottky.
En la Figura 4.8 se muestra en forma comparativa los niveles de ruido de las distintas
tecnologas de recepcin en funcin de la frecuencia y se les compara con el lmite cuntico, que
en teora es el mnimo nivel de ruido al cual se puede llegar.
Figura 4.8: Comparacin de diferentes tecnologas de recepcin en cuanto a ruido y frecuencia.

Sin embargo, como se puede ver en la Figura 4.8, hay bandas de frecuencia en donde ms
de una tecnologa resulta apropiada y depender de la situacin particular (tanto de los
requerimientos, como de los recursos que se disponen) la tecnologa a usar. Por ejemplo, en la
banda que cubre las frecuencias entre 50 a 200 [GHz] los amplificadores de bajo ruido HEMT
compiten con los mezcladores SIS en la primera etapa de recepcin y en la banda de 700 [GHz]
hasta 1.2 [THz] son los mezcladores HEB los que compiten con los SIS. En general, los
dispositivos fabricados en base a materiales semiconductores presentan menores niveles de ruido,
sin embargo sus costos de adquisicin y mantencin son mayores.
36
5. Receptor del 1.2m Southern Millimeter-Wave

Telescope del SMWT Columbia-U. de Chile.
5.1. Descripcin general del radiotelescopio
El radiotelescopio SMWT fue construido a principios de la dcada de los 80 en la

Universidad de Columbia, con el propsito de observar transiciones rotacionales 56 del monxido
de carbono, las que emiten fotones entre las frecuencias 110.201 [GHz] y 115.271 [GHz] 57.
El radiotelescopio esta conformado por una antena parablica de 1.2 [m] de dimetro,
construida en una sola pieza de aluminio, con una exactitud superficial menor a 26 [um],
permitiendo que la resolucin angular sea limitada solamente por difraccin.
Figura 5.1: Izquierda: El telescopio en su ubicacin en el CTIO. Derecha: El receptor en el

laboratorio de Cerro Caln, donde se encuentra actualmente.
Durante el ao 2005, Walter Max-Moeberck [11] realiz el reemplazo del oscilador local
del receptor 58, posteriormente el ao 2006 Mario Vielma Sossa [13] y Nicols Reyes [14]
realizaron la incorporacin de un amplificador HEMT.
Vale la pena aclarar que a continuacin se realizar una descripcin del receptor del
SMWT basndose en el diseo original, posteriormente se abordarn las modificaciones
mencionadas anteriormente.
A continuacin se tratarn los detalles de construccin y funcionamiento de cada uno de
los bloques.
56
Ver anexo A.1 para entender en que consiste una transicin rotacional.
Ver Tabla 2.1 para observar las principales lneas de emisin en la banda comprendida entre los 85 [GHz] y los 115
[GHz].
58
Ver punto 5.3 de esta memoria, para entender en que consiste un oscilador local.
57
37
5.2. Sistema receptor
Este receptor se compone de tres bloques principales: primera etapa o front-end, la primera
etapa de frecuencia intermedia, la segunda etapa de frecuencia intermedia y espectrmetro.
5.2.1. Primera etapa o (front end)
El front-end, corresponde a la primera seccin del receptor, es una de las ms importantes

y es la que difiere ms entre instrumentos operando a distintas frecuencias, debido a las mltiples
tecnologas utilizadas.
Esta etapa esta conformada por las siguientes partes: Diplexor, Oscilador local y Mixer o
mezclador 59.
Esta etapa opera con seales con frecuencias del orden de los 100 [GHz ] y se encuentra
enfriada a 77 [K], por medio de nitrgeno lquido en un termo.
La radiacin captada por el espejo primario, es reflejada en el secundario y capturada por
el feed horn. Luego de esto la seal de entrada es combinada con la seal del oscilador local por
medio de un diplexor de anillo resonante (resonant ring injection filter) 60 con una prdida de
seal de 0.2 [dB]. Esta seal combinada pasa al diodo Schottky (double sideband Schottky-barrier
diode mixer) que tiene una temperatura de ruido de 110 [K] y prdidas de conversin de 5.2 [dB],
donde se realiza la primera conversin de frecuencia.
Figura 5.2: Primera etapa o front end.
59
60
Cada una de estas partes es descrita en este capitulo, se recomienda continuar con la lectura.
Ver punto 5.7 de la presente memoria.
38
5.2.2. Primera etapa de frecuencia intermedia
Como se mencion anteriormente el objetivo de esta etapa es poder trabajar con

frecuencias menores donde la electrnica es ms fcil de implementar y es posible realizar con
alta precisin una gran cantidad de procesos de deteccin de la seal. Esta seccin se ubica
inmediatamente despus del front-end, usualmente se compone de una o ms etapas de
amplificacin, filtrado y conversin de frecuencia.
Esta etapa trabaja a una frecuencia de 1390 [MHz]. La seal de salida a esta etapa es
amplificada en 30 [dB].
Figura 5.3: Primera etapa de frecuencia intermedia.
5.2.3. Segunda etapa de frecuencia intermedia y espectrmetro
En esta ltima etapa, tambin llamada back-end se encuentra el detector que permite medir
algunas propiedades de la seal, ya sea sta la potencia, el contenido espectral (en el caso de los
espectrmetros) o algo ms especfico como la forma y el periodo de los pulsos para el caso de las
observaciones de pulsares.
En el caso de los espectrmetros (caso que corresponde al receptor del SMWT), estos
pueden ser de diversos tipos. El ms simple de todos los espectrmetros se puede construir usando
un banco de filtros (espectrmetro multi-canal). Estos son muy difciles de construir pues se debe
lograr que todos los canales tengan la misma respuesta pasa banda (obviamente con distinta
frecuencia central) y que tengan una estabilidad idntica para poder realizar integraciones largas.
Existen otros tipos de espectrmetros que realizan un anlisis de Fourier de la seal, los que usan
propiedades de la correlacin de seales y otros tipos ms sofisticados como los espectrmetros
acusto-pticos (AOS - Acousto-Optical Spectrometer) 61.
Luego de la amplificacin la seal pasa por un filtro pasa-banda centrado en 1390 [MHz],
a la salida del filtro pasa-banda se ubica un aislador que impide que la potencia reflejada en el
segundo mezclador se devuelva generando oscilaciones indeseadas en el sistema o respuestas
espurias en el diodo Schottky.
61
Una descripcin completa de estos dispositivos se da en [12].
39
En esta etapa se realiza una segunda conversin a la frecuencia intermedia de 150 [MHz],
la seal de oscilador local se obtiene de un oscilador de cristal a 1.24 [GHz] y la seal a la salida
de este mezclador es nuevamente amplificada en 30 [dB], para finalmente llegar al espectrmetro.
Hasta 1988 el espectrmetro era un banco de filtros de 256 canales, cada uno con un ancho
km
de banda de 500 [kHz]. Lo anterior permita una resolucin de 1.3 , y un rango espectral 62
s
km
de 128 [MHz] o 333 .
s
En 1988 este espectrmetro fue trasladado al radiotelescopio gemelo 63 y el espectrmetro
del radiotelescopio pas a ser una banco de filtros de 256 canales de 100 [MHz] de ancho, lo que
km
se traduca en un ancho de banda total de 25.6 [MHz] o un rango de velocidades entre 66 y
s
km
70 , dependiendo de la frecuencia.
s
En el marco de una cooperacin con el Max-Planck-Intitut fr Radioastronomie (MPIfR)
durante un par de aos se oper un espectrmetro acusto-ptico que permita una resolucin de
1.07339 [MHz] y un ancho de banda 274.8 [MHz]. Este AOS regres al MPIfR una vez
terminado el proyecto [3].
Figura 5.4: Segunda etapa de frecuencia intermedia y espectrmetro.

62 En radioastronoma usualmente se habla de rango de velocidades en lugar de rango de frecuencias. Estas dos cantidades estn relacionadas por medio del efecto Doppler, dada
por la expresin
63
f
=
f
c
. Donde c es la velocidad de la luz.
Ver punto 5.16 de esta memoria para saber ms del radiotelescopio gemelo.
40
Finalmente el diagrama que rene todas las etapas del receptor del SMWT se muestra en la
Figura 5.5.
Figura 5.5: Diagrama completo del receptor del SMWT.

La Figura 5.6 muestra un espectro tpico de los obtenidos usando el radiotelescopio. La
escala horizontal representa la velocidad del gas molecular con respecto al estndar de reposo
local (LSR - Local Standard of Rest) que se define como la velocidad de un punto ubicado
instantneamente en la posicin del Sol y que se mueve en orbita circular con respecto al centro
de la Va Lctea 64. La escala vertical es la temperatura de antena, el asterisco indica que aunque
se han corregido algunos efectos como la atenuacin de la atmsfera, prdidas resistivas y otras,
no se trata de la temperatura de radiacin final. El detalle del significado de esta temperatura y la
forma de llegar al resultado final se dan en [1].
64
Esto corresponde a la definicin dinmica. Existe otra definicin, denominada cinemtica, que se basa
en el movimiento promedio de las estrellas en la vecindad solar.
41
Figura 5.6: Espectro tpico del CO obtenido usando el radiotelescopio SMWT.
42
5.3. Oscilador Local
Este dispositivo es el encargado de generar la frecuencia de referencia que permite obtener

desde el primer mezclador una seal de salida de ms baja frecuencia pero con iguales
caractersticas a la seal de entrada al receptor.
El oscilador local se compone de dos elementos principales, estos son:
La fuente de radiofrecuencias.
Phase Lock Loop que permite realizar el control de frecuencia.
En el presente captulo se da una descripcin general de ambos bloques, entregndose

algunos detalles sobre el funcionamiento de las tecnologas usadas en este radiotelescopio tanto en
su configuracin original como la del actual oscilador local.
Debido a que el oscilador local tiene un papel fundamental en el funcionamiento del
receptor, ste debe cumplir con exigentes caractersticas para asegurar el correcto funcionamiento
del sistema.
Como se vio en la Ecuacin 3.3 la potencia de la seal a la salida del mezclador es
directamente proporcional a la potencia del oscilador local, es por esto que cualquier variacin en
la potencia de salida del oscilador local generar una variacin en la potencia de frecuencia
intermedia, lo que puede mal interpretarse como una variacin de la potencia en la fuente
radiostronmica.
Adems de este problema con la potencia de salida se requiere que la frecuencia de salida
sea igualmente estable y precisa, pues cualquier variacin de la frecuencia de salida puede llevar a
una errnea interpretacin, debido a que puede ser interpretada como un movimiento de la fuente,
debido a que las diferencias de frecuencia son interpretados como velocidades relativas (este es un
problema realmente serio en la observacin de lneas espectrales).
Actualmente existen una gran variedad de tecnologas de oscilador local disponibles. La
eleccin de una en particular depende, entre otras cosas, de los niveles de potencia, ruido y el
rango de frecuencia requerido.
5.3.1. Oscilador local original
En este radiotelescopio se realizan dos conversiones de frecuencia, la primera requiere de

un oscilador local funcionando tpicamente a 57 [GHz] y un multiplicador X2 que permite obtener
una frecuencia de 113.9 [GHz]. La segunda conversin requiere de un oscilador a 1.24 [GHz].
Estas frecuencias corresponden a las necesarias para observar la lnea de emisin J = 1 0 de
CO, modificando la primera se podra eventualmente observar otras transiciones.
Originalmente el oscilador local de este receptor, corresponda a un oscilador del tipo
Klystron que generaba una frecuencia de 57 [GHz] y una potencia cercana a 25 [mW]. El
Klystron es un tipo de oscilador de tubo de microondas que funciona por medio de un mecanismo
de modulacin de la velocidad de un haz de electrones y realimentacin (ms detalles en 5.3.1.1).
En la Figura 5.7, se aprecia la estructura que tena el receptor del SMWT con el antiguo oscilador
local.
43
El Klystron generaba una frecuencia de 57 [GHz], parte de la potencia de esta seal segua
su camino hasta el diplexor de anillo resonante y una parte de ella era desviada por medio de un
acoplador direccional hasta un harmonic mixer donde se obtena una seal de frecuencia
intermedia a 850 [MHz] que serva de realimentacin para un Phase Lock Loop que permita
estabilizar la frecuencia de salida del Klystron al valor de 57 [GHz]. Los detalles del
funcionamiento de este sistema se pueden ver en [16].
Figura 5.7: Estructura que tena el receptor del SMWT con el antiguo oscilador local tipo
Klystron.
5.3.1.1. Principio de funcionamiento
Un esquema bsico de este tipo de oscilador se muestra en la Figura 5.8. El

principio de funcionamiento es el siguiente: se genera un haz de electrones que es
acelerado para hacerlo pasar por una cavidad resonante. En la cavidad resonante se genera,
como respuesta a una seal de corriente alterna acoplada a la cavidad, una onda que
modifica la velocidad de los electrones del haz (modulacin de velocidad).
44
Figura 5.8: Esquema bsico de un Klystron.

Esta onda tiene la misma frecuencia que el campo en la cavidad y una velocidad un
poco menor a la del haz. El haz modulado en velocidad sigue su camino hacia el reflector
que est a potencial negativo para frenar el haz y eventualmente hacer que ste cambie su
direccin retornando a la cavidad. Este mecanismo permite realimentar la seal de
corriente alterna que modul el haz. Dependiendo de la fase y la magnitud del
acoplamiento entre el haz y la cavidad se puede obtener oscilaciones auto sostenidas en el
Klystron. Una descripcin completa y detallada de este dispositivo se puede encontrar en
[16].
5.3.1.2. Caractersticas del Klystron usado en el oscilador.
El Klystron usado en el receptor es el modelo VRE-2103B19, fabricado por

Varian, Canad. En condiciones de operacin tpicas se usa un voltaje de haz de 1500 [V],
y un voltaje de reflector de 500 [V] con respecto al voltaje de haz. Debido a que se usa una
cavidad resonante el Klystron es capaz de generar frecuencias en un pequeo rango. Para
evitar el calentamiento del Klystron, ste es enfriado por medio de circulacin de agua.
45
5.3.2. Modernizacin del Oscilador original del receptor por uno del tipo Gunn.
Durante el ao 2005, Walter Max-Moeberck [11] realiz el reemplazo del oscilador local
del receptor del tipo Klystron por uno del tipo Gunn, a continuacin se explican detalles de este
nuevo oscilador.
5.3.2.1. Principios de operacin del oscilador Gunn.
Un oscilador Gunn se compone bsicamente de un dispositivo semiconductor

(dispositivo Gunn) acoplado a una cavidad resonante. El principio de funcionamiento se
basa en el hecho que la estructura de bandas de algunos semiconductores (GaAs, InP o
CdTe) tiene la banda de conduccin dividida en dos bandas muy cercanas, una de ellas de
baja energa-alta movilidad y la otra de alta energa-baja movilidad.
Cuando hay ms electrones en la banda de baja energa-alta movilidad la
conductividad es mayor, que cuando hay ms en la banda de alta energa-baja movilidad,
pues la conductividad se relaciona directamente con la movilidad de los portadores de
carga (Una discusin completa sobre las propiedades bsicas de semiconductores se puede
encontrar en [17]).
En trminos de comportamiento como elemento de circuito se tiene que la
caracterstica corriente-voltaje de un semiconductor de este tipo es como el de la Figura
5.9.
Figura 5.9: Caracterstica corriente-voltaje de un dispositivo Gunn.

En la figura anterior se tiene una zona de resistencia diferencial negativa, que se
forma cuando los electrones pasan de la banda de baja energa a la de alta, disminuyendo
la resistencia. Hay bsicamente dos modos de operacin que generan oscilaciones, el
primero de ellos se denomina modo de tiempo de trnsito (transit-time mode) o modo
Gunn y consiste en aplicar al dispositivo un voltaje mayor que el umbral, de este modo se
forma un dominio bipolar (Figura 5.10) que separa una regin de alta movilidad de una de
baja movilidad.
46
Este dominio viaja desde el ctodo al nodo donde se destruye, este proceso se
repite sucesivamente generando oscilaciones cuyo periodo est dado por el tiempo de
trnsito del dominio bipolar. El principal problema de este modo de operacin es que la
frecuencia no puede ser controlada externamente y que no es muy eficiente en trminos de
generacin de potencia.
Figura 5.10: Dispositivo Gunn en modo de tiempo de trnsito.

El segundo modo de operacin se denomina modo de carga espacial limitada
(limited space-charge (LSA)) y consiste en acoplar el dispositivo Gunn a un circuito
resonante con una frecuencia varias veces mayor que la frecuencia de oscilacin del modo
de tiempo de trnsito, de esta forma el dominio bipolar no tiene tiempo de formarse, por lo
que el comportamiento del dispositivo Gunn es esencialmente el de un dispositivo de
resistencia negativa. En este modo de operacin el dispositivo se polariza con un voltaje
ligeramente mayor al umbral, de esta forma genera oscilaciones con una amplitud tal que
cubre toda la zona donde la resistencia es negativa (Figura 5.11).
Algunas configuraciones usadas en la prctica se muestran en las siguientes
figuras. Ambas corresponden a la operacin en el modo LSA, pues ste permite realizar el
control de la frecuencia de las oscilaciones.
Figura 5.11: Dispositivo Gunn en modo de carga espacial limitada.

47
La primera configuracin (Figura 5.12) permite ajustar la frecuencia de oscilacin

por medio de un tornillo sintonizador. En esta configuracin los transformadores
permiten ajustar la impedancia de la cavidad a la salida.
Figura 5.12: Ejemplo de configuracin de oscilador Gunn.

La segunda configuracin (Figura 5.13) permite ajustar electrnicamente la
frecuencia de oscilacin por medio de un diodo varactor (dispositivo de capacidad variable
y controlable).
Figura 5.13: Otro ejemplo de configuracin de oscilador Gunn.
48
5.3.2.2. Caractersticas del oscilador Gunn
El oscilador Gunn que se instal en el receptor fue fabricado por J. E. Carlstrom

Co., este equipo es capaz de entregar directamente la frecuencia de 113.9 [GHz], sin
necesidad de un multiplicador X2, con un nivel de potencia cercano a los 20 [mW]. Esto lo
hace apropiado para la sintonizacin del receptor a 115.3 [GHz].
El oscilador Gunn es capaz de oscilar a frecuencias entre 85 [GHz] y 116 [GHz]
entregando una potencia de salida mayor a 10 [mW], esto ltimo permite la observacin de
un gran nmero de transiciones moleculares.
El ajuste de frecuencia de este oscilador se realiza por medio de un tornillo
micromtrico y un voltaje de polarizacin del orden de 10 [V], 170 [mA].
El tornillo permite hacer una seleccin gruesa de la frecuencia de salida, mientras
que el voltaje de bias permite variar la frecuencia electrnicamente en valores del orden de
100 [MHz] cada 0.2 [V].
El oscilador cuenta con un segundo tornillo micromtrico que permite optimizar el
acoplamiento entre la cavidad resonante y la salida, aumentando la potencia de salida.
Figura 5.14: Oscilador Gunn de J. E. Carlstrom Co.
49
5.3.3. Comparacin con el Klystron
El oscilador Gunn tiene mltiples ventajas en comparacin con el Klystron. Entre estas
destacan.
Rango de frecuencias de oscilador local: Mientras que con el Klystron slo se pueden
generar frecuencias de oscilador local entre 108 [GHz] (54 [GHz] a la salida del Klystron) y 118
[GHz] (59 [GHz] a la salida del Klystron), esto gracias al efecto del multiplicador, con el
oscilador Gunn se puede cubrir toda la banda entre 85 [GHz] y 116 [GHz], sin necesidad de
contar con el multiplicador. Lo anterior significa que el receptor puede ser sintonizado para
observar una mayor cantidad de transiciones moleculares, aumentando sus potencialidades
cientficas.
Facilidad de operacin: El Klystron requiere de altos voltajes para ser operado y de una
bomba de agua para ser enfriado. El oscilador Gunn slo requiere de una polarizacin del orden
de 10 [VDC] para generar potencia y un disipador de calor. Si bien tambin se requiere de la
implementacin de un phase lock loop (PLL) esto no genera mayores complicaciones.
5.3.4. Principios de funcionamiento y especificaciones de los componentes del oscilador

local.
En esta seccin se describen las caractersticas y parmetros que definen el

comportamiento de los dispositivos utilizados en este oscilador. El oscilador Gunn fue fabricado
por J. E. Carlstrom Co. Las especificaciones de ste se dan en la Tabla 5.1.
Rango de Frecuencias
Potencia de salida
Voltaje de polarizacin
~ 82 [GHz]
~ 117 [GHz]
Ver Figura 5.15

~ 10 [VDC], ~ 170 [mA]
Tabla 5.1: Datos bsicos oscilador Gunn de J. E. Carlstrom Co.
50
Figura 5.15: Potencia de salida versus frecuencia para el oscilador Gunn de J. E. Carlstrom Co.
(Datos reportados por el fabricante).
5.3.5. Aspectos bsicos sobre el Phase Lock Loop
Debido a la dependencia de la frecuencia de salida de los osciladores con la temperatura,

las variaciones de la impedancia de la carga u otras causas, se requiere de algn esquema por
medio del cual se pueda estabilizar la frecuencia de salida.
Esta estabilizacin de la frecuencia de salida se logra por medio del llamado Phase Lock
Loop, cuyas principales caractersticas se discuten a continuacin.
La configuracin clsica de un Phase Lock Loop se muestra en la Figura 5.16.
Figura 5.16: Configuracin bsica de un Phase Lock Loop.

51
El detector de fase es un dispositivo que compara dos frecuencias de entrada generando

una salida que es una medida de la diferencia de fase de las seales entrantes.
Si las seales no tienen frecuencias iguales el detector de fase genera una seal de error
que luego de ser filtrada y amplificada es aplicada al oscilador controlado por voltaje (VCO Voltage Controlled Oscillator) de modo de desviar su frecuencia en la direccin de fIN.
Con un diseo apropiado se logra finalmente que fVCO sea igual a fIN y que mantengan una
relacin de fase constante.
Los dispositivos instalados en el receptor del SMWT fueros fabricados y distribuidos por
XL Microwave Inc. y consistieron en un Oscillator Phase Lock Module, Model 800A y un
Control Unit, Model 801 (ver Figura 5.17).
Figura 5.17: Phase Lock Loop para oscilador Gunn de XL Microwave.
52
Finalmente un diagrama del receptor del SMWT con el oscilador Gunn incorporado se
muestra en la Figura 5.18.
Figura 5.18: Estructura que tiene el receptor del SMWT con el nuevo oscilador local tipo Gunn.
53
5.4. Amplificadores
Este dispositivo consiste en un elemento que provee ganancia de potencia a una seal de
entrada. Tal ganancia se expresa generalmente en decibeles (dB) y viene dada por:
P
G[dB ] = 10 log out
Pin
[dB ]
(5.1)
Donde Pout es la potencia de salida y Pin es la potencia de entrada.

Segn su aplicacin se pueden encontrar diversos tipos de amplificadores, por ejemplo, en
las ltimas etapas de un transmisor se usan amplificadores de potencia con altos niveles de
potencia de salida, mientras que en las primeras etapas de recepcin se usan amplificadores de
bajo ruido (LNA), los cuales tienen bajos niveles de ruido y alta ganancia.
En un LNA las consideraciones de diseo ms importante son:
1.
2.
3.
4.
El ruido.
La ganancia.
La estabilidad.
Y el rango de frecuencias de operacin.
En los amplificadores usados con fines radioastronmicos el ruido y la estabilidad son los
factores ms importantes, estos dispositivos suelen estar enfriados a temperaturas criognicas y no
son usados en condiciones de mxima ganancia, esto para operar en su rango dinmico.
Si fuese necesario, dos o ms amplificadores pueden ser puestos en serie para lograr la
ganancia deseada, si la ganancia se mide en decibeles, la ganancia total ser la suma de las
ganancias individuales de cada amplificador.
En cuanto a la estabilidad, los amplificadores pueden ser altamente estables si para
cualquier carga pasiva o desadaptacin de impedancia se mantienen sin oscilaciones de ganancia,
o condicionalmente estables si son estables slo para ciertas cargas o impedancias.
En la actualidad la tecnologa de los LNA llega hasta frecuencias cercanas a 150 [GHz]
con amplificadores del tipo HEMT (como el amplificador con el que cuenta el receptor del
SMWT), a frecuencias mayores la primera etapa de recepcin es reemplazada por mezcladores de
alta sensibilidad tipo SIS o HEB.
Para incorporar adecuadamente un amplificador a un sistema receptor se deben tomar en
cuenta dos aspectos importantes, la adaptacin de impedancias y el bias del dispositivo.
La adaptacin de impedancias es algo crtico, ya que a mayor frecuencia de operacin es
ms difcil lograr amplificadores incondicionalmente estables. Desadaptaciones a la entrada o
salida del amplificador pueden provocar ondas estacionarias que lo desestabilicen y daen.
En cuanto al bias, el fabricante entrega en el datasheet 65 especificaciones de ruido y
ganancia en funcin de la corriente. Para un LNA la corriente de bias estar dada por la regin en
que la curva de figura de ruido sea menor, y en esa regin el punto con mayor ganancia. Por
ejemplo, en la Figura 5.19 la corriente de bias ptimo sera alrededor de 15 [mA].
65
Datasheet u hoja de especificaciones.
54
Figura 5.19: Curvas de ganancia y figura de ruido (ambas en dB) en funcin de la corriente de
bias (en mA).
5.4.1 Incorporacin del amplificador HEMT.
Como se mencion anteriormente este dispositivo proporciona grandes ventajas a un

receptor, fue por eso que en una memoria anterior [14] se realiz la incorporacin de un
amplificador de bajo ruido del tipo HEMT al front-end del receptor del SMWT. El amplificador
que se utiliz fue producto de una colaboracin entre la Universidad de Chile y CALTECH. Este
amplificador puede operar en la banda de los 85 [GHz] hasta los 115 [GHz] con al menos 25 [dB]
de ganancia.
Con la incorporacin de este amplificador se logr disminuir la temperatura de ruido del
sistema, de modo que el receptor sea capaz de detectar seales ms dbiles que las que detectaba
anteriormente.
Figura 5.20: Amplificadores HEMT adquiridos gracias a la colaboracin entre la Universidad de

Chile y CALTECH.
55
5.4.2 Nuevo diseo del front-end del receptor del SMWT.
Para lograr disminuir la temperatura de ruido del receptor, el amplificador HEMT fue
ubicado como primer componente del sistema, es decir, inmediatamente despus del Horn o
bocina y de la ventana de vaco.
Entre el amplificador HEMT y el resonant ring se utiliz un aislador, el cual tiene una
doble finalidad:
Por una parte, proteger el amplificador de posibles ondas reflejadas desde el mixer o
mezclador.
Y por otro lado, evitar que potencia acoplada desde el oscilador local hacia el HEMT
pueda daar este componente al ingresar en reversa.
Luego de la incorporacin del HEMT y el aislador, el diseo del receptor del SMWT
result ser el de la Figura 5.21.
Figura 5.21: Estructura que tiene el receptor del SMWT luego de la incorporacin del
amplificador HEMT y el aislador.
56
5.5. Harmonic mixer
La funcin del harmonic mixer es mezclar la seal del oscilador Gunn (con una frecuencia
del orden de 100 [GHz]) con armnicas de una seal de oscilador local a una frecuencia bastante
menor (de unos pocos GHz). De este modo se puede contar con una referencia de una frecuencia
mucho ms baja, lo cual hace ms fcil satisfacer los requerimientos de estabilidad.
El harmonic mixer es un dispositivo de dos terminales, uno de ellos permite la entrada de
la seal del oscilador Gunn, mientras que el otro terminal permite la entrada de la seal de
referencia y al mismo tiempo la salida de las combinaciones generadas en el dispositivo. Es por
esta razn que se requiere separar por medio de filtros estas seales usando un diplexor 66 (ver
5.6).
El harmonic mixer usado en este receptor es el modelo WM de Pacific Millimeter
Products 67, el cual se puede observar en la Figura 5.22
Este harmonic mixer permite bajar la frecuencia de la seal de salida del oscilador Gunn,
por medio de la combinacin de sta con armnicas de una seal de aproximadamente 4 [GHz].
Esta seal debe ser controlable por medio de un sintetizador de frecuencia, esto para poder
sintonizar la salida del Gunn a distintas frecuencias y permitir la observacin de material a
distintas velocidades y para distintas lneas de emisin.
Figura 5.22: Harmonic mixer para banda W de Pacific Millimeter Products.
5.6. Diplexor
Dado a que el harmonic mixer es un dispositivo de dos terminales, se requiere separar la

seal de referencia de las seales generadas por l, las cuales salen por el mismo terminal.
Un diplexor es un dispositivo que permite separar (o unir) dos bandas de frecuencia.
Para el caso del SMWT se decidi reutilizar el diplexor presente en la unidad de PLL del
Klystron, esta alternativa ya fue usada en el radiotelescopio milimtrico del CfA 68 y dio buenos
resultados.
Este dispositivo es en realidad un triplexor, por lo que adems permite la administracin
de polarizacin al harmonic mixer o de un retorno a tierra en caso que la polarizacin no sea
necesaria.
66
En realidad este diplexor corresponde a un triplexor.

Para detalles de su ficha tcnica se recomienda leer el apndice C de la bibliografa [11].
68
CfA o telescopio gemelo, para mayores detalles se recomienda ver el punto 5.15 de la presente memoria.
67
57
5.7. Atenuadores
Los atenuadores permiten regular el nivel de potencia de modo de proteger algunos

elementos y ajustar mejor la respuesta de ciertas secciones. Estos tambin contribuyen a disminuir
el efecto del mal acoplamiento entre dispositivos.
Los atenuadores pueden ser fijos o variables y existen muchas formas de construirlos,
algunas de estas formas son discutidas en [18].
Uno de los mejores atenuadores que existen es el atenuador giratorio (rotary attenuator),
que se muestra en la Figura 5.23. Conceptualmente el funcionamiento es el siguiente: la onda
entra al atenuador con el campo elctrico perpendicular a la tarjeta resistiva (resistive card) por lo
que se produce poca atenuacin. Al pasar a la gua cilndrica la onda sufre una atenuacin
determinada por la componente del campo elctrico alineada con la tarjeta resistiva rotatoria.
Como el campo que emerge de la gua circular no es completamente perpendicular a la tarjeta
resistiva, se produce una segunda atenuacin a la salida. Es fcil probar (ver [8]) que la
atenuacin est dada por:
= 40 log (sin ( )) [dB ] (5.2 )
Donde representa el ngulo de rotacin de la gua circular con respecto a la gua
rectangular.
Figura 5.23: Atenuador giratorio.

El parmetro ms importante de un atenuador es la atenuacin, que corresponde a la razn
entre la potencia de entrada y la de salida del atenuador en decibeles.
58
5.8. Aislador
El aislador es un dispositivo de dos terminales que permite la transmisin con muy poca
atenuacin en una direccin, y con un gran nivel de atenuacin en la otra.
Este dispositivo se usa generalmente para acoplar una fuente de microondas a la carga,
esto debido a sus propiedades que permiten que la fuente siempre vea una carga adaptada,
disminuyendo las variaciones en la potencia de salida y frecuencia que podran producirse.
Figura 5.24: Atenuador para banda W.

El funcionamiento de este dispositivo se basa en un fenmeno denominado rotacin de
Faraday que corresponde a la rotacin del plano de polarizacin de una onda electromagntica
linealmente polarizada cuando esta atraviesa ferritas. Esta rotacin es producto de las distintas
constantes de propagacin para las ondas circulares de polarizacin dextrgira y levgira.
Un esquema de un aislador y de la forma en que este opera se muestra en la Figura 5.25.
En una direccin se produce un giro en 45o el cual es compensado por la rotacin Faraday en las
ferritas. La onda que sale del aislador lo hace con su direccin de polarizacin perpendicular a la
tarjeta resistiva sufriendo muy poca atenuacin. Para la otra direccin se produce una rotacin en
45o en las ferritas y una segunda rotacin en sta cantidad, de este modo se logra que la direccin
de polarizacin quede paralela a la tarjeta resistiva producindose una atenuacin casi total de la
onda incidente. Los detalles del aislador y la propagacin de ondas electromagnticas en ferritas
se pueden ver en [18].
59
Figura 5.25: Funcionamiento del aislador (rotacin de Faraday) [18].

En el caso de este receptor la mayor desadaptacin de impedancia podra darse en el
diplexor de anillo resonante y el amplificador HEMT, por lo que el aislador es necesario para
impedir que esto genere un mal funcionamiento del oscilador Gunn.
5.9. Acoplador direccional
Un acoplador direccional es un dispositivo de cuatro puertos (puertos 1, 2, 3 y 4) que

idealmente estn perfectamente acoplados a la red (no hay reflexiones) y tiene las siguientes
propiedades:
La potencia incidente en el puerto 1 (P1), se transfiere a los puertos 2 (P2) y 3 (P3). No

hay transferencia de potencia al puerto 4 (P4).
La potencia incidente en el puerto 4, se transfiere a los puertos 2 y 3. No hay transferencia

de potencia al puerto 1.
Lo de los puntos anteriores se repite para los puertos 2 y 3, en relacin a los puertos 1 y 4.
De lo anterior se tiene que los pares de puertos 1-4 y 2-3, deberan estar completamente
desacoplados. En las aplicaciones el puerto 4 se termina con una carga adaptada, por lo que se
trata de un dispositivo con tres puertos. Si se hace incidir potencia por el puerto 1, sta debera
transferirse a los puertos 2 y 3. De haber transferencia al puerto 4 esta debera ser absorbida por la
terminacin.
60
Los acopladores direccionales que usan guas de onda usualmente se construyen con dos
secciones de gua de onda paralelas (ver Figura 5.26). En la pared comn a ambas se construyen
aberturas de acoplamiento que permiten la transferencia de potencia. La teora que permite
entender y disear estos acopladores direccionales es revisada en [18].
Figura 5.26: Esquema de funcionamiento del acoplador direccional.

El acoplador direccional permite tomar una muestra de la frecuencia generada por el
oscilador del tipo Gunn, esta muestra de frecuencia hace posible que la unidad PLL controle la
frecuencia de salida del Gunn.
5.10. Conectores y guas de onda
Para blindar las seales de inters de las seales externas, se usan tanto guas de onda para
las seales analgicas, como cables coaxiales para las seales digitales.
Las conexiones por medio de cables coaxiales tienen dos limitaciones, el aumento de las
prdidas en los conductores al aumentar la frecuencia y la excitacin de modos de gua de onda
cilndrica. Este comportamiento est determinado tanto por el tipo de cable como por los
conectores usados, siendo este ltimo el factor ms importante en la determinacin del
comportamiento a alta frecuencia de un sistema conector-cable.
Existe una gran cantidad de conectores para radiofrecuencias, su diseo depende de su
finalidad, numero de conexiones-desconexiones y rango de frecuencias.
Los conectores usados en este receptor y su frecuencia mxima son (Figura 5.25): BNC, 2
[GHz]; N, 18 [GHz]; SMA, 12.4 [GHz]. Todos ellos tienen una impedancia de 50 [].
Figura 5.27: Conectores de radiofrecuencia usados. De izquierda a derecha, BNC, N y SMA.

Al ir aumentando an ms la frecuencia las prdidas y la excitacin de modos de gua de
onda hacen imposible realizar la transmisin por medio de cables coaxiales y se debe usar guas
de onda. Las guas de onda encontradas en este receptor reciben las denominaciones estndar:
WR-15 para la banda V, 50-75 [GHz] y WR-10 para la banda W, 75-110 [GHz].
61
5.11. Otros instrumentos en la misma banda de frecuencias
A fin de comparar algunas de las tecnologas en la banda de inters de esta memoria (entre
los 85 [GHz] y los 115 [GHz]) se muestra a continuacin una tabla comparativa de distintas
instalaciones y su tecnologa asociada (ver Tabla 5.2). El objetivo de esta revisin de
radiotelescopios es sacar ideas acerca de sus diseos y tratar de incorporarlas en el receptor del
SMWT.
Tabla 5.2: Otros receptores que operan en la banda 85-115 [GHz] 69

Se puede observar que los mezcladores SIS son la tecnologa dominante para realizar
observaciones en esta banda, encontrndose tan slo dos receptores que funcionan basados en
amplificadores HEMT como front-end. Se recuerda que sta es la tecnologa con que cuenta el
receptor del SMWT. Un caso importante es el CfA 1.2m Telescope (el telescopio gemelo del
SMWT), el cual es descrito en el anexo E.1.7 de la presente memoria.
Para el presente trabajo son de particular importancia los ejemplos del Five College Radio
Astronomical Observatory (FCRAO) y el de Australia Telescope Compact Array (ATCA), pues
ambos utilizan amplificadores HEMT como front-end.
Sin embargo el receptor australiano tiene una primera etapa de amplificacin que opera
enfriada con helio. Luego, la seal es conducida hacia un mezclador que se encuentra al exterior
del termo, es decir, a temperatura ambiente. Este receptor no puede operar en toda la banda,
llegando slo hasta los 105 [GHz].
69
Mayores detalles sobre estos radiotelescopios se pueden encontrar en el Anexo E.1.
62
6. Estudio realizado para solucionar el problema de la

banda imagen.
6.1. Explicacin del problema
El problema de la banda imagen se origina en la etapa de mezclado de las seales IM 70 y

RF (seales provenientes del espacio) con la seal OL 72 (proveniente del oscilador local), la
seal imagen puede tener un origen csmico o simplemente corresponder a ruido. Este problema
se puede describir de la siguiente manera.
71
Figura 6.1: Diagrama de bloques de un receptor similar al SMWT donde se observa el problema
de la banda imagen.
La seal o espectro a la salida de un mezclador (mixer) excitado con la seal Vin contiene
mltiples combinaciones lineales de las frecuencias IM, RF y OL. Esto debido a la caracterstica
no lineal del mezclador, de esta manera se puede expandir en una serie de Taylor, obtenindose a
la salida del mixer o mezclador la Ecuacin 6.1.
I out = a (Vin ) + b(Vin ) + (3) + ......
(6.1)
Despreciando los componentes de orden 3 y superiores, considerando que el voltaje de

entrada al mezclador corresponde a la suma de la seal de origen extraterrestre y la seal
proveniente del oscilador local, es decir:
Vin = V IM cos( IM t ) + VRF cos( RF t ) + VLO cos( LO t )
(6.2)
Luego al expandir la Ecuacin 6.2 se obtiene la Ecuacin 6.3. En ella es posible identificar
las distintas componentes de frecuencia que se encuentran a la salida del mezclador.
I out = a1 cos( RF t ) + a 2 cos( LO t ) + a3 cos(( RF LO )t ) + a 4 cos(2( RF )t ) + a5 cos(2( LO )t )
+ a1 cos( IM t ) + a 2 cos( LO t ) + a3 cos(( IM LO )t ) + a 4 cos(2( IM )t ) + a5 cos(2( LO )t )

,
70
IM corresponde a la parte de la seal proveniente del espacio que posee frecuencia de valor IM.
RF corresponde a la parte de la seal proveniente del espacio que posee frecuencia de valor RF.
72
OL corresponde a una seal de referencia proveniente de un oscilador local que posee frecuencia de valor OL.
71
63
(6.3)
El filtro pasa banda (Filtro IF en la Figura 6.1) que se ubica inmediatamente despus de
este bloque tiene como finalidad seleccionar la componente de frecuencia = RF LO , cuya
amplitud, a3, es directamente proporcional a la amplitud de la seal RF que se desea medir [31] 73.
Sin embargo de la misma manera este filtro seleccionar la componente de frecuencia
= IM LO , cuya amplitud, a3, , es directamente proporcional a la amplitud de la seal IM
que no se desea medir.
El problema de este esquema y que concita parte del inters de esta memoria, es que tanto
la seal en cuestin (RF) como su imagen (IM) son trasladadas hasta la misma parte del espectro,
lo cual se observa en la Figura 6.2. Cuando un receptor opera con esta modalidad se dice que
trabaja en modo de doble banda o DSB 74.
Figura 6.2: Problema de la banda imagen.

En la Figura 6.2 (a) se puede observar el estado de las seales IM, RF y OL antes del
proceso de mezclado, posteriormente en la Figura 6.2 (b) se puede observar que sobre IF se
superponen tanto la seal de inters (RF-OL) como la seal imagen (IM-OL).
73
74
En particular se recomienda observar el capitulo 2 de la tesis [31].

DSB o Double Side Band, desde ahora en adelante se usara esta nomenclatura para referirse a este concepto.
64
Sean WLO la frecuencia asociada al oscilador local, WIM una frecuencia cualquiera, donde
WIM es inferior a la frecuencia WLO, tal que WIM-WLO = -= -WIF y WRF la frecuencia de inters
tal que WRF -WLO = = WIF, esto provocar tres eventuales situaciones al momento de observar
la seal que se desea analizar (WRF).
1.
La seal WIM 0 y WRF 0 (Figura 6.3 (a)), luego de la etapa de mezclado -WIF se
replicar en la parte positiva del espectro, montndose sobre la seal de inters WIF (Figura 6.3
(b)).
Figura 6.3: Primer caso del problema de la banda imagen.
65
2.
La seal WIM = 0 y WRF 0 (Figura 6.4 (a)), luego un eventual ruido disminuir la razn
seal a ruido de la seal de inters (Figura 6.4 (b)).
Figura 6.4: Segundo caso del problema de la banda imagen 75.
75
Cabe destacar que en la Figura 6.4 no se ha dibujado el ruido, sin embargo este siempre existe, y en este caso en
particular equivale a disminuir la amplitud de la seal RF.
66
3.
La seal WIM 0 y WRF = 0 (Figura 6.5 (a)), luego -WIF se replicar en la parte positiva del
espectro, dando a entender de que existe seal de inters sin existirla en realidad (Figura 6.5 (b)).
Figura 6.5: Tercer caso del problema de la banda imagen.

Es por esto que resulta de alta importancia corregir el problema de la banda imagen.
67
6.2. Tecnologas disponibles [27].
En esta parte de la memoria se mostrarn tres tcnicas existentes para solucionar el

problema de la banda imagen, sin embargo se hace la salvedad de que estas no son las nicas,
pudindose encontrar otras formas para solucionar este problema que van a variar dependiendo de
la frecuencia a la cual se esta trabajando y la tecnologa utilizada en las etapas posteriores en el
receptor.
Las tecnologas que aqu se describen son las ms apropiadas para la frecuencia del
SMWT, se recomienda mirar la Figura 6.2 para mayor comprensin de las explicaciones
asociadas a cada una de las tecnologas.
6.2.1. Mediante el uso de Filtros
Una tcnica utilizada es el uso de filtros antes de la etapa de mezclado, esto permite
eliminar la seal de frecuencia WIM antes de obtenerse la seal imagen de dicha seal (- = WIF).
La eleccin de un filtro a la entrada es altamente dependiente de los requerimientos

del mezclador, esto dado que el sintonizador del mezclador Shottky del receptor del
SMWT opera mejor cuando es conectado a fuentes de impedancia del mismo valor, por lo
que un filtro implementado en la primera etapa debera al menos satisfacer este
requerimiento.
Existen filtros de dos y cuatro puertos los cuales estn sintonizados para trabajar a
ciertas bandas de frecuencia, ya que a estas frecuencias (del orden de los 100 [GHz]) no
resulta conveniente desarrollar filtros activos 76 debido a complicaciones tecnolgicas y
econmicas.
Los filtros sean de dos o cuatro puertos cumplen la funcin de eliminar la seal
cuya frecuencia no es de inters, generalmente esta seal indeseada se elimina mediante
elementos pasivos, un ejemplo de filtros a la frecuencia de inters (alrededor de 100
[GHz]) son los filtros Fabry Perot [30], otro filtro en ese orden de frecuencias y sus
caractersticas se pueden observar en la Figura 6.6.
76
Son filtros que pueden trabajar en rangos de frecuencia variable.
68
Figura 6.6: Filtro de Millitech que opera a 100 [GHz] (arriba) y su caracterstica de ancho de
banda (abajo) [32] 77.
77
Se recomienda observar este catalogo para mayor informacin.
69
6.2.1.2. Ventajas y desventajas
Entre las principales ventajas destacan:
No se requiere de gran intervencin del receptor del SMWT para su

implementacin, solo bastara intercalar el filtro entre el HEMT y el anillo
resonante.
Existencia de empresas que fabrican dicha tecnologa.
Sin embargo posee las siguientes desventajas:
Poco ancho de banda 78, lo que limitara el rango de observacin del receptor
del SMWT, esto se solucionara con la implementacin de un filtro activo, sin
embargo esto resulta extremadamente costoso.
Alto costo, el cual se incremente exponencialmente a medida que se aumenta la
frecuencia.
Imposibilidad de desarrollar esta tecnologa en Chile, debido a la falta de
equipos para su implementacin.
6.2.1.3. Posibilidades de implementacin
No se recomienda utilizar este dispositivo en el receptor del SMWT, ya que

limitara demasiado el espectro observable con el receptor, de lo contraro habra que
imitar lo utilizado en el receptor SAO (radiotelescopio experimental RLT del Smithsonian
Astrophysical Observatory), el cual concentra su trabajo en cuatro partes del espectro de
frecuencia (850 [GHz], 1.03 [GHz], 1.2 [GHz] y 1.5 [GHz]), donde bsicamente se utiliza
un receptor para cada banda, por lo que posee cuatro filtros, uno para cada frecuencia de
inters, el esquema de este receptor se puede observar en la Figura 6.7.
78
Ver Figura 6.6 y catalogo de empresa Millitech.
70
Figura 6.7: Diagrama de bloques simplificado del receptor SAO.
71
6.2.1.4. Rediseo del receptor incluyendo un filtro
A continuacin se observa un diagrama de bloques del receptor del SMWT

incorporando un filtro en la primera etapa, antes del mezclador.
Figura 6.8: Diagrama de bloques de la implementacin de un filtro en el receptor del SMWT.
72
6.2.2. Mediante tcnicas de digitalizacin
Otra tcnica utilizada es el uso de filtros digitales en la etapa de baja frecuencia (en el caso
del SMWT a 150 [MHz]), esto permitira eliminar la seal imagen (fI) mediante el
aprovechamiento del desfase de mltiples seales de entrada, por lo que este procedimiento
necesita de seales proveniente de distintos receptores.
6.2.2.1. Principio de funcionamiento [28]
Este mecanismo utiliza mltiples seales de entrada, por lo que suele ser utilizado
en interfermetros. Consiste bsicamente en aprovechar la separacin espacial de las
antenas, el cual genera en desfase a nivel de frecuencia, luego mediante el uso de
computadores en la etapa digital de la seal, utiliza dicho desfase para eliminar la banda
imagen.
Los mtodos para realizar este anlisis digital son mltiples, uno de ellos consiste
en utilizar dos bancos de filtros, donde el primero suma las seales en las dos bandas
laterales (desplazamiento de fase), y los segundos las restan para proporcionar las
visibilidades para cada banda lateral por separado [29].
Lamentablemente para las necesidades del receptor del SMWT este procedimiento
presenta solo desventajas, las principales son:
Necesita de varias seales de origen simultneas, o sea de un arreglo de antenas, el

cual no es el caso del SMWT.
Necesita de un computador de alto nivel de procesamiento en la etapa digital.
Necesitara de una modificacin a nivel de programacin, en su etapa digital.
73
6.2.3. Mediante mezcladores separadores o elimina banda
En esta parte de la memoria se describirn dos tcnicas que solucionan el problema de la

banda imagen, estas dos tcnicas se encuentran fuertemente relacionadas, estas son SSB 79 y
2SB 80, sin embargo poseen una sutil diferencia que cabe la pena destacar.
El SSB filtra la banda imagen despus del mezclado, por lo tanto solo la seal de inters es
presentada a la salida como seal IF.
Por otra parte el 2SB separa la seal de inters de la parsita, con la finalidad de utilizar
ambas seales para la observacin a distintas frecuencias de inters.
Este dispositivo se colocara posterior al aislador utilizado para el HEMT (ver

Figura 5.21), por lo que recibira directamente la seal RF, tal como se observa en la
Figura 6.9, posteriormente la seal RF es dividida en dos de igual potencia (la mitad en la
entrada A y la otra mitad en la entrada B), luego cada una de estas seales son mezcladas
en mixers diferentes, donde uno de ellos posee su seal LO desfasada en -90, de esta
manera resultan dos seales, donde una de ellas (C) es producto del mezclado propio de un
proceso heterodino y otra (D) que corresponde a una heterodinacin con desfase.
Posteriormente tanto C como D son introducidas a un hbrido 81 que vuelve a
desfasar ambas seales en -90 obtenindose las seales E y F, donde se observa que E
corresponde a la llamada USB 82 y F a la LSB 83.
Figura 6.9: Diagrama de bloques de un 2SB.

79
SSB o Single Sideband receiver, desde ahora en adelante se usar esta nomenclatura para referirse a este concepto.
2SB o Sideband Separation receiver, desde ahora en adelante se usar esta nomenclatura para referirse a este
concepto.
81
Ver anexo D.3
82
USB o Up Side Band, desde ahora en adelante se usar esta nomenclatura para referirse a este concepto.
83
LSB o Low Side Band, desde ahora en adelante se usar esta nomenclatura para referirse a este concepto.
80
74
A continuacin se desarrollarn las ecuaciones que describen el comportamiento de

este dispositivo, para un mejor entendimiento se recomienda ver la Figura 6.9.
Usando la misma notacin de la parte 6.1 de la presente memoria se puede definir
V LO = V LO cos( LO t ) como la seal proveniente del oscilador local, por otra parte la seal
proveniente desde el espacio se puede definir como V RF = V RF cos( RF t ) , de esta
manera dado que la seal de frecuencia intermedia (tercer termino de la Ecuacin 6.3)
tiene como argumento de la seal sinusoidal a RF LO se define la frecuencia intermedia
como IF , donde:
IF = RF LO
RF = IF + LO
(6.4)
Lo que correspondera a la seal USB.

Por otra parte:
IF = LO RF
RF = LO IF
(6.5)
Lo que correspondera a la seal LSB.

Luego la seal USB y LSB que resultaron de la mezcla en el mixer 1 (MIX1) son:
USB cos( LO ) cos( RF ) = cos( LO ) cos( IF + LO ) =
1
(cos( IF ) + cos(2 LO + IF ) )
2
LSB cos( LO ) cos( RF ) = cos( LO ) cos( LO IF ) =
(6.6)
1
(cos( IF ) + cos(2 LO IF ) )
2
(6.7 )
Considerando solo el trmino IF que esta representado por la seal C de la Figura

6.9, se puede representar, sin perdida de generalidad a las seales USB y LSB por los
siguientes vectores.
1
1
LSB
USB
2
2
Realizando el mismo anlisis, pero esta vez para la seal que resulta del mezclado
en el mixer 2 (MIX2) se tiene que:
USB sen( LO ) cos( RF ) = sen( LO ) cos( IF + LO ) =
1
1
sen( IF ) = cos( IF + 90)
2
2
(6.8)
LSB sen( LO ) cos( RF ) = sen( LO ) cos( LO IF ) =
1
1
sen( IF ) = cos( IF 90)
2
2
(6.9)
75
Si nuevamente se considerando solo el trmino IF que esta representado por la

seal D de la Figura 6.9, se puede representar, sin perdida de generalidad a las seales
USB y LSB por los siguientes vectores.
1
LSB
2
1
USB
2
Es as luego de que ambas seales C y D pasan por el hbrido se puede realizar un

anlisis vectorial de las mismas, resultando las seales LSB y USB separadas
completamente.
2 LSB USB

= USB
LSB USB
2 LSB USB

= LSB
LSB USB
Es as que a la salida del dispositivo resultan dos seales, la de inters (USB) y la

lateral (LSB), las cuales se obtuvieron tras un primer mezclado con una seal de oscilador
en fase y la otra desfasada en 90 respectivamente y desfasadas posteriormente ambas a la
salida del dispositivo mediante un hbrido, es as que se logra la cancelacin de la banda
lateral.
Una cancelacin perfecta de la banda lateral ocurre en el caso ideal cuando las
seales del oscilador local (OL) y la seal proveniente del espacio (RF) se dividen
igualmente y se ponen en fase exactamente.
El grado de supresin de la banda lateral se relaciona directamente con el equilibrio
de la magnitud y de la fase de la energa dividida de las seales RF y de OL aplicada a
ambos mezcladores, as como el resto de la simetra de los componentes del circuito.
Con un clculo ms cuidadoso se puede definir la asimetra total de la amplitud
entre los dos ramas como x y el desequilibrio total de la fase como , entonces la
separacin real de la banda lateral en dB est dada por.
2x
cos()
12
Rechazo de la banda lateral [dB] = 10 log 1 + x

2x
cos()
1+
2
1+ x
76
(6.10)
El comportamiento de la Ecuacin 6.10 se observa claramente en la Figura 6.10.
Figura 6.10: Separacin real de la banda lateral en dB.
Las principales ventajas de esta tecnologa son:
Alta posibilidad de integracin del dispositivo en el receptor del SMWT,

bastara intercalar este dispositivo entre el aislador del HEMT y el amplificador
FET, es mas este dispositivo elimina la necesidad de contar con el anillo
1
de onda y el mixer que actualmente posee el
resonante, el transformador de
4
SMWT, quedando mucho espacio disponible en el termo.
Gran ancho de banda, lo que permitira el rango de observacin del receptor
deseable para el SMWT (entre los 85 [GHz] y los 115 [GHz]).
Aceptable costo, comparado con las otras alternativas previamente
mencionadas.
Posibilidad de desarrollar esta tecnologa en Chile, debido a que se puede
realizar el diseo mientras que su fabricacin se podra encargar a otra
institucin.
Entre las desventajas de esta tecnologa destacan:
Reciente desarrollo de esta tecnologa a esta frecuencia (entre los 85 [GHz] y

los 115 [GHz]), de hecho solo se ha encontrado informacin y resultados de las
pruebas realizadas a estos dispositivos en memos del proyecto ALMA.
Se debe evaluar cuidadosamente el diseo mecnico del interior del termo, ya
1
de onda y el
que habr que retirar el anillo resonante, el transformador de
4
mixer que actualmente posee el SMWT.
77
6.2.3.3. Posibilidades de implementacin
Se recomienda utilizar este dispositivo en el receptor del SMWT, ya que permitira

cumplir las necesidades de observacin para el receptor, adems de ser una gran
oportunidad para desarrollar la tecnologa en Chile, abaratando as los costos de esta
modernizacin.
Un rediseo del receptor incorporando un SSB en la primera etapa, antes del
mezclador se observa a continuacin.
Figura 6.11: Diagrama de bloques de la implementacin de un SSB en el receptor del SMWT.
78
6.3. Eleccin de la tecnologa a usar en el receptor 1.2m Southern Millimeter-Wave Telescope

(SMWT) Columbia-U. De Chile.
Una vez estudiadas las alternativas ms recomendadas para solucionar el problema de la

banda imagen y considerando mltiples parmetros, entre los que destacan:
Ancho de banda en el cual debe operar el receptor.

Consideraciones econmicas.
Restricciones mecnicas y tcnicas.
Compatibilidad con los dispositivos que actualmente posee el receptor del SMWT.
Posibilidad de desarrollar la tecnologa.
Se ha determinado que el mejor dispositivo para solucionar el problema de la banda

imagen es un SSB, este equipo cumple la mayor parte de los requerimientos que impone el actual
diseo del receptor del SMWT, adems presenta ventajas econmicas y tecnolgicas que hacen
pensar en la posibilidad de disear el dispositivo en Chile, creando as una nueva veta para
ingenieros y cientficos nacionales.
6.3.1. Rediseo del receptor incluyendo un SSB
Como se mencion anteriormente los receptores de banda milimtrica que operan en modo
DSB (como lo es actualmente el SMWT) ven limitada su sensibilidad debido al ruido que entra
junto a la seal de inters, la cual se ve incrementada por la banda imagen, para eliminar esta
banda imagen se ha escogido un SSB, como se mencion en la parte anterior (6.3).
Cabe la pena destacar que se podra haber propuesto un 2SB para solucionar este
problema, sin embargo esta posibilidad se descarto ya que no es de inters (por el momento)
analizar la seal imagen, siendo esta la diferencia fundamental entre un SSB y un 2SB.
Es por esto que el SSB recupera solo la banda lateral de inters y disipa a la otra (la banda
imagen) en una carga resistiva, la cual puede estar eventualmente enfriada 84.
En este caso especfico lo ms adecuado sera la incorporacin de un SSB construido en
base a mezcladores Schottky, que corresponde a la tecnologa que utiliza el SMWT, estos tendrn
que reemplazar al mezclador Schottky actual justo despus del HEMT, de hecho dado que resulta
fundamental para el funcionamiento de un SSB la equivalencia de las seales que se mezclaran 85
se recomienda fabricar o adquirir dos nuevos mixers, esto para asegurar la simetra de la divisin.
1
de onda y el mixer que
De esta forme se deber sacar el diplexor, el transformador de
4
actualmente posee el SMWT y alimentar el SSB directamente con la potencia del Gunn, ya que la
potencia de la seal de LO debe ser dividida en partes iguales para cada mezclador balanceado.
En cuanto a la carga disipativa de la banda imagen, se recomienda que est sumergida en
el nitrgeno lquido cuando el termo est enfriado. El nico inconveniente es que, cuando se opere
el termo a temperatura ambiente la carga deber igual ser enfriada, de no ser as, se convertir en
una fuente de ruido trmico muy perjudicial para la sensibilidad del receptor.
84
Si esta resistencia no esta enfriada podra provocar una seal que producto de un VSWR indeseado dae equipos o
aumenten el ruido en el receptor.
85
Esto se explico en la parte 6.2.3.1 de la presente memoria.
79
Al incorporarse este dispositivo, el receptor podra adquirir la siguiente configuracin:
Figura 6.12: Diagrama preliminar del receptor con el mezclador de rechazo de imagen incluido
80
6.3.2. Diagrama preliminar del SSB que necesita el receptor del SMWT
Si se realiza un zoom a la Figura 6.12, en la parte que se refiere al SSB se obtiene un

diagrama similar al siguiente.
Figura 6.13: Diagrama del SSB que se implementara en el SMWT

Aqu se observa claramente la entrada de la seal RF a un primer hbrido, el cual es un
dispositivo de cuatro puertos, en este mismo hbrido al igual que en el segundo se observan unos
smbolos a tierra, los cuales representan a las cargas disipativas eventualmente enfriadas.
Tambin se observan los dos mixers que reciben tanto las seales RF (con y sin desfase) y
la seal proveniente del oscilador local LO.
6.3.3. Anlisis terico del ruido del receptor del SMWT operando DSB y SSB
Actualmente el receptor del SMWT opera en modo DSB, adems la incorporacin de un

amplificador HEMT se encuentra en su etapa final, por lo que en el anlisis del ruido que posee
este receptor se considerarn estos aspectos.
Como se sabe los amplificadores HEMT poseen una temperatura de ruido determinada por
la temperatura y frecuencia a la que estn operando. Las curvas de ruido de un amplificador
HEMT del tipo instalado en el receptor del SMWT se pueden observar en la Figura 4.4, en base a
dichas curvas, para una frecuencia de 100 [GHz] se tendr una temperatura de ruido de 170 [K]
para el HEMT operando a temperatura ambiente (297 [K]) y una temperatura de ruido de 66 [K]
para el HEMT enfriado a 77 [K], o sea en nitrgeno lquido.
81
En cuanto a la ganancia se ha estimado que es del orden de 20 [dB] 86 enfriado a 77 [K].

Dado que los HEMT son elementos muy delicados y pueden ser daados tanto por un exceso de
potencia en sus puertas de entrada o de salida como producto de desadaptaciones en la puerta de
salida del HEMT (dado que pueden aparecer armnicas de frecuencias indeseadas), se decidi
colocar un aislador a la salida del HEMT, lo que ha entregado una temperatura de ruido
equivalente HEMT-aislador de aproximadamente 520 [K] y una ganancia aproximada de 15
[dB] funcionando a temperatura ambiente.
En la siguiente tabla se resume la temperatura de ruido y la ganancia o prdida (segn
corresponda) de cada elemento en la primera etapa cuando el receptor esta operando a
temperatura de nitrgeno lquido, o sea a 77 [K].
Componente
Horn
Ventana de vaco
Gua de onda
HEMT
Aislador
Diplexor
Mezclador y oscilador local
1
Transformador de de onda
4
Cable coaxial
FET
Temperatura de ruido [K]

20.6
14.3
23.9
66
500
7.3
185
0.7
Ganancia [dB]
-0.15
-0.1
-0.25
20
-2.5
-0.2
-5.15
-0.05
0.7
15
-0.05
30
Tabla 6.1: Temperaturas de ruido y ganancia de cada uno de los dispositivos actuales del receptor,
en particular desde el FET hasta el horn o bocina 87.
Cabe la pena destacar la alta contribucin de ruido por parte del horn, la gua de onda y de
la ventana de vaco. De esta manera los tres primeros componentes dan un valor mnimo de ruido
equivalente a 58.8 [K].
Por ello se deben tomar las precauciones necesarias de forma que las guas de onda queden
bien alineadas y no se introduzcan prdidas adicionales por mala alineacin. Otra fuente de
prdidas pueden ser impurezas que queden al interior de las guas de onda. Esta situacin debe ser
evitada por medio de una adecuada limpieza de las mismas.
Finalmente se concluye que si se toman todas las medidas correspondientes es posible
llegar a niveles de ruido del orden de 150 [K], lo que corresponde a un valor bajo, especialmente
si consideramos que el receptor es enfriado solamente a 77 [K].
Con la informacin de la Tabla 6.1 y la ecuacin de temperatura equivalente (Ecuacin
3.10), se puede calcular la temperatura de ruido equivalente del receptor.
TRuido del receptor = 236.3 [K ] 236 [K ]
(SSB ) 88
Dado a que el SMWT opera en modo DSB se tiene que:

86
Estos datos se pueden encontrar en la carpeta Memos Lab. 2006, Carpeta incorporacin del HEMT ubicada en el
laboratorio de radiofrecuencia de Cerro Caln.
87
Se recomienda mirar [14] para mayor detalle de cmo se confeccion la Tabla 6.1.
88
Para mayor detalle del anlisis del ruido del receptor SMWT se puede observar el anexo H.2
82
TRuido del receptor = 471.4 [K ] 471 [K ]
(DSB )
Esta temperatura de ruido corresponde a la configuracin actual del receptor, cuyo

diagrama corresponde al siguiente:
Figura 6.14: Diagrama del receptor actual.

Para modelar el comportamiento del receptor utilizando un SSB en lo que se refiere a la
temperatura de ruido equivalente del mismo, se harn los siguientes supuestos:
Los trminos de la temperatura de ruido del receptor que suceden al diplexor son
despreciables.
La temperatura SSB es aproximadamente la mitad de la temperatura DSB, donde la

temperatura DSB del receptor corresponde a 471[K].
Finalmente, se puede estimar sin cometer mayor error que la temperatura del receptor
queda reducida a la mitad una vez incorporado el separador de banda (SSB).
83
Es as que el diagrama del receptor incluyendo el SSB es el siguiente:
Figura 6.15: Diagrama del receptor con el SSB incluido.
6.3.4. Partes del SSB
Si se observa la Figura 6.13 se puede notar que el SSB que se desea implementar consta de
las siguientes partes:
A la entrada de la seal RF existe un hbrido de alta frecuencia 89, este esta encargado de
dividir la seal RF a la mitad y desfasar en 90 una de estas mitades.
Idealmente a continuacin se encuentran dos mezcladores, uno para cada seal RF

proveniente del hbrido de alta frecuencia.
Una T 90 que divide la seal proveniente del oscilador local, esta T debe dividir
dicha seal en partes iguales y comunicar el oscilador local con los mezcladores.
Posteriormente existe otro hbrido, pero esta vez para IF, este esta encargado de desfasar
en 90 una de las seales provenientes desde los mezcladores.
Tambin se necesitarn de dos terminaciones que corresponden a los puntos en los

cuales se eliminarn las seales indeseadas (una terminacin RF en el primer hbrido y la
segunda del tipo IF en el segundo hbrido).
89
90
En ciertos pasajes de esta memoria se llamar a este hbrido de alta frecuencia, hbrido RF.
En ciertos pasajes de esta memoria se llamar a esta T, Tees.
84
Cabe la pena destacar que dependiendo de las dimensiones disponibles en el termo, de la

polarizacin que posean tanto a su entrada como a su salida cada una de las partes previamente
mencionadas y de las dimensiones de las mismas, se podran necesitar curvas E o H, Twists,
guas de onda o incluso nuevas Tees.
6.3.5. Adquisicin de las componentes del SSB
De decidirse a armar el SSB con partes adquiridas en el mercado existen mltiples

alternativas entre las que destacan los siguientes proveedores:
Millitech
Aerowave
Spinnaker Microwave, inc.
Algunas de estas empresas se especializan en desarrollar tecnologas en ciertas frecuencias,

por lo que eventualmente las piezas podran adquirirse en ms de una de ellas.
A continuacin se describirn las piezas necesarias para construir un SSB [32], bajo tres
visiones, estas son:
Conservando la etapa de mezclado dentro del termo y utilizando un hbrido para desfasar
la seal RF.
Incorporando la etapa de mezclado fuera del termo y utilizando un hbrido en la etapa de
RF.
Incorporando la etapa de mezclado fuera del termo y utilizando un desfasador para la seal
del OL.
Estas visiones nacen del stock de insumos para las piezas que se encuentran disponibles en
el mercado y de sus eventuales ventajas comparativas.
85
A. Conservando la etapa de mezclado dentro del termo y utilizando un hbrido para desfasar
a seal RF.
Para empezar se mostrar el diagrama correspondiente a esta implementacin del SSB.
Figura 6.16: SSB dentro del termo con hbrido de RF.

Donde se observa un hbrido RF, dos mezcladores, una T que divide la seal del OL y
un hbrido de IF.
Estas piezas son preliminares ya que se podran necesitar eventualmente curvas, Twists u
otro tipo de gua de ondas.
El detalle de las piezas es el siguiente:
1.
Hbrido de RF
El dispositivo escogido es el CSS-10-R094N (de Millitech), el cual tiene la siguiente
forma:
Figura 6.17: Hbrido RF de Millitech91.

Sin embargo este dispositivo ofrece poca banda de operacin ( 5% a partir de la
frecuencia central), por lo que se recomienda mirar la parte 6.3.6 de la presente memoria para
observar los hbridos desarrollados por el proyecto ALMA, los cuales operan muy bien en la
banda comprendida entre los 85 [GHz] y los 115 [GHz].
91
Para mayores detalles de este dispositivo se recomienda revisar el anexo F
86
2.
Mezcladores
Este dispositivo presenta un inconveniente, ya que en las empresas consultadas no se

encontraron dispositivos que funcionen a temperaturas criognicas y en Millitech (empresa en la
cual si se encontr el dispositivo criognico) se encuentra descontinuado, sin embargo, a modo de
ejemplo se presenta un modelo que satisfacera las eventuales necesidades, el MXW-10-FFNM
Figura 6.18: Mezclador de Millitech92.
92
Para mayores detalles de este dispositivo se recomienda revisar el anexo F
87
3.
Tees
Los dispositivos escogidos son el TEH-10-RH000 (de Millitech) o los 10-29912 y el 102809 (de Aerowave), en particular los primeros tienen la siguiente forma:
Figura 6.19: Tees Millitech.
4.
Hbrido de IF
El dispositivo escogido fue el VC1020B2 (de Spinnaker Microwave inc.), el cual tiene la
siguiente forma.
Figura 6.20: Hbrido IF.
88
5.
Terminacin RF
El dispositivo escogido fue el WTR-10-R0000 (de Millitech), el cual tiene la siguiente
forma.
Figura 6.21: Terminacin RF (Millitech).

Cabe la pena destacar que en la eleccin de los dispositivos se consideraron los aspectos
mencionados en la parte 6.3 de la presente memoria.
Finalmente el diagrama de bloques de esta alternativa es:
Figura 6.22: Diagrama del receptor con el SSB dentro del termo.
89
B. Incorporando la etapa de mezclado fuera del termo con un hbrido en la etapa de RF.
El diagrama correspondiente a esta implementacin del SSB es similar a la mostrada en la

Figura 6.16, slo se diferencia en que la etapa de mezclado se encuentra fuera del termo, por lo
que el cambio fundamental en el diseo es la eliminacin del requisito criognico de las partes del
SSB.
Adems se propone colocar el otro HEMT con el que cuenta el Departamento de Astronoma
(HEMT W7 93) en la primera etapa de amplificacin dentro del termo.
1. Mezcladores
En este caso se recomienda el MXB-10-RR2WF (de Millitech), el cual se observa en la
siguiente figura.
Figura 6.23: Mezclador de Millitech94.
93
El Departamento de Astronoma de la Universidad De Chile cuenta con dos HEMT experimentales el W7 y el

W10.
94
Para mayores detalles de este mixer se recomienda mirar el anexo F.
90
Por lo que el diagrama de bloques de esta alternativa es:
Figura 6.24: Diagrama del receptor con el SSB fuera del termo.
91
C. Incorporando la etapa de mezclado fuera del termo y utilizando un desfasador para la seal
del OL.
El diagrama correspondiente a esta implementacin del SSB es el observado en la Figura 6.25.
Figura 6.25: SSB fuera del termo sin hbrido de RF.

1. Desfasador
En este caso se recomiendan los siguientes modelos VPS-10-R0000 y DRP-10-R0000 (de
Millitech), la imagen de estos equipos se observa en la Figura 6.26.
Figura 6.26: Desfasadores modelos VPS-10-R0000 (izquierda) y DRP-10-R0000 (derecha),

ambos de Millitech 95.
95
Para mayor informacin de estos dispositivos se recomienda mirar el anexo F
92
Finalmente el diagrama de bloques de esta alternativa es:
Figura 6.27: Diagrama del receptor con el SSB fuera del termo.
93
6.3.6. Diseo de hbridos
Dado el pobre performance del hbrido RF mostrado en la parte anterior, se muestra el

desarrollo de un hbrido que cumplira su funcin en forma adecuada dentro del espectro
comprendido entre los 85 [GHz] y los 115 [GHz], para tener mayores detalles de este desarrollo
se recomienda revisar [35-38].
Este hbrido de cuadratura fue desarrollado para el proyecto ALMA y es altamente
conveniente para el uso en mezcladores equilibrados, de SSB, amplificadores equilibrados,
combinadores y divisores de la energa.
Los hbridos son del tipo del branchline y se pueden desarrollar mediante tecnologa CNC.
Este diseo es ideal para trabajar con guas del tipo WR-10 (75 [GHz] a 110 [GHz]), pero
los parmetros que lo rigen pueden elegirse para permitir el escalamiento hasta aproximadamente
los 700 [GHz].
Los diseos fueron optimizados mediante dos simuladores, ambos para modelar circuitos
de microondas MMICAD y FDTD (QuickWave).
En los receptores del proyecto ALMA, los hbridos de cuadratura se han propuesto para la
combinacin de energa en la primera etapa y para un mezclador SSB equilibrado tipo SIS. El
ltimo requiere tres hbridos de cuadratura del tipo RF, uno para la separacin de la banda lateral
y uno para cada uno de los mezcladores equilibrados que lo componen.
Un hbrido de cuadratura es un acoplador direccional de cuatro puertos. En el caso ideal, la
energa incidente en cualquier puerto se divide igualmente entre dos otros puertos con una
diferencia de fase de 90, y se asla el cuarto puerto. La forma de la gua de onda de hbrido de
cuadratura consiste en dos guas de onda paralelas juntadas con una serie de aberturas o de guas
de onda. Este ltimo diseo recibe el nombre de acoplador del branchline y es comnmente la
opcin para el actual diseo de hbridos, debido a su facilidad de construccin y posibilidad de
combinar hbridos mltiples en una sola estructura de bloque.
En un acoplador branchline la parte E del campo electromagntico, est entre las amplias
paredes de las guas de onda principales, all forma un plano a travs de los centros de las amplias
paredes de dichas guas de onda. Pues ninguna corriente fluye a travs de este plano de simetra,
un acoplador se puede partir en este plano sin la preocupacin que el contacto imperfecto entre las
dos mitades pueda afectar el funcionamiento del circuito.
Cabe la pena sealar la importancia de que esta divisin de energa sea extremadamente
equilibrada, ya que el desequilibrio de la amplitud y de la fase en las salidas de un hbrido de la
cuadratura afecta el rechazamiento del ruido de un mezclador equilibrado y el rechazamiento de la
imagen de un SSB.
El propsito de esta parte de la memoria es mostrar el desarrollo de dos hbridos de
cuadratura en guas de onda, uno con desequilibrio de amplitud 1[dB] y un desequilibrio de fase
1, y el otro con un desequilibrio de amplitud 0.5 [dB] y un desequilibrio de fase 1.
f
Estos diseos deben cubrir tanto sea posible la banda de la gua de onda ( max 1.5 ) y
f min
deben tener dimensiones convenientes para la fabricacin en una mquina CNC.
Un hbrido branchline con seis ramas se demuestra en la Figura 6.28. Las longitudes de la
rama las guas y sus especificaciones son aproximadamente cuartos de una longitud de onda de la
gua en la frecuencia de centro de la operacin. El nmero de ramas, las alturas, las longitudes de
las mismas, las alturas y las longitudes de las secciones principales de la gua de onda entre las
ramas son los parmetros que pueden ser variados en la optimizacin del funcionamiento
elctrico.
94
Inicialmente, el hbrido fue modelado como un nmero de empalmes en forma de T del Eplano, interconectados por las guas de onda como es mostrado en la Figura 6.29, y analizado
usando el simulador MMICAD.
Un circuito equivalente de un empalme en T del E-plano, dado por Marcuvitz, se muestra
en la Figura 6.30, MMICAD permite una optimizacin rpida del circuito equivalente aproximado
del hbrido. Luego el simulador QuickWave permite un exacto pero ms lento anlisis del hbrido,
incluyendo los efectos de todos los modos de propagacin y evanescencia involucrados.
Para verificar la exactitud del anlisis de QuickWave, el hbrido WR-10 mostrado en la
Figura 6.31 fue fabricado en los laboratorios del proyecto ALMA y posteriormente medido en un
analizador vectorial de red.
La Figura 6.32 muestra los resultados medidos y simulados. Notar que los parmetros S21
y los S31 medidos tienen amplitudes ms bajas que las predichas por QuickWave, esto debido a
prdidas de la gua de onda en el hbrido real que no se considera en el anlisis de FDTD. Sin
embargo, la amplitud y las curvas del desequilibrio de fase coinciden bien con las medidas. El
anlisis de QuickWave converge despus de que 6.000 iteraciones y toma cerca de 22 minutos a
una velocidad de procesamiento de 933 [MHz] con una computadora Pentium III 96.
Para optimizar el diseo de los hbridos se aprovechan las ventajas del simulador exacto
pero lento (QuickWave), lo cual se combina con los del simulador rpido pero aproximado del
circuito (MMICAD)
La simulacin y el diseo de los hbridos fueron hechos en la banda WR-10 (75 [GHz]
110 [GHz]) para permitir a prototipos ser medido en un analizador vectorial de red. El lmite en
altura de la gua de la rama requiere Bn 0.012". La altura de las secciones principales de la gua
de onda es fija en el estndar b = 0.050".
Los hbridos con N = 5, 6 y 7 ramas fueron considerados inicialmente, es as que se
encontr que para N a partir 6 a 7 aument la anchura de banda en solamente una cantidad
pequea, solamente las alturas ms pequeas requeridas de la rama (la altura de la rama es
1
aproximadamente proporcional a
). Fue encontrado que con N = 6, la altura ms pequea de la
N
gua de la rama era de aproximadamente 0.12a 97, mientras que para N = 7 se requiri de ramas de
0.11a de altura y tena solamente una anchura de banda marginal mayor.
Por lo tanto, los hbridos descritos en [15] tienen N = 6 ramas. Pues no se encontr ningn
diseo que mantuvo un equilibrio de la amplitud dentro de 1 [dB] sobre la banda llena de la gua
de onda.
96
97
Mas detalle de las simulaciones se pueden encontrar en [15].

Donde a representa el ancho de la gua de onda y b el alto de la misma.
95
Figura 6.28: Hbrido branchline con seis ramas.
Figura 6.29: Empalmes en forma de T del E-plano, interconectados por las guas de onda.
Figura 6.30: Circuito equivalente de un empalme en T del E-plano, dado por Marcuvitz.
96
Figura 6.31: Hbrido WR-10.
Figura 6.32: Valores medidos (MS) y simulados (QWB).
97
6.3.7. Problemas de diseo
En cuanto a los posibles problemas que pueden surgir si se decide incorporar un SSB con
mezcladores Schottky, es la potencia disponible para alimentar dos mezcladores con el mismo
oscilador Gunn.
Como se vio anteriormente, la potencia mnima que necesita un mezclador de diodo
Schottky para rectificar es 0.5 [mW] (criogenizado, en el caso del diodo que actualmente posee el
receptor del SMWT), siendo 1.5 [mW] la ideal, afortunadamente el Gunn inyecta una potencia de
3.1 [mW].
Sobre las prdidas en el hbrido del SSB a la entrada de la seal de OL no se tiene
informacin, pero si fueran similares a las prdidas de insercin del anillo resonante, sera
suficiente para alimentar ambos mezcladores. Esto se considera una buena aproximacin, ya que
las prdidas de los hbridos y divisores de potencia de los SSB son bastante bajas, ya que por lo
general se encuentran integrados.
Otros problemas que se deben considerar al momento de incorporar el SSB fueron
abordados en el punto 6.3.5 de la presente memoria, por lo que para mayor informacin se
recomienda mirar dicha parte de la memoria.
Por ltimo se recomienda leer [33] para conocer las ltimas dificultades encontradas en la
incorporacin de SSB en receptores del proyecto ALMA, a pesar de que estas dificultades hablan
del comportamiento en un interfermetro, resulta ilustrativo para comprender efectos de
eventuales retrasos de mltiples seales que pueden afectar a estos dispositivos.
6.3.8. Ideario de una eventual incorporacin de un SSB
Resulta difcil entregar un ideario de trabajo para incorporar un SSB al receptor del
SMWT, puesto que dicha implementacin est sujeta a mltiples variantes, entre las que destacan:
Corroboracin del diseo propuesto, esto debido a que resultara til simular el dispositivo
mediante un software antes de implementar.
Condiciones presupuestarias, dado a que se necesitara financiamiento para adquirir los
dispositivos necesarios para implementar el SSB.
Disponibilidad en stock de los insumos necesarios para su fabricacin, dado que de un ao
a otro se puede dejar de fabricar alguno de los dispositivos necesarios para la
implementacin del SSB.
Retraso en la llegada de las piezas necesarias para la implementacin del SSB al pas.
En fin un periodo adecuado de duracin de dicha implementacin, considerando los

tiempos utilizados por las implementaciones del oscilador Gunn [11] y del HEMT [14] sera de
aproximadamente un ao y medio.
98
7. Conclusiones.
Las conclusiones a los objetivos planteados originalmente son:
7.1.
Conclusiones de los objetivos generales
La presente memoria servir de marco de referencia y ser un aporte para que futuros
ingenieros y cientficos logren entender el funcionamiento de un radiotelescopio tpico y en

particular del receptor de onda milimtrica del SMWT, este objetivo se desarrollo en los primeros
captulos de la presente memoria.
Se caracteriz el funcionamiento del receptor del SMWT con su configuracin original, o

sea con el antiguo oscilador local del tipo Klystron.
Se caracteriz el funcionamiento del receptor del SMWT con la configuracin alcanzada

luego de la primera modernizacin realizada en el DAS, o sea con el nuevo oscilador local del
tipo Gunn.
Se caracteriz el funcionamiento del receptor del SMWT con la configuracin alcanzada

luego de la segunda modernizacin realizada en el DAS, o sea con la incorporacin del
amplificador HEMT.
7.2.
Conclusiones de los objetivos particulares
Se realiz un estudio comparativo de las tecnologas modernas utilizadas en la primera
etapa de recepcin en radiotelescopios, en particular de los diodos Schottky, los Superconductor

Insulator Superconductor (SIS), High Electron Mobility Transistor (HEMT) y los Hot Electron
Bolometer (HEB).
Se caracteriz y estudi el receptor del SMWT para la eventual incorporacin de un
mtodo capaz de solucionar el problema de la banda imagen, recomendndose un SSB fuera del
termo e incorporando un nuevo amplificador HEMT dentro del mismo.
Se realiz un diseo para la incorporacin de la alternativa escogida, para ello se

estudiaron las alternativas tecnolgicas existentes en el mercado y el eventual diseo de parte de
las mismas.
Finalmente se propone un periodo de tiempo necesario para la incorporacin de este

mecanismo eliminador de banda imagen, este periodo sera de aproximadamente un ao y medio.
99
Bibliografa.
[1] BRONFMAN, L., et al. 1988, Astrophysical Journal 324, 248.
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Balanced SIS Mixer Based on Waveguide Hybrids, ALMA memo 316, 20 September 2000
[37] Kraus J.D. Radio Astronomy McGraw-Hill, 1966.
102
Anexo.
A.1
Transiciones rotacionales [4].
Para entender este concepto se hace necesario partir desde la configuracin de una
molcula diatmica, como la que se observa en la Figura A.1.1.
Figura A.1.1: Configuracin de una molcula diatmica.

Este sistema est constituido de dos partculas de masa m1 y m2 separadas por una
distancia fija r0. Como se puede observar las partculas pueden rotar libremente alrededor del
centro de masa respecto a un eje perpendicular a la lnea que los une. Este modelo se llama rotor
rgido y sirve como modelo para el estudio de la rotacin de una molcula diatmica. Se vera
entonces cules son los niveles de energa asociados a este movimiento.
Cuando un cuerpo rgido gira con velocidad angular alrededor de un eje perpendicular a
travs de su centro de masa, la magnitud L de su momento angular es:
L = I = m1 r1 + m 2 r2 = r02
2
(1)
donde I es el momento de inercia del sistema
I = m1 r1 + m 2 r2 = r02
2
(2)
Cabe la pena destacar que en (2) se ha usado la relacin entre la masa reducida y las
masas m1 y m2 as como la relacin entre la coordenada r0 con r1 y r2.
La energa cintica K del sistema est dada por:
K=
1 2
I
2
(3)
As que, usando (1) se puede rescribir:
L2
K=
2I
103
(4)
Como la energa potencial U es cero, se tiene que la energa total del sistema es:
E=
L2
L2
=
2 I 2r02
(5)
Ya que el potencial U es cero, no depende entonces de los ngulos en coordenadas

esfricas y , as que como el U del tomo de H tampoco dependa de estos ngulos, las
soluciones angulares de la ecuacin de Schrdinger para el rotor rgido son las mismas que para el
tomo de H, y el momento angular est cuantizado de igual manera.
L2 = l (l + 1)2
con (l = 0, 1, 2...)
(6)
Por lo tanto, con (5) se tiene la expresin mecano-clsica de la energa. Utilizando (6) se
ve que los niveles de energa rotacionales de una molcula diatmica son:
E = l (l + 1)
2
2I
con (l = 0,1, 2...)
(7)
El estado fundamental corresponde a l = 0, y por lo tanto E = 0 lo que significa que no hay

rotacin. El espaciamiento E entre los niveles l y l-1 aumenta con l.
2
E = l
I
(8)
Los distintos niveles de energa rotacional se muestran en la Figura A.1.2.
Figura A.1.2: Distintos niveles de energa rotacional.

Sin embargo las molculas no son nunca rgidas. En un modelo ms realista de una
molcula diatmica entonces la conexin entre tomos es como un resorte. Un esquema de esto se
muestra en la Figura A.1.3.
104
Figura A.1.3: Modelo ms realista de una molcula diatmica, donde la conexin entre tomos es
como un resorte.
As, adems de la rotacin, los tomos de la molcula pueden vibrar alrededor de su
posicin de equilibrio en la lnea que los une. Para pequeas oscilaciones, la fuerza restauradora
puede tomarse proporcional al desplazamiento respecto a r0 y el sistema ser entonces un
oscilador armnico. Luego los niveles de energa vibracional de una molcula diatmica sern:
1
1 k'
En = n + = n +
2
2
(9)
por lo tanto la diferencia entre estados vibracionales vecinos ser:
E = =
k'
(10)
Los diferentes estados vibracionales se muestran en la Figura A.1.4.
105
Figura A.1.4: Diferentes estados vibracionales.

Las transiciones entre estados con varios pares (ninicial y nfinal) de n dan diferentes series de
lneas espectrales y el espectro resultante tiene una serie de bandas. Cada banda corresponde a una
transicin vibracional particular y cada lnea individual representa una transicin rotacional.
Se puede aplicar igual procedimiento para el estudio de molculas ms complejas. Una
molcula con 3 o ms tomos posee diferentes modos de vibracin, cada modo tiene su propio set
1
de niveles de energa, relacionados con su frecuencia por E n = n + . En casi todos los

2
casos, la radiacin asociada cae en el infrarrojo.

De esta manera, la espectroscopia infrarroja provee informacin sobre fuerza, rigidez,
longitud de enlaces moleculares, estructuras moleculares, y adems, como cada molcula posee su
propio espectro, sirve para caracterizarla.
Con respecto a los tipos de emisin, continua y lneas espectrales estas se diferencian en:
Emisin continua.
La emisin continua puede ser debido a radiacin trmica de cuerpo negro de objetos en el
espacio, emisin trmica de gases ionizados o a radiacin sincrotrnica 98.
Los receptores construidos para detectar fuentes de emisin continua son de banda ancha,
de manera de captar la mayor cantidad de potencia en todo el rango de frecuencias.
Lneas espectrales.
Por otra parte la emisin de lneas espectrales se debe a transiciones entre distintos niveles
de energa (como se explic en los prrafos anteriores de este anexo) de tomos o molculas en el
espacio, asocindose una determinada frecuencia a cada transicin atmica o molecular.
Este tipo de emisin a diferencia de la emisin del tipo continua es captada con receptores
de banda angosta, que por medio de filtros son capaces de detectar pequeos desplazamientos de
frecuencia en torno a la frecuencia especfica de la fuente, la cual es fija para cada transicin.
Segn sea el desplazamiento en frecuencia, se pueden determinar variables tales como,
direccin de desplazamiento y velocidad de dicha radiofuente por efecto Doppler 99.
98
Radiacin electromagntica emitida por una partcula con carga elctrica movindose en rbitas circulares a
velocidades relativistas o cercanas a la luz en un campo magntico.
106
B.1
ngulo slido [5].
El ngulo slido o ngulo cnico, (denotado por la letra griega ) es el espacio que un
objeto abarca, visto desde un punto dado, o sea mide cuan grande aparece ese objeto al
observador.
Dicho en trminos simples el ngulo slido mide qu "pedazo de cielo" ocupa un objeto.
La unidad SI del ngulo slido es el estereorradin, cuya abreviacin es sr. Un estereorradin es
igual a un radin al cuadrado.
Figura B.1.1: Representacin de un ngulo slido.

Para calcular el ngulo slido bajo el cual se ve un objeto desde un punto, se proyecta el
objeto sobre una esfera de radio R arbitrario centrada en el punto. Si la superficie de la proyeccin
del objeto sobre la esfera es S el ngulo slido bajo el cual se ve el objeto es, por definicin:
=
S
R2
99
(1)
Consiste en la variacin de la longitud de onda de cualquier tipo de onda emitida o recibida por un objeto en
movimiento. En el caso del espectro visible de la radiacin electromagntica, si el objeto se aleja, su luz se desplaza a
longitudes de onda ms largas, desplazndose hacia el rojo. Si el objeto se acerca, su luz presenta una longitud de
onda ms corta, desplazndose hacia el azul.
107
C.1
Barrera de Potencial [7].
La barrera de potencial o barrera cuntica se refiere a un volumen del espacio en el cual

existen ciertos niveles de energa potencial que confinan a una partcula que generalmente es un
electrn a moverse solo en este volumen.
Este concepto de barrera resulta ms fcil de entender a travs de un ejemplo, para ello
considere lo siguiente.
Una barrera de potencial como la de la Figura C.1.1 a), donde en primer lugar la barrera
cuntica infinita donde el perfil de la energa potencial en direccin z esta dado por:
0 a < z <a
U (z ) =
de otro mod o
(1)
A lo largo del plano x-y la energa potencial es de valor constante para cierto valor de x e
y, luego cualquier electrn que quiera moverse en esta barrera estar confinado en la direccin z,
pero es libre de moverse en el plano x-y.
Es as que si se encuentran las soluciones para la energa del electrn en la barrera
cuntica, se producen una serie de parbolas C.1.1 b), donde cada una de estas se conoce como
banda secundara o sub-banda y cuya expresin es la siguiente.
E z = En =
2 2 n 2
2m0W 2
(2)
h
, con h la constante de Planck, n N , m0 es la masa del electrn libre y W
2
el ancho de la barrera cuntica.
Donde =
108
Figura C.1.1: Barrera cuntica con anchura W en la direccin z.

Los dispositivos que aprovechan esta caracterstica poseen una gran importancia en
radioastronoma y pueden fabricarse mediante la combinacin de estructuras de semiconductor.
109
D.1
Tipos de HEB [8]
Phonon-Cooled HEB (p-HEB):
El primer modelo de un phonon-cooled HEB fue confeccionado en 1990, este consisti en

un delgado film superconductor depositado sobre un substrato, el cual iba a su vez entre dos
placas de metal que cumplen la funcin de electrodos.
El principio de funcionamiento es el siguiente:
Se hace incidir la radiacin de la seal sobre el material superconductor, que por efecto
fotoelctrico 100 produce un movimiento de electrones dentro del material, los cuales comienzan a
oscilar con perodo Tee. Los electrones en movimiento traspasan parte de su energa a phonones 101
en un determinado tiempo de interaccin electrn-phonon Tph. Los phonones pueden escapar del
film hacia el substrato dentro de un perodo muy corto Tesc antes de interactuar con otro electrn.
Este tiempo de escape est relacionado con las dimensiones del film, a travs de la siguiente
ecuacin:
dC e
(1)
Tesc = 4
vC ph
Donde Ce y Cph son las constantes de calor del electrn y phonon, respectivamente, v es la
velocidad del sonido en el film, d es el espesor del film y es la constante de transmisin del
phonon a travs de la interfaz film-substrato.
Luego, si el film es lo suficientemente delgado, Tesc y Tee son mucho menores que Tph y
los phonones logran escapar. El ancho de banda de la frecuencia intermedia queda limitado por
Tph de la siguiente forma:
f IF = (2T ph )
(2)
Por ejemplo, para un delgado film de NbN con Tph=15 [ps] y enfriado a 4 [K], se tendra
en teora un ancho de banda fIF de 10 [GHz]. Un film superconductor tpico de NbN tiene unos 4

[nm] de espesor, resistividad de 400
y una temperatura crtica entre 10 y 11 [K].
cm
100
El efecto fotoelctrico consiste en la emisin de electrones por un material cuando se le ilumina con radiacin
electromagntica (luz visible o ultravioleta, en general).
101
Un fonn, es un modo cuantizado de vibracin que tiene lugar en redes cristalinas como la red atmica de un
slido.
110
Diffusion-Cooled HEB (d-HEB)
Este tipo de HEB fue propuesto por primera vez en 1993. La construccin de este tipo de
HEB se logra situando un delgado micropuente superconductor, normalmente hecho de Nb de
unos 10 [nm] de espesor, entre dos electrodos enfriados que suelen ser de oro (Au) de unos 50
[nm] de espesor y de ancho varias veces mayor que el puente.
La idea es que los fotones, capturados por una pequea antena que capta la radiacin de la
seal, sean emitidos al micropuente para mover electrones por efecto fotoelctrico. Estos
electrones se difundirn en forma de corriente hacia los electrodos.
Sin embargo, a medida que se difunden los electrones, el micropuente se va calentando y
de esta forma cambia su relacin corriente-voltaje, es decir, la conductividad del micropuente
cambia volvindose no-lineal y permitiendo la heterodinacin.
El largo del micropuente debe ser tal que los electrones se difundan a los electrodos en un
tiempo menor al tiempo de interaccin electrn-phonon. Esto se logra con un largo de puente del
orden del largo de difusin electrn-electrn que se abrevia como le-e.
l e e = 2 DTe e
(3)
cm 2
Donde D es la constante de difusin (normalmente de 1
) y Te-e es el tiempo de
s
interaccin electrn-electrn (unos 100 [ps]). Para este caso, le-e sera aproximadamente 200 [nm].
Figura D.1.1: Curva resistencia-temperatura de un dispositivo HEB real.
111
Figura D.1.2.: Estructura del micropuente en un HEB del tipo diffusion-cooled. Se ven claramente
los electrodos de oro y el micropuente de Nb. El tamao de este dispositivo es 150 [nm] de largo
por 75 [nm] de ancho.
112
D.2
Acopladores direccionales e Hbridos [9].
Los acopladores direccionales son componentes que se utilizan para combinar o dividir
seales. Estos dispositivos constan de cuatro puertos llamados Input, Direct, Isolated, Coupled.
En un buen acoplador direccional la potencia disponible en el puerto Input ser transmitida
hacia los puertos Direct y Coupled. En cambio en el puerto Isolated no debe haber potencia
disponible.
Para medir la calidad de un acoplador direccional se utilizan los siguientes parmetros:
P
Factor de acoplamiento: C = 10 log 1
P3
P
Directividad: D = 10 log 3
P4
(1)
(2)
Donde P1, P3 y P4 son, respectivamente, las potencias disponibles en los puertos Input,
Isolated y Coupled.
El modelo ms simple de acoplador direccional consiste en dos lneas de transmisin
acopladas. En la Figura D.2.1 se muestra un acoplador direccional de este tipo implementado en
microstrip 102.
Figura D.2.1: Acoplador direccional en dos lneas de transmisin acopladas implementado en un

microstrip.
Otra implementacin de acopladores direccionales utilizados para microondas, consiste en
dos guas de ondas rectangulares unidas a travs de pequeos agujeros. Esta configuracin tiene
como efecto que el campo electromagntico que viaja por una gua de onda ser transferido
parcialmente, a travs de los agujeros, a la otra gua de onda.
Un tipo de acoplador direccional particular es el hbrido de Wilkinson. Este tiene
solamente tres puertos y su funcin es separar una seal en dos seales que tengan la misma
potencia y la misma fase.
102
Ver anexo D.3 para mayores detalles de un microstrip.
113
Figura D.2.2: Hbrido de Wilkinson.

Por otra parte un hbrido es un acoplador direccional que presenta la particularidad de que
las seales disponibles en los puertos 2 y 4 estn desfasadas en 90 o 180 y poseen igual
potencia. Esta caracterstica es utilizada para construir receptores en cuadratura, mezcladores y
amplificadores balanceados.
Hbridos en 90
Es posible encontrar la matriz S de un hbrido de 90 a partir de las propiedades que
debiera tener un elemento de este tipo. Estas propiedades son las siguientes:
o
Una onda incidente en el puerto 1 debe ser trasmitida a los puertos 2 y 3 y no al puerto 4.
o
Las potencias disponibles en 2 y 3 deben ser iguales.
o
Las seales en 2 y 3 deben estar desfasadas en 90.
o
El sistema debe ser recproco, es decir potencia incidente en 4 ser transmitida a 3 y 2,
potencia en 2 ser transmitida a 1 y 4, y potencia en 3 ser transmitida a 4 y 1.
Luego la matriz S de un hbrido de 90 ideal ser:

0 j 1
0
0
0
1 j
1
S=
0
0
2 j 1
0
1 j 0
(3)
La forma ms simple de construir un hbrido es a travs de lneas acopladas. Presenta un

desarrollo basado en las simetras del sistema para encontrar la matriz S de dos lneas acopladas.
El resultado obtenido es:
0
1 0
S=
2 S13
S14
0
0
S14
S13
114
S13
S14
0
0
S14
S13
0
(4)
Donde:
S13 =
S 14 =
1 k 2
1 k 2 cos( ) + j sin ( )
jk sin ( )
1 k 2 cos( ) + j sin ( )
(5)
(6)
Donde es el largo elctrico de la lnea y k es el coeficiente de acoplamiento, definido

como:
k=
Z 0e Z 0o
Z 0e + Z 0o
(7 )
Con Z0e y Z0o las impedancias de lnea en modo par y modo impar respectivamente. Si se
elige el factor k como 0.707 y el largo elctrico de las lneas como =
resulta que la matriz
S corresponde a la matriz de un hbrido ideal de 90.

Estos hbridos son tambin conocidos como acopladores de 3 [dB] pues una lnea con las
especificaciones recin dadas tendr un factor de acoplamiento C = 3 [dB].
Lamentablemente es imposible conseguir un coeficiente de acoplamiento con ese valor
utilizando dos lneas de microstrip acopladas. La solucin para este problema es utilizar
configuraciones que aumenten el acople entre las lneas. La solucin ms utilizada actualmente
fue propuesta por Julios Lange en 1969 y consiste en dividir las lneas de microstrip en dos lneas
en paralelo tal como lo indica la Figura D.2.3.
Figura D.2.3: Hbrido de Lange.
115
Las dimensiones ptimas de este acoplador deben ser cuidadosamente escogidas. Las
variables de inters son la separacin entre lneas y el ancho de las lneas, que determinan las
impedancias pares e impares. Otra variable de inters es el nmero de conductores que se
utilizarn. La configuracin ms comn es de 4 conductores (Figura D.2.3).
Otro hbrido utilizado frecuentemente es el hbrido cuadrado (90 Branch line coupler)
que se muestra en la Figura D.2.4.
Figura D.2.4: Hbrido cuadrado.

Cuando una seal llega al puerto 1 se divide en dos ondas que viajan por cada rama del
cuadrado. Las seales llegan con un desfase de 90 a los puertos 2 y 4. Por otro lado en el puerto
3 ambas seales se cancelan pues llegan en fase de 180.
Hbridos de 180
Los hbridos de 180 cumplen las mismas caractersticas que los de 90 con la diferencia
de que potencia incidente en el puerto Input es llevada con 180 de diferencia a Coupled y Direct.
En base a lo anterior se tiene que la matriz S de un hbrido de 180 sera:
0 0
1 0 0
S=
2 1 1
1 1
1 1
1 1
0 0
0 0
(8)
El hbrido ms utilizado es el hbrido de anillo (Rat-race hybrid- ring coupler) mostrado

en la Figura D.2.5.
116
Figura D.2.5: Hbrido de anillo.

La potencia que entra en el puerto 1 ser dividida en dos partes iguales llegando con fase
de 90 al puerto 2 y con 270 al puerto 4, luego la diferencia de fase entre ambos es de 180.
Ambas seales llegan con 180 de desfase al puerto 3 y por tanto se anulan.
Tanto este hbrido como el hbrido cuadrado presentan la desventaja de poseer un ancho de
banda muy estrecho, esto debido a que las condiciones de borde para las ondas estacionarias son
fijadas para una frecuencia en particular, y fuera de esa frecuencia el sistema se comporta de
forma diferente.
Para aumentar el ancho de banda del hbrido de anillo se utiliza la configuracin mostrada
en la Figura D.2.6.
3
En esta configuracin se reemplaza la lnea de largo
por dos lneas acopladas que
2
3
proveen un desfase entre el puerto 1 y el 4 equivalente a
. Como los modos pares e impares de
2
las lneas acopladas varan lentamente con la frecuencia se obtiene un hbrido con un mejor ancho
de banda que el anterior. Otra ventaja de esta variacin consiste en una disminucin en tamao del
hbrido.
Figura D.2.6: Diseo de hbrido de anillo que aumenta el ancho de banda.
117
D.3
Microstrip [10].
Las lneas microstrip (microstrip lines) son utilizadas ampliamente en la construccin de

amplificadores con transistores en microondas por su facilidad de fabricar utilizando tcnicas de
circuito impreso. La interconexin de la red, la colocacin de elementos concentrados y
transistores es hecho fcilmente sobre su superficie de metal.
Las caractersticas de funcionamiento superiores de la microstrip line la hace uno de los
mejores medios de transmisin en la tecnologa de circuitos integrados en microondas.
Una lnea microstrip es, por definicin, una lnea de transmisin que consiste de una franja
conductora y un plano de tierra separados por un medio dielctrico. La Figura D.3.1 muestra la
geometra microstrip.
El material dielctrico sirve como un substrato adems de ser la separacin entre el
conductor strip y el plano de tierra. La constante dielctrica del substrato, r, y estn
F
relacionadas por = r0, en donde 0 = 8.854 10 12 .
m
Figura D.3.1: Lnea de microstrip.

Algunos substratos dielctricos tpicos son los de RT/Duroid (una marca registrada de la
Corporacin Rogers, Chandler, Arizona), los cuales son disponibles con diferentes valores de r
(por ejemplo, =2.230, =60, =10.50, etc.), cuarzo (=3.70), aluminio (=90); y Epsilon-10
(=100).
Las lneas de campo electromagntico en la microstrip line no estn contenidas totalmente
en el substrato. Por esto, el modo de propagacin en el microstrip no es puramente un modo
transversal electromagntico (modo TEM) pero si un cuasi-TEM.
Asumiendo esto, la velocidad de fase esta dada por:
Vp =
ff
(1)
En donde c es la velocidad de la luz y ff es la constante dielctrica relativa efectiva de la

lnea microstrip.
118
La constante dielctrica relativa efectiva esta relacionada con la constante dielctrica

relativa del substrato y tambin toma en cuenta el efecto de los campos electromagnticos
externos.
1
L
Entonces si Z 0 =
, la impedancia caracterstica de la lnea microstrip
y Vp =
C
LC
puede expresarse en la forma:
Z0 =
1
v pC
(2)
Donde C es la capacitancia por unidad de largo de la microstrip.

Por otra parte la longitud de onda en la microstrip line esta dada por:
vp
f
0
ff
(3)
Donde 0 es la longitud de onda en el espacio libre.

Como se ha visto en las frmulas (1), (2), y (3), la evaluacin de Z0, vp, y en una lnea
microstrip requiere de la evaluacin de ff y C. Existen diferentes mtodos para determinar estos
valores, por supuesto, las expresiones en forma cerrada son de gran importancia en el diseo de
las lneas microstrip.
La evaluacin de ff y C basado sobre el modo cuasi-TEM es preciso para propsitos de
diseo en las frecuencias menores de microondas, a ms altas frecuencias los componentes
longitudinales de los campos electromagnticos son significativos y asumir el modo cuasi-TEM
no es vlido.
Varios materiales para substrato son disponibles para la construccin de lneas microstrip,
con valores prcticos de r dentro del rango de 2 a 10.
El material de substrato viene enchapado en ambos lados con cobre, y una capa dorada
sobre el cobre es utilizada algunas veces despus de realizar el circuito para prevenir oxidacin.
Valores tpicos de ancho del cobre son de 0.5 a 2 milsimas de pulgada.
El valor de r y el espesor del dielctrico (h) determinan el ancho de la lnea microstrip
para un valor dado de Z0. Estos parmetros tambin determinan la velocidad de propagacin en la
lnea, y consecuentemente su largo. Tpicos valores del espesor dielctrico son 25, 30, 40, 50, y
100 milsimas de pulgada.
Otra caracterstica de la lnea microstrip es la atenuacin. La constante de atenuacin es
funcin de la geometra, las propiedades elctricas del substrato dielctrico y los conductores, y
de la frecuencia.
Existen dos tipos de perdidas en la lnea microstrip, una prdida del substrato dielctrico y
la prdida hmica en los conductores. En los substratos dielctricos, las perdidas por el dielctrico
son normalmente menores que las prdidas por conductores.
De cualquier modo, las prdidas dielctricas en los substratos de silicn pueden ser del
mismo orden o mayores que las prdidas por conductores. Una lnea de transmisin tambin tiene
perdidas por radiacin.
119
E.1
Otros radiotelescopios en la banda entre los 85 [GHz] a los 115 [GHz] 103.
E.1.1. FCRAO 14m (SEQUOIA, SEcond QUabbin Optical Imaging Array) [19].
E.1.1.1
Descripcin de sistema la SEQUOIA.
El receptor de SEQUOIA es un equipo diseado para trabajar en la banda de

frecuencia comprendida entre 85 [GHz] y los 115.6 [GHz], este receptor posee un sistema
que utiliza preamplificadores del tipo INP MMIC (circuito integrado monoltico de
microondas), los cuales poseen una capacidad de amplificacin que va desde los 35 [dB] a
los 40 [dB], por otra parte el ruido del receptor vara entre los 50 [K] a los 80 [K].
Figura E.1.1: Arreglo de los preamplificadores del receptor SEQUOIA.
E.1.1.2
Oscilador local
EL oscilador local de este radiotelescopio proporciona una seal de 10.05 [GHz], la

cual se multiplica y se amplifica posteriormente para producir dos distintas frecuencias,
una de 40.2 [GHz] y otra de 60.3 [GHz], las cuales posteriormente van a termos distintos.
103
Este anexo busca dar a conocer los principales receptores que operan en el rango de frecuencias de 85 [GHz] a los
115 [GHz], estos se describieron de forma general en la Tabla 5.2, sin embargo para mayor detalle se recomienda
revisar la bibliografa asociada a este anexo.
120
Figura E.1.2: Diagrama de bloques del oscilador local del receptor SEQUOIA.
E.1.1.3
MMIC Preamplificadores
Los amplificadores de la primera etapa del receptor utilizan la tecnologa del INP
MMIC, la cual posee un ruido de 40 [K] a 100 [GHz].
Figura E.1.3: Grfico del ruido de un MMIC preamplificador versus la frecuencia (izquierda) y un
MMIC preamplificador (derecha) del receptor SEQUOIA.
121
E.1.1.4
Aisladores
El aislador de la primera etapa en el receptor SEQUOIA utiliza el principio de

rotacin de Faraday 104, conviene que este aislador funcione a bajas temperatura, puesto
que la prdida a condiciones ambientales es 1.7 veces ms grande que en fro.
Figura E.1.4: Grfico de las perdidas del aislador versus la frecuencia (izquierda)
y un aislador (derecha) del receptor SEQUOIA.
E.1.1.5
Mixer / IF Amplificador
El mezclador Sub-harmnico o Mixer utiliza un par de diodos anti-paralelos de

capacidad C j (0) 40[F ] cada uno, posteriormente van ubicados los Amplificadores de 2
[GHz] a 20 [GHz] del tipo MMIC incluido en el mismo bloque. El mezclador y el
amplificador funcionan dentro de un termo a 20 [K]. Posteriormente existe una etapa de
frecuencia intermedia a 5 [GHz] y a 20 [GHz]. El mezclador solo funciona con un sistema
SSB a travs del filtro pasa alto para frecuencias cercanas a su lmite inferior (80 [GHz]), y
utiliza la ganancia roll-off de los preamplificadores para frecuencias cercanas a 115
[GHz].
Figura E.1.5: Grfico de la ganancia de conversin versus la frecuencia (izquierda)

y un diagrama del interior del mezclador (derecha) del receptor SEQUOIA.
104
Revisar parte 5.9 de la presente memoria para entender el principio de rotacin de Faraday.
122
E.1.2. IRAM [20].
Este receptor utiliza ambas polarizaciones del frente de onda, adems usa un oscilador
local externo especial, el cual le permite tener un buen rechazamiento de la banda lateral para las
frecuencias por debajo de 77 [GHz].
Este receptor puede funcionar como interfermetro, dado que junto a el pueden operar
otros cuatro receptores a la vez.
Tabla E.1: Cuadro de caractersticas de los receptores ubicados en las instalaciones del IRAM.
Figura E.1.6: Instalaciones del receptor IRAM.

123
E.1.3. ALMA [21].

E.1.3.1
Datos generales del proyecto ALMA
El proyecto ALMA consiste en un instrumento integrado por 64 antenas de alta precisin,

que se situaran en el llano de Chajnantor en San Pedro de Atacama a 5.000 [m] (16.500 pies)
sobre nivel del mar. Su funcin primaria deber ser observar con una sensibilidad y resolucin sin
precedente las regiones fras del universo, que son pticamente invisibles.
Las 64 antenas de 12 [m] de dimetro cada una poseen como principal caracterstica poder
obtener lneas de fondo reconfigurables, esto al poder variar la posicin en que cada una de ellas
se ubica, logrando ocupar un rea que va desde los 150 [m] a 18 [km]. La capacidad de
reconfiguracin proporciona una lente de alta resolucin, la que puede llegar hasta 0.004" para las
frecuencias ms altas. ALMA estar diseada para funcionar en las longitudes de onda
comprendida desde los 0.3 [mm] a 9 [mm].
Figura E.1.7: Simulacin de las instalaciones del proyecto ALMA.
E.1.3.2
Datos tcnicos.
stos son los radiotelescopios de ms alta calidad que se construirn, ellos mantendrn su
forma exacta bajo cualquier circunstancia de operacin, sin olvidar que estarn ubicados en el
llano de Chajnantor a 5.000 [m] de altura.
El sitio ofrece condiciones excepcionales, en particular clima seco y cielo claro requerido
para funcionar en longitudes de onda milimtrica y submilimtrica, pero tambin condiciones
diurnas con altas variaciones de la temperatura y vientos fuertes al medioda.
Los detectores de los receptores del proyecto ALMA podrn cubrir la totalidad del
espectro electromagntico de la superficie de la Tierra a partir 0.3 [mm] hasta 9 [mm] en longitud
de onda.
En el corazn del sistema de recepcin estn los mezcladores superconductores,
funcionando a apenas 4 [K], por lo cual se encuentran enfriados en termos de Helio lquido.
124
La capacidad de procesamiento de las seales permitir combinar las seales de cada una
de las antenas, donde cada una de ellas entregar una seal con una anchura de banda de 16
[GHz]. La electrnica convertir y procesar numricamente estos datos a digital, posteriormente
las imgenes astronmicas se construirn de los datos procesados.
A continuacin se muestra una tabla resumen de las caractersticas de las antenas del
proyecto ALMA.
Arreglo
Antenas
Correlador
Nmero de antenas
rea ocupada
Resolucin angular
Acercamiento continuo
Dimetro
Precisin superficial
Compensador de seal
lneas base
Ancho banda
Especificaciones
Arreglo extendido
Sobre 64
Sobre 7240 [m2]
0.02(/1 [mm])(10km/lnea base)
150-18500 [m]
12 [m]
<25 [m]
<0.6
2016
16 [GHz] por lnea base
Canales espectrales
4096
Tabla E.2: Datos tcnicos del proyecto ALMA.
Arreglo compacto
12(7 [m]) + 4 (12 [m])
460+450 [m2]
5.7 (/1 [mm])
7 [m],12 [m]
<20 [m], <25 [m]
<0.6
120
16 [GHz] por lnea
base
4096
La banda 3 del proyecto ALMA operar en la regin espectral comprendida entre los 80
[GHz] y los 115 [GHz], la cual es rica en lneas espectrales moleculares con sobre 500
transiciones conocidas, aunque la molcula del CO en el extremo superior de esta ventana es de
las mas importantes.
125
E.1.4. ATCA [22].
Hay tres receptores del prototipo 3.5 [mm] instalados en el ATCA (en las antenas 2, 3 y 4).
La temperatura del sistema sobre los 85 [GHz] es de aproximadamente 250 [K] y entre los 88
[GHz] y los 91 [GHz] es de alrededor de 200 [K].
El primer receptor de la produccin 3.5/12 [mm] posee un sistema LNAs de 100LNA02A. Los 100LNA-02A MMICs se utilizan en los receptores existentes de 3.5 [mm]. Pruebas
realizadas han revelado una banda de frecuencia til entre los 85 [GHz] y los 112 [GHz], pero con
algn aumento de ruido en el extremo inferior de esta banda. La temperatura de ruido del receptor
es de aproximadamente 85 [K], aumentando a alrededor de 150 [K] en los bordes del espectro.
Este receptor utiliza solamente una polarizacin de la onda electromagntica.
Figura E.1.8: Fotografa de las instalaciones de ATCA.
126
E.1.5. MOPRA [23].
MOPRA es un radiotelescopio de 22 [m] de dimetro, el cual funciona en la banda de los 3

[mm], esta ubicado cerca de Coonabarabran en NSW Australia a 850 [m] sobre el nivel del mar.
Actualmente consiste en un receptor que utiliza tecnologa SIS en su primera etapa de
amplificacin y funciona en el rango comprendido entre los 85 [GHz] y los 115 [GHz] (3.5 [mm]
hasta los 2.6 [mm])
Actualmente este radiotelescopio esta siendo producto de una modificacin, la que
consiste en el reemplazo de la tecnologa SIS por una MMIC y la incorporacin de un correlador
de 16000 canales con una anchura por banda de 8 [GHz].
Mopra es el nico radiotelescopio de gran dimetro (22 [m]) en esta banda que funciona en
el hemisferio meridional. Es por lo tanto el nico capaz de sondear con altos niveles de ganancia
las lneas rotatorias ms bajas de muchas de las molculas ms abundantes del medio interestelar,
como por ejemplo CO, HCN y del HCO+.
Mopra tambin podr proporcionar la informacin complementaria a los telescopios de
ALMA que ahora son construidos en Chile, los cuales registraran las transiciones rotatorias ms
altas de las mismas molculas.
Su banda de operacin en frecuencia luego de su modernizacin se encontrar
comprendida entre los 74 [GHz] y los 118 [GHz].
Figura E.1.9: Radiotelescopio de MOPRA, ubicado en Australia.
127
E.1.6. NANTEN2 [24].
El radiotelescopio NANTEN2 es un proyecto producto de una colaboracin entre los

institutos de investigacin de Japn (Nagoya y universidad de Osaka), Corea del sur (universidad
nacional de Seul), Alemania (KOSMA, zu Kln, Argelander-Institut Universitt Bonn de
Universitt), y Chile (Universidad de Chile).
A mediados del 2004, el radiotelescopio de NANTEN fue movido desde el observatorio de
Las Campanas, en Chile, donde estuvo ubicado desde 1995 y fue situado a 4900 [m] de altitud en
la localidad llamada Pampa la Bola en el desierto de Atacama, Chile.
La operacin comenz en Mayo del 2006 y esta equipado de un radiotelescopio de un
dimetro de 4 [m].
NANTEN2 ser utilizado para examinar el cielo meridional en lneas espectrales
moleculares y atmicas entre 110 [GHz] y 880 [GHz] (que corresponde a la longitud de onda
comprendida entre los 2.6 [mm] y los 350 [m]).
El radiotelescopio fue aumentado en dimetro, adems se le coloc un subreflector nuevo.
Este radiotelescopio se contiene dentro de una bveda para protegerlo contra las condiciones
atmosfricas severas del lugar donde se halla emplazado.
El radiotelescopio posee una configuracin del tipo Cassegrain y fue fabricado por
Mitsubishi. Consiste en 33 paneles de aluminio que son ajustables con los actuadores (3 para cada
panel), y una estructura ligera de fibra del carbn. La exactitud superficial es de 20 [m] (rms).
Figura E.1.10: Radiotelescopio de NANTEN, ubicado en Pampa la Bola, Atacama Chile.
128
E.1.7. CfA 1.2m Telescope (Telescopio gemelo del SMWT) [11] y [13].
Como se mencion anteriormente el receptor del SMWT posee un receptor gemelo, el

telescopio Columbia Giss 4-ft o CfA 1.2m Telescope, en el cual se bas su diseo. El telescopio
gemelo es constructivamente muy similar al SMWT y ha dado pie a diversas publicaciones, al
igual que el SMWT, solo por destacar se puede mencionar que con l se han hecho mltiples
investigaciones sobre la distribucin del monxido de carbono en nuestra galaxia.
Existe informacin sobre el receptor gemelo que ha sido muy til para caracterizar el
receptor del SMWT. Por ejemplo, la temperatura del mezclador del gemelo a temperatura
ambiente es de 440 [K] y las prdidas son muy similares a las del SMWT.
La temperatura de ruido del receptor, visto a la entrada es de 860 [K], esto antes de las
modificaciones a las que fue sometido.
Visto en bloques, las temperaturas de ruido y prdidas en varios puntos del receptor vienen
dadas por:
Figura E.1.11: Temperatura de ruido y prdidas del receptor gemelo a temperatura ambiente.
Las modificaciones a las que se hace mencin consisten en la implementacin de la
tecnologa SIS en su etapa de mezclado, reemplazando as el mezclador Schottky original y la
incorporacin de un HEMT como amplificador de frecuencia intermedia, para ver estas
modificaciones se recomienda observar la Figura 5.27. Toda la primera etapa de recepcin
incluyendo al SIS y al HEMT se encuentra enfriada a 4.2 [K] mediante helio lquido. La
temperatura de receptor lograda con estas modificaciones es de 65 [K] (SSB).
129
Figura E.1.12: Diagrama del receptor gemelo con el front-end modificado con dispositivos SIS y
HEMT. La seccin delimitada por lneas punteadas se encuentra enfriada a 4.2 [K].
130
E.1.8. Metshovi [25].
El radiobservatorio de Metshovi es un instituto de investigacin dependiente de la

universidad de Helsinki. Ah funciona un radiotelescopio de 14 [m] de dimetro.
Los usuarios principales de la estacin son la universidad de tecnologa de Helsinki y la
universidad de Turku. En la misma rea, cerca del observatorio de radio de Metshovi, estn
tambin los edificios del observatorio de Metshovi correspondientes al departamento de
astronoma ptica y la estacin Geodetic del espacio de Metshovi (instituto Geodetic; geodesy).
El radiobservatorio de Metshovi ha sido operacional desde 1974. El receptor fue
modernizado entre 1992 y 1994. La exactitud superficial del actual telescopio es 0.1 [mm] (rms).
Las actividades en Metshovi se concentran en el espectro milmetro y microondas, en
particular en las frecuencias comprendidas entre los 2 [GHz] y los 150 [GHz], correspondiendo a
las longitudes de onda en la gama de 13 [cm] a los 2 [mm].
La investigacin en tecnologa incluye el desarrollo de los receptores de microonda, el
desarrollo de la adquisicin de datos y de la informtica y el desarrollo de la tecnologa de la
antena.
Los objetos de la investigacin radioastronmica son: radiacin solar, quasares variables,
galaxias activas, lnea molecular radiacin, e interferometra muy larga de la lnea de fondo
(VLBI).
Figura E.1.13: Radiotelescopio de Metshovi.
131
E.1.9. ONSALA (SEST) [26].
El radiotelescopio submilimtrico SEST de ONSALA es un radiotelescopio de 15 [m] de

dimetro, fue construido en 1987 en los talleres del observatorio La Silla en los Andes chilenos
ubicado a 2300 [m] sobre el nivel del mar.
El radiotelescopio SEST se utiliza para las observaciones de una amplia gama de objetos
astronmicos, del centro galctico y de las nubes de Magallanes. Tambin se utiliza para las
observaciones de VLBI en las longitudes de onda del milmetro.
El radiotelescopio se equipa de los siguientes receptores, todos utilizan tecnologa del tipo
SIS.
Receptor
Doble frecuencia
2 [mm] y 3 [mm]
Doble frecuencia
3 [mm] y 1.3
[mm]
nica frecuencia
Rango de frecuencias
[GHz]
78-116
128-170
80-116
210-268
Temperatura de
ruido [K]
100-180
120-200
Manufactura
Onsala
Onsala & IRAM
90-160
320-363
350-450
Tabla E.3: Caractersticas de los receptores SEST.
Onsala
El receptor consiste en tres espectrmetros acusto-pticos (AOS) y un autocorrelador,

adems de receptores del tipo VLBI y de registradores. Dos de los espectrmetros del AOS tienen
una resolucin baja y banda ancha (LRS 1 y 2), y uno tiene de alta resolucin y una banda
estrecha (HRS). Los espectrmetros tienen las caractersticas siguientes:
Ancho de banda
Separacin del
canal
0.7 [MHz]
0.69 [MHz]
42 [kHz]
Resolucin
LRS 1
1 [GHz]
1.4 [MHz]
LRS 2
1 [GHz]
1.4 [MHz]
HRS
84 [MHz]
80 [kHz]
Autocorrelador
1 [GHz]
Tabla E.4: Caractersticas de los espectrmetros de los receptores SEST.
132
F.1
Diseo del SSB
1.
Conservando la etapa de mezclado dentro del termo y utilizando un hbrido para desfasar
la seal RF:
1.1 Caractersticas hbrido RF
Tabla F.1: Caractersticas elctricas del hbrido escogido.
Tabla F.2: Caractersticas mecnicas del hbrido escogido.

133
1.2 Caractersticas mezcladores
Tabla F.3: Caractersticas elctricas del mezclador escogido.
Tabla F.4: Caractersticas mecnicas del mezclador escogido.

134
1.3 Caractersticas Tees
Tabla F.5: Caractersticas Tees Aerowave.
Tabla F.6: Caractersticas Tees Millitech.

135
1.4 Hbridos IF
Tabla F.7: Caractersticas Hbrido IF.

1.5 Terminacin RF
Tabla F.8: Caractersticas elctricas de la terminacin RF escogida.
136
Tabla F.9: Caractersticas mecnicas de la terminacin RF escogida.
137
2. Incorporando la etapa de mezclado fuera del termo con un hbrido en la etapa de RF:
1. Caractersticas mezcladores
Tabla F.10: Caractersticas elctricas del mezclador escogido.
138
Tabla F.11: Caractersticas mecnicas del mezclador escogido.
139
3.
Incorporando la etapa de mezclado fuera del termo y utilizando un desfasador para la
seal del OL:
1. Caractersticas desfasadores
Tabla F.12: Caractersticas elctricas del desfasador VPS escogido.
Tabla F.13: Caractersticas mecnicas del desfasador VPS escogido.
140
Tabla F.14: Caractersticas elctricas del desfasador DRP escogido.
Tabla F.15: Caractersticas mecnicas del desfasador DRP escogido.
141
G.1
Hoja de datos H315.
142
G.2
Hot cold test o Y mtodo.
Este procedimiento es ampliamente utilizado para medir la temperatura de ruido de

receptores, permitiendo calibrar el receptor antes de realizar observaciones astronmicas. De
hecho, cada vez que se desea tomar mediciones cientficas con un receptor, es necesario medir la
temperatura de ruido del instrumento usando este procedimiento.
En primer lugar se debe poner una carga fra, que consiste en un material absorbente
empapado en nitrgeno lquido, en frente del horn. El amplificador detectar la radiacin de
cuerpo negro emitida por la carga y adicionar una cierta cantidad de ruido a la salida, cantidad
caracterizada por su temperatura de ruido, TRuido.
Luego se realiza el mismo procedimiento, pero esta vez frente al horn se utiliza un
absorbente a temperatura ambiente. La salida que se mide en el amplificador, para cada caso,
corresponde, a las Ecuaciones 1 y 2.
VCold = KTCold + KTRuido
(1)
V Hot = KTHot + KTRuido
(2)
Utilizando ambas ecuaciones, adems de un poco de lgebra, es posible despejar la

temperatura de ruido como:
T YTCold
(3)
TRuido = Hot
Y 1
En esta ecuacin el parmetro Y corresponde al cuociente entre las potencias de salida que
se midi en cada caso, es decir:
Y=
V Hot
VCold
(4)
Un esquema de esta prueba se puede observar en la Figura F.1.1.
Figura F.1.1: Esquema del hot cold test o Y mtodo.

143
H.1
Pruebas realizadas al receptor 105.
H.1.1. Encendido del receptor
Los procedimientos para realizar el encendido y posterior operacin del receptor del
SMWT casi no varan al usar uno u otro de los osciladores que este utilizando incluso si se
encuentra operando el amplificador HEMT o no.
Sin embargo se ha estimado procedente describir todas las posibilidades de operacin, es
decir operacin del SMWT tanto con el oscilador Klystron en su configuracin original, como con
el Gunn y con el Gunn y el HEMT incorporados simultneamente, a pesar de que actualmente el
receptor opera solo de la ltima manera mencionada.
H.1.2. Pruebas con los osciladores
A continuacin se describir la operacin del SMWT en su configuracin original (con el

oscilador Klystron) y luego de su primera modificacin (con el oscilador Gunn).
H.1.2.1. Pruebas del receptor usando el oscilador Klystron
Esta operacin se realiz a temperatura ambiente, se procur utilizar los valores

ptimos de los voltajes de polarizacin del mixer y el doblador de frecuencia, del ajuste
del diplexor de anillo resonante y del ajuste del mixer backshort.
El diagrama de conexin y la descripcin de los procedimientos desarrollados se
entregan a continuacin, para entender mejor el procedimiento, se recomienda observar la
Figura H.1.
Procedimiento de partida.
a)
Partir bomba de agua.
b)
Verificar potencia RF apagada. Mxima atenuacin en atenuadores a la salida del Klystron
(Ambos) y a la entrada del termo (Girar en sentido horario).
c)
Verificar voltaje del doblador de frecuencia apagado (Girar en sentido antihorario).
d)
Verificar voltaje de mixer apagado (Girar en sentido antihorario).
e)
Quitar los cortos del mixer, doblador y harmonic mixer.
f)
Dar potencia a la placa del oscilador local.
g)
Verificar que circula agua en el Klystron.
h)
Encender simultneamente.
1)
PLL power supply box.
2)
Reflector voltage on, 288 [V].
i)
Esperar un minuto y Beam voltage on, 1671 [V].
1)
Se debe tener corriente de beam del orden de 10 [mA], en el caso de esta medicin
se obtuvo 11 [mA].
2)
El voltaje de beam se debe aplicar en pasos de 500 [V] para evitar la formacin de
arcos.
105
Estos datos se pueden encontrar en la carpeta Memos Lab. 2006, Carpeta incorporacin del HEMT ubicada en el
laboratorio de radiofrecuencia de Cerro Caln.
144
j)
Dar potencia de RF, atenuadores del Klystron y termo.
k)
Polarizacin del mixer, -0.76 [V]. Con esto se obtuvo una corriente de polarizacin de
0.5 [mA]. Este valor debe estar en el rango de -0.8 [V] a 0 [V].
l)
Polarizacin del doblador de frecuencia, 2.0 [V]. Este valor se ajusta para maximizar la
corriente DC en el mixer.
m)
Ajustar tornillos micromtricos del doblador. M1: 0.5 + 2.5 y M2: 2.5 + 17 (este ajuste
maximiza la corriente DC en el mixer).
n)
Ajustar el diplexor de anillo resonante para maximizar la corriente DC del mixer (la
corriente del mixer es muy sensible a este ajuste).
)
Ajustar mixer backshort para maximizar corriente DC del mixer. La corriente del mixer no
es muy sensible a este ajuste, sin embargo este ajuste es importante cuando se quiere minimizar la
temperatura de ruido (no es recomendable realizar este ajuste muy seguido pues acorta la vida til
del mixer).
Procedimiento de apagado.
a)
b)
c)
d)
e)
f)
g)
h)
i)
j)
k)
Cortar RF a termo.
Cortar RF a salida del Klystron.
Polarizacin del mixer y doblador a 0 [V].
Beam voltaje a 0 [V].
Beam H.V. off
Reflector voltaje a 0 [V].
Beam off.
Simultneamente: PLL power supply off y reflector off.
Desconectar potencia L.O. plate.
Poner cortos en mixer, doblador y harmonic mixer.
Desconectar bomba de agua.
145
Figura H.1: Diagrama de conexin del receptor operando con el oscilador Klystron.
H.1.2.2. Pruebas del receptor usando el oscilador Gunn
Se han realizado mltiples pruebas de la operacin del oscilador Gunn y el PLL,

logrndose un completo conocimiento de la forma de operar las distintas partes del
sistema.
La Figura H.2 ilustra un diagrama de conexiones para el receptor operando con el
oscilador Gunn.
Al igual que en la parte H.1.2.1 se detalla el procedimiento que se debe seguir para
operar sin problemas este oscilador local, es as que para la operacin del receptor se debe
seguir el mismo procedimiento de sintonizacin de la polarizacin del mixer, el diplexor
de anillo resonante y el mixer backshort descritos en H.1.2.1, sobre la operacin del
receptor con el oscilador Klystron. Las conexiones se realizan segn Figura H.2. Adems
de las conexiones del diagrama, se debe conectar el mixer bias box y la GASFET Amplifier
Power Supply, ubicadas en la placa del oscilador Klystron. Al hacer esto se debe
desconectar la energa del doubler bias box.
146
Antes de la partida.
a)
Ponerse pulsera antiesttica (recordar que los componentes mas delicados son el harmonic
mixer y el oscilador Gunn).
b)
Conectar las distintas partes del receptor segn Figura H.2
c)
Ajustar frecuencia Gunn utilizando los micrmetros segn hoja de datos H315 106 (Esto
corresponde al ajuste grueso, el fino se realiza mas adelante para alcanzar el lock).
d)
Atenuadores RF y PLL al mximo de atenuacin.
e)
Sintetizador Fluke en 80 [MHz], con potencia de salida de 2 [dBm].
f)
En XL801
VOP = 10 [VDC], VLG al mnimo
IF MON, SWEEP y OSC. OFF
g)
Calcular la frecuencia del generador de seales como:
f LO =
f Gunn 80
[GHz ]
N
(7.1)
Donde N es la armnica a utilizar (en este caso se recomienda N=20 y potencia de salida
de 0 [dBm]).
Procedimiento de partida
a)
Encender fuente de poder para el PLL.
b)
Encender sintetizadores de frecuencia, Fluke y Agilent 8257
c)
Encender oscilador Gunn, Interruptor OSC en posicin ON, en XL801.
d)
Reducir atenuacin en atenuador PLL.
e)
Encender la salida de monitoreo IF MON en XL801. Aumentar en pasos de 1 [dBm] la
potencia del Agilent 8257 (esto generara un aumento en la corriente del mixer, la que no debe
sobrepasar los 2 [mA], en este caso se utiliz 1.82 [mA]). Durante este proceso debe aparecer en
IF Mon una seal de frecuencia cercana a 80 [MHz].
f)
Dejar VLG en algn valor intermedio. Encender SWEEP ON en XL801 para encender el
lazo de control.
g)
Ajustar cuidadosamente el Tuning micrometer del Gunn hasta lograr lock. Tambin podra
ser necesario ajustar VLG, esto modifica la respuesta transiente.
h)
Ajustar Backshort micrometer para maximizar la potencia del oscilador.
Procedimiento para apagar receptor
a)
Apagar oscilador Gunn, OSC OFF, SWEEP OFF, IF MON OFF
b)
Apagar Fluke y Agilent.
c)
Apagar fuente de poder
d)
Al desconectar los cables se debe cuidar que el harmonic mixer y el Gunn queden con los
cortos puestos.
106
Mirar hoja de datos en el anexo G.1.
147
Comentarios:
Se logr operar satisfactoriamente el oscilador Gunn, comprobndose que el sistema se

encuentra en buen estado. Quedan dos problemas por solucionar:
1)
Decidir como se entregar la seal de referencia al sistema una vez que el receptor se
encuentre fuera del laboratorio, claramente no ser con el Signal Generator de Agilent.
2)
Medir la potencia de oscilador local en toda la banda de inters (85 [GHz] hasta los 115
[GHz]).
Figura H.2: Diagrama de conexiones para prueba de oscilador Gunn en el laboratorio.
148
H.1.3. Amplificador HEMT
La operacin con el amplificador HEMT (tanto el W7 como el W10 operando por

separado) recientemente incorporado es muy similar a la operacin con el oscilador Gunn, salvo
que ahora hay que considerar la polarizacin del HEMT para su correcta operacin.
H.1.3.1. Temperatura de ruido y ganancia del HEMT
Para medir la temperatura de ruido de los amplificadores se utiliz el mtodo

llamado Hot cold test, tambin conocido como mtodo Y 107.
Para medir la potencia de salida de los amplificadores se cuenta con un Power
Meter (PM3 de Erickson [34]) que puede medir potencia en la banda comprendida entre
los 59 [GHz] hasta varios THz. Se trata de un instrumento basado en un bolmetro 108.
Este instrumento permite medir potencias tan bajas como 10 [uW], con un error de
0.5 [uW]. Para obtener este tipo de resultados el sensor necesita de un tiempo de
estabilizacin de algunas horas y de un tiempo de integracin de cerca de un minuto. Por
esas razones las mediciones toman bastante tiempo, pero se obtienen resultados
satisfactorios.
Se debe ser cuidadoso al manejar el sensor, pues al medir potencias muy bajas este
detecta variaciones del orden de milsimas de grado. Por ello, si se toca el sensor este
pierde su punto de operacin siendo necesario esperar cerca de 30 minutos para que se
vuelva a estabilizar. A continuacin se describen los pasos a seguir para sintonizar el
receptor a cierta frecuencia y poder as realizar el Y mtodo, cabe la pena destacar que esta
prueba se realiz una vez ya operando el receptor, por lo que previamente a los pasos que
a continuacin se mencionan se deben realizar los descritos para operar el Gunn (H.1.2.2),
adems se utiliz el HEMT W10 para realizar esta prueba, de realizarla con el HEMT W7
los pasos a seguir son los mismos.
a)
Primero que todo se decide que transicin rotacional se estudiara.
b)
Luego, con la hoja de datos H315 se determina a que frecuencia debe estar oscilando el
oscilador Gunn.
c)
Luego se aumenta la atenuacin en el atenuador RF, de modo que la corriente de mezcla
(corriente bias del mixer) disminuya a 0.2 [mA] y el PM3 entregue una potencia de ~ 0.08 [mW].
d)
Se apaga el PLL, luego es posible bajar la frecuencia del oscilador Gunn utilizando el
tornillo micromtrico, es as que se baja la frecuencia hasta que la corriente de mezcla sea similar
a 0 [mA]. Luego se vuelve a sintonizar el resonant ring para recuperar la corriente de 0.2 [mA].
e)
Se Ajusta el backshort del Gunn para maximizar la corriente de mezcla. Si la corriente de
mezcla aumenta se recomienda volver a mover el atenuador RF de forma que vuelva a ser 0.2
[mA]. La frecuencia en que se encuentra el Gunn puede ser medido utilizando el Harmonic mixer
y el PLL del Gunn. Para seguir moviendo la frecuencia del Gunn es necesario repetir los pasos c,
d y e.
107
Para entender en que consiste este mtodo se recomienda revisar el anexo G.2.
Es decir mide el incremento de temperatura que se produce en una carga bien adaptada cuando la radiacin incide
sobre ella.
108
149
f)
Luego se pueden tomar muestras a la frecuencia escogida, para ello se procede a enclavar el
oscilador, luego se aumenta la potencia RF de forma que la corriente bias del mixer llegu
alrededor de 0.5 [mA], mientras que en el PM3 no debe superar los 0.25 [mW] (o sea la lectura
del Power mixer x10).
g)
Para disminuir el ruido se debe realizar un ajuste fino del mixer backshort, mixer bias y
potencia RF.
h)
Finalmente se registran los valores para la mejor temperatura de ruido que se encuentre.
Para mantener enclavado el oscilador Gunn, el PLL que lo controla necesita contar
con las seales de referencia provenientes del Agilent E8257D y el Fluke 35517
(aproximadamente 5 [GHz] y 80 [MHz], respectivamente).
Tambin se debe contar con una fuente de poder de 15 [V] tanto para el bias del
FET (polarizacin del FET al interior del dewar o termo), para el PLL, el bias del mixer (o
voltaje de polarizacin del mezclador ~-0.75 [V]) y el IF plate.
Para observar si en oscilador esta enclavado o no se mira el analizador de espectro
(HP 182T), esta seal proviene del PLL 800A a travs de la salida IF Mon.
Luego la seal que entrega la placa del Gunn entra al dewar, donde es mezclada
con la seal RF, luego esa seal (que ya esta bajada en frecuencia) sale del termo hacia el
plato IF, en este plato es nuevamente bajada en frecuencia hasta los 150 [MHz], esta seal
es la que se mide en el Agilent 53150A para realizar los hot y cold test.
150
H.1.4. Curvas de funcionamiento
Para estimar el comportamiento del amplificador HEMT (W10) se procedi a realizar la

prueba del hot cold test o Y mtodo a 115 [GHz] y a temperatura ambiente, el detalle del
procedimiento puede ser encontrado en el anexo G.2.
Para empezar se procedi a medir el estado del sistema cuando no se encuentra operativo
el HEMT, esto entrego los siguientes valores.
Tabla H.1: Parmetros iniciales del receptor (sin usar el HEMT).

Posteriormente se hizo funcionar el HEMT, para ello fue necesario polarizarlo, donde Vd y
Vg son respectivamente su voltaje de drenaje y fuente.
En la tabla que sigue a continuacin se procedi a mantener fijo Vd y variar Vg, esto solo a
modo ilustracin.
Tabla H.2: Parmetros del receptor utilizando el HEMT (variando Vg).
151
H.2
Anlisis del ruido del receptor del SMWT.
Tabla H.3: Situacin del receptor antes de la incorporacin del amplificador HEMT.
Tabla H.4: Situacin del receptor despus de la incorporacin del amplificador HEMT.
Figura H.3: Diagrama de bloques del receptor actual con su temperatura de ruido
152
Tabla H.5: Situacin del receptor ante la eventual incorporacin de un SSB mas el amplificador
HEMT actual.
Tabla H.6: Situacin del receptor ante la eventual incorporacin de un SSB mas dos amplificador
HEMT.
153

Tesis Uch WVR

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Universidad de Chile

Facultad de Ciencias Fsicas y Matemticas

OPTIMIZACIN DE LA RAZN SEAL A RUIDO DE UN RECEPTOR A 115 GHZ

MEMORIA PARA OPTAR AL TTULO DE INGENIERO CIVIL ELECTRICISTA

CRISTIN CLAUDIO VSQUEZ DROUILLY

Se caracteriz y estudi el receptor del SMWT para la eventual incorporacin de un

Adems, se recomienda incorporar un nuevo amplificador HEMT dentro del termo,

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1.2.1. Objetivos generales

Caracterizar el funcionamiento del receptor del SMWT con su configuracin original, o

Caracterizar el funcionamiento del receptor del SMWT con la configuracin alcanzada

Caracterizar el funcionamiento del receptor del SMWT con la configuracin alcanzada

1.2.2 .Objetivos especficos

Realizar un estudio comparativo de las tecnologas modernas utilizadas en la primera

Se caracterizar y estudiar el receptor del SMWT para la eventual incorporacin de un

Se har un diseo para la incorporacin de la alternativa escogida para solucionar el

Finalmente se propondr un ideario para la incorporacin de este mecanismo eliminador

1.3. Estructura del presente informe

2. Las seales provenientes desde el espacio

En realidad debera decir

2.1. Mecanismos de radiacin electromagntica

En dicha ecuacin c 14 representa la velocidad de la luz, h la constante de Planck, I ( )

Se recomienda mirar el anexo A.1 para mayor comprensin de este punto.

Cuyo valor es h = 6.63 10

Estos conceptos fueron rpidamente aplicados en la astronoma ptica, permitiendo

Seales cuya longitud de onda () es del orden del micrmetro (m).

Figura 2.1: Radiacin recibida desde la fuente M82.

2.2. Deteccin de seales dbiles en la banda de microondas

Las seales provenientes de fuentes ubicadas en el espacio deben recorrer considerables

, donde D es el dimetro de la antena y es la

longitud de onda que se est observando.

, pero esta vez D corresponde a la distancia

Figura 2.3: Simulacin del interfermetro ALMA 22.

ALMA por sus siglas en ingls, Atacama Large Millimeter Array.

3. Descripcin general de un radiotelescopio

Figura 3.1: Detalle de la heterodinacin entre seales de frecuencia f1 y f2.

Se mejora la selectividad aritmtica 24 del receptor.

3.2. Receptor superheterodino

Un receptor superheterodino tiene mltiples representaciones, las cuales dependen

Figura 3.2: Receptor Superheterodino 25.

Donde f S representa la frecuencia de la seal de entrada,

f S la frecuencia filtrada, f OL la frecuencia generada

Entre los mltiples esquemas de un radiotelescopio, las mayores diferencias se presentan

3.3. Ruido en recepcin

En dispositivos electrnicos, el movimiento aleatorio de los portadores de carga generan

3.3.1. Mecanismos de ruido.

Ver anexo C.1 para entender mejor el concepto de barrera de potencial.

Cuyo valor es e = 1.602 10

El valor de la constante de Boltzman es k = 1.38 10

Flicker Noise o 1/f Noise:

Fluctuaciones en la movilidad de electrones.

La caracterstica de este ruido es que decrece en forma proporcional a la frecuencia, por

3.3.2. Ruido del sistema

En el sistema receptor existen mltiples orgenes para el ruido, es as que al ruido

La temperatura de antena 29 (T A ) proviene de distintas fuentes y es captada en la antena por