TP Microsystèmes S1

Année Universitaire 2004/2005

TRAVAUX PRATIQUES
MICROSYSTEMES
ENSERG/ENSPG 3A – Option “Dispositifs et Microsystèmes”

Séance S1
I Le simulateur Athena
II Le Layout ( masque )
III Aperçu des étapes technologiques
IV Oxydation thermique
V Lithographie et gravure de l’oxyde épais
VI Implantation ionique
VII Recuit rapide d’activation (RTA)
VIII Connexions en aluminium
IX Micro usinage de volume de la face arrière
X Exemple de fichier de simulation

Responsable : Laurent Montès montes@enserg.fr

Enseignants : Yannis Leguennec, Laurent Montès

Laurent Montès / ENSERG-INPG 71

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Séance S1
Simulation Technologique avec Athena
Afin de prévoir diverses caractéristiques des transistors et microsystèmes réalisés, on a
recours à la simulation. Le concepteur en microélectronique est habitué aux outils de
simulation au niveau circuit. Il s’agit des outils de type Spice. Ces outils simulent des schémas
électriques parfois complexes, en utilisant des modèles de composants élémentaires. Ils
peuvent ensuite effectuer d’autres simulations lorsque le concepteur a réalisé le layout de son
circuit afin d’obtenir un résultat plus fin en tenant compte de certains éléments parasites qui
n’étaient pas prévus dans le schéma.
Ce type d’outil est le seul utilisable dans le cas de la simulation de systèmes
complexes. En revanche, lorsque l’on s’intéresse à des composants élémentaires tels ceux que
l’on a fabriqués en salle blanche, et que l’on doit mettre au point leur processus de fabrication
et optimiser leurs performances, on doit utiliser un autre type d’outil travaillant au niveau du
silicium. Les résultats ainsi obtenus pourront être inclus dans le simulateur de circuits pour
concevoir des produits dans la filière développée.
On distingue deux grandes étapes de simulation, qui ont fait l’objet de deux séances de
travaux pratiques : la simulation technologique et la simulation électrique. Nous allons utiliser
deux simulateurs différents Athena et Atlas de la société américaine Silvaco intégrés sous la
même interface utilisateur. Ce type d’outil est connu sous la dénomination TCAD pour
technology – computer aided design.
Cette partie de la simulation technologique consiste en la simulation des processus de
fabrication. Les principales étapes technologiques sont prises en compte par le simulateur qui
contient de nombreux modèles mathématiques afin de modéliser ces étapes.
La simulation des processus technologiques permet d’améliorer considérablement les
capacités d’analyse du concepteur de filières de circuits intégrés et microsystèmes. Celui-ci
peut jouer beaucoup plus finement qu’auparavant sur les paramètres de la technologie. Il peut
obtenir un résultat beaucoup plus rapidement que par l’expérience. Il faut cependant se
montrer prudent et critique envers les résultats donnés par le simulateur, tout comme lorsque
l’on doit analyser des résultats de mesures.

I Le simulateur Athena
Athena est un simulateur de processus technologiques. Il permet de prévoir la structure
que l’on obtiendra en fonction des différents paramètres de fabrication. Il travaille en 1 ou 2
dimensions ; la dimension y est la profondeur de la plaque de silicium et on peut ajouter une
dimension x représentant un axe longitudinal de la structure étudiée. Les premières étapes
sont généralement simulées en une dimension afin de diminuer le temps de simulation. En
revanche, dès la première lithographie, la structure devient bidimensionnelle. L’utilisateur
entre la géométrie des différentes étapes de fabrication, soit manuellement en saisissant des
jeux de coordonnées, soit à partir d’une coupe réalisée dans le jeu de masques qui sert à la
fabrication du dispositif. Le simulateur ne fonctionnant pas en 3 dimensions, on doit se
contenter de coupes, on ne peut simuler le processus correspondant au dispositif complet.
L’utilisateur saisit également les différents paramètres qui entrent en jeu dans ces étapes
technologiques. Ces paramètres peuvent être :
· Paramètres d’implantation : type d’ion implanté, dose implantée, énergie
d’implantation, angle d’incidence du faisceau.

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· Paramètres de diffusion : température du four, durée de la diffusion, nature du gaz

introduit dans le four (oxygène ou vapeur d’eau pour réaliser une oxydation, azote dans le cas
d’une simple diffusion ou activation des impuretés), pression, …
· Dépôt de matériau : type de matériau déposé (oxyde, nitrure, silicium polycristallin,
métal, résine photosensible), épaisseur du dépôt.
· Paramètres de gravure : type de matériau gravé, épaisseur maximale enlevée, gravure
humide ou sèche, …
On saisit également le maillage de la structure, c’est-à-dire l’ensemble des points où
seront résolues les équations différentielles des modèles. Les grandeurs calculées seront alors
interpolées à l’ensemble de la structure.
Athena réalise alors la simulation du processus de fabrication. Il génère une structure
comportant la géométrie des empilements des différents matériaux ainsi que les
concentrations en impuretés résultant des opérations de dopage. Il permet aussi d’extraire
certains paramètres de la structure fabriquée (épaisseur d’une couche, concentration en
impureté d’une zone, …). Il est vivement recommandé d’enregistrer une structure après
chaque étape du processus et de la visualiser.

II Le Layout ( masque )

Nous allons utiliser comme point de départ le jeu de masques des séances de travaux
pratiques d’élaboration ayant eu lieu en salle blanche. Nous nous intéresserons plus
particulièrement à la simulation des parties du masque correspondant au capteur de pression.
Cependant, Athena n’étant pas un outil spécialement dédié aux microsystèmes incluant des
parties mécaniques, les seules parties intéressantes sont les jauges piézo-résistives. Il faut
donc effectuer une coupe dans le masque au niveau des jauges de différents types, avec l’outil
Maskview. Une vue du masque complet est donnée par la Figure 1. L’outil affiche les
différents niveaux du layout. On peut choisir de cacher certains niveaux. Ici, le layout
comprend 5 niveaux :
• Le niveau Via correspond au masque utilisé pour définir la zone de gravure de
l’oxyde épais de la face avant. Il ne correspond en aucun cas à une connexion entre
niveaux de métal comme son nom pourrait le laisser supposer. Il sert donc à
déterminer l’emplacement des jauges implantées de monosilicium ainsi que les zones
actives des transistors MOS. L’oxyde est gravé aux endroits où le niveau apparaît
dans le layout.
• Le niveau Poly correspond au silicium polycristallin, ce dernier est gravé en dehors
de la zone définie.
• Le niveau Alu correspond aux contacts en aluminium, ce dernier est gravé en dehors
de la zone définie.
• Le niveau Back correspond au masque utilisé pour définir la zone de gravure de
l’oxyde épais de la face arrière, cet oxyde étant utilisé comme masque pour la gravure
du silicium.
• Le niveau Membr n’est pas un niveau réel. Il ne correspond à aucune étape
technologique. Il délimite simplement la géométrie prévue de la fine membrane de
silicium. En effet celle-ci est différente de l’ouverture de la face arrière en raison de
l’anisotropie de l’attaque KOH dont les flancs de gravure ne sont pas verticaux.

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Figure 1 : Masque complet affiché avec l’outil Maskview

III Aperçu des étapes technologiques

Les étapes du processus technologique sont décrites selon le langage de description

utilisé par Athena. Il n’est pas necessaire de simuler systématiquement l’ensemble du
processus, la partie relative au silicium polycristallin par exemple n’est pas nécessaire lorsque
l’on intéresse aux jauges implantées, car il n’est pas présent dans la partie du dispositif
étudiée. Cette simplification n’est pas obligatoire, il est envisageable de déposer une couche
de matériau qui sera gravée intégralement. Ceci est même parfois souhaitable lorsque une
couche est obtenue par traitement thermique. Ce dernier peut en effet modifier les propriétés
de l’ensemble de la plaque (diffusion d’impuretés par exemple).

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La succession des étapes de simulation est la suivante :

• Importation de la coupe définie dans le jeu de masques. On notera que le maillage de
la structure est défini dans l’outil Maskviews avant de définir la coupe.
• Définition du substrat de départ : silicium d’orientation cristalline <100> dopé au
bore à une concentration de 1015 atomes/cm².
• Oxydation épaisse de la face supérieure du substrat
• Retournement de la plaque et dépôt d’une couche d’oxyde similaire
• Retournement de la plaque pour revenir à la face supérieure
• 1ère étape de lithographie correspondant à l’ouverture de l’oxyde épais au niveau
des jauges en monosilicium
• Gravure anisotrope de l’oxyde épais
• Retrait de la résine
• Implantation de phosphore. L’oxyde épais sert de masque.
• Dépôt de polysilicium (si nécessaire)
• 2ème étape de lithographie pour définir la géométrie du polysilicium (si nécessaire)
• Gravure sèche du polysilicium (si nécessaire)
• Retrait de la résine (si nécessaire)
• Recuit rapide d’activation des impuretés (RTA)
• Dépôt d’aluminium
• 3ème étape de lithographie correspondant au niveau des connexions en aluminium
• Gravure isotrope de l’aluminium
• Elimination de la résine
• Retournement de la plaquette et lithographie de la face arrière
• Gravure de l’oxyde épais de la face arrière
• Gravure anisotropique du silicium de la face arrière selon la géométrie des
ouvertures de membranes mesurées

Une fois les étapes technologiques décrites, vous pouvez lancer le simulateur avec
différentes coupes effectuées dans le masque. Dans un premier temps, vous simulerez une
coupe du capteur de pression situé au centre du réticule et contenant une jauge
monocristalline implantée. Sa localisation est donnée par la Figure 2.

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Figure 2 : Position de la coupe contenant une jauge en monosilicium

IV Oxydation thermique

Pendant l’élaboration technologique, une seule étape a été nécessaire à l’oxydation

thermique des deux faces de la plaque de silicium. Dans Athena deux étapes sont nécessaires
(une par face).

IV.1. Croissance d’oxyde thermique sur la face avant

L’oxydation thermique est un phénomène de diffusion, qui nécessite un temps de calcul

relativement important. Il faut en effet calculer l’évolution de l’épaisseur d’oxyde ainsi que le
déplacement de l’interface. Le profil de dopage est également modifié par ce traitement
thermique : il y a diffusion des impuretés et ségrégation à l’interface. Dans notre cas, c’est-à-
dire pour un dopage du substrat au bore, ce phénomène de ségrégation se traduit par une
consommation d’impuretés dans le silicium à l’interface, ce que l’on observe sur la Figure 3.
Avec du phosphore, vous pouvez observer l’effet inverse, à savoir une augmentation de la
concentration d’impureté à l’interface.
Vous simulerez l’oxydation thermique en donnant comme paramètres d’entrée au
simulateur les durées et les températures d’oxydation. Il faut décomposer cette simulation en
3 étapes :
• Une élévation de température du four en présence d’azote selon une rampe linéaire en
fonction du temps.
• un pallier en atmosphère oxydante humide
• une décroissance linéaire en présence d’azote également.
Vous pouvez alors extraire l’épaisseur d’oxyde simulée.

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Figure 3 : Coupe 1D de la structure après oxydation thermique

IV.2. Calibrage de l’oxydation thermique

Le simulateur ne donne jamais une vue exacte de la réalité. En ce qui concerne

l’oxydation thermique, la croissance de l’oxyde dépend de nombreux paramètres pris en
compte ou non dans le modèle utilisé. Certains de ces paramètres dépendent du traitement de
surface des plaquettes (nettoyage), de l’équipement utilisé ainsi que de l’environnement. Ces
paramètres n’étant pas accessible, la solution retenue pour obtenir des simulations précises est
de comparer les résultats simulés aux mesures effectuées sur les plaques de silicium.
Temps Epaisseur d’oxyde obtenue
d’oxydation
Atmosphère humide Atmosphère
sèche
T=900°C T=1000°C T=1100°C T=1100°C

Atmosphère humide Atmosphère

sèche
T=900°C T=1000°C T=1100°C T=1100°C
Vitesse
d’oxydation
(Ang/min)

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IV.3. Dépôt d’oxyde sur la face arrière

Pour gagner du temps, nous allons remplacer l’oxydation thermique par un dépôt pour
la face arrière. L’épaisseur de ce dépôt est choisie égale à l’épaisseur obtenue sur la face
avant. En effet, la concentration de dopant n’est pas un paramètre important pour cette face.
On obtient la structure de la Figure 4. Le profil de dopage est resté uniforme, et il n’y a pas
d’impureté dans l’oxyde.

Figure 4 : Coupe 1D de la structure après retournement et dépôt d’oxyde

V Lithographie et gravure de l’oxyde épais

Athena réalise en une seule étape le dépôt de résine et son développement selon la
géométrie du masque. La première lithographie concernant les ouvertures de l’oxyde épais
afin de réaliser les jauges implantées (Figure 5). L’étape suivante est une gravure de l’oxyde
épais (Figure 6).

Figure 5 : Lithographie des ouvertures de l’oxyde épais

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Figure 6 : Gravure de l’oxyde épais

VI Implantation ionique
Afin que les jauges en silicium monocristallin soient opérationnelles, il faut simuler une
opération de dopage par implantation ionique. Ceci permettra d’augmenter la conductivité des
jauges et de changer de type par rapport au substrat de base qui est peu dopé (type p avec 1015
atomes de bore par cm3). Dans notre cas, l’impureté implantée était le phosphore, impureté
donatrice (type N).
Athena permet de simuler le profil de dopage obtenu après implantation. Il propose
deux types de modèles : analytique et statistique. Le premier type utilise une formule
analytique de la distribution des impuretés (distribution gaussienne, de Pearson, ou de Pearson
double) dont les moments proviennent de tables obtenues généralement de façon
expérimentale. Le modèle statistique utilise un code de calcul de type Monte-Carlo qui simule
le trajet d’un ion implanté dans le cristal de silicium en considérant les interactions subies
avec les atomes du réseau et avec les impuretés déjà présentes. En effectuant ce calcul un
grand nombre de fois avec des particules présentant une trajectoire initiale différente, on
obtient une répartition statistique des impuretés dans le substrat et on en déduit le profil de
dopage. Dans notre cas, nous allons utiliser le modèle analytique avec un profil gaussien qui
nécessite moins de temps de calcul.
Vous pouvez alors extraire la profondeur de jonction après implantation et visualiser la
répartition bi-dimensionnelle des impuretés (un exemple est donné Figure 7).

VII Recuit rapide d’activation (RTA)

L’implantation ionique est une opération qui provoque des défauts dans la structure
cristalline. Afin de guérir ces défauts et d’activer électriquement les impuretés, on procède à
un recuit rapide d’activation (RTA). Ce recuit a aussi pour conséquence de faire diffuser les
impuretés et donc de modifier le profil de dopage. Afin que cette modification soit prise en
compte, il faut simuler cette diffusion.

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Figure 7 : Dopage de la jauge après implantation

Cette simulation (Figure 8) sera décomposée en 3 étapes :

• l’élévation de température du four selon une rampe linéaire en fonction du temps.
• un pallier
• une décroissance linéaire.

Figure 8 : Dopage dans la structure après diffusion

Vous pourrez comparer les profils de dopage obtenus avant et après diffusion.
Afin d’obtenir un résultat correct, il convient de faire tourner le simulateur avec
un maillage correct.

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Figure 9 : Répartition mal simulée des dopants après implantation

Durée de diffusion Température de diffusion

950°C 1000°C 1020°C

VIII Connexions en aluminium

Il faut ensuite réaliser une étape de dépôt d’aluminium. La Figure 10 donne un aperçu
de ces connexions métalliques. On observe également un artefact : une partie de l’aluminium
en bordure de l’oxyde n’a pas été gravée. En effet les gravures sont uniquement géométriques,
et il suffit d’un léger décalage du masque des contacts par rapport à celui de l’ouverture de
l’oxyde épais pour obtenir ce résultat qui n’a aucune réalité physique.

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Figure 10 : Contacts en aluminium pour connecter la jauge

Sur cette figure, seule la section des contacts en aluminium est visible. Si on effectue
une coupe dans une direction orthogonale à la précédente, on obtient cette fois le contact
complet, comme l’atteste la Figure 11. On remarque que le contact est mal simulé par rapport
à la réalité. En effet, on observe une discontinuité de l’aluminium au franchissement de la
marche d’oxyde, à cause du fait que l’épaisseur d’aluminium est inférieure à celle d’oxyde.
Dans la réalité, le passage entre silicium nu et oxyde ne peut se faire de façon aussi brutale.
La gravure employée ne peut donner un tel profil. L’aluminium descendra donc
progressivement vers le silicium sans une telle cassure.

Figure 11 : Piste d’aluminium connectée à la jauge

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IX Micro usinage de volume de la face arrière

Après avoir déposé et gravé l’aluminium, il ne reste plus qu’à réaliser l’ouverture de la
membrane du capteur. Pour se faire, il faut retourner la plaque et effectuer la lithogravure de
l’oxyde de la face arrière qui sert de masque à la gravure du silicium. Cette opération est
illustrée par la Figure 12.

Figure 12 : Ouverture du masque d’oxyde

Il ne reste plus qu’à graver le silicium (Figure 13). La gravure KOH n’est pas connue
d’Athena, il faut donc définir manuellement la région gravée par ses coordonnées. Pour cela,
vous utiliserez les résultats de la mesure des profils des membranes réalisée au profilomètre.

Figure 13 : Structure obtenue en fin de simulation

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X Exemple de fichier de simulation

#Initialisation d’Athena et choix de la coupe du jeu de masques

go athena cutline=membrane.sec

# Initialisation du substrat, orientation cristalline <100>, dopage

au bore 1e15 atomes/cm3
init silicon c.boron=1.0e15 orientation=100

# Enregistrement de la structure générée

struct outfile=jauge1.str

# Oxydation epaisse : montée en température, plateau en atmosphère

oxydante, descente
diffus time=20 temp=800 t.final=1100 nitro press=1.00
diffus time=259 temp=1100 weto2 press=1.00 hcl.pc=0
diffus time=20 temp=1100 t.final=800 nitro press=1.00

# Enregistrement de la structure générée

struct outfile=jauge2.str

# Extraction de l’épaisseur d’oxyde obtenue par oxydation thermique

extract name="oxepais" thickness material="SiO~2" mat.occno=1
x.val=100

# Retournement de la structure pour traitement de la face arrière

struct flip.y
struct outfile=flip.str

# Dépôt d’oxyde sur la face arrière

deposit oxide thick=1.45 dy=0.10
struct outfile=depot.str

# Retournement de la structure
struct flip.y

# Première lithographie d’ouverture de l’oxyde épais

mask name="Via"
struct outfile=masque1.str

# Gravure de l’oxyde épais

etch oxide dry thick=1.5
struct outfile=gravure1.str

# Enlèvement de la résine
strip

# Dépôt de polysilicium
deposit poly thick=0.35

# Lithographie et gravure du polysilicium

mask name="Poly"
etch poly dry thick=0.35

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# Enlèvement de la résine
strip
struct outf=gravure2.str

# Implantation de phosphore
implant phosphor dose=3e15 energy=40 gauss fullrot crystal \
lat.ratio1=1.0 lat.ratio2=1.0

struct outfile=implante.str

# Recuit d’activation composé de 3 étapes de diffusion

method compress init.time=0.10 fermi
diffus time=10 temp=500 t.final=1020 nitro press=1.00

method compress init.time=0.10 fermi

diffus time=0.5 temp=1020 nitro press=1.00

method compress init.time=0.10 fermi

diffus time=10 temp=1020 t.final=500 nitro press=1.00

struct outfile=recuit.str

# Dépôt d’aluminium
deposit alumin thick=1 dy=0.10

# Lithogravure de l’aluminium
mask name="Alu"
etch alumin thick=1
strip

struct outfile=alu.str

struct flip.y

# Lithogravure de l’oxyde épais de la face arrière

mask name="Back"
etch oxide dry thick=1.5
strip
struct outfile=ouv_arr.str

# Calcul de la position du bord gauche de l’ouverture de l’oxyde

épais
extract name="ouvx" max.bound x.pos material="SiO~2" x.val=0 y.val=-
350.5

# Micro-usinage de volume de la face arrière du substrat à partir de

la géométrie obtenue avec le profilomètre
etch silicon start x=$ouvx-115 y=-350
etch cont x=$ouvx+150 y=-50
etch cont x=$ouvx+3350 y=-50
etch done x=$ouvx+3615 y=-350

struct flip.y

# Enregistrement de la structure finale

struct outf=ouv_memb.str

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