Année : 2005-2006

Master Professionnel
Microélectronique Radiofréquences Hyperfréquences

Projet réalisé par : Badreddine OUAGAGUE

Hamid OUADDI

Encadré par monsieur le professeur Gilles DAMBRINE

 Remerciements

Ce travail a été effectué dans les laboratoires du Centre National de Formation en

Microélectronique (CNFM), Pôle de Lille, au Bâtiment P3 à l’université des sciences et technologies de
Lille. Nous tenons à remercier M. Pascal DELEMOTTE ingénieur responsable du bâtiment pour sa
disponibilité et pour la mise à notre service de tout le matériel et les produits nécessaires à la réalisation
de notre projet.

Nous tenons à remercier vivement monsieur le professeur Gilles DAMBRINE responsable du

Master MRH pour sa formation, son encadrement et ces conseils précieux qui ont mené à bien notre
projet.

Nous remercions également M. Jean-François LEGIER maître de conférence et M. Philippe

COQUET professeur pour leurs interventions et leur participation au juré.

Nous tenons également à remercier M. Dominique ZYMICK ingénieur responsable du matériel

informatique pour sa disponibilité.

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 Sommaire

I. Introduction ……………………………………………………………………………………….…. 04
II. Polarisation du transistor ……………………………………………………………………………. 05
III. Conception du circuit …………………………………………………………………………….… 06
III.1 Stabilisation ……………………………………………………………………………….. 07
III.2 Adaptation ……………………………………………………………………………….... 08
III.3 Résultats de l’étude statique ………………………………………………………………. 12
IV. Etude du comportement non linéaire ……………………………………………………….……… 14
V. Etude de sensibilité …………………………………………………………………………….…… 16
VI. Réalisation de l’amplificateur …………………………………………………………………...…. 21
VII. Résultats des mesures …………………………………………………………...……………….... 23
VIII. Retrosimulation ……………………………………………………………………………...…… 28
IX. Conclusion ………………………………………………………………………………………..... 31
X. Annexes ………………………………………………………………………………………...…… 32

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 I. Introduction

L’objectif de ce projet est de concevoir un amplificateur de puissance en technologie micro-

ruban, ce dernier est centré sur la fréquence 7.1 GHz et réalisé à partir d’un transistor du commerce
MGF 1302 (voir annexe 1).

L’amplificateur sera intégré dans une chaîne d’émission-reception en amont de l’antenne

émettrice afin d’augmenter la puissance qui vient du driver.

Le cahier des charges est le suivant :

- Polarisation en classe A.
- Fréquence d’utilisation : F0 = 7.1 GHz ±0.5 GHz.
- Bande passante sur 1 GHz définie par :
S11<-18 dB
S22<-10 dB
- Stabilité inconditionnelle sur la bande 0.1 GHz - 15 GHz.
- Puissance de sortie : Pout> 14 dBm
- Modèle du transistor : MGF 1302
- Substrat : verre téflon r = 2.55.

Dans ce rapport, nous présenterons toutes les étapes intermédiaires de la réalisation de

l’amplificateur afin que toute personne le lisant puisse comprendre les différentes démarches qui ont
mené à la réalisation du circuit final. Tout d’abord, nous ferons une étude statique du circuit afin de le
stabiliser et de l’adapter. Puis nous étudierons son comportement non linéaire. Ensuite nous présenterons
quelques résultats d’étude de sensibilité du circuit. Enfin nous exposerons les résultats des mesures après
la réalisation du circuit.

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 II. Polarisation du transistor

Nous traçons le courant Ids (courant drain-source) en fonction de la tension Vds (tension drain-
source) pour plusieurs valeurs de Vgs (tension grille-source). Nous traçons ensuite la droite de charge
statique qui est délimitée d’un côté par la tension de claquage et de l’autre côté par l’entrée de la zone de
courant de saturation.

La pente de cette droite nous donne la valeur de la résistance de charge : R autour de 90Ω.

En classe A le point de polarisation est choisi au milieu de la droite de charge statique, cela
permet d’avoir un maximum d’excursion en puissance. C’est à dire qu’on a une grande marge avant
d’avoir des distorsions de signal. De plus, si une distorsion apparaît, elle est symétrique.

Le point de polarisation est donc défini par :

Ids= 23 mA
Vds= 2.3 V
Vgs= -0.27 V

Nous avons pris comme valeur de la résistance de charge 100Ω.

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 III. Conception du circuit

Maintenant que nous avons fixé la polarisation de notre transistor, nous allons commencer la
conception.

La procédure de conception se décline en deux méthodes qui sont les suivantes :

La première consiste à concevoir le circuit avec des éléments idéaux, le stabiliser de la même
façon, puis l’adapter. A la fin nous remplaçons les éléments idéaux par des éléments réels.
La seconde méthode consiste à concevoir le circuit en utilisant directement des éléments réels
qui permettent une meilleure approche comportementale de l’amplificateur.
Nous avons choisi la seconde méthode car le circuit dans ce cas est plus proche de la réalité à
chaque étape, ce qui nous évitera de recommencer toutes les étapes de la conception dans le cas du
changement des éléments idéaux par des éléments réels.

La conception a pris compte de tous les éléments réels : circuits de polarisation avec stub
papillon, les « via hole » des sources du transistor, les lignes qui permettent la soudure des pattes du
transistor, les lignes de rallongement …etc. L’amplificateur doit avoir comme dimension 2 pouces x 2
pouces, le rallongement du circuit pour avoir cette dimension se fait par des lignes 50 Ω, dans le cas
d’un amplificateur de puissance ces lignes sont rajoutées à l’entrée du circuit pour ne pas perturber la
charge calculée à la sortie pour avoir le maximum de puissance.

Il est aussi important de bloquer le courant continu venant des systèmes de polarisation pour
qu’il n’arrive pas sur l’entrée et la sortie de l’amplificateur afin de ne pas perturber les instruments de
mesure. Pour cela nous utilisons deux capacités, une à l’entrée et une à la sortie, nous avons pris comme
valeur de capacité 47 pF.

Le schéma est le suivant :

La simulation donne le résultat suivant :

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 Le gain en puissance est de 9 dB à la fréquence 7.1 GHz.
La stabilité est inconditionnelle seulement au dessus de 6.5 GHz. Au dessous de 6.5 GHz on est
conditionnellement stable, ainsi en fonction de l’impédance présentée au transistor à l’entrée ou à la
sortie, il y aura des risques d’oscillation. Le cahier des charges impose une stabilité inconditionnelle sur
toute la bande de fréquence 0.1 GHz – 15 GHz.

A la fréquence de travail, le coefficient de réflexion à l’entrée est égale à -5.8 dB et le coefficient

de réflexion à la sortie est égale à -4.5 dB.

III.1 Stabilisation du circuit :

Dans un premier temps nous devons rendre notre amplificateur inconditionnellement stable sur
toute la bande de fréquence (0.1GHz-15GHz).
Le circuit de stabilisation choisi est une contre réaction parallèle (drain-grille), les éléments du
circuit sont une résistance, une inductance et une capacité en série.
La capacité et la résistance utilisées sont des composant semi-localisés, par contre nous n’avons
pas utilisé d’inductance car les lignes de raccordement ont un effet inductif.

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 En faisant varier les valeurs de la capacité, de la résistance et des longueurs et largeurs des lignes,
nous arrivons à avoir une stabilité inconditionnelle sur toute la bande de fréquence demandée.
La résistance utilisée est d’une valeur de 1 k q et la capacité est de 22 pF.

III.2 Adaptation du circuit :

Maintenant que notre amplificateur est inconditionnellement stable, nous pouvons utiliser
n’importe quelle charge pour l’adapter.

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 La sortie est désadaptée car on présente une charge qui permet un compromis entre gain,
puissance et linéarité, c’est la résistance calculée dans la droite de charge statique. Par contre l’entrée
doit être adaptée pour avoir un maximum de transfère de puissance.
La méthode utilisée pour adapter l’entrée est la méthode simple stub, nous avons procédé de la
manière suivante:
La valeur de l’impédance d’entrée du circuit est affichée dans un abaque de Smith en admittance.

Dans une nouvelle fenêtre de schéma, Nous avons câblé un dipôle (Eqn_Based linear) de type
impédance (Z1) en mettant comme valeur celle de notre impédance d’entrée.

Nous avons câblé les terminaisons pour la simulation S paramètres.

Ce circuit correspond à notre circuit réel vu par l’entrée. Notre objectif est de ramener cette
impédance au centre de l’abaque (50 Ohms).
A l’aide d’une ligne 50 Ohms de longueur variable, nous allons chercher à croiser le cercle g=1
de l’abaque de Smith en admittance. La variation de la longueur de la ligne 50 Ω fait tourner le point à
TOS constant sur l’abaque.

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 Deux solutions sont possibles :
La première (impédance en moitié haute de l’abaque) correspond à une capacité. Pour l’annuler
il faut rajouter une inductance c'est-à-dire un stub en court circuit.
La seconde solution correspond à une inductance. Pour l’annuler il faut rajouter une capacité
c'est-à-dire un stub en circuit ouvert.

L’utilisation des stub CC (court circuit) en micro-ruban étant difficile car il faut percer le
substrat pour mettre des « via hole » ce qui pose quelques imperfections, nous avons choisi d’utiliser un
Stub CO (circuit ouvert).

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 Nous avons utilisé un stub en circuit ouvert pour faire varier la position de l’impédance sur le
cercle g=1 de l’abaque en admittance.

Le schéma réel final du circuit d’adaptation en entrée est le suivant :

L’impédance d’entrée est bien au centre de l’abaque de Smith (50 Ohms).

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III.3 Résultat de l’étude statique

Le schéma final de l’amplificateur est le suivant :

La simulation donne le résultat suivant :

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 Le réseau d’adaptation de l’entrée a permis d’améliorer le coefficient de réflexion à l’entrée qui
passe de -5.8 dB à -23.4dB.

La stabilité inconditionnelle est maintenue sur toute la bande. Le gain en puissance s’est
amélioré car nous avons un transfert maximum de la puissance de l’entrée vers le circuit.

Remarque : Au début de la conception, nous avons utilisé pour les stubs le modèle ADS
« MLOC », ce modèle ne tient pas compte des effets de bout, il prend en compte la longueur physique
du stub et pas la longueur électrique. Au cours de la conception, nous avons échangé ce modèle par le
modèle « MLEF » qui tient compte des effets de bout, le modèle « MLEF» donne des résultats plus
proches de la réalité.

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 IV. Etude du comportement non linéaire de l’amplificateur
Après avoir simuler le comportement linéaire de notre amplificateur, nous allons étudier son
comportement non linaire. Tout d’abord, nous allons déterminer le point de compression à 1 dB, ensuite
nous déterminerons le point IP3.

a) Point de compression à 1dB.

Pour faire cette étude nous utilisons l’outil « HARMONIC BALANCE » du logiciel ADS, ainsi
que des ports qui nous permettent d’appliquer des puissances variables à l’entrée de l’amplificateur.

Port de puissance variable.

Pour obtenir la courbe qui nous donne le point de compression à 1dB, nous faisons varier la
puissance d’entrée et nous regardons le comportement en puissance de la fréquence fondamentale en
sortie de l’amplificateur.

Courbe du point de compression à 1 dB.

Le point de compression est déterminé en superposant une droite à la zone de linéarité de la

courbe Ps=f(Pe). Lorsque nous avons un écart de 1 dB entre la droite et la courbe Ps=f(Pe), nous
obtenons le point de compression.

Dans notre cas, nous obtenons un point de compression à 1dB avec une puissance de sortie
Ps=12.778 dBm pour une puissance d’entrée Pe=4.2 dBm. De plus, le gain de l’amplificateur est de
8.6 dB.
Nous allons maintenant déterminer le point IP3 qui caractérise la qualité de l’amplificateur.

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 b) Détermination du point IP3.
Pour obtenir ce point, nous allons appliquer à l’entrée de l’amplificateur deux fréquences
proches qui sont F1=7.1 GHz et F2=7.11 GHz, ainsi nous avons un f = 10 MHz. Pour cela nous
utilisons deux ports de puissance qui sont réglés respectivement aux fréquences précédentes.

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Détermination du point IP3.

Sur le graphique la courbe de pente 1 correspond à la puissance du fondamental 7.1 GHz et la

courbe en rouge de pente 3 à celle de la fréquence 7.12 GHz (2F2-F1). Le point IP3 est déterminé en
faisant une interpolation des parties linéaires de ces deux courbes. Nous obtenons le point IP3 pour une
puissance d’entrée Pe = 13 dBm et une puissance de sortie Ps = 22 dBm.

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 V. Etude de sensibilité

Pour prévenir les changements de caractéristiques qui peuvent apparaître lors de la réalisation de
l’amplificateur, des études de sensibilité du circuit sont réalisées.

Plusieurs paramètres sont étudiés :

1. Sensibilité face aux variations des lignes de la contre réaction:

Sensibilité face à la variation des longueurs des lignes de ±25% :

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 Sensibilité face aux variations des largeurs des lignes de la contre réaction de ±25% :

Ces deux études nous montre une possibilité d’instabilité du circuit autour de la fréquence
2.5GHz, les autres paramètres ne varient pas d’une manière remarquable à la fréquence de travail.

2. Sensibilité face aux variations des caractéristiques du circuit imprimé :

Une étude réalisée par nos collègues Hervé LANNOY et Mourad CHEBLI lors d’un projet
antérieur, montre que les caractéristiques de la plaquette du circuit imprimé sont un peu différentes des
données nominales. Nous avons donc fait deux simulations en utilisant la valeur de la conductivité
nominale et la valeur extraite de l’étude antérieure.

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 Cette variation de conductivité n’a aucun effet négatif sur les caractéristiques de notre
amplificateur.

3. Sensibilité face aux variations des dimensions des Via Holes.

En technologie micro-ruban, la réalisation des courts circuits se fait en perçant le substrat pour
relier la ligne du signal à la masse, ces trous « via hole » sont à l’origine de plusieurs éléments parasites.
Le diamètre des via hole étant difficilement contrôlables lors de la réalisation, une étude de
sensibilité de l’amplificateur face à une variation des caractéristiques des via hole est réalisée.

Les dimensions des Via Hole sont variées de ±40%.

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 Nous observons une légère possibilité d’instabilité à la fréquence de 3 GHz. A noter également
que S11 peut perdre quelques dB.

4. Sensibilité face aux variations de la tension et du courant de l’alimentation.

Les alimentations du laboratoire n’étant pas très précises, il est important de prévenir la réponse
de l’amplificateur face à des petites variations du point de polarisation. Une étude est faite pour Vds et
Vgs variables de ±25% autour du point de polarisation.

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 Nous observons une possibilité d’instabilité à 3 GHz et à 6.5 GHz, le point 6.5 GHz étant près de
la fréquence de travail (7.1 GHz), l’amplificateur pourra osciller à cause de cela. Nous observons aussi
quelques variations pour les coefficients de réflexions.

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 VI. Réalisation de l’amplificateur

L’amplificateur doit avoir comme dimension 2 pouces x 2 pouces, deux connecteurs SMA vont
être soudés à l’entrée et à la sortie du circuit. Pour un amplificateur de puissance, les lignes de
rallongement 50 Ω sont rajoutées à l’entrée du circuit pour ne pas perturber la charge calculée à la sortie
permettant le maximum de puissance.

Le layout du circuit est le suivant :

Après la génération du layout, les étapes de la réalisation technologique étaient les suivantes :
- Impression du pelliculable à l’échelle 5.
- Photoréduction pour réduire le pelliculable à l’échelle 1.
- Préparation du substrat métallisé (dépôt de résine et recuit, insolation UV, révélation).
- Attaque chimique (perchlorure de fer).
- Elimination du reste de la résine.
- Réalisation des via hole.

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- Soudure des éléments passifs.
- Soudure du transistor.

Le circuit final ainsi réalisé est le suivant :

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 VII. Mesures sur le circuit réalisé :

1. Mesures des caractéristiques statiques :

Le gain en puissance est de 8.42 dB à la fréquence de travail, nous avons perdu 1.5 dB par
rapport à la simulation. Ce résultat est très satisfaisant.

Concernant la réflexion à l’entrée, à la fréquence de travail nous obtenons -10 dB au lieu de -23dB en
simulation. En sortie la réflexion est la même qu’en simulation (–4.8 dB).

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 Remarque :
Nous observons sur les courbes des pics autour de la fréquence 10 GHz (résonance). C’est un
problème lié à l’étalonnage de l’analyseur de réseau, un test avec les cals provoque des résonances
autour de cette fréquence. C’est donc un problème indépendant de notre circuit.

2. Mesures des caractéristiques non linéaires de l’amplificateur.

a) Point de compression à 1 dB.

Après avoir effectué l’étalonnage en transmission, nous avons mesuré la puissance de sortie en
fonction de la puissance d’entrée. Lors de cette mesure nous avons utilisé la synoptique suivante.

Nous avons réglé la fréquence de la source de RF à 7.1 GHz et polarisé le transistor à Vds=2.3
V et Ids=23 mA. Les résultats de cette mesure sont les suivants :

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 Mesures du point de compression à 1 dB.

Le point de compression est obtenu à une puissance de sortie Ps1dB=13.1 dBm pour une
puissance d’ entrée injectée Pe1dB=6.8 dBm. Si nous comparons ces résultats de mesure aux résultats de
simulation nous avons pratiquement la même puissance de sortie (Ps1dBthéorique=12.778 dBm). En
revanche, la puissance d’ entrée est légèrement plus élevée que la théorie (Pe1dBthéorique=4.2 dBm).
Globalement nous avons un comportement correct de l’ amplificateur.
De plus, à partir du relevé de la puissance réfléchi à l’ entrée de l’ amplificateur nous pouvons
calculer le coefficient de réflexion moyen en entrée sur la gamme de puissance de mesure ainsi que le
TOS moyen. De ce fait, après calcul, nous avons un moyen=0.2257 soit en dB moyendB=-12.93 dB. On
en déduit le TOSmoyen de l’ amplificateur qui est de TOS=1.58.

b) Détermination du point IP3.

Pour faire cette étude, nous avons réalisé le montage suivant.

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 Nous avons deux sources RF de fréquence F1=7.1 GHz et F2=7.11 GHz soit un f=10 Mhz. Les
résultats de la mesure sont les suivants :

Le point IP3 est déterminé selon la manière expliquée dans la partie simulation. A partir des
mesures nous obtenons ce point pour une puissance de sortie Psip3=29 dBm et une puissance d’ entrée
Peip3=23 dBm.

Ce point théorique a pour but de caractériser la qualité de l’ amplificateur.

Détermination du point IP3

c) Mesure du bruit de l’amplificateur.

Pour cette mesure nous utilisons le mesureur de bruit et une source de puissance. Le NFM étant
limité en fréquence, nous utilisons un mélangeur et un oscillateur externe afin de faire les mesures dans
la gamme de fréquence qui nous intéresse. Il est également nécessaire de calibrer le NFM pour être dans
les bonnes conditions des mesures.
La synoptique de la meure est la suivante :

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 Une fois ce montage effectué, nous effectuons les mesures et obtenons le graphe suivant.

Facteur de bruit

26
24 Facteur de bruit
Facteur de bruit (dB)

22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4000 5000 6000 7000 8000 9000
Fréquence(MHz)

Courbe du facteur de bruit.

Nous obtenons un facteur de bruit de Fmesure =4.49 dB à la fréquence de 7.1 GHz. Si nous
comparons cette valeur à la valeur Fsimulation=3 dB obtenu lors de la simulation, nous observons un écart
sans doute du à la connectique. Cependant les deux valeurs sont du même ordre de grandeur. Cette
valeur de facteur de bruit reste correcte pour un amplificateur de puissance comparé à un amplificateur
LNA.

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 VIII. Retrosimulation

Pour comprendre l’ origine de la différence entre la simulation et les mesures pour le coefficient
de réflexion à l’ entrée, nous avons effectué quelques retrosimulations.

- Un des paramètres ayant attiré notre attention est le modèle des capacités utilisées. Dans notre
simulation, nous avons utilisé des capacités de modèle ATC. En revanche les composants dont nous
disposons sont de marque PHILIPS. A défaut de disposer de ce modèle dans la bibliothèque ADS, nous
avons effectué une deuxième simulation en utilisant le modèle AVX, le résultat est le suivant :

Dans la simulation, l’ échange du modèle de la capacité ATC par le modèle AVX fait décaler
légèrement la fréquence. Le coefficient de réflexion perd jusqu’ à 8 dB à la fréquence de travail.

- Un autre composant intéressant à étudier est la résistance du circuit de la contre réaction. Ce

modèle de résistance est presque idéal, il ne tient pas compte de la capacité parasite parallèle. Une étude
réalisée par nos collègues Kamel CHABANE et Soufiane MENAI lors d’ un projet d’ étude et de
recherche montre que cette résistance a une capacité parasite d’ une valeur de 60fF. Dans la simulation,
nous avons intégré cette capacité en parallèle à la résistance. Le résultat est le suivant :

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 En intégrant la capacité parasite à la résistance nous observons un décalage en fréquence et de ce
fait une variation des coefficients de réflexion. S11 perd 9 dB à la fréquence de travail.

- Concernant le stub d’ adaptation, une nouvelle simulation en variant sa longueur donne un

résultat plus proche de la mesure.
La valeur de la variation de longueur est de 0.5 mm. Nous sommes intervenus directement sur le
circuit réalisé en éliminant 0.5 mm de la longueur du stub.

Les nouveaux résultats des mesures sont plus satisfaisants :

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 IX. Conclusion

Ci-dessous un récapitulatif des performances de l’ amplificateur réalisé:

Simulation Mesures Cahier des charges

S11 (dB) -23.41 -12.72 <-18
S22 (dB) -4.81 -5.35 <-10
S21 (dB) 10.08 8.55
Pout (dBm) 12 (Pe = 2dBm) 13.5 (Pe = 5.5 dBm) 14 dBm
P à 1dB 12.77 dBm (Pe = 4.2 15.8 dBm (Pe = 7.5
dBm) dBm)
Point IP3 Ps=22 dBm et Pe = 13 Ps = 31.2 dBm et Pe =
dBm 24.6 dBm
Facteur de bruit à 7.1 3 4.49
GHz (dB)
Stabilité 0.1 GHz-15 GHz 0.1 GHz-15 GHz 0.1 GHz-15 GHz
inconditionnelle

Au niveau des coefficients de réflexions, nous n’ avons pu obtenir ce qui était requis dans le
cahier des charges. Cependant, en ce qui concerne la puissance de sortie, nous pouvons considérer que
ce résultat est très correct : Nous avons en effet une puissance de sortie de 13.5 dBm pour une puissance
d’ entrée de 5.5 dBm. La stabilité inconditionnelle est respectée sur toute la bande de fréquence
demandée. De plus, la mesure du bruit de notre amplificateur a donné un NF de 4.49 dB ce qui est
acceptable comparé à un amplificateur faible bruit (LNA).
Les difficultés à surmonter dans ce genre de projet sont surtout liées aux imprécisions lors de la
réalisation technologique. La gravure des lignes, le perçage des « via hole » et les soudures des éléments
passifs et actifs génèrent des parasites non prévisible lors de la CAO ce qui provoque des résultats
parfois très différents de la simulation. Les performances de notre amplificateur reste néanmoins très
correctes.

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 X. Annexes

Annexe 1 : fiche technique du transistor MGF 1302.

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